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TRANSFORMATEUR
T A B L E
D E S
M A T I E R E S
PAGE
5.
LE TRANSFORMATEUR ............................................................................................................................................1
Relations de base...............................................................................................................................................1
Circuits magntiques.........................................................................................................................................6
Modle du transformateur ................................................................................................................................9
CONVERTISSEUR STOCKAGE INDUCTIF AVEC ISOLATION GALVANIQUE ...........................................................16
Montage FLYBACK ........................................................................................................................................16
CONVERTISSEUR DE TYPE SRIE AVEC ISOLATION GALVANIQUE .........................................................................29
Montage FORWARD ......................................................................................................................................29
CONVERTISSEUR DE TYPE SYMTRIQUE AVEC ISOLATION GALVANIQUE .............................................................34
Montage PUSH-PULL (pont complet)...........................................................................................................34
VALUATION ET DIMENSIONNEMENT DES CONVERTISSEURS DC-DC.................................................................38
Gnralits ......................................................................................................................................................38
Stress et taux d'utilisation des semiconducteurs (transistor).........................................................................38
Bibliographie
Page 1
LE TRANSFORMATEUR
Dans cette section, nous passerons en revue les bases ncessaires la modlisation des
transformateurs d'impulsions utiliss dans le domaine des alimentations dcoupage
F = H dl
5.1
x1
5.2
Le flux magntique totalis passant au travers d'une surface S d'aire Ac est gal l'intgrale du
produit scalaire du champ d'induction magntique B par unit de surface lmentaire
reprsente par un vecteur normal n cette dernire.
=
B dA
5.3
SurfaceS
5.4
La loi de Faraday permet d'exprimer la tension induite dans une spire en fonction du flux (t)
traversant l'aire Ac dlimite par la spire
u (t ) =
d (t )
dt
5.5
nAc
Flux (t)
_
+
u(t)
Page 2
u(t ) = Ac
dB(t )
dt
5.6
La loi de Lenz tabli que la tension u(t) induite par la variation de flux (t) a une polarit qui
tend induire un courant dans la spire concerne de manire s'opposer la variation du flux.
La tension divise par l'impdance de la spire conductrice induit un courant i(t). Ce courant i(t)
induit son tour un flux '(t) , lequel tend s'opposer la variation de (t) .
i(t) : courant induit
Spire court-circuite
Flux (t)
_
+
u(t)
La loi d'Ampre relie le courant circulant dans une spire la force magntomotrice F. La
FMM sur un contour ferm de longueur lm est gale au courant totalis passant au travers du
contour ferm.
contourferm
H dl =
5.7
5.8
Ainsi le champ magntique H(t) est une fonction du courant de circulation i(t)
H(t)
i(t)
Contour ferm lm
Page 3
B = 0 H
5.9
Pour l'analyse, la caractristique du matriau est modlise par sa partie linaire seulement. La
caractristique B H est donc donne par
B = H = r 0 H
5.10
u(t)
Loi de Faraday
Caractristiques
lectriques
B(t), (t)
Caractristiques du
noyau magntique
i(t)
Loi d'Ampre
H(t), F(t)
Figure 5-5 : Etapes pour la dtermination des caractristiques lectriques d'un noyau magntique
Page 4
Faraday permet d'crire la relation liant le flux (t) dans le noyau magntique la tension
induite sur chaque spires du bobinage
u(t ) spire =
d (t )
dt
5.11
d (t )
dt
5.12
dB(t )
dt
5.13
o B(t) est la valeur moyenne du champ d'induction magntique sur la section transversale du
noyau magntique
B (t ) =
(t )
Ac
5.14
(t)
i(t)
Section AC
du noyau
n
spires
u(t)
Noyau
Noyau de
permabilit
H(t)
i(t)
u(t)
n
spires
Contour
ferm lm
Un chemin ferm est choisi de manire suivre le parcours moyen d'une ligne de champ
magntique l'intrieur du noyau magntique. Ce chemin une longueur nomme lm. Si le
champ H(t) est uniforme, en se rfrant la relation 5.8, on peut crire
H (t ) l m = n i (t )
5.15
Page 5
B=
Bsat
pour H Bsat /
5.16
pour H Bsat /
Bsat
Bsat
-Bsat
Figure 5-7 : Approximation de la caractristique B - H
La valeur du courant de saturation Isat peut tre trouve par substitution de H=Bsat/. Soit
I sat =
Bsat l m
n
5.17
dH (t )
dt
u (t ) =
n i (t )
on obtient
lm
n 2 Ac di (t )
lm
5.18
dt
5.19
di (t )
dt
5.20
Page 6
L=
n 2 Ac
5.21
lm
Ainsi le matriau magntique entour de n spires se comporte comme une inductance pour I
< Isat. Lorsque I > Isat , le champ d'induction B(t)=Bsat est constant et la tension induite aux
bornes du bobinage vaudra
u(t ) = n Ac
dBsat
=0
dt
5.22
Lorsque le noyau magntique est satur, le comportement de l'inductance approche un courtcircuit. En pratique la saturation provoque une forte diminution de l'impdance de
l'inductance, provoquant du mme coup un accroissement important du courant.
5.1.2 Circuits magntiques
Section
transversale Ac
Flux (t)
noyau de permabilit
R=
H(t)
(t)
l
Ac
R
Figure 5-8 : Elment de circuit magntique
puisque H =
F=
5.23
et B =
Ac
5.24
avec
5.25
Page 7
l
Ac
5.26
La relation 5.25 est similaire la loi d'Ohm. Cette relation montre que le flux magntique
traversant un matriau magntique est proportionnel la FMM aux bornes de l'lment. La
constante de proportionnalit, appele rluctance est analogue la rsistance d'un conducteur
lectrique. Dans un circuit magntique, tension et courant sont remplacs par FMM et flux.
Les quations de Maxwell et plus particulirement divB=0 montre que les lignes de champ
magntique sont continues et n'ont pas de terminaison. Par consquent, la somme des flux
entrant en un nud est nulle. Pour un circuit magntique complexe, on peut donc appliquer les
mmes lois de Kirchoff que pour un circuit lectrique.
Considrons une inductance avec un entrefer, illustre la Figure 5-9.
Noyau de
permabilit
(t)
Section AC
du noyau
i(t)
n
spires
u(t)
u(t)
Entrefer
Contour ferm lm
Le chemin moyen au travers du noyau magntique et de l'entrefer est constitu d'un matriau
de permabilit et de longueur Lm et d'un entrefer de permabilit 0 et de longueur . En
faisant l'hypothse que la section normale au champ magntique est identique pour le matriau
et pour l'entrefer, l'application de la loi d'ampre sur le chemin ferm conduit la relation
Fc + F = n i
5.27
Rc
Fc
ni(t)
Page 8
lc
Ac
5.28
5.29
5.30
d (t )
dt
5.31
en liminant (t)
u (t ) =
n2
di (t )
c + dt
5.32
n2
c +
5.33
Page 9
= BAc
BsatAc
1/Rc
1/(Rc+Rg)
nIsat1
nIsat2
ni
-BsatAc
5.34
Bsat Ac
( c + )
n
5.35
i1(t)
u1(t)
i2(t)
n1
spires
n2
spires
u2(t)
noyau
Le noyau magntique une section transversale Ac, une longueur moyenne des lignes de
champ lm et une permabilit .
Page 10
Rc
Fc
n1i1
n2i2
5.1.3.1
5.36
Transformateur idal
5.37
u1 (t ) = n1
5.38
Il est noter que le flux est identique pour les deux bobinages, l'limination du flux conduit
d u1 (t ) u 2 (t )
=
=
dt
n1
n2
5.39
et
n1 i1 + n2 i2 = 0
Le transformateur idal peut tre illustr par la Figure 5-14 et la relation 5.40
5.40
Page 11
n1 : n2
i1
i2
u1
u2
Idal
Figure 5-14 : Transformateur idal
5.1.3.2
Le transformateur idal peut tre reprsent par un modle (utile pour la simulation) dont la
structure est celle de la figure suivante
i1 =
u1 =
n2
i2
n1
n1:n2
i2 =
i1
n1
i1
n2
n1
u2
n2
Source de tension
contrle en tension
i2
n2
u1
n1
n
u 2 = 2 u1
n1
u1
n2
i2
n1
u2
A
Source de courant
contrle en courant
5.1.3.3
Inductance magntisante
Dans le cas rel, la rluctance R du noyau magntique est non nulle. On peut crire les
relations
(t ) = n1 i1 (t ) + n2 i2 (t )
et
u1 (t ) = n1
d (t )
dt
5.41
n12 d
n
i1 (t ) + 2 i2 (t )
n1
dt
5.42
dih (t )
dt
5.43
Page 12
n12
Lh =
R
5.44
n
ih = i1 + 2 i2
n1
n2 i
n1 2
n1 : n2
i2
i1+ n2 i2
n1
u1
Lh =
n12
R
u2
Idal
Figure 5-16 : Modle du transformateur avec inductance magntisante
1
u1 (t ) dt
Lh
5.45
1
u1 (t ) dt
n1 Ac
5.46
1 = u1 (t ) dt
5.47
t1
Page 13
Inductances de fuites
En pratique la totalit du flux coupl a chaque bobinage ne passe pas entirement au travers
des autres bobinages. Chaque bobinage est donc entour de flux de fuite conduisant une
inductance de fuite, laquelle est en srie avec le bobinage. La Figure 5-17 illustre ce
comportement.
i1(t)
u1(t)
i2(t)
u2(t)
u1
R1
L1
Lh =
n2 i
n1 2
n1 : n2
n1
L
n2 12
L2
R2
i2
u2
i1+ n2 i2
n1
Idal
Figure 5-18 : Modle du transformateur avec inductance magntisante et inductances de fuites (1)
Page 14
i1
L1
R1
u1
Lh =
n2 i
n1 2
L'2
R'2
n1 : n 2
i2
n1
L
n2 12
u2
i1+ n2 i2
n1
Idal
Figure 5-19 : Modle du transformateur avec inductance magntisante et inductance de fuite (2)
avec :
2
n
R = 1 R2
n2
'
2
n
L'2 = 1 L2
n2
5.48
Les lments L12 = L21 sont appels inductances mutuelles et sont donnes par la relation
L12 = L21 =
n1 n2 n2
= Lh
n1
5.49
Les lments L11 et L22 sont appels inductances propres du primaire respectivement du
secondaire et obissent la relation
L11 = L1 +
L22 = L2
n1
L12
n2
n
+ 2 L12
n1
5.50
L22
L11
5.51
L12
L11 L22
5.52
Page 15
L'apport d'nergie est ncessaire pour effectuer une modification de la magntisation d'un
noyau magntique. La totalit de cette nergie n'est pas convertie en nergie lectrique, une
fraction de cette dernire constitue des pertes par effet joule. La puissance correspondant une
partie de cette nergie est dissipe dans le parcours du cycle d'hystrse de la caractristique
B-H. Considrons une inductance constitue de n spires parcourues par un courant prsentant
une priodicit de frquence f. L'nergie transitant dans le noyau magntique sur un cycle est
W=
u(t ) i(t ) dt
5.53
Un cycle
En utilisant les caractristiques B-H du noyau magntique et ne substituant B(t) u(t) et H(t)
i(t), on peut crire
W=
dB(t ) H (t ) l m
dt
n Ac
dt
n
Un cycle
= ( Ac l m )
H dB
5.54
Un cycle
Le terme Aclm reprsente le volume du noyau magntique, alors que l'intgrale n'est rien
d'autre que la surface du cycle d'hystrse parcouru.
( Energie perdue par cycle) =
( volume du noyau magntique) ( surface du cycle B H )
5.55
Les pertes par hystrse B-H sont gales l'nergie perdue par cycle multiplie par la
frquence de parcours du cycle
PH = ( f ) ( Ac l m )
H dB
Un cycle
5.56
Page 16
5.2
Gnralits
Le montage Flyback est bas sur celui du hacheur stockage inductif (Buck-Boost converter
ou step-down/up converter), comme l'illustre la Figure 5-20
D
Q
U
(a)
D
Q
U
L
1:1
(b)
D
Q
U
Lh
1:1
(c)
D
n1 : n2
(d)
Figure 5-20 : Drivation du hacheur Flyback
La fonction de base de l'inductance est inchange et la mise en parallle des bobinages (Figure
5-20 (b)) est quivalente a un bobinage unique. A la Figure 5-20 (c), la connexion entre les
Page 17
deux bobinages est rompue. Un des bobinages est utilis lorsque le transistor Q conduit tandis
que le second est actif lorsque la diode D est conductrice. Le courant totalis est inchang
entre les Figure 5-20 (b) et (c), cependant le courant est distribu de manire diffrente. Le
courant magntisant dans le matriau magntique est en tout point identique dans les deux cas.
La Figure 5-20 (d) est fonctionnellement identique la Figure 5-20 (c). Pour des raisons de
simplification pratique, le transistor Q est plac de manire pouvoir utilis le retour de
l'alimentation comme rfrence. De plus, pour facilit la comprhension, le bobinage
secondaire est retourn ainsi que la polarit de la diode. Pour l'analyse de ce montage, on
utilisera le modle dfini dans la section prcdente, illustr la Figure 5-21.
i=i1
n1 : n2
ih
u1
i2
D1
iD
n2
n1 i2
Lh
iC
u2
iR
uC
U
Transformateur
Q1
Lorsque le transistor Q1 conduit, l'nergie dlivre par la source est stocke dans l'inductance
magntisante Lh. Lorsque la diode conduit, l'nergie stocke est transfre la charge avec une
tension et un courant dont le niveau est dfini par le rapport de transformation n1/n2.
u1
i=i1
Q : ON
Lh
ih
u2
uC
D : OFF iD
iC
iR
i=i1
ih
u1
Q : OFF
Lh
i2
Transformateur
n2
n1 i2
n1 : n2
u2
D : ON
[ te ]
1
ih[ te ]
= U = Lh
te
ih[ td ]
n1
= U C = Lh
n2
td
Hypothse : uc=UC uc=0, l'ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle
Transformateur
n2
n1 i2
i2
Q ouvert, D conduit
Q conduit, D ouvert
n1 : n2
5.2.1.2.1
0 t < te=DTP
Conduction continue
5.2.1.2
uC
iD
iC
iR
Page 18
n1
I h I R[ td ]
n2
I = D I [te ] + (1 D) I [td ] = D I h
I D = D I D[ te ] + (1 D) I D[td ] = (1 D) I L
ID =
1-D
n1
(1 D) I h
n2
n2 D
U
n1 1 D
n1
(1 D) I h
n2
I = D Ih
IR =
UC =
n1
Ih ) = 0
n2
n1
UC ) = 0
n2
D I C[ te ] + (1 D) I C[ td ] = D ( I R ) + (1 D) ( I R +
D U 1[te ] + (1 D) U 1[ td ] = D (U ) + (1 D) (
I D[te ] = 0
I = Ih
I D[ td ] =
n1
Ih
n2
I =0
I C[ te ] = I R[te ] = I R
Page 19
5.2.1.2.2
u1
i=i1
u2
i=i1
iC
iR
ih
u1
Q : OFF
Lh
ih = ih MAX ih MIN =
Uh = 0
Lh
U Tp
D =
n1 U C T p
(1 D)
n2
L
ih = ih[te ] = ih[td ]
i2
u2
D : ON
uC
iD
U L[ td ]
n U
td = 1 C td
Lh
n 2 Lh
Transformateur
n2
n1 i2
n1 : n2
ih[ td ] =
uC
D : OFF iD
U
U
te =
te
Lh
Lh
[ te ]
1
Transformateur
i1
n2
n1 i2
ih[ te ] =
Q : ON
Lh
ih
i2
Q ouvert, D conduit
Q conduit, D ouvert
n1 : n2
0 t < te=DTP
iC
iR
Page 20
Page 21
La Figure 5-22 montre les divers courants et tensions apparaissant dans le montage Flyback en
conduction continue.
u1(t)
U
t
-n1
n2 UC
ih(t)
ihMAX
ihMIN
iQ(t)
ihMAX
ihMIN
iD(t)
n1 i
n2 hMAX
n1 i
n2 hMIN
t
uQ(t)
n
U+ n1 uC
2
t
uD(t)
t
n
uC- n2 U
1
uC(t)
uCMAX
uCMIN
t
Figure 5-22 : Conduction continue
Page 22
Pour des raisons de choix de transistor, il est galement important de connatre la tension
maximum aux bornes de ce dernier. On peut dire que durant l'intervalle te t < Tp
uQ = U +
5.2.1.3
n1
U
.
UC =
n2
1 D
5.57
Les rsultats peuvent tre obtenus par similitude avec le cas du hacheur stockage inductif. Notons
qu'il existe un fonctionnement en rgime d'auto-oscillation. Dans ce mode, le transistor est ouvert
lorsque le courant magntisant du transformateur atteint une valeur dtermine. La prochaine
fermeture du transistor aura lieu lorsque le courant dans la diode sera nul.
Ce mode prsente deux avantages et deux inconvnients
- La mise en conduction du transistor et le blocage de la diode se font courant nul. Cela rduit
les pertes de commutation du transistor et les perturbations induites par la charge de
recouvrement de la diode.
- Les valeurs du flux et, par-l, du courant magntisant sont rduites. L'nergie stocke dans
l'inductance de magntisation est moins importante, ce qui permet la rduction de la taille du
transformateur.
- L'ondulation du courant magntisant est plus forte, ce qui augmente le facteur de
dimensionnement du transformateur
- Le fonctionnement frquence variable rend plus difficile le filtrage
5.2.1.3.1
Page 23
Dans ce cas galement, il existe une similitude avec le hacheur stockage inductif
u1(t)
U
t
-n1U
n2 C
ih(t)
ihMAX
t
iQ(t)
ihMAX
iD(t)
n1
n2 ihMAX
uQ(t)
n
U+ n1 uC
2
U
t
uD(t)
t
n
uC- n2 U
1
uC
uC(t)
uCMAX
uCMIN
t
Figure 5-23 : Conduction intermittente
5.2.1.4
Page 24
Le montage Flyback travaille selon deux phases distinctes. La premire correspond un stockage
d'nergie sous forme de champs magntique dans le transformateur, le secondaire de ce dernier
tant ouvert. La seconde correspond une restitution de cette nergie au secondaire du
transformateur.
Deux modes opratoires sont clairement identifiables :
5.2.1.4.1
Transfert complet d'nergie (mode de conduction intermittent), mode dans lequel l'nergie
stocke lors de la fermeture du transistor est compltement restitue (aux pertes prs) au
secondaire lors de la phase d'ouverture du transistor.
Transfert partiel d'nergie (mode de conduction continue), mode dans lequel seul une partie de
l'nergie stocke dans le transformateur est restitue au secondaire
Phase de stockage de l'nergie
Lorsque le transistor Q est ferm, le primaire du transformateur est aliment par la source de
tension U. La diode D place la sortie du secondaire est en polarisation inverse et par consquent
aucun courant circule dans le bobinage secondaire. Durant cette phase de stockage, seul le
bobinage primaire est actif et le transformateur peut tre trait comme une simple inductance. Le
temps d'enclenchement du transistor tant beaucoup plus petit que la constante de temps lectrique
du bobinage primaire, on peut admettre une croissance linaire duc courant dans ce dernier. Le
champ d'induction magntique B va donc crotre de Br (Induction rmanente) Bmax
(correspondant au courant maximum dans le bobinage primaire). La Figure 5-24 illustre cette
phase
ih
te
t
B
Bsat
Bmax
Br
H
Figure 5-24 : Phase de stockage d'nergie
5.2.1.4.2
Page 25
Lorsque le transistor est ouvert, le courant dans le bobinage primaire du transformateur est nul. Le
courant magntisant circule maintenant dans secondaire du transformateur, la diode place sur la
sortie tant conductrice. Le niveau de ce courant dpend du rapport de transformation alors que son
sens est celui dfini par la loi de Lenz. Durant la phase "Flyback", le courant magntisant va
dcrotre jusqu' la qu'il atteigne zro dans le cas du transfert complet d'nergie ou jusqu'au
moment de la fermeture du transistor dans le cas d'un transfert d'nergie partielle. La Figure 5-25
illustre cette phase
ih
td
B
Bsat
Bmax
Br
H
Figure 5-25 : Phase de transfert d'nergie
5.2.1.4.3
Pour un mode de transfert complet d'nergie, le courant magntisant s'annule, lors de la phase de
transfert, avant la fermeture du transistor (origine de la priode de commutation suivante). Le
champ d'induction magntique B passe de sa valeur maximum Bmax sa valeur rmanente Br
(valeur correspondant un courant magntisant nul).
5.2.1.4.4
Page 26
dans le transformateur. La valeur de cette nergie rsiduelle est identique chaque fin de priode
de pulsation. Elle sera restitue lors du passage du mode de conduction continue au mode de
conduction intermittent, par exemple lors d'une diminution du courant de charge.
5.2.1.4.5
Le courant magntisant d'un montage Flyback est unipolaire. Le transformateur travaille donc dans
le quadrant I uniquement. On peut montrer que pour un mme transformateur, il est possible
d'augmenter le transfert d'nergie. La Figure 5-26 montre qu'en ajoutant un entrefer, il est possible
pour un transformateur de transmettre plus de puissance en conduction continue (transfert partiel
d'nergie) que ce mme transformateur sans entrefer le ferait en conduction discontinue (transfert
complet d'nergie).
B
Bmax1
Bmax2
Energie transfere
Energie dissipe dans
le noyau magntique
Bmin2
Br
H
5.2.1.5
Dans ce paragraphe, nous allons utiliser une approche itrative pratique pour le dimensionnement
du transformateur utilis dans un montage Flyback. Les points principaux sont la slection du
noyau magntique (taille et matriau), dimensionnement de l'inductance de champ principal, de
l'entrefer, le nombre de spires au primaire.
5.2.1.5.1
La Figure 5-27 montre l'allure typique du cycle d'hystrse B/H pour un noyau en ferrite, sans et
avec entrefer. Il faut noter que la permabilit (pente) du cycle d'hystrse varie avec la longueur
de l'entrefer. Par contre le niveau de saturation du champ d'induction magntique Bsat reste le
mme. Le niveau du champ magntique H est beaucoup plus lev et le champ d'induction
magntique rmanent est beaucoup plus petit dans le cas d'un entrefer non nul. L'adjonction d'un
entrefer est donc largement profitable dans le cas d'un transformateur pour montage Flyback,
lequel travaille uniquement dans le premier quadrant de la caractristique B/H.
BDC
BAC
Page 27
AC
BDC
Cycle d'hysterese
du noyau magntique
sans entrefer
Cycle d'hysterese
du noyau magntique
avec entrefer
HDC1
HDC1
AC
Figure 5-27 :Caractristiques magntiques typiques d'un transformateur utilis dans un montage Flyback
5.2.1.5.2
La Figure 5-28 montre clairement que l'augmentation de l'entrefer entrane une diminution de la
pente de la caractristique B/H mais ne change pas la valeur crte-crte du champ d'induction
magntique BAC. En effet BAC est proportionnel au produit de la tension applique au primaire
par le temps d'enclenchement du transistor, et par consquent BAC est dfini par les conditions
AC extrieures, et non pas par la taille de l'entrefer.
Par contre cette augmentation de l'entrefer provoque une augmentation de la valeur crte-crte du
champ magntique HAC. Ceci correspond une diminution effective de la permabilit du circuit
magntique et par consquent une diminution de l'inductance de champ principal..
On peut donc dire que les conditions AC appliques agissent sur l'axe vertical des caractristiques
B/H, provoquant une modification du champ magntique HAC. Dans ce cas H doit tre considr
comme une variable dpendante.
Une erreur classique est de croire qu'un circuit magntique satur, suite un nombre de spires
primaire insuffisant ou un produit Ute excessif, peut tre corrig par l'adjonction d'un entrefer. Ceci
est faux car l'entrefer ne modifie pas le niveau du champ d'induction magntique de saturation Bsat.
Par contre l'introduction d'un entrefer rduit la valeur du champ d'induction magntique rmanent
Br et par consquent permet d'augmenter la plage de travail de BAC, ce qui peut tre intressant
dans le cas de la conduction intermittente.
5.2.1.5.3
Page 28
Un courant continu dans le bobinage (conduction continue) produit un champ magntique HDC
proportionnel. Pour un courant de charge donn, HDC est parfaitement dfini. On voit donc que
pour les conditions DC, BDC doit tre considre comme une variable dpendante.
La Figure 5-27 montre que l'adjonction d'un entrefer permet au circuit magntique de supporter un
champ magntique HDC beaucoup plus important sans apparition de saturation. Par consquent, un
entrefer est trs efficace pour prvenir la saturation du circuit magntique lorsque qu'il y a une
composante de courant DC (amlioration de la plage de conduction continue).
5.2.1.5.4
Conclusions
5.3
Page 29
Le montage Forward est driv du montage Buck. La continuit du courant de sortie, comme pour
tous les montages drivs du montage Buck, fait que le convertisseur Forward est trs bien adapt
aux applications demandant de fort courant de sortie.
iD2
n1 : n2 : n3
D2
i
iC
u1
u3
D3
iR
uD3 uC
D1
5.3.1.1
Gnralits
i
ih
u1
iD2
i1
u3
iL
D3
uD3 uC
iR
R
i3
i2
Q
iC
Lh
D2
D1
5.3.1.2
Durant le premier intervalle de la priode de pulsation Tp, le transistor Q1 est conducteur. La diode
D2 est polarise dans le sens passant alors que les diodes D1 et D3 sont bloques. la tension U de la
source est applique aux bornes du bobinage primaire du transformateur et le courant magntisant
ih crot linairement pour atteindre un maximum la fin du temps denclenchement
ihMAX = ih (t e ) =
Page 30
U Tp
U
te =
D
Lh
Lh
5.58
n3
U
n1
5.59
i
n1 : n2 : n3
iD2 D2 : ON
i1
ih
iC
u3
u1 Lh
U
i2
D3 : OFF
uD3
uC
iR
R
i3
D1 : OFF
Q : ON
5.3.1.3
Le second intervalle commence lorsque le transistor Q1 est dclench. La Figure 5-31 illustre les
parties actives dans cet intervalle. Le courant magntisant ih(t) est positif et doit continuer de
circuler. Puisque le transistor Q1 est ouvert, le circuit quivalent montre que le courant magntisant
ih en conjonction avec le sens des bobinages primaire et auxiliaire entrane la polarisation de la
diode D1 dans le sens direct et par consquent la circulation d'un courant dans le bobinage
auxiliaire. Le courant dans le bobinage auxiliaire vaut
i2 ( t ) =
n1
ih (t )
n2
5.60
5.61
n1
n
u 2 (t ) = 1 U
n2
n2
5.62
Cette tension ngative aux bornes de l'inductance magntisante entrane une dcroissance de
courant magntisant dont la drive vaut
Page 31
n U
d
ih (t ) = 1
dt
n2 Lh
5.63
La tension aux bornes du bobinage connect au circuit de sortie est galement ngative
u3 (t ) =
n3
n
u 2 (t ) = 3 U
n2
n2
5.64
puisque la diode D2 est bloque, c'est la diode D3 qui assure la continuit du courant dans
l'inductance L.
n1 : n2 : n3
i1
D2 : OFF
ih
iL
iC
u1 Lh
u3
D3 : ON
uD3 uC
iR
R
i3
n1
i2 = n ih
2
Q : OFF
D1 : ON
5.3.1.4
n1
U ) + D3 (0) = 0
n2
5.65
Avec D, rapport cyclique d'enclenchement, D1, temps d'extinction du courant rapport la priode
de pulsation Tp et D3 temps pendant lequel le courant magntisant est nul, rapport la priode de
pulsation Tp.
De la relation 5.65 on en dduit le rapport cyclique d'extinction du courant D2
D2 =
n2
D
n1
5.66
Le courant magntisant doit imprativement est nul avant le prochain enclenchement du transistor.
Page 32
5.67
on peut crire
D3 = 1 D (1 +
n2
)0
n1
5.68
1
n
1+ 2
n1
5.69
D2 : OFF
i1
u1
ih
iL
iC
u3
Lh
i2
Q : OFF
D3 : ON
uD3 uC
i3
iR
R
D1 : OFF
5.3.1.5
La Figure 5-33 illustre les allures des principales grandeurs lectriques du montage FORWARD.
Les grandeurs de sortie, c'est--dire les courants dans la charge IR, dans le condensateur ic, dans
l'inductance iL ainsi que les tensions correspondantes se calculent de la mme manire que pour le
montage BUCK.
Page 33
u1
U
t
n1
n2 U
ih
U
Lh
n1 U
n2 Lh
uD3
n3
n1 U
DTp
D2Tp
D3Tp
Tp
5.3.1.6
Pour obtenir la tension de sortie du montage Forward, il suffit d'appliquer le principe de la tension
moyenne nulle aux bornes de l'inductance L du filtre de sortie en rgime permanent
u D3 = U C = U 3 D =
n3
D U
n1
5.70
La relation 5.70 montre que le rapport cyclique D maximum pourrait tre augment en diminuant
le rapport du nombre de spires n2/n1. En effet dans ce cas la dcroissance du courant magntisant
durant la phase d'extinction se trouve augmente. Malheureusement, une diminution de n1/n2
entrane une augmentation de la tension aux bornes du transistor Q1. La tension maximum
applique aux bornes du transistor durant l'intervalle d'extinction du courant magntisant est
exprime par la relation
uQ1 = U (1 +
n1
),
n2
5.71
5.4
Page 34
Q1
D1 Q3
D3
D5
n1:n2:n2
iD5
iC
Q2
D2 Q4
iR
uC
u1
u2
iL
us
u2
U
iD6
D6
D4
Lorsque le transformateur est remplac par son modle quivalent rel, on obtient le schma
illustr la Figure 5-35.
Q1
D1 Q3
D3
i
i1 n1:n2:n'2 i2
ih
D5
iD5
Lh
Q2
D2 Q4
u'2
iC
us
u2
uC
u1
iL
iD6
Idal i'2
D4 Transformateur D6
iR
Page 35
ih(t)
u1(t)
U
iL(t)
iL
I
t
us(t)
n2
n1 U
t
iD5(t)
i(t)
0.5 i(t)
t
iD6(t)
i(t)
0.5 i(t)
t
DTP
Q1
Q4
D5
TP
D5
D6
Q2
Q3
D6
D5
D6
Page 36
La sortie du convertisseur est similaire un montage Buck si l'on compare la tension us(t) et i(t)
uD(t) et iL(t).
Durant le premier intervalle 0 t < DTp, Q1 et Q4 sont conducteurs et la tension U se trouve aux
bornes du primaire du transformateur, soit
u1 (t ) = U
5.72
U
t
Lh
5.73
n2
n
u1 (t ) = 2 U
n1
n1
5.74
ceci avec le signe dfini par les points de polarit. La diode D5 est donc conductrice, alors que D6,
polarise dans le sens inverse, est bloque. La tension de sortie vaut donc
uC ( t ) = u 2 ( t ) =
n2
U .
n1
5.75
5.76
Durant ce second intervalle, le courant dans les diodes D5 et D6 est fonction du courant circulant
dans l'inductance L du filtre de sortie et su courant magntisant ih. Dans le cas idal (sans courant
magntisant), les courants iD5 et iD6 sont gaux (i1(t)=0). Ils assurent la continuit du courant dans
l'inductance L
iD 5 (t ) + iD 6 (t ) = iL (t )
5.77
En pratique, les courants circulant dans les diodes D5 et D6 sont lgrement diffrents si l'on tient
compte du courant magntisant. La partie idale du transformateur obit la loi
n1 i1 (t ) n2 iD 5 (t ) + n2 iD 6 (t ) = 0
5.78
5.79
5.80
Cette relation dcrit, dans le cas gnral, la liaison entre les courants circulant de part et d'autre du
transformateur durant le second intervalle. La rpartition du courant magntisant dans les trois
Page 37
bobinages du transformateur dpend des caractristiques i,v des transistors conducteurs et des
diodes. Dans le cas ou i(t)=0, on peut crire en admettant que les caractristiques des diodes D5 et
D6 sont identiques
1
1 n
iD 5 (t ) = iL (t ) 1 ih (t )
2
2 n2
1
1 n
iD 6 (t ) = iL (t ) + 1 ih (t )
2
2 n2
5.81
Dans un cas de charge nominal, le courant dans la charge et par consquent dans l'inductance L du
filtre de sortie est beaucoup plus grand que le courant magntisant.
La prochaine priode de pulsation Tp est similaire la prcdente, exception faite que la tension
applique au primaire du transformateur est de polarit oppose.
En effet durant l'intervalle Tp t < (Tp+DTp), ce sont les transistors Q2 et Q3 et la diode D6 qui
sont conducteurs. La tension applique au primaire vaut u1(t) = -U, laquelle provoque une
dcroissance du courant magntisant ih selon la pente U/Lh. Les diodes D5 et D6 redeviennent les
deux conductrices durant l'intervalle (Tp+DTp) t < 2Tp.
La frquence de l'ondulation de courant dans l'inductance est gale fp alors que celle du courant
magntisant est de fp, rduisant du mme coup les pertes fer du transformateur.
En appliquant le principe de la tension moyenne nulle aux bornes de l'inductance magntisante du
transformateur en rgime permanent, on peut crire
(U {U Q1 + U Q4 }) (D T p ) (U {U Q2 + U Q3 }) (D T p ) = 0 .
5.82
En pratique, les asymtries du pont (dispersion des caractristiques des composants) font qu'il est
difficile voir impossible d'assurer une tension moyenne nulle aux bornes du transformateur. Il y a
donc risque de voir le courant magntisant moyen augmenter et donc provoquer la saturation du
noyau magntique du transformateur. Un moyen d'viter ce phnomne est d'ajouter un
condensateur en srie avec le primaire du transformateur. Puisqu'en rgime permanent, le courant
moyen aux bornes du condensateur est nul, nous avons la certitude que dernier aura ces bornes la
tension rsultante des asymtries du pont.. Il existe une topologie de demi-pont o une branche du
pont du montage push-pull est remplace par deux condensateurs.
Le montage Push-Pull est en principe utilis pour des puissances suprieures 750W. Pour des
puissances infrieures on lui prfre des montages moins gourmands en composants.
5.5
Page 38
5.5.1 Gnralits
Il n'existe pas de choix dfinitif et absolu de topologie de convertisseurs DC-DC qui conviennent
toutes les applications. Pour chaque application et ses spcifications propres, une tude
comparative devrait tre effectue avant le choix d'une topologie. Plusieurs solutions dont le
rsultat est conforme aux spcifications doivent tre considres, pour chaque approche, il est
important de dfinir des critres tels que la tension maximum apparaissant aux bornes du transistor,
le courant efficace, la taille du transformateur, etc Ce type de comparaison quantitatif peut
conduire la slection de la meilleure topologie en vitant l'avis subjectif du concepteur.
5.5.2 Stress et taux d'utilisation des semiconducteurs (transistor)
Ce sont souvent les semiconducteurs qui reprsentent le cot le plus lev des convertisseurs DCDC. De plus, les pertes associes la conduction et la commutation des semiconducteurs sont
dominantes. Ces affirmations suggrent donc une valuation du niveau de stress impos aux
semiconducteurs. La minimisation du stress de ces derniers conduit une rduction de la surface
totale de silicium lors de la ralisation. Il est d'usage de comparer la somme totale du stress impos
chaque semiconducteur. Dans un bon design, les tensions et courants ddicacs chaque
semicondcteur doivent tre minimiss, alors que la puissance est maximise. Si un convertisseur
DC-DC contient k semiconducteurs, le stress global S peut tre dfini par
k
S = U j ( peak ) I j ( rms )
j =1
5.83
o Uj(peak) est la pointe de tension applique aux bornes du semiconducteur et Ij(rms) le courant
efficace qui le traverse. Si la puissance consomme par la charge est vaut Pcharge, le taux
d'utilisation du composant est dfini comme
TC =
Pch arg e
5.84
Le taux d'utilisation TC est plus petit que 1 dans les convertisseurs DC-DC et sa valeur doit tre
maximise.
5.5.2.1
Les pointes de tension rencontres pour chaque montage avec isolation galvanique sont rappeles
ci-dessous.
Montage Flyback
uQ1( peak ) = U +
n1
D
U
UC = U + U
=
n2
1 D 1 D
5.85
Page 39
Montage Forward
uQ1( peak ) = U (1 +
n1
)
n2
5.86
Montage Push-Pull
uQ1,2,3,4 ( peak ) = U
5.5.2.2
5.87
Pour la dtermination des courants efficaces on peut ngliger l'ondulation de courant dans les
inductances. En effet on peut montrer que
-
t
DTp
Tp
I ( rms )
1 i
= I 1+
12 I
5.88
i(t)
t
DTp
Tp
Figure 5-38 : Courant puls avec ondulation superpose
I ( rms )
1 i
= I D 1+
12 I
5.89
Le tableau comparatif ci-dessous permet d'estimer l'erreur faite lorsque l'on s'affranchit de
l'ondulation superpose
Ondulation de courant
rapporte au courant I
i = 0 I
i = 0 .2 I
i = 0 .5 I
i = 1 I
i = 2 I
Page 40
Courant puls
I
1.00167 I
1.01036 I
1.04083 I
1.15470 I
D I
1.00167 D I
1.01036 D I
1.04083 D I
1.15470 D I
Montage Flyback
Tp
I Q ( rms )
1
1
=
iQ 2 dt =
Tp 0
Tp
1
Tp
DT p
DT p
(iQ (t ) )
dt
n2
1
I R dt
n1 1 D
5.90
n2
D
IR
n1 1 D
Montage Forward
Tp
I Q ( rms )
1
1
=
iQ 2 dt =
Tp 0
Tp
1
Tp
=
DT p
DT p
(iQ (t ) )
dt
n3
I R dt
n1
5.91
n3
D IR
n1
Montage Push-Pull
I Q1,2,3, 4 ( rms )
1
=
2 Tp
2 Tp
=
DT p
n2 D
IR
2
n1
2T p
iQ
0
1
dt =
2 Tp
2
n2
I R dt
n1
DT p
(iQ (t ))
dt
5.92
5.5.2.3
Page 41
Montage Flyback
Le stress global s'exprime par la relation
S=
U
U n2
D
D
IR = C
IR =
D 1 D
1 D n1 1 D
PLOAD
D (1 D )
5.93
PLOAD
= D (1 D )
S
5.94
Montage Forward
Le stress global s'exprime par la relation
S = U (1 +
U
n 2 n3
n
) D I R = C (1 + 2 ) D I R
n1 n1
D
n3
n
1
=
(1 + 2 ) PLOAD
n1
D
5.95
TC =
PLOAD
=
S
1
D
n
1+ 2
n1
5.96
Montage Push-Pull
Le stress global s'exprime par la relation
S =U
U
P
n2
D
D
IR = C
I R = LOAD
n1
D
2
2
2 D
5.97
PLOAD
= 2 D
S
5.98
BIBLIOGRAPHIE
[1]
[2]
POWER ELECTRONICS
CONVERTERS, APPLICATIONS AND DESIGN
Auteurs : Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins
Chapitre 5
ISBN : 0-471-50537-4
[3]
Page 42