El Transistor Bipolar BJT

(Bipolar Junction Transistor)

EXPOSITOR:

INGENIERO ELECTRONICO
MONTEZA ZEVALLOS FIDEL TOMAS
Tcnico Inspector FAP
CATEDRATICO DE LA UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU
DOCENTE DE LA ESCUELA DE SUB OFICIALES DE LA Fuerza Area del
Per
Telfonos:

969251176

RPM: #717337

Email:

monteza5@hotmail.com

(Telefnica)

PER

INDICE

- INTRODUCCION.
- CONTENIDO :
1. Antecedentes.
2. Estructura interna y representacin.
3. Configuraciones de trabajo en circuitos.
4. Definicin de los modos de trabajo del BJT.
5. Efectos de la temperatura en el transistor BJT.
6. Amplificacin con el transistor BJT
- CONCLUSIONES.
- BIBLIOGRAFIA.

INTRODUCCIO
N

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

1. Antecedentes.
Inventado en 1947 por W. H. Brattain y J. Bardeen de los Bell Laboratories,
inicialmentesugananciasedefinicomoelcocienteentrelatensindesalida
ylacorrientedeentradayportantoconunidadesderesistencia.Deahque
tambinsedescribielcomponentecomotransresistenciaotransistor.
La estructura del transistor son tres capas de semiconductor colocadas
alternativamenteyexistirndoscombinacionesposibles:p-n-pyn-p-n.
Cada una de las capas lleva un conector, teniendo el transistor por lo tanto
tresysufuncionamientobsicoesunconectordeentrada,unodesalidayun
terceroparacontrolarelpasodecorriente.
La aplicacin bsica del transistor es como amplificador y al igual que en el
diodoexistenmuchostiposespecializadosdetransistorsegnsuaplicacin.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

2. Estructura interna y representacin.

ElTransistorBJTNPNysusmbolo(Figurasayb).ElTransistorPNPysusmbolo(Figurascyd)

ElEmisorestfuertementedopado(n+),laBaseesestrechaymenosdopada
(p) y el Colector es el de mayor tamao (para poder disipar el calor que
generan los portadores al perder energa por pasar de la base al colector) y
dopado "moderadamente" o poco dopado (n o n). El transistor p-n-p es el
complementariodeln-p-n,perodadoqueeln-p-ntieneunamejorrespuestaa
altafrecuenciaeselpreferidoyportantoelmsutilizado.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

2. Estructura interna y representacin.

Aligualqueeneldiodoenlasunionesp-nseformaunazonadeagotamiento
quetendrgrosoresdiferentessegneldopadodecadamaterial.
Parautilizareltransistorbipolarcomoamplificadordebemospolarizarlaunin
base-emisor directamente mientras que la unin base-colector debe estar
inversamentepolarizada.
Bajo esas condiciones, la zona de agotamiento de la unin base-emisor se
estrecharmientrasquelazonadeagotamientodelauninbasecolectorse
ensanchar.Sufuncionamientoeselsiguiente:
Inicialmenteelemisorinyectaportadoresmayoritariosenlabaseendondese
conviertenenportadoresminoritarios.
Comolabaseestpocodopada,sloalgunosportadoresserecombinancon
los pocos portadores de carga contraria presentes en la base y por tanto la
corriente de base es muy pequea. Adems debido a su pequeo espesor,
muchos portadores son capaces de atravesar la base y pasar al colector
dondesonarrastradoshastaelcontactoelctrico.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

2. Estructura interna y representacin.

FuncionamientobsicodeltransistorBJT.(a)PolarizacindeuntransistorNPN(Observelaanchuraefectivade
laBaseWB)y(b)Movimientodelascargas(Parasimplificarnicamentesehasrepresentadolosportadores
mayoritarios)

Sededucequelacorrientedeltransistorvale:
IE=IC+IB
Yquesesueleaproximara:
IEIC

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

2. Estructura interna y representacin.

Gradientedeconcentracindeportadoresminoritariosenlaregindebase(a)Concentracinparauna
polarizacindirectaemisor-basedada.(b)Incrementodelapendientedelgradientededichaconcentracinal
aumentarlapolarizacindirectaemisor-base.

Se muestra el gradiente de concentracin de portadores minoritarios

inyectados en la regin de Base dentro de este modo activo de
funcionamiento. La pendiente de dicha concentracin de portadores
minoritarios inyectados es directamente proporcional a las corrientes de
emisor,baseycolector.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

2. Estructura interna y representacin.

Si se aumenta la polarizacin directa de la unin emisor-base, tambin

aumentadichapendienteconloquelascorrientesdeemisor,baseycolector
seincrementarn.Locontrariotambinescierto.
Si disminuye la polarizacin directa, disminuye la pendiente y las tres
corrientes disminuirn. En la prctica, tanto la corriente de base como la de
emisorseutilizanparacontrolarlacorrientedecolector.
Existirntresposiblesconfiguraciones:
-Basecomn
-Emisorcomn
-Colectorcomn
En cada una de ellas se conecta el terminal en cuestin generalmente a un
punto de masa de alterna, aunque la forma ms sencilla para reconocer las
tresconfiguracionesesdeterminarporquconectorentralasealyporqu
conectorsale.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

3. Configuraciones de trabajo en circuitos.

Configuracin Emisor Comn (EC)

BEC

Configuracin Colector Comn (CC)

BCC

Configuracin Base Comn (BC)

E BC

EnlaconfiguracinEmisorcomnlaentradaeslabaseylasalidaelcolector,
en Colector comn la entrada es la base y la salida el emisor, y en Base
comnlaentradaeselemisorylasalidaelcolector.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

4. Definicin de los modos de trabajo del BJT.

Segn la polarizacin de cada unin, se obtendr un modo de trabajo
diferente,segnlasiguientetabla.

Regin Activa - Directa, el BJT se comporta como una fuente controlada.

(Amplificacin)
Regin de Corte, nicamente circulan las corrientes inversas de saturacin
delasuniones.Escasiuninterruptorabierto.
Regin de Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector es
pequea,ysepuedeasemejarauninterruptorcerrado.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

4. Definicin de los modos de trabajo del BJT.

Regin de Saturacin

Regin Activa

Regin de Corte

BE

BE

BE

BC

BC

BC

En general para la utilizacin del transistor como amplificador lineal se

polarizarenlaZona Activa.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

4. Definicin de los modos de trabajo del BJT.

CurvasdesalidaconfiguracinenBaseComnycurvasdesalidaconfiguracinenEmisorComn.

Si el punto de trabajo se desplaza hacia Ic=0, el transistor se ha llevado al

Corte.
Cuando el punto de trabajo se desplaza hacia V ce=0, el transistor se ha
llevadoaSaturacin.
La amplificacin ser razonablemente lineal si la oscilacin de la seal se
limitaalaZonaActiva(nohabrdistorsin).

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

5. Efectos de la temperatura en el transistor BJT.

Todoslosparmetrosdeltransistorsevenafectadosporlatemperaturayes
muyimportantetenertodasestasvariacionesencuentaduranteeldiseo.
Las corrientes de prdidas ICBO e ICEO aumentan con la temperatura. Las
ganancias y tambin aumentan con la temperatura, mientras que la
tensindepolarizacindirectadelauninbase-emisorparaunadeterminada
corrientedecolectordisminuyeconlatemperatura.
Elcoeficientedetemperaturadelauninbase-emisoresigualaldecualquier
otrauninp-npolarizadadirectamente.
As, la tensin de polarizacin directa de la unin base-emisor para una
determinada corriente de colector disminuye 2,2 mV por cada grado de
incrementodelatemperatura.
Lavariacindelacorrientedeprdidasdecolectorvaradeformaparecidaa
la corriente inversa del diodo, doblndose cada 8 C de aumento de la
temperatura.Suexpresines:
ICBO(T)=ICBO(25C)2(T-25)/8

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

5. Efectos de la temperatura en el transistor BJT.

Efectos de la temperatura en diferentes curvas del transistor en emisor comn. (a) cada de tensin en el diodo
base-emisor en funcin de la corriente de base; (b) corriente de colector.

Apartedelavariacinconlatemperaturahayquetenerencuentalasamplias
toleranciasquesufrenlostransistoresbipolares.
Aunque durante aos los fabricantes han desarrollado su proceso de
fabricacin para proporcionar una gran variedad de componentes de estado
slidoeficaces,nosencontramosquelamayorpartededichoscomponentes
poseenunaampliavariacinensusdistintosparmetros.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

5. Efectos de la temperatura en el transistor BJT.

Duranteelprocesodefabricacinesinevitablequeseproduzcanvariaciones
enelvalordeinclusodentrodeunmismolotedeproduccin.
Por tanto dos transistores fabricados al mismo tiempo tendrn diferentes
valoresdeparaunmismoniveldecorriente.
Porejemplo,el2N4124esuntransistorBJTnpnampliamenteutilizado.Para
unacorrientedecolectorde2mA,elvalormnimodees120yelmximo
360.
Estosignificaquesiseutilizaun2N4124enuncircuitoamplificadorconI cde
2mA la ganancia en corriente estar entre 120 y 360, es decir tendr una
toleranciade3:1.
Dicha tolerancia puede desplazar nuestro punto Q si nuestra circuitera no
incorporaalgnmtodoparacompensarlo.
Aunquelavariacinde3:1dehFEpuedeparecerbastantegrande,algnBJT
puedetenertoleranciasde5:1oinclusomayores.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Enlafigurasemuestraelcircuitodeunaetapadeamplificacincontransistor
deltipoNPN.
Latensindeentradaqueesnecesarioamplificarsesuministradelafuente
deoscilacionesFOalsectorBase-Emisor.
Ic
-

Ib

Rc
FO
Uent

+
C1

+ E
1

Ie
-

C2

- E
2

Usal

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

AlabasetambinseaplicalapolarizacinpositivadelafuenteE 1queesun
tensindirectaparalauninemisora.
En este caso por el circuito de Base circula cierta corriente y por lo tanto la
resistenciadeentradadeltransistorresultarelativamentepequea.
Para que no haya perdida parcial de la tensin alterna de entrada en la
resistenciainternadelafuenteE1,ellaestashuntadaconuncondensadorde
capacitanciasuficientementegrandeC1.
A la frecuencia de trabajo mas baja este condensador debe tener una
resistenciamuchasvecesmenorquelaresistenciadeentradadeltransistor.
Ic
-

Ib

Rc
FO
Uent

C2

C1
Ie

E1

E2

Usal

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

ElcircuitodeColector(Circuitodesalida)sealimentadelafuenteE 2
Para obtener una tensin de salida amplificada a este circuito se conecta la
cargaRc
LafuenteE2estashuntadaporelcondensadorC2paraquenohayaperdida
parcialdelatensindesalidaamplificadaenlaresistenciainternadelafuente
E2
Alafrecuenciamasbajalaresistenciadeestecondensadordebesermuchas
vecesmenorqueRc
En adelante para simplificar los circuitos con frecuencia no se mostraran los
condensadores C1 y C2. Se puede considerar
que ellos estn dentro de las
Ic
propiasfuentesE1yE2
-

Ib

Rc
FO
Uent

C2

C1
Ie

E1

E2

Usal

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Si estas fuentes son rectificadores, en ellos siempre hay condensadores de
grancapacitanciaparalaatenuacindepulsaciones
Laetapadeamplificacincontransistortrabajadelmodosiguiente:
Representemos el circuito de Colector en forma de circuito equivalente
conformealasiguientefigura.
Ic
-

Rc

Rc

r0

+
-

E2

Ib
FO
Uent

C2

C1

Usal

Ie
+

E1

E2

La tensin de la fuente E2 se divide entre la resistencia de carga Rc y la

resistencia interna del transistor r0 que se opone a la corriente continua del
Colector.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Esta resistencia es aproximadamente igual a la resistencia de la unin
colectorarcoparalacorrientecontinua.
Enrealidadaestasesumanlaspequeasresistenciasdelauninemisoray
delosvolmenesdelaszonasNyPquesepuedendespreciar.
Ic
-

Ib

Rc

Rc

r0

+
-

E2

FO
Uent

C2

C1

Usal

Ie
+

E1

E2

Si al circuito de entrada se conecta una fuente de oscilaciones, al variar su

tensinsealteralacorrientedeEmisor.
Esto motiva la variacin de la resistencia rco de la unin colectora a la
corrientecontinua.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

EntonceslatensindelafuenteE2seredistribuirentreRcyrco.
Enestecasolatensinalternaenelresistordecargapuedeserdecenasde
vecesmayorquelatensinalternadeentrada.
Ic

Ib

Rc

Rc

r0

FO

+
Uent

E2

C2

C1

Usal

Ie
+

E1

E2

LasvariacionesdelacorrientedeColectorcasisonigualesalasvariaciones
delacorrientedeEmisorymuchasvecesmayoresquelasvariacionesdela
corrientedeBase.
Por eso en el circuito examinado se obtiene una intensificacin considerable
decorrienteyunagananciadepotenciamuygrande.
LapotenciaamplificadaespartedelapotenciagastadaporlafuenteE 2.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Para mayor claridad examinemos el trabajo de la etapa amplificadora con
transistorenunejemplonumrico.
Supongamos que las tensiones de alimentacin son iguales a E 1=0.2V y
Ic
E2=12V.
Rc

Rc

r0

+
-

E2

Ib

FO
Uent

C2

C1

Usal

Ie
+

E1

E2

La resistencia de carga Rc=4K y la resistencia del transistor r o sin

oscilacionesenlaentradatambinesiguala4K,esdecirlaimpedanciadel
circuitodeColectoresiguala8K.
Siendo as, la corriente de Colector que se puede considerar
aproximadamenteigualalacorrientedeEmisores:
Ic=E2/(Rc+ro)=12/8=1.5mA

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

SidesdelafuentedeoscilacionesFOsesuministraalaentradaunatensin
alternadeamplitudde0.1V
La tensin mxima del sector Base Emisor se hace igual a 0.3V para la
Ic
semiondapositiva
-

Ib

Rc

Rc

r0

+
-

E2

FO
Uent

C2

C1

Usal

Ie
+

E1

E2

SupongamosqueporinfluenciadeestatensinlacorrientedeEmisorcrece
hasta2.5mA.
PrcticamentesehaceigualalacorrientedeColector.
Estaoriginaenlaresistenciadecargalacadadetensin2.5mA*4K=10V
Mientras que la cada de tensin en la resistencia r o del transistor disminuye
hasta12V10V=2V

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Porlotantoestaresistenciasereducehasta2V/2.5mA=0.8K.
Despusdeunsemiperiodo,cuandolafuentedeoscilacionesdaunatensin
demenosde0.1V,tienelugarelfenmenoinverso.
Ic

Rc

Rc

r0

+
-

E2

Ib

FO
Uent

C2

C1

Usal

Ie
+

E1

E2

LatensinmnimadeBaseEmisorsehaceiguala0.2V0.1V=0.1V
LascorrientesdeEmisorydeColectordisminuyenhasta0.5mA
EnlaresistenciaRclacadadetensindecrecehasta0.5mA*4K=2V
Yenlaresistenciaroellaaumentahasta10V.Porlotantoestaresistenciase
haincrementadohasta10V/0.5mA=20K.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Porconsiguiente,elsuministrodelatensinalternadeamplitudde0.1Vala
entradadeltransistordalugaralavariacindelaresistenciar odesde0.8K
hasta20K
Ic
-

Ib

Rc

Rc

r0

FO

+
Uent

E2

C2

C1

Usal

Ie
+

E1

E2

Y en este caso las tensiones en la resistencia de carga y en el transistor

varan4Vhaciaunoyotrolado(desde10Vhasta2V)
As pues la tensin de salida tiene una amplitud de oscilaciones de 4V, es
decirellaes40vecesmayorquelatensindeentrada.
Esta ejemplo numrico es aproximado, ya que en realidad la dependencia
entrelacorrientedeColectorylatensindeentradaesnolineal.

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Las oscilaciones de las tensiones y las
corrientes para el ejemplo examinado se
muestranmediantelassiguientesgraficas
Ic
-

Ib

Rc
FO
Uent

C2

C1
Ie

E1

E2

Usal

EL TRANSISTOR
BIPOLAR

6. Amplificacin con el transistor BJT.

Propiedadesmasimportantesdeloscircuitosfundamentalesdeconexinde
transistoresbipolares.
Parmetros

Circuito EC

Circuito BC

Circuito CC

ki
ku

Decenas()

Algomenorque1()

Decenas(+1)

Hastacientos

Hastacientos

Algomenorque1

kp

Hastamilesymas

Hastacientos

Decenas

Rent

HastaunidadesdeK

Hastadecenasde

HastadecenasdeK

Rsal

HastadecenasdeK

Hastacientosde

HastaunidadesdeK

Desfasajeentre
usalyuent

180

DIRECCIONES INTERNET:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/campo_electrico/campo/campo.ht
m
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_9.htm