Elektronika

Auditorne vjebe 7

Unipolarni tranzistor
Tranzistor s efektom polja Field Effect Transistor
Unipolarni u radu tranzistora sudjeluju ili elektroni
ili upljine.
Elektrode:
Uvod (Source)
Odvod (Drain)
Vrata upravljaka elektroda (Gate)

Dio tranzistora kroz koji tee struja kanal:

n-kanalni
p-kanalni
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Unipolarni tranzistori
Podjela s obzirom na tehnoloku izvedbu:
Spojni unipolarni tranzistori Junction FET
Unipolarni tranzistori s izoliranim vratima:
Insulated Gate FET
Metal-Oxide-Semiconductor FET

Zajedniko svojstvo FET-ova: velik ulazni otpor

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Spojni unipolarni tranzistor - JFET

p-kanalni JFET
a) Struktura JFET-a
b) El. simbol

n-kanalni JFET
a) Struktura JFET-a
b) El. simbol

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Potpuno otvoreni kanal

UDS=0 i UGS=0

Vodljivost:

1 q n N D 2a w
2a w
G0

R0
L
L
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

irina kanala
UDS=0, UGS0

irina barijere:

2 U k U GS
a b
q ND
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Napon dodira
Napon pri kojem je irina kanala nula: b = 0.
2 U k U GS 0
a
q ND
2

U k U GS

b a 1
U k U GS 0

U GS 0

2 U k U GS 0
a
q NA
2

U k U GS

b a 1
U k U GS 0

n-kanalni JFET
U GS 0

a2 q ND
Uk
2

a2 q N A

Uk
2

p-kanalni JFET
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Izlazne karakteristike JFET-a

Dva podruja rada:

Triodno podruje
Podruje zasienja
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Dinamiki parametri JFET-a (n-kanalni)

Parametar

Podruje
Triodno

Strmina
Zasienje

Izlazna
dinamika
vodljivost

Faktor pojaanja

Triodno
Zasienje

Izraz

g m G0

U k U GS U DS U k U GS
U k U GS 0

U k U GS

g m G0 1

U
k
GS 0

U k U GS U DS

g d G0 1
U k U GS 0

gd I D

gm

gd
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Dinamiki parametri JFET-a (n-kanalni)

Parametar

Podruje
Triodno

Struja
Zasienje

Izraz
3
3

2 (U U
2
(
U

U
)
)
2

GS
DS
k
GS
I D G0 U DS k

3
U

U
k
GS
0

3
3

2
2
(U

U
)

(U

U
)
2

GS0
k
GS
I Dzas G0 U GS U GS0 k

3
U

U
k
GS0

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

10

Dinamiki parametri JFET-a (p-kanalni)

Parametar

Podruje
Triodno

Strmina
Zasienje

Izlazna
dinamika
vodljivost

Faktor pojaanja

Triodno
Zasienje

Izraz
g m G0

U k U GS U DS U k U GS
U k U GS 0

U k U GS

g m G0 1

U k U GS 0

U k U GS U DS

g d G0 1

U k U GS 0

gd I D

gm
gd
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

11

Dinamiki parametri JFET-a (p-kanalni)

Parametar

Podruje
Triodno

Struja
Zasienje

Izraz
3
3

2
2 (U k U GS U DS ) (U k U GS ) 2

I D G0 U DS
3
U k U GS 0

I Dzas

3
3

2
2 (U k U GS 0 ) (U k U GS ) 2

G0 U GS U GS 0
3
U k U GS 0

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

12

Zadatak 25.
Za silicijski n-kanalni JFET zadano je: NA=1017 cm-3,
ND=1015 cm-3, a=3 m, L/w=1, T=300 K. Odrediti:
a) Vodljivost potpuno otvorenog kanala;
b) Poluirinu b i vodljivost pri naponu UGS=1/2 UGS0.

Rjeenje:
a) G0=1,3310-4 A/V;
b) b=0,7725 m; G=34,310-6 A/V .
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

13

Zadatak 26.
Zadane su izlazne karakteristike silicijskog n-kanalnog
JFET-a. Treba odrediti sve dinamike parametre u
tokama A i B, ako je poznato: NA=1,21017 cm-3,
ND=21015 cm-3, a=2 m, =0,01 V-1, T=300 K.

Rjeenje:
gmA=2,29 mA/V; gdA=0,137 mA/V;
rdA=7,3 k; A=16,7;
gmB=1,24 mA/V; gdB=0,02 mA/V;
rdB=50 k; B=62,2.
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

14

Zadatak 27.
Za silicijski p-kanalni FET zadano je: NA=1016 cm-3,
ND=51017 cm-3, a=1 m, w/L=10, T=300 K. Odrediti
struju odvoda ID i strminu pri naponu UDS=-6 V i
naponima UGS=0 V, i UGS=2 V.

Rjeenje:
a) IDA=2,57 mA; gmA=0,826 mA/V;
b) IDB=1,2 mA; gmB=0,534 mA/V .
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

15

MOSFET
Izvedbe:
n-kanalni na p-podlozi
p-kanalni na n-podlozi

Podloga: Si (mala gustoa neistoa)

Podruja uvoda i odvoda: Si (velika gustoa
neistoa), suprotnog tipa od podloge
Kanal: dio poluvodia izmeu uvoda i odvoda
Struja kroz kanal moe tei samo ako je on istog tipa
kao uvod i odvod na podlozi se mora stvoriti
inverzijski sloj.
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

16

Struktura MOSFET-a
P-kanalni
Al kontakti

SiO2

kanal

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

17

Tipovi MOSFET-a
Obogaeni tip: potrebno je stvoriti inverzijski sloj
(kanal)
Obogaeni mod

Osiromaeni tip: inverzijski sloj je stvoren

tehnolokim postupkom
Obogaeni mod dodatno obogaivanje kanala
Osiromaeni mod osiromaivanje kanala

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

18

Simbol MOSFET-a
p-kanalni MOSFET na npodlozi

UGS<UGS0<0

UGS<UGS0
0<UGS0

n-kanalni MOSFET na ppodlozi

UGS>UGS0>0

UGS>UGS0
0>UGS0

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

19

Dinamiki parametri MOSFET-a (n-kanalni)

Parametar

Podruje
Triodno

Strmina
Zasienje
Triodno

Izlazna
dinamika
vodljivost

Zasienje

Faktor pojaanja

nk 0 ox w
tox L

Izraz

g m K U DS

g m K U GS U GS 0
g d K U GS U GS 0 U DS
gd I D
gm

gd

konstanta tranzistora
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

20

Dinamiki parametri MOSFET-a (p-kanalni)

Parametar

Podruje
Triodno

Strmina
Zasienje
Triodno

Izlazna
dinamika
vodljivost

Zasienje

Faktor pojaanja

pk 0 ox w
tox L

Izraz

g m K U DS

g m K U GS U GS 0
g d K U GS U GS 0 U DS
gd I D
gm

gd

konstanta tranzistora
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

21

Prijenosne karakteristike

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

22

Izlazne karakteristike

1 2

I D K U GS U GS 0 U DS U DS

K
2
I D U GS U GS 0
2

triodno podruje

podruje zasienja

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

23

Zadatak 28.
Zadana je prijenosna karakteristika MOSFET-a u
zasienju. Odrediti dinamike parametre u toki T2.
Zadano je: ND=1015 cm-3, ox=3,82, tox=0,1 m,
w/L=10, =0,01 V-1, T=300 K, a pokretljivost u kanalu
je upola manja od pokretljivosti u podlozi.
Rjeenje:
K=7,6410-5 A/V2; UGS0=-1,77 V;
UGS2=-14,3 V; gm2=0,957 mA/V;
gd2=0,06 mA/V; rd2=16,67 k;
2=15,96.
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

24

Zadatak 29.
Za MOSFET ija je prijenosna karakteristika dana na
slici, zadani su podaci: NA=51015 cm-3, ox=3,82,
tox=0,1 m, w/L=5, =0,01 V-1, T=300 K, nk=1/2 nV.
Izraunati dinamike parametre u tokama:
UGS=6 V, UDS=1,8 V
UGS=6 V, UDS=8 V
Rjeenje:
K=1,110-4 A/V2;
1) gm1=1,9810-4 A/V; gd1=2,210-5 A/V;
rd1=45,5 k; 1=9;
2) gm2=2,210-4 A/V; gd2=2,210-6 A/V;

rd2=454,5 k; 2=100.
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

25