Apostila Eletronica de Potencia Senai SC

FEDERAO DAS INDSTRIAS DO ESTADO DE SANTA CATARINA
SERVIO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL

DEPARTAMENTO REGIONAL DE SANTA CATARINA
ELTRNICA INDUSTRIAL
TUBARO 2005
TCNICO EM AUTOMAO INDUSTRIAL
INDICE
ELETRNICA INDUSTRIAL
PROF. MAURICIO MARTINS

COMPONENTES DE PROTEO E CONTROLE
TERMISTORES
O termistor um resistor sensvel temperatura, ou seja, seu valor de resistncia varia com a
temperatura a que est submetido. Esta variao no linear.
Na fabricao dos termistores dificilmente se consegue uniformidade. As caractersticas de um
termistor podem variar com o tempo e com a temperatura
Os termistores no podem suportar temperaturas muito elevadas, por isso seu emprego muito
limitado. Geralmente, a temperatura mxima que um termistor pode suportar , aproximadamente, 400C.
Dados que devem acompanhar todo termistor:
* A resistncia (W) a 25 C;
* A mxima tenso admissvel;
* A corrente mxima suportvel.
Os dados para se reconhecer um termistor so fornecidos pelo fabricante.
Os termistores PTC so utilizados mais freqentemente em:
* Termostatos;
* Proteo de bobinados de motores;
* Estabilizao de temperatura de um lquido.
Simbologia
Os termistores podem ser de dois tipos: PTC e NTC:

PTC
Os PTCs possuem coeficiente de temperatura positica, isto , sua resistncia eltrica aumenta
com o aumento da temperatura.
O teste deste componente feito da seguinte forma: com um ohmmetro mede-se a resistncia do
componente a temperatura ambiente, em seguida aproxima-se do componente uma fonte de calor e dever
ser notado um acrscimo na resistncia hmica do mesmo.
NTC
Os NTCs so resistores formados por semicondutores cermicos feitos de xidos metlicos, cuja
resistncia eltrica diminui com o aumento da temperatura. Os NTCs so usados em faixas de
temperatura que esto entre 0C e 400 C.

Estes componentes se destacam nas aplicaes tais como:
* Medidores de temperatura;
* Proteo de circuitos;
* Circuitos de alarme.
Para test-los deve-se medir a sua resistncia temperatura ambiente, em seguida, aproximar o
componente de uma fonte qualquer de calor. Observar no multmetro que o valor da resistncia diminui,
com o aumento da temperatura.
Simbologia
CURVAS DE RESPOSTAS_ NTC
Figura 1
Figura 2

CIRCUITO INTEGRADO LM135/235/335
O LM135/235/335 um sensor de temperatura de preciso encapsulado em um invlucro TO92.
O LM135/235/335 possui uma tacha de variao de 10mV/0C e possui um terminal ADJ para
fator de correo nos casos mais crticos.
Como se pode ver sua extrutura interna composta de um diodo zener que tem sua tensoVZ
alterada proporcinamente a tenso. Como todo componente eletrnico tambm possuem uma temperatura
de trabalho, conforme tabela a seguir.
uma componente muito simples de usar, precisando na maioria dos casos de um circuito
comparador. Abaixo mostrado um circuito controlador sugerido SGS-THOMSON, usando uma
comparador de preciso LM311.
Figura 3
LDR
O LDR (Resistor Dependente de Luz), o um resistor cuja resistncia eltrica diminui com o
aumento da luz incidente na sua superfcie sensvel.
Este efeito fotoeltrico (fotocondutividade) se baseia no seguinte princpio: quando um
semicondutor recebe a luz, incide sobre ele ftons com energia suficiente para arrancar eltrons da banda
de valncia e passar a banda de conduo. A resistncia de uma clula LDR depende do nmero de ftons
incidentes e, portanto, da intensidade luminosa.
Por no necessitarem de amplificadores os LDRs simplificam em muito os circuitos de controle
industriais, uma vez que podem atuar diretamente sobre os rels de comutao.
Para testar este componente, usa-se o multmetro em ohms. Primeiramente mede-se sua
resistncia na presena de luz em seguida tapa-se a regio sensvel e dever se observar que a resistncia
aumenta sensivelmente.
Simbologia
Circuito Exemplo
FOTODIODO
Trata-se de uma juno P-N, com uma abertura, com lente, para a entrada dos raios de luz.
Quando polarizado inversamente, a luz libera mais portadores minoritrios e conseqentemente h um
aumento da corrente de fuga.
Para testar este componente, coloca-se o multmetro em uma alta escala de resistncia e mede-se
com e sem luz incidente sobre a abertura. A medida efetuada com luz deve ter valor consideravelmente
inferior medida sem luz.
Figura 4
FOTOTRANSISTOR
Componente com a mesma estrutura do transistor bipolar convencional, porm deixada uma
abertura com lente na regio da juno base-coletor. Com a incidncia de luz, diminui consideravelmente
a resistncia desta juno.
A principal diferena entre um fotodiodo e um fototransistor reside no fato de que no
fototransistor a corrente mais intensa, uma vez que o transistor j fornece uma amplificao deste sinal.
Para testar este componente, mede-se o valor da resistncia entre coletor-emissor, com e sem luz.
A medida efetuada com luz deve apresentar valor bem mais baixo do que a medida efetuada com a
superfcie sensvel escurecida.
Figura 5
VARISTOR
Os varistores de xido de zinco ou SIOV so componentes bipolares passivos, destinados a
proteger circuitos de surtos ou transientes de tenso.
A resistncia dos varistores diminui sempre que a tenso aplicada aos seus terminais atinge um
valor limite, fazendo com que o componente passe a conduzir corrente e conseqentemente mantendo a
um nvel mais baixo o valor da tenso.
muito utilizado na proteo de contatos de interruptores para evitar as sobretenses, em
circuitos retificadores com diodos de silcio e na entrada de equipamentos eletrnicos com a finalidade de
proteg-los de possveis sobretenses.
Simbologia

ANOTAES

TRANSISTORES DE POTENCIA
Os transistores esto sendo largamente usados no controles de equipamentos de potencia em

CC. A idia projetar equipamentos que possam substituir os contactores. Hoje j so muitos os
equipamentos que usam estes componentes, e a tendncia crescente j que o mercado brasileiro esta em
expanso.
O papel dos transistores funcionar como um chaveador, de maneira que possamos ter o
controle do sistema. Um exemplo a fonte chaveada, que possuem uma tecnologia de funcionamento
bastante complexa. Por outro lado os transistores de potencia tambm podem ser usados em baixas
potencias, dando soluo a diversos projetos. Uma grande vantagem destes componentes que eles
podem ser controlados por microcontroladores, que esto presentes em uma enorme quantidade de
equipamentos com tendncia de um aumento incrvel nos prximos anos, j que a industria brasileira
passa por uma modernizao de seus equipamentos. Portanto o estudo destes componentes se faz
necessrio. Veremos alguns tipos a seguir.
TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA (BPT)

Foram os primeiros a serem introduzidos no disparo e no desligamento nos equipamentos de
elevada potencia. Trata-se, portanto, de um transistor normal modificado para aumentar a velocidade de
chaveamento e suportar alta potencias. Com relao construo, o transistor de potencia tem diferena
veja a seguir.
Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem,
a qual define a tenso de bloqueio do componente.
O funcionamento anlogo aos TBJs normais.
CONEXO DARLIGNTON
Um tipo de conexo muito interessante que usa transistores bipolares a DARLIGNTON. Este
tipo de conexo faz com que a conexo funcione como uma unidade nica com o fator de ganho sendo
o produto do ganho individual de cada transistor. Assim;
d = 1 . 2
A conexo darlignton usando transistores NPN mostrado abaixo:
C
10
OBS: existem alguns transistores darlignton no mercado j encapsulados em uma nica pastilha. Podemos
destacar o BC517, TIP120, TIP122. Sendo que os transistores da linha TIP so de potncia e o BC517
um transistor de baixa potencia.
EQUAES
Para clculos de transistores na configurao darlignton como chave, podemos usar as equaes
convencionais de polarizao:
Eq.1
Icsat =
Vcc
RC
Rb =
Eq.2
Vcc 0.7
Ibsat
Eq.3
Ibsat =
Icsat
min
CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO COM TRANSISTORES

VCC
1
2
Rb
LAMP
VB
Q
R
Comum
VCC
1
2
NF
NA
VCC
Rb
VB
Q
R
MOTOR SERVO
VCC
A
2
VCC
Rb
VB
Q
R
0
0
11
12
13
14
15

ANOTAES
16

TRANSISTOR MOSFET
O transistor de potncia MOSFET um dispositivo controlado por tenso, isto , necessitamos

aplicar uma tenso no gate para controlarmos a corrente de dreno. A velocidade de chaveamento muito
alta (nanosegundos). MOSFETs de potncia so utilizados em conversores de baixa potncia e alta
freqncia.
Devido s caractersticas construtivas estes transistores apresentam problemas de descargas
eletrostticas, necessitando de cuidados especiais. Por exemplo, usando pulseiras antiestaticas e bancadas
equipadas com mantas aterradas. Alguns componentes principalmente os de potencia so equipados com
diodos internos de proteo.
Os MOSFETs podem ser divididos em dois tipos:
a) - MOSFET de Depleo;
b) - MOSFET de Intensificao.
O MOSFET pode ser de canal n ou p. O canal n formado por um substrato de silcio tipo p,
com duas regies altamente dopadas de silcio tipo n+ com baixa resistncia de conexo. O gate isolado
do canal n por uma fina camada de xido de Silcio. Os trs terminais so: gate (G); dreno (D) e fonte
(S). O substrato normalmente ligado fonte (S). A tenso entre gate e fonte (VGS) pode ser, tambm,
positiva ou negativa. A figura abaixo mostra a estrutura bsica de um com canal tipo N, e seu respectivo
smbolo.
Smbolo do mosfet enriquecimento
17

CURVA DE TRANSFERNCIA DO MOSFET DE ENRIQUECIMENTO
EQUAES
VGS(on).
De acordo com as curvas podemos calcular ID, sabendo que o fabricante nos fornece ID(on) e
Eq. 1
I D = (VGS VT )
Eq. 2
(V
I D (on )
GS (on )
VT )
Observe que para polarizarmos o MOSFET canal N temos que aplicar uma tenso positiva no
gate do transistor, com isso a tenso VGS cai. Quando polarizado corretamente a resistncia entre dreno
(d) e fonte (s) cai para valores muito baixos. Em alguns tipos esta resistncia pode chegar a 77m. Para
polarizarmos o mosfet canal P temos que aplicar uma tenso de 0V.
A seguir dois circuitos usados na industria que aproveito a tecnologia MOS
CHAVE HH
circuito destinado ao controle de motores de corrente continua Usa quatro mosfets dois de canal
N e dois de canal P. Este circuito tambm permite a inverso de rotao, basta aplicar pulsos corretos nos
transistores.
18
FONTE CHAVEADA
Abaixo ilustrado um esquema de uma fonte chaveada, tipo fly-back. Dentre as vrias
caractersticas desta fonte, a mais importante o no uso do transformador. Isto proporciona flexibilidade,
reduo de tamanho, reduo de custo entre outras vantagens.
19

ANOTAES
20
21
IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

Este componente associa as vantagens do transistor bipolar (baixa perda durante a conduo),
com as do MOSFET (alta impedncia de entrada). Devido a sua estrutura, a resistncia entre dreno e fonte
(RDS) do IGBT controlada de forma que o mesmo se comporte como um transistor bipolar. O smbolo
do IGBT mostrado na figura abaixo
Z2
IRGBC20F
O IGBT um componente controlado por tenso, semelhante ao MOSFET. Apresenta baixas
perdas tanto no chaveamento quanto durante a conduo, apresentando caractersticas semelhantes ao
MOSFET como a facilidade de acionamento. Em termos de velocidade, o IGBT mais rpido que o
transistor bipolar e mais lento que o MOSFET.
A especificao de corrente mxima para um IGBT alta tendo unidades que comportam 400A
em 1200V em CC. Sua freqncia de chaveamento pode ser superior a 20kHz. Os IGBTs so utilizados
em aplicaes de mdia potncia: acionamento de motores CA e CC; fontes de potncia; rels estticos;
etc.
Abaixo mostrado um circuito de alta potencia usado para controle de um motor trifsico. Note
que os Gates do IGBT so deixados em aberto, indicando que o controle ser feito por outro circuito
eletrnico, quase sempre um microprocessador.
22
23
TIRISTORES
SCR
O SCR foi desenvolvido em 1965 pelo laboratrio Bell Telefone (USA). E por sua versatilidade
e robustez utilizado como interruptores para elevadas tenses e potencias. Porem utilizado em baixas
freqncias ( FT< 50Khz).
Seu smbolo esquemtico ilustrado a seguir:
(A) anodo
(G) gate
(C) catodo
Basicamente um diodo retificador, a diferena que existe um terminal (gate), que far o
disparo do dispositivo. Para efetuarmos o disparo do SCR usamos algumas tcnicas:
Aplicao de uma tenso positiva no terminal gate. Desta forma o dispositivo passa do
estado de desligado para ligado. Ficando nesta condio indefinidamente. Aps
efetuarmos o disparo, podemos retirar a tenso de disparo do terminal do gate, que
ainda assim o componente continuar no estado ligado.
Por luz. Quando uma luz incidir sobre a camada de semicondutor do dispositivo
tambm provocamos o disparo do componente.
Por aumento significativo da temperatura.
Elevando-se o valor da tenso Anodo-catodo para o valor de ruptura
CARACTERISTICAS TCNICAS
O SCR possui resistncias e tenses de conduo muito reduzidas, o que torna o componente
muito robusto, podendo interromper potencias da ordem de 10MW. Com valores individuais de at
2000A em 1800V.
TCNICAS DE INTERRUPO
Uma vez efetuado o disparo do componente no possvel efetuarmos o desligamento atravs do
terminal de gate.
Para efetuarmos o desligamento do SCR, existem algumas tcnicas:
Colocar em curto os terminais anodo e catodo

Inverso de polaridade
Reduo da corrente de anodo at a mnima corrente de manuteno.
Reduzirmos a tenso de catodo ate a mnima tenso de manuteno
Desligarmos a fonte de alimentao
24
Nos grficos abaixo algumas formas de onda do SCR em conduo (ligado) e em bloqueio
(desligado).
25
26
27

EXERCCIOS
1.
Fazer montagem do circuitos abaixo no proto board e comprovar o funcionamento do SCR.
J2
Key = A
R1
1kohm
R2
1kohm
LED1
LED_red
R2
1kohm
J2
Key = A
V1
12V
V1
16.97V
12.00V_rms
60Hz
0Deg
LED1
LED_red
R1
1kohm
D1
BT151_500R
D1
BT151_500R
SCR EM CARGAS INDUTIVAS

Apesar de conduzir corrente em apenas um sentido, o SCR largamente utilizado em CA, em
manobras com cargas indutivas. Porem necessrio observar que preciso alguns circuitos de apoio de
maneira que o SCR possa efetuar a manobra corretamente. Estes circuitos so filtros ou redes supressoras
que vo minimizar os efeitos da FCEM (fora contra eletromotriz). Tambm so utilizados diodos ligados
de tal forma que possam ser um caminho fcil para estas transientes (picos de tenso gerados pela
FCEM).
Veja um circuito deste tipo.
L1
R2
9.1H
1ohm
Filtro RC
R1
1kohm
Controle
D1
BT151_500R
V1
311.13V
220.00V_rms
60Hz
0Deg
C1
100nF
Quando o SCR entra em bloqueio, a carga armazenada em L1 encontra em R1 um caminho fcil

para carregar C1. Quando no prximo semiciclo o SCR entrar em conduo o capacitor C1 que esta
carregado, vai se descarregar pelo diodo D1 (SCR) atravs de R1. Desta forma o circuito RC desvia a
corrente que fica armazenada em L1, protegendo o diodo D1.
28

TRIAC
O TRIAC pode ser representado como sendo dois SCR ligados em antiparalelo. Conforme figura
abaixo. Por possuir esta configurao ele pode conduzir os dois semiciclos da corrente alternada.
MT1
Gate
MT2
O funcionamento anlogo ao SCR, com a diferena que existe a conduo dos dois semiciclos.
Cada SCR conduzir um ciclo da onda.
Caractersticas tcnicas
Diferentemente dos SCRs os TRIACS no so componentes adequados para trabalharem em
altas potencias. Sendo que seu uso esta limitado a potencias medias (em torno de 10KW). Porem so
componentes bastante versteis, sendo muito encontrados em circuitos domsticos e circuitos industriais
de mdio porte.
29

ANOTAES
30
31
32

EXERCCIOS
1.
Montar o circuito abaixo. Fazer o circuito de comando com o circuito integrado CD4017.
RET1
Q1
BC548A
+12V
R1
D1
100R
D1N4007
R2
D2
100R
D1N4007
R3
D3
X1
RET2
2N6160
RET3
16
R5
4.7K
13
RESET
O0
O1
CLK
O2
O3
CLKINHIBIT
O4
O5
O6
O7
O8
O9
CARRY OUT
VSS
14
Clock
VDD
U3
3
2
4
7
10
1
5
6
9
11
12
Q2
BC548A
RET4
NEUTRO
2N6160
R6
4.7K
Q3
BC548A
CD4017A
100R
15
X2
R7
D1N4007
X3
2N6160
4.7K
Q4
BC548A
R4
D4
100R
D1N4007
X4
2N6160
R8
4.7K
TRIAC EM CARGAS INDUTIVAS

Semelhantemente como no caso dos SCRs estes componentes tambm precisam ser protegidos
com transientes devidos ao chaveamento de cargas indutivas. Os circuitos porem, so os mesmos
utilizados para o caso dos SCRs. Vale lembrar tambm que no caso de chaveamento de motores
deve se levar em conta a corrente de partida destes e que se deve usar componentes bem
dimensionados de maneira a executar o chaveamento sem danificar nosso componente. Existe outra
tcnica e componente que executam este trabalho mais eficazmente.
CIRCUITOS DE DISPARO
Tanto no caso do SCRs como no caso dos TRIACs, se faz necessrio um circuito de disparo
que far que o dispositivo entre no estado ligado ou desligado. Esta operao pode ser de varias maneiras
e tcnicas, veremos algumas:
DISPARO ATRAVS DE FONTE CC

O circuito anterior usa esta tcnica, que utiliza um transistor NPN do tipo BC548, um resistor e
um diodo. O circuito de ir fornecer uma corrente no terminal gate do TRIAC que far o disparo do
dispositivo. Portanto para que isso acontea necessrio polarizar a base do transistor de maneira que ele
entre em saturao, o que facilmente implementado com um circuito lgico. Esta montagem muito
interessante quando queremos controlar uma carga de alta potencia com circuitos lgicos
(microcontrolador, por exemplo). A desvantagem desta tcnica que no existe isolamento entre os
circuitos de baixa e alta potencia. Esta montagem requer alguns cuidados neste sentido.
interessante observar que o terminal (-) _GND; tem que ser conectado no terminal MT2 do
TRIAC. Este procedimento a referencia entre os dois circuitos, de maneira que o TRIAC possa ser
disparado pela etapa de baixa potencia.
33

DIAC
O DIAC um dispositivo de quatro camadas bidirecional disparado por tenso. A tenso de

disparo pode variar de 20 a 42V. Por ser um dispositivo bidirecional pode conduzir a corrente eltrica em
dois sentidos. O grfico a seguir mostra as caractersticas de funcionamento do DIAC.
Conforme vemos pela figura quando a tenso VBO atinge valor especificado (depende do
modelo usado) a corrente IF cresce rapidamente atingindo valores altos. Ficando nessa situao at que
fique abaixo da tenso de manuteno mnima (VBO - V). O mesmo acontece no sentido oposto da
tenso. Resumindo: o DIAC se comporta como um circuito aberto at que a tenso em seus terminais
atinja a tenso de disparo VBO. Quando isso ocorrer, o dispositivo se comporta como um caminho de
baixa resistncia.
Esta caracterstica aproveitada em muitas aplicaes, por exemplo, no disparo de tiristores.
O smbolo DIAC mostrado abaixo, assim como seu aspecto fsico;
MT1
MT2
EXERCCIOS
2.
Montar os circuitos a seguir. Trata-se de dois circuitos que utilizam o DIAC como elemento de
disparo. Estes circuitos so muito usados no controle de lmpadas incandescentes.
34
OPTO ACOPLADOR MOC 3020

Outro dispositivo usado em disparo de tiristores o fotoacoplador OPTOTRIAC. O smbolo
mostrado abaixo:
O funcionamento simples: dentro de um nico encapsulamento temos um led infravermelho e

um TRIAC sensvel luz. Todas as vezes que polarizarmos o LED IV diretamente, este emitir uma luz
IV que ser sentida pelo TRIAC, que ser disparado, ficando nessa situao (ligado) at interrompermos a
corrente do Led.
A grande vantagem neste tipo de dispositivo est na tenso de isolamento. Isto , o circuito de
comando (baixa tenso) est isolado do circuito de disparo. Alguns dispositivos como o MOC 3020 tem
um a tenso de isolamento de 7500V.
35
EXERCCIO
1.
Montar o circuito abaixo sugerido pela Texas Instruments.
36
ANOTAES
37
CIRCUITOS E COMPONENTES DE APLICAO INDUSTRIAL
CIRCUITO INTEGRADO LM723/723C

O LM723/LM723C um regulador de tenso usado em circuitos de regulao serie. Possue uma
corrente mxima de saida de 150 mA; podendo ser aumentada com o uso de transistores. O circuito
integrado conta ainda com uma proteo contra curto-circuito. Este circuito integrado garante uma boa
perfomance em uma variao trmica de 0C +70. O componente pode ser alimenta do com at 40V,
possibilitando uma regulagem de 2V a 37V.
Abaixo a pinagem e o diagrama em blocos do LM723
A figura abaixo ilustra uma fonte usando o circuito integrado LM723
OBS: A tenso Vref que sai pelo pino 6 7,15V, obtidos do manual.
38
CIRCUITO INTEGRADO ULN2002

O ULN2001A, ULN2002A, ULN2003 e ULN2004A possuem sete drives de alta corrente com
dois transistores em configurao darlington cada. Cada drive possue limite de 500mA e correntes de
pico de 600mA possuindo tambm supressores para transientes indutivos. A configurao de pinagem do
componente permite uma simplificao na elaborao de placas de circuito impresso.
Existem quatro verses disponiveis comercialmente:
Este versatil componente pode ser usado como drive de solenoides, reles, motores DC, displays
de LEDs, filamento de lmpadas e motores de passo. O LN2001A/2002A/2003Aand 2004A fornecido
em encapsulamento plastico de 16 pinos.
CONTROLADOR DE MOTOR DE PASSO

O circuito a seguir se destina ao controle de motores de passo de at 500mA. Os pulsos ABCD,
So informaes sincronizadas, que devem ser respeitas para o correto funcionamento do motor.
Normalmente usado um microcontrolador neste processo.
VCC
MG1
U2
VCC
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
16
15
14
13
12
11
10
1
2
3
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
1
2
3
4
5
6
7
MOTOR STEPPER
COM
ULN2003A
39
CIRCUITO INTEGRADO TCA785

O TCA785 um circuito integrado de controle de fase desenvolvido pela Siemens. Devido as
caractersticas dos sinais que capaz de gerar se torna ideal para controlar o disparo de dispositivos de
potencia. Abaixo mostrado a pinagem e logo a seguir o diagrama em blocos do TCA785.
Abaixo mostrado o circuito completo para o controle de potencia.
40
Conforme anlise do circuito o controle de disparo efetuado pelo potencimetro ligado ao pino 11e a
sada para o triac atravs dos pinos 14e 15.
O resistor de 4.7K/9W, em conjunto com o diodo 1N4005, o diodo zener de 15V e o capacitor de
470uF/16V garante a alimentao do TCA785
Os componentes ligados aos pinos 9 e 10 fazem parte de circuito oscilador e o circuito formado
pelo resistor Rsinc de 220K, pelos diodos BAY61 e o capacitor de 0.47uF fazem parte do circuito
detector de zero atravs do pino 5.
EXERCCIOS
1. Monte o circuito no protoboard e enumere algumas aplicaes prticas.
Bibliografia
1999.
Boylestad & Nashelsky, Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, editora LTC
Almeida, Jos Luiz Antunes de; Dispositivos Semicondutores: Tiristores, editora rica
7o edio 2002
Sites
www.alldatasheet.com

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Os termistores podem ser de dois tipos: PTC e NTC:

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CURVAS DE RESPOSTAS_ NTC

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O LM135/235/335 um sensor de temperatura de preciso encapsulado em um invlucro TO92.

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O transistor de potncia MOSFET um dispositivo controlado por tenso, isto , necessitamos

Smbolo do mosfet enriquecimento

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IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

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Colocar em curto os terminais anodo e catodo

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Fazer montagem do circuitos abaixo no proto board e comprovar o funcionamento do SCR.