MAKRON Books SUMARIO Capitulo 1 BP) 14 1 16 17 1.2.1 Requisitos para Disparo de Um Tiristor 1.2.2 Requisitos do Circuito de Disparo . 1.2.3 Circuito de Disparos Tipicos 12.4 — Caracteristicas do Circuito de Disparo .............. Tiristor de Desligamento por Gatilho (GTO) O Transistor de Poténcia . O Mosfet de Poténcia . .VI Eletrdnica Industrial - Teoria e Aplicagoes Capitulo 2 1.8 Outros Dispositives 0.0... eee eee eeeeeeeeees Fi) Bapeckiicaghoy sas acne war sat a 1.10. Perdas e Refrigeragio . 1.11 Comparagio de Dispositivos . 1.12. Exemplos Resolvidos Exemplo 1.1. Exemplo 1.2. Exemplo 1.3 . FRRGINDIO LAs, 5 ogo < inde nne 125 Se oes wnt + te so Brremplo 15 0 cs sve spas MME nt aus aes ven BEGG 1.6 ont Ie ewes once nines Bremplo 157% 210.00. Un cap cis wna tae PS ED. ," -— Corrente de gatiho méxima permitida £ nodisparo Eels Caracteristica de limite inferior | Ig | _ Corrente de gatitho minima para garantir disparo em qualquer temperatura Tensao de gatilho minima para garantir disparo em qualquer temperatura to) Figura 7 Curva caracteristica do gatilho do tiristor. (a) Familia de curvas. (b) Circuito de referéncia, (c) Limites.Transformador de pulso | Fonte de pulso <—Limite maximo de poténcia ‘Caracteristica de um dado tiristor <— Reta de carga 'e Area de disparo incerto ©) Figura 1.8 Circuito de disparo. (a) Conexio desejiivel do circuito. (b) Equivalente Thé para o circuito de disparo. (c) Reta de carga do circuito de disparo.10 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicagoes Cap. 1 1.2.2 REQUISITOS DO CIRCUITO DE DISPARO Para disparar um tiristor em um curto periodo de tempo, é desejavel ter uma corrente de gatilho que cresca rapidamente até o valor maximo permitido. Esse crescimento rapido é melhor alcancado pela técnica de impulso de corrente, onde 0 circuito de disparo gera um pulso de subida répida ¢ duracao suficiente para dar tempo para que a corrente do anodo alcance seu-valor-de travamento. A vantagem dessa técnica € que a dissipagao de poténcia no gatilho é minima se comparada com a aplicacao de uma corrente continua, e o instante do disparo pode ser precisamente determinado. Como referéncia, 0 circuito retificador simples da Figura 2.4 mostra que um requisito essencial do circuito de disparo em aplicacdes CA é que 0 tiristor deve ser disparado em sincronismo com a fase da fonte de tensao CA. O instante (fase) do pulso de disparo tem de ser capaz de variar em relacao ao zero da fonte tensio Um circuit de disparo pratico e comercial tem uma curva caracteristica tipica, como na Figura 1.9a, ou seja, tempo de subida de 1 us para uma fonte de tensao de 10 Ve corrente maxima de 1 A, como ilustra a reta de carga da Figura 1.9b. Um pulso com(duragao de 10 [ls e que atinge 2 V em 1 us pode bastar para muitas aplicagGes, enquanto outras aplicagées podem necessitar de um pulso com duracao de até 100 jis. O circuito de disparo, apés fornecer um pulso, regenera-se e fornece uma sucesso de outros pulsos espagados de (por exemplo) 400 is até o fim do semiciclo, como mostrado na Figura 1.9c. As condicées, no circuito retificador, podem nfo estar corretas para acontecer a conducao do tiristor logo no primeiro pulso, porém existem os outros pulsos disponiveis para disparar o tiristor. Muitas configurag6es de retificador necessitam da condugao simultanea de dois tiristores, cujos catodos estao em potenciais diferentes. Para superar esse problema, o estégio final do circuito de disparo seré um transformador com duas ou mais saidas isoladas. Acorrente reversa no gatilho tem de ser impedida para evitar dissipagdo excessiva de poténcia no mesmo e, também, quando o tiristor esta reversamente polarizado, a injegio de corrente no gatilho aumentaré a corrente de fuga, por isso deve ser evitada.80us Tempo 10V Referéncia de alimentagao CA © Figura 1.9 Pulso de saida caracteristico de um circuito tipico de disparo. (a) Forma de pulso. (b) Reta de carga. (c) Pulso de disparo referenciado a alimentacao CA.RQ Eleirénica Industrial Teoria e Aplicacdes Cap. 1 1.2.3 CIRCUITO DE DISPAROS TIPICOS Uma configuracdo bem simples de um circuito de disparo € mostrada na Figura 1.10 ¢ tem como objetivo controlar a tensdo na carga para uma forma de onda como a da Figura 1.10b. Acorrente de gatilho € ig = (joao) /R €, Como a tens&o senoidal sobe do zero, a corrente de gatilho alcangara um nivel tal que dispara 0 tiristor, o que acontece, por exemplo, num Angulo o, como mostrado na Figura 1.10. VariagSes no angulo de disparo o alteram a poténcia na carga. Essa configuracao simples de circuito de disparo tem muitas falhas, 0 = dificulta muito seu uso pratico. O angulo de disparo varia de ciclo para ciclo com a temperatura ¢ outras mudangas-que ocorrem no tiristor. Além disso, o disparo sera lento e nao ocorre préximo do zero nem ultrapassa a tensio maxima da fonte (c. = 90°), 0 que demonstra a necessidade de um circuito de disparo com pulsos sincronizados com o ciclo CA, como mostrado na Figura 1.9c. Carga resistiva carga R Vionte Y. 4 ©) (6) igura 1.10 Circuito retificador simples. (a) Uma configuragao de disparo bem simples. pl ig P| (b) Controle monofésico usando tiristor.Circuitos de disparo simples mas priticos séo aqueles que chaveamento de um transistor, como na Figura 1.11. Os circuitos sao a da fonte CA, que é limitada pelo diodo zener (Z), dando um nivel de tensao par: RiC1 série, Na resisténcia R2 fica a diferenga de tensao entre a fonte CA e o diod em ambos circuitos a tensao no capacitor C1 aumentar4 exponencialmente com determinada pelo valor de Ri. A tensio de referéncia para a base do transistor, no circuito da Figura 1.11e, determinada pela rede resistiva S. Com o capacitor Cy inicialmente descarregado, o transis tor esta cortado, mas, quando a tensdo em C1 ou no emissor alcanca um nivel suficiente. o transistor comega a conduzir. A acio de realimentagio por meio do enrolamento do transformador aumenta a corrente de base, levando 0 transistor a saturagdo, déscarregando C1, rapidamente, no gatilho do tiristor, por meio do transformador. O transistor de unijun- cdo (UJT) da Figura 1.11b tem como caracteristica nfo conduzir até que a tensiio em C1 alcance um valor particular. Entéo o UJT mudaré para o estado de condugao, levando Ci 2 descarga no gatilho do tiristor. A descarga rpida de Ci da um pulso, com uma répida subida, no gatilho do tiristor. Os dois circuitos de disparo serio regenerados apés a descarga de Ci, que sera novamente carregado para dar 0 segundo ¢ demais pulsos. O circuito descarregaré comple- tamente quando a tenséo CA passar pelo zero, e assim 0 crescimento da tensio em C1 é sincronizado com a tensio CA. O instante do primeiro pulso pode ser controlado até 180°, como na forma de onda mostrada na Figura 1.10, através do ajuste de R\. Os circuitos simples da Figura 1.11 dao pulsos com duracdo e tempo de subida adequados para a maioria das cargas passiva e resistiva, onde pequenas variaces no Angulo de disparo, de um ciclo para outro, podem ser toleradas, Circuitos adicionais podem ser acrescidos em série com Ri para inibir 0 disparo, impedindo que a corrente de carga flua para C1, ou para incorporar algum controle automético remoto desejado. Os circuitos de dispato mais sofisticados contém muitos outros estdgios em seus circuitos eletrénicos. Tais circuitos podem, por exemplo, contar com uma interdependéncia entre uma tensao de rampa e um controle externo de tensao para iniciar, precisamente, no mesmo instante em cada ciclo, a geraco de pulsos.14 Eletronica Industrial Teoria e Aplicacdes Cap. 1 AR, Ei Fonte CA comum para circuito Gatilho de carga para tiristor 'Catodo | @ By Re : | ZX Gatilho para tiristor Catodo ® Figura 1.11 Circuito de disparo simples usando transistores. (a) Usando transistor. (6) Usando transistor de unijungio (UIT). Para outras aplicagdes além daquelas conectadas com uma fonte com freqiiéncia fixa, o circuito de disparo inclui osciladores para determinar os inicios e fins dos pulsos. 1.2.4 CARACTERISTICAS DO CIRCUITO DE DISPARO Os sistemas mais complexos utilizando tiristores como elemento de controle de poténcia incluirio, por exemplo, elos de malha fechada, fontes polifiisicas, controle automatico deCap. 1 corrente ou nivel de torque no motor, malhas de inibigao para evitar disparos simultneos de grupos diferentes. As caracteristicas de controle para dar uma relaco definida entre o Angulo de disparo ¢ a tensao de entrada, linear ou co-senoidal. Esses aspectos sdo mostrados, em diagrama, na Figura 1. incluir, como mostrado, entradas para limitar a duragio do trem de pulso ou que um pulso aparega no gatilho do tiristor em um dado Angulo em particular, instante em que o controle seria perdido no modo inversor de operag’o do conve Sinal inibigéo ‘Sinal para sincronizado a partir de outros controladores Geragao de pulso | | Limite do trem de pulso [FE Sinais de realimentagao Let 1 para variéveis, tals como tensao na carga, velocidade limite de corrente Fonte CA pea Circuito de disparo Para os gatilhos referéncia do disparo de controle Sinal de controle para estabelecer a satide desejada, isto €, 0 controle do Angulo de disparo Figura 1.12 Caracteristicas tipicas necessarias a um sistema conversor CA mais complexo. O exemplo dado acima refere-se ao sistema conversor CA, mas caracteristicas similares de controle serao necessérias para muitos outros sistemas envolvendo alimentagao CC, ou fonte de freqiiéncia varidvel com muitas cargas com caracteristicas variadas. Os capitulos seguintes descreverao muitos desses sistemas.16 Eletrénica Industrial ~ Teoria e Aplicagées Cap. 1 1.3 OTRIAC O Triac é um dispositivo de cinco camadas, como ilustra a Figura 1.13, tendo dois caminhos P-N-P-N em ambos 0s sentidos entre os terminais T; e T>, ¢ podendo conduzir nos dois sentidos, como mostra claramente seu simbolo na Figura 1.13b. Eletricamente, 0 Triac equivale & ligacio de dois tiristores em antiparalelo (Figura 1.13c). Terminal T, Tp | aS N VY P Go catnog 1, T UJ Terminal T, @ ) ©) Figura 1.13 0 Triac. (a) Estrutura. (b) Simbolo. (c) Equivalente com tiristores. © Triac pode ser levado A conducao pela aplicagao de uma corrente positiva ou negativa no gatilho, embora seja mais sensivel a aplicacdo de uma corrente positiva, quando 726 positivo e de uma corrente negativa quando 71 é positivo. Na prética, utiliza-se sempre uma corrente negativa no gatilho, como mostra a Figura 1.14. As especificagdes maximas de regime permanente e transitério descritas na Segio 1.9 sio inferiotes as do tiristor.Figura 1.14 Curva caracteristica do Triac. 14 — TIRISTOR DE DESLIGAMENTO POR GATILHO (GTO) O tiristor convencional, descrito na Segao 1.2, foi ao longo dos anos aperfeicoado de tal forma que dois novos dispositivos da familia dos tiristores agora estdo dispontveis: o tiristor~ assimétrico ¢ o tiristor de desligamento por gatilho (GTO: Gate Turn-Off). O tiristor convencional tem duas jungées PN que podem bloquear altas ten: em ambos os sentidos, uma necessidade essencial para aplicagdes em circuitos retificado- tes, descritos no Capitulo 2. Entretanto, para circuitos inversores, descritos no Capitulo 5, a capacidade de bloquear reversamente nao é necessaria. Para reduzir 0 tempo necessério para que o tiristor recupere seu estado de blo- queio apés ser cortado, a pastilha de silicio pode ser mais delgada a custa da perda de sua capacidade de bloquear tensGes reversas, sendo esse dispositive conhecido, agora, como tiristor assimétrico. Em circuitos inversores, um diodo é conectado em paralelo com 0 tiristor de tal forma que a perda da capacidade de bloqueio reverso tem pouca conseqiiéneia. O tempo de chaveamento é reduzido de dezenas de microssegundos, em um tiristor cional, para poucos microssegundos, no assimeétrico.18 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicagées Cap. 1 O tiristor convencional s6 pode ser cortado pela efetiva redugao da corrente de anodo para zero, porém o GTO, como seu nome implica, tem uma estrutura tal que pode ser cortado pela remogao da corrente de gatilho. O disparo é corrente no gatilho como um tiristor convencional. conseguido pela injeco de Gatilho Gatilho | | | Anodo Catodo @) Anodo Catodo a) Anodo (disparador de calor) N+ N+ Gatitho 4 Catodo () ‘Anodo (disparador de calor) N+ Ne Ne Pe Ps Pe Ps N P N+ N+ N+ Gatinoo— Catodo (d@) Figura 1.15 Estrutura do tizistor. (a) Simbolo do tiristor convencional. (b) Estrutura P-N-P-N do tiristor convencional. (c) Simbolo do GTO. (d) Estrutura do GTO. Aestrutura mais complexa do GTO comparada ao tiristor convencional é mostra- da na Figura 1.15. O simbolo para o GTO € uma extensdo do convencional mostrando 0 papel duplo do terminal de gatilho. Referindo-se & Figura 1.15d, 0 GTO tem pontos N altamente dopados na camada P no anodo (0 sinal de mais indica o alto nivel de dopagem). A estrutura gatilho-catodo € interdigital, ou seja, cada eletrodo € composto de um grande mimero de estreitos canais proximamente localizados. —Cap. 1 Para o GTO, na auséncia de qualquer corrente de gatilho, uma anodo em relagio a0 catodo € suportada na juncdo NP central, da mesma tiristor convencional, mas uma tensao reversa de baixo nivel como catodo a jungao de anodo da mesma maneira que no tiristor assimétrico. GTOs com bl reverso esto disponiveis, mas em detrimento de outras caracteristicas. Um e: aplicagao é uma carga ressonante, onde 0 GTO esta sendo usado como um tiristor cional, porém entrando em corte muito répido. As condicées de disparo para um GTO sio similares as do tiristor convencional, porém, devido a uma estrutura diferente, a corrente de manutengdo € maior. A natureza interdigital do gatilho resulta em uma propagacao muito répida da condugao no silicio, mas € necessario manter a corrente de gatilho em um nivel elevado por um tempo maior para garantir que © travamento acontega. Para minimizar a queda de tenstio anodo-catodo é Vantajoso manter um baixo nivel de corrente de gatilho durante toda conducdo, caso Contrario a tensio de condugdo e as perdas na condugdo serao ligeiramente maiores que o necessirio. \ Otiristor continua conduzindo depois da remogao da corrente de gatilho por causa do mecanismo interno de multiplicacao dos portadores, que € auto-sustentavel, fornecendo uma corrente de anodo que esté acima do valor de travamento. Para o GTO é possivel cessar a multiplicacao dos portadores por meio da remocao das lacunas na regio P, o que faz com que a area de condugio seja estreitada em direcao aos pontos N do anodo, levando a érea sob 0 catodo o mais longe do gatilho, até que todo caminho de conducao seja extinto, Uma vez cessada a corrente de catodo, a corrente de gatilho-anodo persiste por um curto tempo até que o dispositivo atinja seu estado de bloqueio, A ordem de grandeza da corrente de gatilho para o corte do GTO é de um quinto a um terco da corrente de anodo, portanto consideravelmente maior que a ordem de grandeza para disparé-lo. O tempo de corte é menor que em outros tiristores. Os requisitos para o disparo de um GTO sao resumidos pelo circuito mostrado na Figura 1.162. No disparo,uma_corrente é injetada no-gatilho, e, no desligamento, uma tensao negativa € colocada sobre o gatilho-catodo, da ordem de 10 V, removendo, assim, a corrente do gatilho, A tensao de corte tem de ser menor que a de ruptura reversa gatilho-ca- todo, mas grande o suficiente para extrair a carga necessiria para ocasionar o desligamento. O desligamento fisico do dispositivo € complexo, mas, basicamente, a carga do gatilho tem. de ser extraida rapidamente com um valor de pico da corrente de gatilho préximo do valor da corrente de anodo, sendo essa corrente estabelecida em um tempo muito menor que um microssegundo. Para limitar a taxa com a qual a tensdo do anodo aumenta no corte, um. capacitor snubber é conectado em paralelo com o tiristor.20 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicagoes Cap. 1 @) 6) Figura 1.16 Circuito de gatilho do GTO. (a) Requisitos bésicos. (b) Circuito simples de controle de gatilho. Um circuito de controle de gatilho simples é mostrado na Figura 1.16b. Corrente positiva na base do transistor T permite a circulagao de corrente no gatilho via Ri e C1, com 0 valor inicial sendo estabelecido por Ri. O diodo zener D1 conduz quando sua tensio de ruptura é alcancada, segurando assim a tenstio em-C1 (por exemplo, 12 V), e permitindo que uma pequena corrente de gatilho circule continuamente da fonte de 15 V, como idealmente requerida. A inversao da corrente de controle ligar4 o transistor 72, desligando Ti. Com T> ativo, o capacitor Ci descarrega via Ti, removendo a corrente de gatilho e desligando 0 tiristor. O capacitor C2 em paralelo com 0 tiristor limita 0 aumento dV/dt da tensao anodo-catodo. 1.5 | OTRANSISTOR DE POTENCIA transistor bipolar de poténcia € um dispositivo de trés camadas, N-P-N ou P-N-P, como mostrado nas Figuras 1.17 e 1.18. Dentro da faixa de operaco, a corrente de coletor Ic € fungao da corrente de base J, ¢ uma mudanca em uma dada corrente de base corresponde a uma mudanca, amplificada, na corrente de coletor, para um dada tensio coletor-emissor (Vcr). A relagao entre essas duas correntes 6 da ordem de 15 a 100. A curva caracteristica é mostrada na Figura 1.19, para o transistor da Figura 1.17. Da mesma maneira que outros JCap. 1 dispositivos, o ponto de ruptura é alcancado com 0 aumento da tensio, avalanche ocorre. Uma tensao reversa coletor-emissor faz com que a junga0 seja rompida mesmo com uma tensao baixa, por exemplo 10 V, e, portanto, 0 € operado no modo reverso. Um diodo em série com o transistor habilitara 0 ser usado em situagdes de tensdes reversas. BaseB ColetorC N P N Emissor & fa) (b) Figura 1.17 ‘Transistor N-P-N. (a) Estrutura. (b) Simbolo com os sentidos da corrente. Base Coletor Emissor @) () Figura 118 Transistor P-N-P. (a) Estrutura, (6) Simbolo.22 Eletrénica Industrial - Teoria e Aplicagées Cap. 1 O transistor P-N-P, mostrado na Figura 1.18, tem uma curva caracteristica similar a0 transistor N-P-N, porém as tens6es e correntes tém sentidos contririos. Jgaumentado Corrente de coletor | Emvalores fixos de/p Tensao de saturagao 4 _ Tensao de ruptura direta Tensao de coletor - emissor Vor Corrente de fuga Ruptura 9 | reversa Figura 1.19 Curva caracterfstica emissor comum para transistor N-P-N. A perda de poténcia no transistor ¢ funcéo do produto entre a tensao de coletor- emissor ea corrente de coletor. Com relagao a Figura 1.20, se a corrente de base softer variagdes a fim de controlar a corrente de carga no coletor, poderd entéo surgir tensdes elevadas no transistor. Por exemplo, se V = 200 Ve a corrente de base [s for ajustada para dar 10 A em uma carga de 10 Q, entéo a queda no transistor seré 100 V. A perda de poténcia no transistor seré de 1 kW com uma eficiéncia total de 50%, uma condicao inaceitavel sob 0 ponto de vista da perda e especificagdes do dispositivo, bem como da eficiéncia global. Na pratica, para aplicagdes de poténcia, o transistor opera como uma chave, ou seja, cortado quando a corrente de base € zero, como mostrado na Figura 1.21a (chave aberta), ou saturado, com uma corrente na base que leva o transistor saturagio (chave fechada). Como 0 transistor é um dispositivo controlado, é essencial comandar a corrente de base para controlar a corrente de coletor. A fim de manter o controle na saturacio e para evitar excessivas cargas na base, a corrente de base deve ser apenas o suficiente para manter a saturacao, Inicialmente, quando ligamos, a corrente de base deve ser alta, permitindo uma a,Cap. 1 répida partida. Qualquer mudanga na corrente de coletor tem que ter uma mudanga na corrente de base. Para levar o transistor a0 corte, corrente de base a uma taxa que a corrente de coletor possa seguir, evitando secundaria (ver Segao 10.1). E mantida, no corte, uma pequena corrente reversa, correntes espirias no coletor” Funcionando como chave, a perda de poténcia dispositivo é pequena, devido & pequena corrente de fuga na posicao chave aberta € saturagio (mostrada na Figura 1.19) com a corrente de coletor, quando na posicao fechada. Tipicamente, a tensdo de saturagao € de 1,1 V para um transistor de poténcia de av Figura 1.20 — Carga controlada por transistor. Para explorar 0 transistor completamente sem superaquecimento no chaveamento deve-se trabalhar na area de operagdo segura mostrada na Figura 1.216. Quando chaveado entre dois estados, mostrados na Figura 1.214, é fundamental que os valores instantaneos de corrente e tensao estejam dentro do retangulo mostrado na Figura 1.21b. Apenas o tempo de chaveamento muito mais curto € quase retangular, sendo as elevadas perdas instantneas de poténcia progressivamente restringidas para tempos de chaveamento maiores, como mos- trado na Figura 1.21b, por meio das quinas colocadas fora da drea de operacdo segura. Note que as escalas da drea de operacao segura so logaritmicas.24 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicagdes Cap. 1 I-— Condiges de curto-circuito ou proximo, Igalta lg Ie élimitado pelo circuito Condigdes decircuitoaberto Ip=0 200 400 50 3 10 5 3 e s 2s 1 oa 5 10 50 100 500 Vee (volts) () Figura 1.21 Transistor como chave. (a) Estados ligado e desligado. (b) Area tipica de operagio segura, “As perdas durante o chaveamento podem ser grandes, pois tensio e corrente no transistor podem ser altas e 0 produto dessas grandezas define a poténeia perdida ¢ multiplicado pelo tempo de chaveamento fornece a energia perdida para uma operagio deCap. 1 Dispositivos retificadores 25 chaveamento. Uma alta freqiiéncia de chaveamento pode significar que a perda predomi- nante é aquela devida ao chaveamento. A perda de chaveamento exata é uma fungdo dos pardimetros do circuit, da carga, bem como da variacao da corrente de base. O transistor pede chayear consideravelmente mais rapido que o tiristor, sendo possivel, tipicamente, um tempo menor que I us. Na conducao, a base de um transistor Tequer uma corrente maior que a do gatilho do tiristor. Por exemplo, um tiristor de 30 A pode necessitar de um pulso de 0,1 A para ligar, enquanto um transistor de 30 A pode necessitar de uma corrente de base de 2 A, continuamente, durante o periodo de condugao. A taxa de sobrecarga do transistor de poténcia € consideravelmente menor que a do tiristor. O transistor, por controle de corrente de base, é capaz de desligar enquanto conduz corrente de carga, enquanto no tiristor convencional o gatilho perde o conirole depois de ligé-lo. Entretanto, diferentemente do tiristor, o transistor tem pouca capacidade de suportar tensdes reversas. Figura 1.22 Configuracao Darlington de transistor de poténcia. ganho de corrente do transistor de poténcia pode ser consideravelmente melho- rado se a corrente de base for obtida de um outro transistor, conhecido como configuracdo Darlington, mostrado na Figura 1.22. Os transistores podem ser encapsulados em uma mesma pastilha de silicio, sendo possivel um ganho de corrente de 250, porém com um tempo de chaveamento maior.26 Eletrénica Industrial Teoria e Aplicagdes Cap. 1 1.6 OMOSFET DE POTENCIA O transistor de efeito de campo de semicondutor de 6xido metalico (Mosfet: metal oxide semiconductor field-effect transistor) de poténcia é um dispositivo derivado do transistor de efeito de campo (FET: field-effect transistor) para uso como chave de atuagio rapida em niveis de poténcia. Diferentemente do transistor bipolar, controlado por corrente, 0 Mosfet & um dispositive controlado por tenséo. De acordo com a Figura 1.23a, os terminais principais sio 0 dreno e a fonte, com a corrente fluindo do dreno para fonte ¢ sendo controlada pela tensao da porta para a fonte. ‘A Figura 1.23b mostra em corte uma parte de um Mosfet. Para tensdo zero entre porta ¢ fonte, uma tensao positiva no dreno em relagdo a fonte resultar4 em corrente para, possivelmente, algumas centenas de volts bloqueados. Porém, se uma tensio suficiente- mente positiva, aproximadamente 3 V, for aplicada a porta, uma carga negativa serd induzida na superficie do silicio sob a porta, fazendo com que a camada P se torne uma camada N induzida e permitindo o fluxo de elétrons. Entio uma tensao positiva na porta estabelece um canal de superficie para a circulagdo de corrente do dreno para’ a fonte. Assim, a tensio de porta determina a profundidade do canal induzido, determinando, dessa maneira, a circulagdo de corrente. A curva caracteristica do Mosfet é mostrada na Figura 1.23d, para 0 circuito da Figura 1.23c. O dispositive tem como caracteristica uma resisténcia constante para valores muito baixos de tensdo de dreno-fonte, mas para valores mais altos da tensao a corrente € determinada pela tensio da porta. Entretanto, em aplicag6es de poténcia, a tensfio dreno- fonte tem de ser pequena a fim de minimizar as perdas de condugao quando ligado. Desse modo, a tensao de porta é fixada em um nivel elevado o suficiente para garantir que a corrente de dreno esteja limitada acima do valor da corrente de carga, ou seja, 0 dispositivo opera em condigSes de resisténcia constante, e a tensio de gatilho tem de ser limitada a um valor maximo de aproximadamente.20V. O di6xido de silicio que isola a porta do corpo do transistor, € um isolante com corrente de fuga desprezivel. Uma vez que a carga da porta é estabelecida, nao existe mais corrente de porta dando um ganho muito alto entre a poténcia de saida e a de controle. A Figura 1.23b mostra que em sentido oposto, ou seja, da fonte para o dreno, existe um caminho PN, o que significa que existe um diodo integrado com 0 transistor da fonte para 0 dreno como mostrado na Figura 1.23c. Para os circuitos inversores descritos no Capitulo 5 ser constatado que um diodo conectado reversamente € essencial, portanto esse diodo integrado é um bonus.Corrente Corrente dodiodo dotransistor Corrente de dreno |p he Tensdo drenofonte Vs Diodo Interno associado © (¢) Figura 1.23 Mosfet de poténcia. (a) Simbolo normal, canal N. (b) Estrutura simplificada em corte transversal. (c) Circuito elétrico. (d) Caracteristica de saida. Aauséncia de qualquer carga armazenada cria a possibilidade de um chaveamento muito rapido, sendo os tempos ligado (Thigado) e desligado (Tuestigado) muito menores que um microssegundo. A resisténcia de conducao do Mosfet é fungao da tensao de ruptura dos dispositivos, sendo valores tipicos de 0,1 Q para um dispositivo de 100 V e de 0,5 Q para um dispositive de 500 V. A resisténcia € sempre maior para as taxas de tensao mais altas, mas a resisténcia real_variar4 de acordo com a estrutura do ¢ dispositivo. A Figura 1.236 mosira apenas uma pequena seco da estrutura.28 Eletrénica Industrial - Teoria e Aplicagées Cap. 1 O Mosfet de poténcia pode ser controlado diretamente de circuitos microeletroni- cos € € limitado para tensdes menores que 0 tiristor, mas € facilmente 0 mais répido dispositivo ativo. Acima de 100 V, aproximadamente, as perdas de conducgio sao maiores que para o transistor bipolar e para o tiristor, porém a perda no chaveamento é muito menor. O Mosfet tem um coeficiente de temperatura positivo para resisténcia, dai a ligagio em paralelo de dispositivos ser relativamente simples. Em termos de capacidade de tensio corrente o Mosfet € inferior aos dispositivos de corrente controlados dos transistores bipolares e aos dispositivos da familia tiristor interdigital. 1.7. TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA (IGBT) O transistor bipolar de porta isolada (IGBT: Isulated gate bipolar transistor) 6 um disposi- tivo que combina as caracteristicas de aluagio répida e de alta capacidade de poténcia do transistor bipolar com a caracteristica de controle de tensdo pela porta do Mosfet. Em termos mais simples, as caracteristicas coletor-emissor so similares aquelas dos transisto- res bipolares, mas as formas de controle sio as do Mosfet. Asecao em corte de um IGBT mostrada na Figura 1.24 é semelhante ado Mosfet, coma tinica diferenga de que o substrato do IGBT é P-N e do Mosfet é N-N. A aplicacao de tensao na porta forma um canal para a circulacio de corrente, como descrito para o Mosfet, a qual ser, entio, a corrente de base para o transistor P-N-P cujo caminho € do coletor para © emissor. Note que, embora a estrutura N-P-N seja invariavelmente usada para o transistor bipolar de poténcia, no IGBT prefere-se usar a estrutura P-N-P. O circuito equivalente ¢ 0 simbolo sao mostrados na Figuras 1.24b ¢ c. Os tempos de chaveamento so menores que os do transistor bipolar, em particu- lar o tempo de disparo, tipicamente 0,15 ts, associado com a curva caracteristica do Mosfet, embora o tempo de corte, tipicamente 1 Ils, esteja mais préximo da curva caracteristica de um transistor P-N-P. A tensao coletor-emissor na condugao € ligeiramente maior que a do transistor bipolar. As maximas especificagdes possiveis de tensdo € de corrente sao aproxi- madamente iguais as do transistor bipolar.Emissor (a) ) © Figura 1.24 Transistor bipolar de porta isolada. (a) Secao transversal simplificada. (b) Circuito equivalente elétrico. (c) Simbolo do IGBT.30 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicagoes Cap. 1 +15V 0 “a= | Ligado Desligado Figura 1.25 Iustrando os requisitos do circuito de porta do IGBT. O controle de porta é o mesmo do Mostet, ou seja, € controlado por tensdo-carga. Os requisitos para a porta so mostrados na Figura 1.25; na pritica, a chave de duas Posigdes € mostrada como dois transistores. Durante 0 disparo, a corrente de porta é determinada pela resisténcia do circuito de porta, levando em consideracao a curva carac- teristica de carga da porta, Durante o corte, uma polarizagio reversa pode ser necesséria, dependendo da natureza da carga a qual o IGBT esta conectado, 18 OUTROS DISPOSITIVOS O tiristor controlado por MOS (MCT: MOS-controlled thyristor) & um dispositive que combina a caracteristica de carga do tiristor com a caracteristica de controle do Mosfet. Esse dispositivo estava em estdgio de desenvolvimento quando este livro estava sendo escrito, mas quando for langado comercialmente tera ampla aplicacdo. Comparando os dispositivos da familia tiristor com os da familia transistor, os tiristores tem um mecanismo regenerativo interno que, uma vez ligado, permanece travado em conduco, enquanto o transistor necesita continuamente de sinal na base para pert cer em condugio. ie ——tComo 0 GTO, 0 MCT nao pode suportar uma tensdo reversa, tiristor convencional, que pode bloquear uma alta tensdo direta ou reversamente. Outros dispositivos em fase de desenvolvimento sio os dispositivos de estética (SI: static induction) de poténcia. O transistor de indugio estética (SET: induction transistor) € um dispositivo que normalmente esté conduzindo, ou seja, qualquer sinal na base o SIT conduz, e a aplicacdo de uma tensio reversa na base desli O SIT pode chavear nas mais altas freqiiéncias e pode, portanto, ser aplicado em microon-_ das. Esto sendo desenvolvidos também SITs do tipo normalmente cortado. O tiristor de indugdo estatica (SITH: static induction thyristor) &, em muitos aspectos, similar ao GTO, mas é um dispositivo que normalmente esté conduzindo, A aplicacao de uma tensao reversa do gatilho em relacio ao catodo colocaré o SITH em corte. Comparado com outros dispositivos da familia dos tiristores, o SITH é de chaveamento muito rapido e tem menores perdas no chaveamento. Esto sendo desenvolvidos também SITHs do tipo normalmente cortado. 1.9 ESPECIFICACAO As segies anteriores descreveram em linhas gerais as caracteristicas dos varios dispositivos retificadores. Na pritica, muitos outros aspectos dos dispositivos precisam ser conside- rados, ¢ tudo isso contribui para especificar suas caracteristicas. © mecanismo de corte descrito em relagio a Figura 1.6 € especificado em relagio § Figura 1.26, Dada a corrente direta de diodo ou tiristor (Jp), que é desligado a uma dada tazio difdt, a corrente se tornara reversa até que os portadores de carga armazenados (Orr) sejam recuperados. Em valores definidos de Ir e difdt, um determinado dispositivo teré valores especificados de Qrr (carga de recuperagao reversa) associada a um tempo de Tecuperacao reversa frre a uma corrente de recuperacdo reversa [rr O mecanismo usual de disparo com corrente de gatilho foi descrito, mas € possivel disparar um tiristor por meio de uma excessiva taxa de subida da tensao direta. Considerando que no estado de bloqueio a jungao atua como um capacitor, existiré uma corrente de deslocamento i = C dv/dt (corrente de carga do capacitor). Dada uma taxa de subida da tensao suficientemente alta, por exemplo 100 V/us, os portadores minoritérios serao acelerados por meio da jungao a uma taxa suficientemente alta para disparar 0 tiristor, colocando-o em condugdo, embora nao exista corrente de gatilho. Um tiristor tera um valor especificado de dV/dt que nao pode ser excedido.32 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicacées Cap. 1 Corrente Figura 1.26 — Condicio tipica de bloqueio. Quando disparado da maneira usual, a jungio do tiristor seré rompida primeiro na egido do gatilho. Se a corrente total de anodo fosse estabelecida imediatamente, a densida- de de corrente nessa regio seria excessiva ¢ 0 tiristor seria danificado por superaquecimen- to. A taxa de subida da corrente de anodo tem de ser limitada pelo tempo gasto para que essa ruptura da jungao se espalhe completamente pela pastilha, sendo esse tempo tipicamente 10 u's. O tiristor tem um valor de dffat especificado que nao pode ser excedido A temperatura de juncao do dispositive € normalmente especificado para nio exceder 150°C para o diodo, 125°C para o tiristor, e entre 150°C e 200°C para o transistor de poténcia, A resisténcia térmica da jungao para a base (rosca) é cotada na especificacao. Aperda do dispositivo é, aproximadamente, uma fungéo do quadrado da corrente, donde 0 valor eficaz (ou r.m.s.) pode ser usado para especificar o dispositivo para a maioria das formas de onda. A especificagio de corrente é o valor de corrente que, sob condicdes de operacio, resultaré na temperatura especificada, sendo esta alcancada na juncao quando a base ou rosea (dissipador) do dispositivo esta na sua temperatura especificada, Quando 0 dispositivo é submetido a uma corrente repetitiva ciclica de 50 ou 60 Hz, a mudanga de temperatura em cada ciclo € pequena o suficiente para ser usado o valor rm.s. da corrente. Dada uma forma de onda de corrente, por exemplo, um semiciclo senoidal completo, 0 valor médio dessa forma de onda a 180° de condugao é, as vezes, dado como a especificacao do dispositivo. Sob uma sobrecarga pesada de curta duracio, o calor gerado dentro do dispositivo serd, em sua maioria, armazenado na massa térmica do silicio, resultando num aumento de temperatura, com muito pouco do calor sendo dissipado. Assumindo que a perda de poténcia do dispositivo é proporcional ao quadrado da corrente i, a somatéria dos valores de i? em um interval de tempo ¢ € a integral de | i2 dt, e pode ser relacionada a subida de temperatura. O dispositive teré uma especificacao de integral de | i? dr relacionada com 0aumento de temperatura permitido acima da temperatura maxima de operagso. que a condigéo de sobrecarga ocorra com a corrente jé estabilizada e com a juncae temperatura especificada. As curvas caracteristicas do diodo, tiristor, Triac e transistor de poténcia, mas Figuras 1.2, 1.4, 1.14, 1.19, mostram 0 valor de sobretenséo reversa acima do qual o dispositivo chaveard do estado de bloqueio para o de conducao, resultando freqiientemente em destruigao do mesmo. Cada dispositive tera valores continuos ¢ repetitivos de tensao que serao suportados no sentido reverso sem entrar em ruptura. O tiristor tera especi- ficag6es similares para condugao direta. Essas tensdes so conhecidas como maxima tensao repetitiva reversa ¢ maxima tensdo repetitiva direta. Na pratica, apenas ocasionalmente as tens6es transientes aparecerdo no circuito. O tiristor (¢ outros dispositivos) tera para essas tensoes transitérias e ndo-repetitivas especificagdes que podem ser suportadas sem ruptura. Um dispositivo em particular teré um determinado valor de queda de tensio direta de condugao para um determinado valor de corrente estabelecido. Em adig&o aos aspectos anteriores, as especificagdes do transistor de poténcia incluem consideragdes sobre o ganho de corrente do coletor para base, freqiiéncia e tempo de chaveamento. A Segio 1.2.1 indica as especificagdes do gatilho do tiristor referente aos valores maximos de tensao e corrente. Um tiristor em particular ter uma especificagio de poténcia média e maxima de gatilho que nao pode ser excedida. Os niveis de corrente de manutengio € travamento de um tiristor foram explicados na Segdo 1.2, sendo esses valores maximos cotados para uma especificagao particular do tiristor. As especificagées apliciveis a um dispositivo particular, em relagio aos valores de regime permanente ¢ transit6rio, so tio numerosas em relaco a tensio, corrente, tempo de chaveamento, parametros de controle, perdas, valores térmicos e de temperatura, que somente a referéncia as folhas de dados dos fabricantes poder dar uma nogdo exata. 1.10 PERDAS E REFRIGERACAO As fontes de perdas em dispositivo semicondutor de poténcia podem ser: 1. _ Perdas durante a condugio direta, que é funcio da queda de tensio direta e da corrente de conducao. Essa é a principal fonte de perdas em operacdes de baixa freqiiéncia.34 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicacdes. Cap. 1 2. Perdas associadas & corrente de fuga no estado de bloqueio. 3. Perdas ocorridas no circuito de gatilho como resultado da entrada de energia junto com o sinal para o gatilho. Na pratica, essas perdas sio minimizadas ‘com aplicacao de pulso. 4, Perdas no chaveamento, isto é, dissipacao de energia no dispositive durante 0 disparo e 0 desligamento, que pode ser significativa quando o chaveamen- to ocorre em alta freqiiéncia. Area = poténcia X tempo -——____+ tempor ——— Disparo ae Desligamento @ » Figura 1.27 Formas de onda tipica do chaveamento de um dispositivo. (a) Condugiio. (b) Corte. As perdas de condugio sio dadas pelo produto da queda de tensao no dispositivo pela corrente que ele esti conduzindo (média de um periodo de repeti¢io). ‘As perdas de chaveamento ocorrem como resultado da mudanga simultanea, da corrente e da tensfio durante 0 periodo do chaveamento. A Figura 1.27 mostra 0 produto tensfo x corrente dando a poténcia dissipada instantanea no dispositivo. A energia cal6rica desenvolvida no perfodo de chaveamento é a somatéria da poténcia multiplicada pelos valores no tempo, ou seja, é representada pela area sob a curva de poténcia. A perda de poténcia média devido ao chaveamento é dada pela somatéria das energias no disparo e no desligamento multiplicada pela freqiiéncia do chaveamento. A somatéria das perdas de conducio e chaveamento fornece a poténcia total que dispositivo tem de dissipar.As perdas levam a geracio de calor dentro do dispositivo e, con aumento na temperatura, até que a taxa de dissipagdo de calor se iguala as perd gerado na drea da jungGo ¢ transferido para a base, e dai para o dissipador de calor. de temperatura que a base pode atingir nao é grande o suficiente para que a d : calor ocorra por radiacao, dai a maioria das transferéncias de calor, por conexao, para e: no caso do dissipador de metal com aletas mostrado na Figura 1.284. Quando o tamanho das" aletas é um impedimento ou 0 nivel de dissipagao de calor € muito grande, o dissipador de calor pode ser resfriado por uma estrutura compacta refrigerada a gua (Figura 1.286). Tiristor Aleta f@) [—3 +— Fluxodeagua G L. = Tiristor S —— Dissipador de calor ©) Figura 128 — Configuragoes tipicas de refrigeracdo. (a) Refrigerado a ar. (b) Refrigerado a agua. A transferéncia de calor acontece de uma regido de temperatura maior para uma de temperatura menor, ou seja, a transferéncia de calor (P) é proporcional a diferenca de temperatura, ¢ a razao € conhecida como resisténcia térmica (R): _N-h P 7a (1-1) onde 7; e T> sao as temperaturas dos corpos quente ¢ frio, respectivamente. A unidade da poténcia é o watt (W), da temperatura é o grau centigrado (°C) e a da resisténcia térmica é “CW.36 Eletrénica Industrial — Teoria e Aplicagdes Cap. 1 O fluxo de calor ocorre da jungdo para a base, para o dissipador de calor, para 0 ambiente, e a resisténcia térmica total seré a soma em série das resisténcias térmicas de cada segio individual. O total da resisténcia térmica da jungdo até o ambiente é: Ria = Rib + Ron + Raa (1-2) onde Ry, Ry © Ria S40 as resisténcias térmicas da jungio para a base, da base para o dissipador e deste para o ambiente. ieee | Entrada de potencia jecalorna eal al 1 jungao (| A ==! Loe, 6 }—o | fm ff fe fmf Temperatura Temperatura Temperatura. Temperatura virtual da debase dodissipador ambiente do ar jungao T, decalor Ty ™ Ts Figura 1.29 Fluxo de calor e distribuigao da temperatura. A temperatura virtual de jungao (Ty) é: Tyj = Ta + PRia (1-3) onde T, € a temperatura ambiente. A Figura 1.29 ilustra o circuito equivalente para a transferéncia de calor, possibilitando que as temperaturas intermediérias da base e do dissipador sejam determinadas. Note que 0 termo jungao virtual é usado para evitar definir, exatamente, qual é a jungio em um dispositivo multicamada. Os cdlculos anteriores referem-se a condigées de corrente ininterrupta, em regime permanente, quando a perda é constante e a temperatura fixou-se em um valor constante. Acapacidade de armazenamento térmico dos dispositivos semicondutores ¢as de temperatura ocorreréo no periodo de uma mudanca de ciclo. Para com regime permanente a 50 Hz, os valores da resisténcia térmica sio calculados 2 perda média de poténcia especificada, assegurando que o valor maximo perm temperatura ndo seja excedido durante um periodo ciclico, os Durante transientes, como sobrecargas e condigées de falta, o aumento da tempe- ratura de jungdo tem de ser calculado levando em consideragéo a capacidade de armare- hamento térmico do dispositivo. As condigdes térmicas sio tais que parte do calor gerado elas perdas € armazenado na massa térmica, pelo acréscimo na temperatura, ¢ o resto € dissipado pela transferéncia para o dissipador. Em uma temperatura de jungao © acima da temperatura ambiente, tomando um curto periodo &¢ no qual a temperatura aumenta 68, 0 equilibrio de energia é: Entrada de energia _ incremento na energia _ energia transferida = * + oo - em perdas ~ térmica armazenada para dissipador (ambiente) Pt = ASO + BO’r onde = Poténcia perdida no dispositivo P A = Capacidade de armazenamento térmico (joule/*C) B = Poténcia dissipaday"C No limite P = A(d@/dt) + BO A solugdo dessa equacao, assumindo a condigio inicial de 8 = 0.e 1 = 0, € uma equagio exponencial bastante conhecida: © =@nax(1 — e“) (1-4) onde Oméx = P/B = temperatura final T = A/B = constante de tempo térmica38 _Eletronica Industrial - Teoria e Aplicages Cap. 1 ‘Acurva de crescimento exponencial da Equagio (1-4) é apropriada para materiais homogéneos, como um condutor de cobre, onde a condugio de calor dentro do material € répida, porém tem de se tomar cuidado ao aplicd-la no aumento da temperatura de juncio. A poténcia perdida no tiristor nao ocorre uniformemente na area da jungao; quanto maior os transientes de sobrecarga, menor sera a massa para suportar 0 aumento de temperatura, dai nao se poder simplesmente dar um valor para a capacidade de armazenamento térmico. O silicio nao é um bom condutor de calor, donde o calor gerado teré pequena propagacdo por um pequeno transiente comparado a um grande transiente de menor amplitude. [SoS ani yne anna ee Brnace i \ coneigéo de sobrecarga 8 | ----5¢¢t----reezeseeseee Sa : \condigdo especificada 2 4 T Tempot Figura 1.30 Aumento da temperatura de juncio em condigdes de sobrecarga. Usando a Equagio (1-4) para ilustrar as condigdes de sobrecarga, 0 aumento maximo final de temperatura Oméx serd maior, pois o valor de P na Equacio (1-5) sera maior. A Figura 1.30 mostra 0 aumento de temperatura a partir de uma condigao inicial de baixa temperatura, dando Oméx 1 Como 0 aumento especificado ¢ Oméx 2 para uma condicao de sobrecarga. Na pratica, a juncdo nao pode exceder @méx 1, caso contrério 0 dispositivo sera destruido, dai a condigao de sobrecarga sé ser tolerada até o tempo fi, quando a jungao alcancou seu maximo valor especificado. Oméx 2 € apenas um valor matemitico que define acurva de sobrecarga, ¢ nunca € atingido na pratica. Como as condigées dentro do dispositive sio muito complexas durante a sobre- carga, o conceito de impedéncia térmica transitéria é usado para predizer condigdes, em vez, do simples aumento exponencial da Equacao (1-4), A impedancia térmica transit6ria (Zin) associada a um tempo dado € definida como diferenga (de aumento) de temperatura poténcia perdida num tempo definido Zn (1-7)Cap. 1 Dispositives Dado um pequeno tempo de sobrecarga, os dados do fabricante para um dado dispositivo calculam a impedancia térmica transitéria para esse tempo, que pode ser usado na Equagio (1-7). Essa impedancia faz os célculos de sobrecarga tio simples quanto os célculos para as condigées especificadas em regime permanente usando a Equagao (1-1). A impedancia térmica transit6ria € usada em aplicagées nas quais a dissipagio repetitiva de grande poténcia é encontrada. 1.11 COMPARACAO DE DISPOSITIVOS A maneira pela qual os dispositivos s4o usados, em equipamentos de eletrénica de poténcia, € como uma chave aberta ou fechada. Idealmente, como uma chave o dispositivo tera: — _ especificagdes ¢ corrente ilimitadas, — corte ¢ condugao instantaneo, — corrente de fuga zero, — perdas na conducdo ¢ chaveamento iguais a zero, — poténcia necessdria para disparo do gatilho igual a zero, — capacidade de suportar sobrecorrentes e transientes de tensao, — facilidade de protegao contra disparos esptirios e condigées de falta, — _ baixo custo e facilidade de montagem. Na pratica, os diversos dispositivos tém méritos relativos, que os fazem mais apropriados a uma aplicagdo ou a outra. Em algumas areas existe sobreposicao de carac- teristicas dos dispositivos a serem escolhidos, nao havendo facilidade de distingao. Um importante critério para aplicagao em circuitos depende, freqiientemente, dos pardmetros de valores nominais, perdas por condugao e chaveamento, tempos de chaveamento, estratégias de controle ¢, finalmente, o custo. O tiristor convencional tem as maiores especificagdes de todos dispositivos,é robusto, tem baixas perdas de condugio, é barato, mas é lento para o disparo e nao pode ser desligado a néo ser cessando sua corrente de carga. Para aplicagdes conectadas & rede40 Eletronica Industrial — Teoria e Aplicagoes Cap. 1 ptiblica de eletricidade em 50 ou 60 Hz, como os retificadores descritos no Capitulo 2, 0 tiristor convencional € a primeira escolha, pois sua capacidade de suportar alta-tensio direta € reversa € essencial para essa aplicacao. Para aplicagdes que envolvem a producao de uma tensio alternada a partir de uma fonte de tensao continua, como os inversores descritos no Capitulo 5 ou as fontes chaveadas de poténcia descritas no Capitulo 6, 0 requisito é uma taxa de chaveamento répida, sem a necessidade de bloquear tenses reversas. Aqui o dispositivo de chaveamento tem um diodo conectado reversamente a ele e combinando com as taxas de chaveamento do dispositivo. Os dispositivos de chaveamento seriam selecionados entre transistor bipolar de poténcia, IGBT, Mosfet, GTO ou tiristor controlado por MOS (quando estiver disponivel). Onde as maiores taxas de chaveamento sio requeridas, acima de 100 kHz, 0 Mosfet é tinico. Até 100 kHz os transistores bipolares e os IGBTs sao competitivos, tendo baixo custo e baixas perdas em condugao, mas com perdas durante o chaveamento maiores que as do Mosfet. Na faixa até 15 kHz a familia tiristor, particularmente 0 GTO e 0 tiristor assimétrico, & competitiva devido a sua robustez, baixas perdas em condugio e valores e capacidade de sobrecarga e transientes superiores. A familia do transistor pode operar em temperaturas de até 150°C, enquanto a familia tiristor esta limitada a 125°C. O custo das perdas e dos requisitos para refrigeracio sio com freqiiéncia importantes critérios de selecdo. O baixo consumo de um circuito necessdrio para o disparo de um Mosfet controlado por tensao e IGBT pode ser um fator decisivo quando comparado a circuitos controlados por corrente, como transistores bipola- res ¢ tiristores, que tém um maior consumo. A protegio dos dispositivos contra condigdes de falta € mais facil para a familia dos tiristores, e esse tem sido um dos fatores que limita 0 progresso da utilizacao dos transistores nos equipamentos com especificagdes mais elevadas. Trabalhos de pesquisa e desenvolvimento estéo constantemente procurando me- Ihorar os dispositivos existentes e desenvolver novos dispositivos mais proximos da chave eletrOnica ideal. Um novo dispositivo que associa a alta impedancia da porta e 0 rapido disparo do Mosfet de poténcia com a agao de travamento regenerativo do tiristor e sua baixa perda durante a condugao esté sob intenso desenvolvimento.in Cap.1 Dispositives retificadones: a 1.12 EXEMPLOS RESOLVIDOS Exemplo 1.1 O tiristor da Figura 1.31 tem um nivel de corrente de travamento de 50 mA e é disparado Por um pulso com uma largura de 50 fis. Mostrar que sem a resisténcia R 0 tiristor nZo continuara conduzindo, quando o pulso de disparo termina, e encontrar o valor maximo de R para garantir o disparo. Desconsidere a queda no tiristor, Figura 131 Solugao Sem R a corrente i do tiristor cresceré exponencialmente, sendo dada depois de um tempo t como: i=l -e%) onde J =100/20 = 5 A,aconstante de tempo T = 0,5/20 = 0,025 s. Substituindo os valo- res, apés 50 ts, teremos: i = 10 mA. Observe que, nesse caso, como 50 Us << T, 0 valor inicial de difdt = 100/0,5 poderia ser presumido constante apés 50 ys, dando i = 10 mA. Depois de 50 us 0 tiristor no con- seguiu alcangar seu nivel de travamento, sendo (50 — 10) mA abaixo do nivel de 50 mA necessitrio. Aadigao de R permitir4 o estabelecimento imediato de uma corrente 100/R.2 Eletrénica Industrial - Teoria e Aplicagées Cap. 1 100 O valor de R seré: R = — 100 _ en Ee (50 — 10) x 109 = 25kQ. Exemplo 1.2 Durante a entrada em condugio e no corte de um transistor de poténcia alimentando uma carga resistiva, as variacdes de tens&o e corrente so como mostradas na Figura 1.32, como variagées lineares idealizadas no tempo. Mostrar que, para cada um, a perda de energia no chaveamento é dada por (VI/6)T, onde V é a tenso de bloqueio, I'a corrente de conducdo, ¢ T €0 tempo de chaveamento. Determine a perda de poténcia média devido ao chaveamento na freqiiéncia de 10 kHz. Se o transistor est operando com um ciclo de trabalho de 50%, ou seja, tempos iguais para corte e conducio, determine a perda na conducio se a tensiio coletor-emissor € 2,1 Va 200 A. Entdo determine a perda total. 300 V 300 V 0 4 1s Tempo 2 us Tempo Disparo Bloqueio Figura 1.32 Solugao Usando a forma de onda do disparo, com V e J como valores da condugio, e fazendo t = 0 no inicio do chaveamento, entao em qualquer tempo t, It i T © veV—mesmo raciocinio é aplicado a condigio de corte, Perdas no disparo = ae x 1x 10° = 0015. Perdas no corte = 20x20 x 2x 10° = 0025. Poténcia média perdida no chaveamento = (0,01 + 0,02) x 10. x 10° = 300 W. Perdas na condugao = 200 x 2,1 x 0,5 = 210 W. Perda total = 300 + 210 = 510 W. Exemplo 1.3 Um tiristor tem uma curva caracteristica de condugio direta que pode ser na faixa normal de trabalho, aproximadamente uma reta, conforme Figura 1.33. Estime a perda média de poténcia nas seguintes situagdes: a) Uma corrente constante igual a 23 A. b) Uma corrente senoidal, durante um semiciclo, com valor médio iguala18 A. ©) Para um nivel de corrente igual a 39,6 A, durante um semiciclo. d) Para um nivel de corrente igual a 48,5 A, durante um tergo de ciclo.44 Eletrénica Industrial - Teoria e Aplicagées Cap. 1 8 Corrente de conduc (A) 0 4,0 at Tenséo de condugao (V) Figura 1.33 Solucéo a) 23 A, o valor da tensao, a partir da Figura 1.33 & 1+ xe = 142V. Perda = 23 x 1,42 = 32,7 W. b) O valor m4ximo da onda senoidal é = 187 A. Apartir da Figura 1.33 para qualquer valor de iteremos: v = 1,0 + a i, Em um ciclo completo, a largura total da base é 2n; de 0am, i = 18msenx;e de x 2n, i = 0. 1 Poténcia média = 1 J” vidy = — no 2n “9 (19 + + 18esenx} 184 sen x dr = 32,6 W. iCap. 1 ©) Aperda média de poténcia sera metade da perda instantdnea de durante 0 semiciclo quando a corrente estiver circulando. 0. Poténcia média = BSLL0 + O.1/60)59.6) = 34,2 W. d) — Poténcia média = BSILO + .1/60)48.5] = 305 W. que 0 valor rm.s. da corrente, para cada caso, 6 23 A, 28 A, 28 Ac 28 A, respectiva- ic. A proximidade da perda de poténcia em cada caso mostra que os valores rm.s. de corrente ciclica podem ser usados para propésitos de especificagéo, mas que o valor inal da corrente constante é um tanto menor. mplo 1.4 um determinado tiristor com perda de 400 W, dado do fabricante, com uma forma de de corrente retangular com largura variando como a seguir: Corrente média (A) 138 170 196 218 250 305 Largura em graus 30 60 «90 «120 180 360 Determine o valor da corrente 1.m.s. para cada condigio. Figura 13446 Eletronica Industrial - Teoria e Aplicagdes Cap. 1 Solucio A Figura 1.34 mostra a forma de onda de corrente, com a largura da corrente mostrada como @. 1/2 12 (if =e & Valor rms. = E ih Th ab ] ole ( el Valor médio = Ipx a Resultando nos valores: o 30 60 90 120 180 360 Tnédio 138 170 196 218 250 305 Ipk 1.656 1.020 784 654 500 305 ims. 478 416 2 377 354 305 Pode-se ver que o valor r.m.s. da corrente da uma melhor orientagao para especificagao que o valor médio, porém observe que deve ser tomada da forma de onda de corrente na selagao de um tiristor para uma aplicacao particular. Exemplo 1.5 Duas condigées diferentes durante o disparo de um tiristor so mostradas na Figura 1.35. que dé as variagoes na tensio e na corrente. Desenhe a forma de onda da poténcia perdida, para cada caso, ¢ a perda de energia no disparo. Se o tempo de subida (¢,) no disparo é definido como o tempo para a tensao cair de 90 para 10% do seu valor inicial, determine 0 valor de n na formula (Viixlmax fr)/n joules que dard, aproximadamente, o valor correto das perdas. Se o tiristor est sendo ligado na freqiiéncia de 3 kHz, determine a perda média de poténcia devida as perdas no disparo. —Corrente (A) Corrente (A) 40 8 é 4— Poténcia \corrente ; Y/ Tenséo 05 140 #15 20 Tempo (us) @ (7 7 Potencia = Tensac 2 3 4 Tempo (us) ©) 1 8 8 8 Poténcia (W) ° Poténcia (W) Figura 13548 Eletrénica Industrial Teoria e Aplicagoes Cap. 1 Solucao A curva de poténcia é calculada como o produto dos valores instantneos da tensio e da corrente, As curvas de perda sao desenhadas na Figura 1.35, com as variagdes de tensio e Corrente dadas. A perda de energia é dada pela area abaixo da curva de poténcia, por meio (Por exemplo) da contagem do ntimeto de quadrados pela multiplicacao por um fator de escala, Para a Figura 1.35a, a perda de energia é aproximadamente 9,2 mJ. Para a Figura 1.356, a perda de energia € aproximadamente 6,5 mJ. Para 0 caso (a), fr = 1,48 -0,44 = 1,04 us. Para 0 caso (b), fr = 2,15 0,94 = 1,21 ps. Para cada caso, Vinx = 600 V, Imax = 78 A. Entao, da formula dada, resulta: para (a) n = 5,29 ¢ para (b) n = 8,7. Em geral, Para uma répida mudanca para a condicio de disparo, n sera quatro vezes maior, o que dard © maior pico de perda de poténcia. Perda média de poténcia em 3 kHz é: (a) 9,2 x 103 x 3 x 10° = 27,6 W. (6)65 x 10% x 3 x 10° = 19,5 W. Exemplo 1.6 Durante o corte de um tiristor temos as formas de onda de tensao e corrente mostradas na Figura 1.36. Desenhe a curva de perda de poténcia, calcule a perda de energia e a carga reversa recuperada.Tempo (us) Tenso (V) be A 1 8 8 s ° 1 > Paténeia wy : Corrente (A) a a a ° Do grafico de perda de poténcia da Figura 1.36 ¢ dos dados do problema, € aproximadamente 1 mJ, Observe que essa a perda de energia perda € normalmente muito menor que a perda no disparo. Do grafico de corrente, a carga recuperada é [i df, que € a drea sob a curva de corrente e € aproximadamente igual a 23 11C. Exemplo 1.7 ‘Um tiristor, com uma perda de poténcia em regime de 30 W, tem uma resisténcia térmica entre juncao e dissipador de 0,7°C/W. Determine o valor maximo da resisténcia térmica que o dissipador pode ter se a temperatura ambiente 6 40°C e a temperatura da jungo é limitada a 125°C. Dé a temperatura da base nessas condigées.50 Eletronica Industrial — Teoria e Aplicacdes Cap. 1 Solugao Usando a Equagio (1-1), teremos: Resisténcia térmica total = (125 — 40)/30 = 2,83°C/W, Resistencia térmica do dissipador = 2,83 — 0,7 = 2,13°C/W, Temperatura da base = 40 + (30 x 2,13) = 104°C. Exemplo 1.8 Um tiristor de resisténcia térmica igual a 1,8°C/W é montado em um dissipador de resis- téncia térmica de 2,0°C/W. Calcule a perda maxima de poténcia do tiristor, se a temperatura de juncao nao pode exceder 125°C, em uma temperatura ambiente de 40°C. Solucao Usando a Equacio (1-1), teremes: Perda = (125 —40)/(2,0 + 1,8) = 22,4 W. Exemplo 1.9 Um tiristor tem uma capacidade térmica de 0,1 J/"C e uma resisténcia térmica de 0,9°C/W. Calcule a perda de poténcia permissivel em um curto espago de tempo, para que a elevacéo da temperatura nao exceda 40°C, durante: a) 001s, b) O1s, © 10s. Sugerir valores de impedancia térmica transit6ria que podem ser utilizados para esses célculos. .Cap.1 Dispositives: Solucao Poténcia dissipada para 1°C de elevacdo = 1/ (resistencia térmica) = 10,9 = 1,1 WC Oe es 0,09 s. Equagio (1-6), a constante de tempo térmica T = ci a) Se apés 0,01 s a elevacao de temperatura atingiu 40°C, entdo da Equacéo (1-4), 40 = Omix (1- °°), dando Oméx = 380° C. Da Equacio (1-5), a perda de poténcia = 380 x 1,11 = 422 W. Analogamente: b) Para 0,1s, Omax = 59,6°C. Poténcia perdida = 66,2 W. ©) Para 1,0, Onéx = 40°C. Poténcia perdida = 44,4 W. Observe que 1s é muito maior que T = 0,09 s, ¢ tem de ser tratado como condigao regime. Aclevacio de 40°C cotada seria relativa a aleta, que tem uma constante de tempo uito grande e pode ser considerada como estando a uma temperatura fixa durante sobre- gas. Usando esses valores de sobrecarga de poténcia e a Equagao (1-7), entao para: valor 0,01 s, impedancia térmica transit6ria = 40/422 = 0,09°C/W, valor 0,1 s, impedancia térmica transitéria = 40/66,2 = 0,60°C/W, valor 1 s, impedancia térmica transit6ria = 40/44,4 = 0,9°C/W. Esses cAlculos para a impedancia térmica transitéria e condigdes de sobrecarga jo valores quantitativos para a teoria desenvolvida na Segio 1.10, mas, como expli- do, as condicdes sio muito complexas para se basear em uma curva de subida onencial simples.$2 Eletrénica Industrial - Teoria e Aplicagdes Cap. 1 Exemplo 1.10 Em uma aplicagdo particular, durante o disparo a partir de condigoes frias de 40°C, um tiristor experimenta um surto, com uma perda de poténcia de 2.000 W em 10 ms. Calcule temperatura de jungio, dada a impedancia térmica transitoria igual a 0,03°C/W. Solucao Usando a Equagao (1-7), 0 aumento de temperatura apés 10 ms é: 2.000 x 0,03 = 60°C Temperatura de jungao = ambiente + elevacdo = 40 + 60 = 100°C, 0 que é valor seguro. Exemplo 1.11 Um tiristor tem com seu dissipador uma resistencia térmica de 0,2°C/W em regime; 100 ms um valor de 0,05°C/W. Que perda de poténcia o tiristor pode tolerar para 100 sabendo que a temperatura de 125°C, na jungao, nao pode ser excedida; que a tempera ambiente é 30°C e a poténcia perdida, em regime, € 300 W? Solugao Usando a Equagao (1-3): A temperatura de jungiio em regime para 300 W de perda = 30 + (300 x 0,2) 90°C. Logo, durante os 100 ms de sobrecarga, a temperatura de juncdo pode aument: 125-90 = 35°C. Poténcia perdida adicional = @ = 700 W. Poténcia perdida total = 300 + 700 = 1.000 W.52 —_Eletrémica Industrial —Teoria e Aplicacdes Cap. 1 Exemplo 1.10 Em uma aplicagio particular, durante o disparo a partir de condicdes frias de 40°C, um firistor experimenta um surto, com uma perda de poténcia de 2.000 Wem 10 ms. Calcule a temperatura de jungao, dada a impedancia térmica transit6ria igual a 0,03°C/W. Solugio Usando a Equagao (1-7), 0 aumento de temperatura ap6s 10 ms é: 2.000 x 0,03 = 60°C Temperatura de jungio = ambiente + clevacéo = 40 + 60 = 100°C, o que 6 um valor seguro. Exemplo 1.11 Um tiristor tem com seu dissipador uma resisténcia térmica de 0,2°C/W em regime; e a 100 ms um valor de 0,05°C/W. Que perda de poténcia o tiristor pode tolerar para 100 ms, sabendo que a temperatura de 125°C, na jungao, nao pode ser excedida; que a temperatura ambiente é 30°C ¢ a poténcia perdida, em regime, é 300 W? Solugio Usando a Equagao (1-3): A temperatura de jungio em regime para 300 W de perda = 30 + (300 x 0,2) = 90°C. Logo, durante os 100 ms de sobrecarga, a temperatura de jungdo pode aumentar: 125-90 = 35°C. Poténcia perdida adicional = wae = 700 W. Poténcia perdida total = 300 + 700 = 1.000 W. iCap.1 Dispositivos plo 1.12 = IGBT de 25 A pode ser considerado como tendo uma capacidade térmica de 0,02 °C uma resisténcia térmica, em regime, de 0,625°C/W. Dado que a temperatura entre encapsulamento ¢ o dissipador esta a 100°C, determine a variagio da temperatura de juncao ‘para os seguintes ciclos de carga: a) 25 ACC com uma queda de tensao de 3 V. b) Corrente ciclica de 35 A, com 3,6 V de queda, por 5 ms, seguida por zero de corrente por 5 ms. ©) Corrente ciclica como em (b) com tempo de 1 ms. yPerda [= de temperatura @ en Le RLLE > Sms Sms ligado —desligado Figura 137 Solucio a) Perda = 25x3=75 W. Aumento de temperatura = 75 x 0,625 = 47°C. Temperatura de jungao constante em 100 + 47 = 147°C. b) A variacdo de temperatura seguir4, aproximadamente, a curva exponencial mostrada na Figura 1.37. Poténcia dissipada por °C de aumento = 1/0,625 = 1,6 W/°C.54 Eletrénica Industrial Teoria e Aplicagées Cap. 1 Da Equagio (1-6) a constante de tempo térmica = 0,02/1,6 = 12,5 ms. Perda durante a condugao = 35 x 3,6 = 126 W. Durante a conducdo, é aplicada a Equacao (1-4), 0 valor de Omax na equacio sera 47 x (126/75) = 79, usando os dados de regime permanente da letra (a). @ = 79 — (79 ~ @i)e/!*°, comegando em 8 = 01 para t = 0 terminando em @ = 6? emt = 5. Durante 0 periodo de corte, 8 = O26 "75 = Greme = 5. Das duas equaoes 61 = 32°C e 62 = 47°C. Logo, a temperatura de jungio oscila entre 132°C e 147°C, assumindo uma mudanga desprezivel na temperatura do encapsulamento e do dissipador nesse perfodo. ¢) Repetindo os clculos da letra (b), porém com um tempo de 1 ms, teremos os valores de 0; = 38°C € 02 = 41°C, Logo, a temperatura de jungao oscila entre 138°C ¢ 141°C. Se nessa condi¢do a poténcia média, de 126/2 W, do ciclo é usada em conjungao com sisténcia térmica de 0,625°C/W, entdo o aumento de temperatura seria 63 x 0,625 = 39°C. Esses calculos servem para ilustrar que, onde o dispositivo esté sob um ciclo em que 0 tempo é muito menor que’a constante de tempo térmica, uma pequena variagao na tempera- tura de jungao ocorrerd; logo a perda média de poténcia pode ser usada. Onde o tempo do ciclo é longo, variagées consideraveis na temperatura de juncdo podem ocorrer. Deve ser notado que para pulsos de corrente muito curtos é apropriado usar um valor menor para a capacidade térmica, porque a perda nao ocorre uniformemente dentro do silicio.