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processadas ao mesmo tempo num forno de difuso, Mesmo nos primeiros dias
do processo planar, quando fatias de silcio foram usadas com 2,5 cm de
dimetro contendo 2 000 transistores, o processo representava um aumento
considervel na capacidade de produo sobre o processo de juno por liga,
com uma conseqente queda do custo unitrio.
Um forno de difuso tpico mostrado na Figura 8.42 (h). Este um
forno duplo de banco triplo, e mostrado sendo carregado com lotes de fatias
de silcio para difuso.
Processos de difuso semelhantes aos descritos nos transistores NPN
podem ser usados para fabricar transistores pnp. Uma fatia de silcio do tipo p
usada, e o fsforo difundido para formar as regies da base do tipo n. Quando
as regies do emissor esto formadas, no entanto, h uma tendncia para que
o boro se concentre na camada de xido que est crescendo em vez de na
base de silcio do tipo n, e as tcnicas especiais de difuso devem ser usadas.
Da descrio dos processos de difuso ser evidente que a preciso das
mscaras usadas para definir as reas de difuso de importncia primordial.
O primeiro estgio na preparao das mscaras usa um filme opaco
descartvel em que uma forma transparente cortada. A rea transparente
representa a rea de difuso particular, a base, emissor, ou rea de contato de
um nico transistor, Um processo de reduo de 20:1 usado para reproduzir
esta forma numa chapa fotogrfica de 50 mm X 50 mm. Esta chapa chamada
um retculo. Uma cmara de passos sucessivos ou de repetio usada para
reproduzir o retculo com uma reduo de 10 :1 num arranjo predeterminado
numa segunda chapa fotogrfica. A preciso de posicionamento de cada
reproduo do retculo no dispositivo maior do que 1 Pm. A segunda chapa
fotogrfica chamada mestra, e a partir dela cpias de trabalho so feitas para
uso nos processos de difuso. Para evitar defeitos nas mscaras, todos os
processos fotogrficos e de fabricao ocorrem nas reas de "ar puro" sob
umidade e nveis de poeira cuidadosamente controlados.
O alinhamento cuidadoso das mscaras com as fatias essencial se a
geometria do transistor deve ser recisamente controlada. O alinhamento pode
ser feito por um operador que usa um microscpio, ou no equipamento mais
recente feito automaticamente. A exposio da mscara na fatia pode ser
feita com a mscara e a fatia grampeadas juntas, ou em algum equipamento
pela projeo de uma imagem da mscara na fatia. A preciso da superposio
da mscara e das reas difundidas previamente sobre a fatia melhor do que 1
Pm. Os processos fotogrficos que precedem a difuso devem ocorrer cm
condio de "ar puro".
Os processos de fabricao depois de ter sido formado o elemento de
transistor so os mesmos tanto para transistores NPN quanto para os pnp.
Todos os transistores da fatia so individualmente testados. Isto feito por meio
de sondas que podem mover-se ao longo de uma fila de transistores sobre a
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fatia testando cada um; localizar a transio da fatia, passar para a prxima fila,
e mover-se ao longo desta fila testando estes transistores. Quaisquer
transistores que no alcancem a especificao requerida so automaticamente
marcados de modo que possam ser rejeitado; num estgio posterior. A fatia
dividida em transistores individuais escrevendo com um estilete de diamante, e
quebrando a fatia em pastilhas individuais. neste estgio que os transistores
defeituosos so rejeitados, Os transistores restantes so preparados para o
encapsulamento.
A camada de xido removida do lado do coletor da pastilha, que
depois ligada a uma travessa revestida de ouro. A ao de ligadura ocorre pela
reao euttica do ouro e do silcio a 400 C. Este contato forma a ligao do
coletor. So usados fios de alumnio ou de ouro de 25 Pm de dimetro para
ligar as almofadas de contato do emissor e da base dos fios condutores de
sada na travessa. Fios mais grossos podem ser usados se o valor de regime
de corrente (contente nominal) do transistor o requerer. O estgio final da
montagem o encapsulamento, ou num invlucro hermeticamente vedado ou
cm plstico moldado, dependendo da aplicao do transistor. Encapsulamentos
tpicos de transistores so mostrados na Figura 8.42 (i).
O transistor planar possui vantagens sobre o tipo de juno por liga alm do custo mais
baixo pela fabricao de produo em massa. Durante cada progresso da difuso, uma camada
de xido crescida sobre as transies da juno, a qual no perturbada durante os
processos subseqentes de difuso e de montagem. Assim, a juno coletor-base, uma vez
que ela seja formada vedada pela camada de xido, no pode ser facilmente contaminada
pela difuso do emissor, teste e encapsulamento, ou durante o tempo de vida do transistor em
servio. Os efeitos de carga que ocorrem nas superfcies expostas dos dispositivos
semicondutores so minimizados, dando aos transistores planares caractersticas estveis e
mxima confiabilidade, Alm disso, a difuso um processo que pode ser precisamente
controlado, e portanto o espaamento entre as trs regies do transistor pode ser mantido
numa tolerncia inferior a 0,1 Pm.
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figura 8.46 Transistor de unijuno: (a) estrutura simplificada (b) smbolo de circuito
A resistncia entre as ligaes da base 1 e da base 2 ser a da barra de silcio. Isto
mostrado no circuito equivalente na Figura 8.47 como RBB, e tem um valor tpico entre 4 k
ohms e 12 k ohms. Uma tenso positiva aplicada base, o contato da base 2 estando
conectado ao terminal positivo. A base age como um divisor de tenso, e uma proporo da
tenso positiva aplicada juno do emissor. O valor desta tenso depende da posio do
emissor ao longo da base, e est relacionada tenso na base, VBB, pela razo n intrnseca. O
valor de n determinado pelos valores relativos de RB1 e RB2, e est geralmente entre 0,4 e
0,8.
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TRANSISTOR GTO
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Acionamento
O tiristor GTO tem uma estrutura de gate altamente interdigitada sem gate regenerarivo,
em consequncia disso, um alto pulso de engatilhamento do gate necessrio para acion-lo.
O pulso de disparo e seus parmetros esto descritos na figura abaixo.
Figura 1
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Figura 3
Operao:
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Essa injeo causa a modulao da regio drift onde ambos buracos e eltrons tem bem mais
magnitude que a dopagem N- original. essa modulao de condutividade que da ao IGBT sua
baixa tenso de acionamento devido a baixa resistncia da regio drift. A operao do IGBT
pode ser considerada como um transistor PNP cuja a corrente drive de base suprimida pela
corrente mosfet atravs do canal. Um circuito equivalente simples pode ser mostrado na fig.3 a.
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