MAKRON Books , Capitulo 2 Diodos Semicondutores de Poténcia 2.1 INTRODUGAO Os diodos semicondutores de poténcia tém um papel significativo nos circuitos de eletronica de poténcia. Um diodo age como uma chave para realizar varias fungoes, tais como: chaves em retificadores, comutagao em reguladores chaveados, inversao de carga em capacitores e transferéncia de energia entre componen‘es, isolagao de tensao, reali- mentagao de energia da carga para a fonte de alimentacio e recuperagao da energia armazenada. Os diodos de poténcia podem ser considerados chaves ideais na maioria das aplicacées, mas os diodos praticos diferem das caracteristicas ideais e tém certas limita- Ges. Os diodos de poténcia sao similares aos diodos de sinal de jun¢ao pn. Entretanto, os diodos de poténcia tém maiores capacidades de poténcia, tensio e corrente que os diodos comuns de sinal. A resposta em freqiiéncia (ou velocidade de chaveamento) & baixa se comparada a dos diodos de sinal. 2.2 CURVAS CARACTERISTICAS DOS DIODOS Um diodo de poténcia é um dispositivo de jungao pn de dois terminais, e esta jungao é normalmente formada por fusao, difusao e crescimento epitaxial. As técnicas de controle modernas em difusdo e processos epitaxiais permitem obter as caracteristicas desejadas do dispositivo. A Figura 2.1 mostra uma vista transversal de uma jungao pr e o simbolo de um diodo. 234 Eletrénica de Poténcia — Circuitos, Dispositivos e Aplicagies Cap. 2 /Anodo. pn Catodo: Anodo, Catodo Figura 2.1 i rs Jungo pre simbolo de um diodo. + ee 1 t (a) Jungao pn (b) Simbolo do diodo Quando o potencial de anodo é positivo em relagao ao catodo, diz-se que 0 diodo esta diretamente polarizado e conduz. Um diodo em condugao tem uma queda de tensao no sentido direto relativamente pequena sobre ele; e a amplitude dessa queda depende do processo de fabricagao e da temperatura da jungdo. Quando o potencial de catodo 6 positivo em relacéo ao anodo, o diodo esta reversamente polarizado. Sob condigées de polarizacao reversa, uma pequena corrente reversa (também conhecida como corrente de fuga, do inglés leakage current) na faixa de micro a miliampéres flui e esta corrente de fuga aumenta lentamente em amplitude com a tensao reversa até que a tensio de avalanche, ou tensao Zener, é atingida. A Figura 2.2a mostra as curvas carac- teristicas v-i em regime permanente de um diodo. Para a maioria dos propésitos praticos, um diodo pode ser considerado uma chave ideal, cujas curvas carac- teristicas so mostradas na Figura 2.2b. Figura 22 Curva caracteristica v-i de um diodo. Corrente reversa de fuga {a) Pratico (0) Ideal As curvas caracteristicas 0-i mostradas na Figura 2.2a podem ser expressas pela equac&io conhecida como equacao do diodo Schockley, que é dada por (get 1) (2.1) em que Ip = corrente através do diodo, em A Vr = tensao do diodo, com 0 anodo positivo em relagao ao catodo, em VCap. 2 Diodos semicondutores de poténcia 25 1k = conrgnte de fuga (ou de saturacao reversa), tipicamente ha faixa de 10%a 10 A = constante empirica conhecida como coeficiente de emissdo ou fator de ideali- dade, cujo valor varia de 1a 2. O coeficiente de emissdo n depende do material e da construcao fisica do diodo. Para diodos de germanio, n é considerado como 1. Para diodos de silicio, a expectativa do valor de n é de 2, mas para a maioria dos diodos praticos, 0 valor de n esta na faixa de 1,1 als. Vp na Eq, (2.1) 6 uma constante chamada tensio térmica (do inglés thermal voltage) e é dada por Vr=~— (2.2) em que q = carga do elétron: 1,602 x 10°? coulomb (C) T_ = temperatura absoluta em kelvin (K = 273 + ‘C) k = constante de Boltzmann: 1,3806 x 10° J/K Na temperatura da jungao de 25°C, a Eq. (2.2) dé ee eee = 25,8mV q 1,6022 x 107 A uma temperatura especifica, a corrente de fuga I, é uma constante para um dado diodo. As curvas caracteristicas do diodo da Figura 2.2a podem ser divididas em trés regides: regiao de polarizacao direta, onde Vp > 0; regiao de polarizagao reversa, onde Vp < 0; regido de ruptura reversa, onde VD < -V7x. jo de polarizagao direta. Na regido de polarizagao direta, Vp > 0. A corrente do diodo Ip ser4 muito pequena se a tensao do diodo Vp for menor que um valor especifico Vrp (tipicamente 0,7 V). O diodo conduzird plenamente se Vp for maior que esse valor Vrp, que é referido como tensio de limiar (do inglés threshold voltage) ou tensito de corte (do inglés cut-in voltage) ou tensdo de ligamento (do inglés turn-on voltage). Assim, a tensao de limiar é aquela na qual o diodo conduz completamente. Considerar uma pequena tensao no diodo Vp = 0,1V, n = Le Vp = 25,8mV. A partir da Eq. (2.1) pode-se encontrar a corrente correspondente do diodo Ip como26 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagées Cap. 2 B(eVOVE — 1) = Fe(eOV/A * 0.0259 _ 1) = 1,(48,23 - 1) Ib Q 48,231, com um erro de 2,1% Portanto, para Vp > 0,1V, que é normalmente o caso, Ip >> Ix e a Eq. (2.1) pode ser aproximada com um erro de 2,1% para Ip = 1(e¥0/"YT — 1) = [ye VO/"Vr (2.3) Regido de polarizacao reversa. Na regido de polarizagao reversa, Vp < 0. Se Vp & negativo e |Vp | >> Vr, que ocorre para Vp < —0,1, 0 termo exponencial na Eq. (2.1) torna-se insignificante ou muito pequeno quando comparado com a unidade, e a corrente do diodo Ip torna-se (2.4) Ip = Ken V2 Vr 1) que indica que a corrente do diodo Ip no sentido reverso é constante e igual a I, Regido de ruptura reversa. Na regido de ruptura reversa (do inglés break- down region) a tensao reversa é muito alta, normalmente maior que 1000 V. A amplitude da tensao reversa excede uma tensao especifica, conhecida como tensio de ruptura reversa (do inglés breakdown voltage ~ Vr). A corrente reversa aumenta rapidamente com uma pequena variagdo na tensio reversa além de Vgr. A operagao na regiéo de ruptura reversa nao sera destrutiva se a dissipagdo de poténcia estiver dentro de um “nivel seguro”, que é especificado pelas folhas de dados do fabricante. Entretanto, 6 sempre necessario limitar a corrente reversa na regido de ruptura reversa para limitar a dissipa- cdo de poténcia a um valor permissivel. Exemplo 2.1 ‘A queda de tensao direta de um diodo de poténcia é Vp = 1,2V a Ip = 300A. Supondo que n = 2e Vr = 25,8 mV, encontrar a corrente de satura¢ao Is. Solugio: Aplicando a Eq. (2.1), pode-se encontrar a corrente de fuga (ou de saturagao) de 300 = 15 [e872 * 288") ay que dé Is = 2,38371 x 10° A.Cap. 2 Diodos serticondutores de poténcia 27 2.3 CURVAS CARACTERISTICAS DA RECUPERAGAO REVERSA A corrente na jungao diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos portadores majoritrios e minoritérios. Uma vez que o diodo esteja no modo de conducio direta e entao sua corrente direta seja reduzida a zero (em funcao do comportamento natural do circuito do diodo ou pela aplicagdo de tensdo reversa), o diodo continua conduzindo devido aos portadores minoritérios que permanecem armazenados na jungao pn e no material semicondutor propriamente dito. Os portadores minoritérios requerem um certo tempo para recombinar com as cargas opostas e ser neutralizados. Esse tempo é chamado tempo de recuperagéo reversa (do inglés reverse recovery time) do diodo. A Figura 2.3 mostra duas curvas caracteristicas de recuperagao reversa de diodos de jungao. O tipo de recuperagao suave (do inglés soft-recovery) é mais comum. O tempo de recupera- ao reversa 6 denotado por f,, e é medido a partir do cruzamento inicial com 0 zero da corrente do diodo até 25% da corrente reversa maxima (ou de pico), Ipp. O f,, consiste de dois componentes, f; e f;. O f; deve-se ao armazenamento de cargas na regido de deplecao da juncao e representa o tempo entre 0 cruzamento com o zero e 0 pico da corrente reversa, Ipp. O t, deve-se ao armazenamento de cargas no material semicondu- tor. A relacao ty/t, € conhecida como fator de suavidade (do inglés softness factor — SF). Para propésitos praticos, é necessdrio relacionar 0 tempo de recuperagao reversa t,, e 0 valor de pico da corrente reversa Ipp. tre = ta + th (2.5) O pico da corrente reversa pode ser expresso na di/dt reversa como di Tre = ta (2.6) Figura 2.3 Curvas caracteristicas da recuperagao reversa (a) Recuperacdo suave (b) Recuperagao abrupta28 Eletronica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 2 O tempo de recuperagao reversa t,, pode ser definido como o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente passa pelo zero, durante a mudanga da condi¢gao de conducao direta para o bloqueio reverso, e 0 momento em que a corrente reversa ja caiu a 25% do seu valor de pico Ip. O t,, é dependente da temperatura da juno, da taxa de decaimento da corrente direta e da corrente direta antes da comutagao. A carga de recuperagio reversa Qr 6 a quantidade de portadores de cargas que fluem através do diodo no sentido reverso devido & mudanga na condicao de condugao direta para bloqueio reverso. Seu valor é determinado a partir da drea abrangida pelo caminho da corrente de recuperagao reversa. ‘A carga armazenada, que é a drea abrangida pelo caminho da corrente de recuperagao, 6 aproximadamente Qrr = Plata + F IRR th = IRR ter (2.7) ou 2Qrr = (2.8) IRR = Substituindo a Eq. (2.6) na Eq. (2.8), obtém-se 2Qrr di/dt 29) tre ta = Se t, for desprezivel, quando comparado a f,, 0 que normalmente 6 0 caso, ty = fa, a Eq. (2.9) torna-se 4 | 2Q, t= 20a (2.10) Irr = “\J 2Qre es (2.11) Pode-se notar a partir das equagdes (2.10) e (2.11) que 0 tempo de recuperagao reversa ty, € 0 pico reverso da corrente de recuperacao Ire dependem da carga armazenada Qrr e do di/dt reverso (ou reaplicado). A carga armazenada é dependente da corrente diretaCap. 2 Diodos semicondutores de poténcia 29 do diodo I. O pico da corrente de recuperagio reversa Ipp, a carga reversa Qer ¢ 0 fator de suavidade so todos de interesse do projetista do circuit, sendo esses parametros normalmente incluidos nas folhas de especificaces dos dicdos. Se um diodo estiver na condigao de polarizagao reversa, uma corrente de fuga fluird devido aos portadores minoritarios. A aplicacao de tensio direta forgaria 0 diodo a conduzir corrente no sentido direto. Entretanto, é necessario um certo tempo, conhecido como tempo de recuperagio direta ou tempo de ligamento (do inglés forward recovery time ou turn-on time), antes que todos os portadores majoritérios, distribuidos por toda a juncao, possam contribuir para o fluxo da corrente. Se a taxa de crescimento da corrente direta é elevada e a propria corrente direta estd concentrada em uma pequena drea da juncao, 0 diodo pode falhar. Assim, 0 tempo de recuperagao direta limita a taxa de crescimento da corrente direta e a velocidade de chaveamento. Exemplo 2.2 O tempo de recuperagao reversa de um diodo € try = 3 [is e a taxa de decaimento da corrente do diodo é di/dt = 30 A/us. Determinar (a) a carga armazenada Qre e (b) a corrente reversa de pico IRR. Solugao: tr =3 ys e di/dt = 30 A/us (@) A partir da Eq. (2.10), 1di Ore = 9 35 wC = 05 x 30A/us x 3 x 10 = (b) A partir da Eq, (2.11), Tr 2QrR A V2 x 135 x 10° x 30 x 10% = 90A t 2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA Idealmente um diodo nao deve ter tempo de recuperagao reversa. Entretanto, o custo de fabricagao de tal diodo aumentara. Em muitas aplicacées, os efeitos do tempo de recupe- ragao reversa nao serao significativos e diodos mais baratos poderao ser utilizados Dependendo das caracteristicas de recuperagao e das técnicas de fabricacao, os diodos de poténcia podem ser classificados em trés categorias: diodos padrao ou genéricos, diodos de recuperagao rapida e diodos Schottky. As caracteristicas e limitagdes praticas de cada tipo restringem suas aplicaces.30 Eletrénica de Poténcia — Circuitos, Disposit 2.4.1 Diodos Genéricos Os diodos retificadores genéricos tém tempo de recuperagao reversa relativamente alto, em geral 25 ps, e so utilizados em aplicagdes de baixa velocidade, em que 0 tempo de recuperacao reversa nao € critico (por exemplo, aplicagdes em retificadores e conversores com diodos para uma baixa freqiiéncia de entrada de até 1 kHz. conversores comuta- dos pela rede). Esses diodos cobrem faixas de correntes de menos de 1 A a varios milhares de ampéres, com faixas de tensdes de 50 V a eproximadamente 5 kV. Esses diodos sao geralmente fabricados por difusao. Entretanto, tipos de retificadores de juncao fundida, utilizados em fontes de alimentacao de maquinas de solda, s4o mais baratos e robustos e suas especificagdes podem ir até a 300 Ae 1000 V. 2.4.2 Diodos de Recuperagao Rapida Os diodos de recuperacao répida tém tempo de recuperacio baixo, normalmente menor que 5 us. Eles sio usados em circuitos conversores de CC-CC e CC-CA, em que a velocidade de recuperagao é sempre de importancia critica. Esses diodos cobrem faixas de correntes de menos de 1 A a centenas de ampéres, com especificagées de tensdes de 50 V aaproximadamente 3 kV. Para especificagées de tenses acima de 400 V, os diodos de recuperacao répida so feitos por difusio e 0 tempo de recuperagio reversa 6 controlado pela difusao de platina ow ouro. Para especificagdes de tensdes abaixo ce 400 V, os diodos epitaxiais fornecem velocidades de chaveamento mais répidas que as dos diodos difundidos. Os diodos epitaxiais tém uma largura de base estreita, resultando em um tempo de recupe- ragio rapido, na ordem de 50 us. Diodos de recuperagao répida de varios tamanhos sao mostrados na Figura 2.4. Figura 24 Diodos de recuperagao répida (cortesia da Powerex, Inc.)Cap. 2 Diodos semicondutores de poténcia 31 2.4.3 Diodos Schottky O problema do armazenamento de cargas em uma juncao pn pode ser eliminado (ou minimizado) em um diodo Schottky. Isto é obtido fazendo-se uma “barreira de poten- cial” com um contato entre um metal e um semicondutor. Uma camada de metal é depositada em uma fina camada epitaxial de silicio do tipo n. A barreira de potencial simula o comportamento da jungao pn. A acdo de retificagao depende apenas dos porta- dores majoritarios, e como resultado nao ha portadores minoritarios em excesso para se recombinarem. O efeito de recuperagio deve-se unicamente a capacitancia propria da jungao semicondutora. A carga recuperada do diodo Schottky é muito menor do que a de um diodo de juncao pn equivalente. Visto que ela se deve apenas a capacitancia da jungao, é bastante independente do di/dt reverso. Um diodo Schottky tem uma queda de tensao no sentido direto relativamente baixa Acortente de fuga de um diodo Schottky é maior que a de um diodo de juncao pn. Um diodo Schottky com tens&o de conducio relativamente baixa tem corrente de fuga relativamente alta e vice-versa. Como resultado, sua maxima tensio disponivel é geralmente limitada a 100 V. As especificagdes de corrente dos diodos Schottky variam de 1 a 300 A. Os diodos Schottky sao ideais para fontes de alimentagao CC de altas correntes ¢ baixas tensdes. Entretanto, eles também sao utilizados em fontes de alimenta- cao de baixa corrente para aumentar sua eficiéncia. Retificadores Schottky duais de 20 e 30 A sao mostrados na Figura Figura 2.5 Retificadores Schottky duais de 20.30 A (cortesia da International Rectifier).32 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 2 2.5 EFEITOS DOS TEMPOS DE RECUPERAGAO DIRETO E REVERSO ‘A importancia desses parametros pode ser explicada pela Figura 2.6a. Se a chave CH for ligada em f = Oe permanecer ligada por um tempo grande o suficiente, uma corrente de regime permanente de Iy = V,/R fluiré através da carga e 0 diodo de comutagao Dp, sera polarizado reversamente. Se a chave for desligada em f = ty, 0 diodo D,, conduzira e uma corrente circulard através de D,,,. Agora, se a chave for ligada novamente em f = f2, 0 diodo D,, comportard um curto-circuito. A taxa de crescimento da corrente direta da chave (e diodo Dj) e a taxa de decaimento da corrente direta do diodo D,, seriam muito elevadas, tendendo para infinito. De acordo com a Eq, (2.11), 0 pico da corrente reversa do diodo D,, poderia ser muito alto e os diodos D; ¢ Dy, poderiam ser danificados. A Figura 2.6b mostra as varias formas de onda para as correntes dos diodos. Esse problema 6 normalmente superado pela conexao de um indutor de limitagao de di/dt, Ls, como mostrado na Figura 2.7a. Os diodos praticos requerem um certo tempo de entrada em condugio, antes que toda a drea da jungao se torne condutiva, e o di/dt deve ser mantido baixo para se alcangar 0 limite de tempo de ligamento. Esse tempo é também conhecido como tempo de recuperacio direta, t,¢ (do inglés forward recovery time). A taxa de crescimento da corrente através do diodo Dj, que deve ser a mesma que a de decaimento da corrente através do diodo Dm, € di dt Is (2.12) Se f; € 0 tempo de recuperagao reversa de Dj, a corrente reversa de pico de Din & di _ trr Vs RR = tre = — (2.13) Tre t dt ie ¢ ) eacorrente de pico através do indutor L, seria try Vs = Io + IRR Io + ter (2.14)Cap. 2 Diodos semicondutores de poténcia 33 Figura 2.6 Circuito chopper sem indutor de limitagao de di/dt. t Devido a recuperagao reversa de D,, (b) Formas de onda Quando a corrente do indutor se torna Ly, 0 diodo Dy, desliga-se subitamente (assumindo recuperagao abrupta) e interrompe o caminho do fluxo de corrente. Devido & carga altamente indutiva, a corrente de carga nao pode mudar subitamente de Ip para I, A energia armazenada em excesso em L, induziria uma tensao reversa elevada em Dy € isto poderia danificé-lo. O excesso de energia armazenada como resultado do tempo de recuperacao reversa é encontrado a partir de We = 21s [(lo + Ire? - Ie] (2.15) Wr = su (tes (2.16)34 Eletronica de Poténcia — Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Figura 2.7 Circuito chopper com indutor de limitagao de di/dt. (a) Diagrame do circuito (b) Formas de onda ‘As formas de onda para as varias correntes sio mostradas na Figura 2.7b. Essa energia em excesso pode ser transferida do indutor L, para um capacitor C, conectado através do diodo D,,.O valor de C, pode ser determinado a partir de V2 = Wr ou => (2.17) em que V, a tensio reversa permissivel do diodo.Cap.2 Diodos semicondutores de poténcia 35 Um resistor R,, que é mostrado na Figura 2.7a por linhas pontilhadas, é conec- tado em série com 0 capacitor para amortecer quaisquer oscilacées transitérias. A Eq. (2.17) € uma aproximacao e nao leva em consideragao os efeitos de L, e Ry durante os transitérios para a transferéncia de energia. 2.6 DIODOS CONECTADOS EM SERIE Em muitas aplicagées de alta tensao (por exemplo, linhas de transmissio de corrente continua em alta tenso — do inglés high voltage direct current ~ HVDC), um diodo fornecido comercialmente pode nao oferecer a especificagdo de tensdo necesséria, e os diodos so conectados em série para aumentar a capacidade de bloqueio reverso. Vamos considerar dois diodos conectados em série, como mostrado na Figura 2.8a. Na pratica, as curvas caracteristicas v-i para diodos do mesmo tipo diferem devido as tolerancias no seu processo de fabricacao. A Figura 2.11b mostra duas curvas carac- teristicas v-i para tais diodos. Na condigao de polarizacio direta, ambos os diodos conduzem a mesma quantidade de corrente e a queda de tensio direta de cada diodo seria quase igual. Entretanto, na condigdo de bloqueio reverso, cada diodo tem de conduzir a mesma corrente de fuga e como resultado as tensdes de bloqueio diferirao significativamente. Figura 2.8 Dois diodos conectados em série com polarizacao reversa. (@) Diagrama do cireuito (b) Curvas caracteristicas v-1 Uma solugao simples para esse problema, como mostrado na Figura 2.9a, consiste em forcar uma divisao de tensdo igual através da conexao de um resistor em cada diodo. Devido & divisio igual de tensao, a corrente de fuga de cada diodo seria diferente, e isto 6 mostrado na Figura 2.9b. Como a corrente de fuga total tem de ser dividida por um diodo e seu resistor, Is (2.18)36 Eletrnica de Poténcia — Circuitos, Dispositivos e Aplicages Cap. 2 Mas Ip = Vpi/Rye len = Vo/Ro = Vpi/Ro. A Eq. (2.18) da a relagao entre Ry e Ry para a divisao igual de tensao, como Vi In +P = Lat uot Ry * RQ (2.19) Se as resisténcias sdo iguais, R = Ry = Rye as duas tensdes dos diodos seriam ligeira- mente diferentes, dependendo das dissimilaridades das duas curvas caracteristicas oi. Os valores de Vp1 e V2 podem ser determinados a partir das Eqs. (2.20) e (2.21): Vor Voz tQret+y (2.20) Vp1 + Vp2 = Vs (2.21) Figura 2.9 Diodos conectados em série com as curvas caracteristicas de divisao de tensdo de regime permanente. {@) Diagrama do circuito (b) Curvas caracteristicas v-i As divisdes de tensao sob condigées transitérias (por exemplo, devido ao chaveamento de cargas, as aplicacées iniciais da tensao de entrada) so conseguidas pela conexao de capacitores através de cada diodo, 0 que é mostrado na Figura 2.10. R, limita a taxa de crescimento da tensao de bloqueio.Cap. 2 Diodos semicondutores de poténcia 37 Figura 2.10 Divisdo Divisao da tenséo da tensao Diodos conectados em em regime em regime série com redes de divisdo permanente transit6rio de tensio, sob condigdes de regimes permanente e transitério. 2.7 DIODOS CONECTADOS EM PARALELO Em muitas aplicacées de alta poténcia, os diodos séo conectados em paralelo para aumentar a capacidade de condugao de corrente e alcancar as exigéncias desejadas de corrente. A divisao de corrente dos diodos estaria de acordo com suas respectivas quedas de tensdes diretas. A divisdo uniforme de corrente poderia ser obtida fornecendo-se induténcias iguais (por exemplo, nos terminais) ou pela conexao de resistores de divisio de corrente (que podem nao ser praticos devido as suas perdas de poténcia); isto € ilustrado na Figura 2.11. E possivel minimizar esse problema selecionando diodos com quedas de tensdes iguais ou diodos do mesmo tipo. Como os diodos esto conectados em paralelo, as tenses de bloqueio reversas de cada diodo seriam as mesmas. Os resistores da Figura 2.11a auxiliarao na divisdo de corrente sob condicées de regime permanente. A divisdo de corrente sob condicdes dinamicas pode ser alcangada pela conexao de indutores acoplados, como mostrado na Figura 2.11b. Se a corrente através do diodo D; aumentar, a queda de tensao L di/dt sobre L, também aumenta e uma tensao correspondente de polaridade oposta 6 induzida sobre o indutor L). O resultado é um caminho de baixa impedancia através do diodo D2, para o qual a corrente € deslocada. Os indutores gerariam picos de tensao, podendo eles ser caros e volumosos, especialmente em correntes elevadas. Figura 2.11 Diodos conectados em paralelo. (a) Regime permanente (b) Divisao dinamica38 Eletrénica de Poténcia — Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 2 2.8 MODELAMENTO EM SPICE DE DIODOS © modelamento em SPICE! de um diodo 6 mostrado na Figura 2.12b. A corrente do diodo Ip, que depende de sua tensio, é representada por uma fonte de corrente. R, é a resisténcia em série e se deve a resisténcia do semicondutor. R,, também conhecida como resistencia do material (do inglés bulk resistance), é dependente da quantidade de dopagem. Os modelamentos de pequeno sinal e estético, gerados pelo SPICE, s40 mostrados na Figura 2.12ce d, respectivamente. C, é uma fungao nao-linear da tensio do diodo vp e é igual a Cy = dqu/dvp, em que qu & a carga da camada de deplecao. O SPICE gera os pardmetros de pequeno sinal a partir do ponto de operacao. A sintaxe do modelamento SPICE de um diodo tem a forma geral -MODEL DNAME D (P1=V1 P2=V2 P3=V3 .. PN=VN) DNAME é 0 nome do modelamento e que pode comegar com qualquer caracter; mas seu tamanho é normalmente limitado a uma palavra de sito caracteres. D & 0 simbolo tipico para diodos. P1, P2, ... e V1, V2, ... so os parémetros do modelamento e seus valores, respectivamente. Exemplo 2.3 Dois diodos so conectados em série, como mostrado na Figura 2.9a, para dividir uma tensao total de Vp =5kV. As correntes de fuga reversas dos dois diodos sao Is1 = 30mA e la = 35 mA. (a) Encontrar as tensdes dos diodos se as resisténcias de divisio de tensao forem iguais a Ri = Ro = R = 100kQ. (b) Encontrar as resisténcias de divisic de tensao Ri e Rp se as tensdes dos diodos forem iguais a Vor = Vp2 = Vp/2. (c) Usar 0 PSpice para conferir seus resultados da letra (a). Os parametros do modelamento PSpice dos diodos sdo: BV =3 KV e IS= 30 mA para o diodo Di e IS = 35 mA para o diodo Do Solugio: (a) Is =30mA, Lo =35mMA e Ri= Vox = Vp — Voi. A partir da Eq, (2.19), = 100k. Vo = Vpi + Vp2 ow Vi Vp2 lit alate Substituindo Vp2 = Vp — Vpi e resolvendo para a tensao do diodo Di, obtém-se 1 N.T. SPICE é um programa de computador para modelamento, andlises ¢ simulagies de circuitos elétricos e eletrénicos, produzidos pela Microsimn (EVA).Cap. 2 Diodos semicondutores de poténcia 39 Figura 2.12 Ry Modelamento Spice de diodo com polarizagao + reversa. x K (a) Diodo (b) Modelamenta Spice A A (c) Modelamento de pequeno sinal__(d) Modelamento estatico Vo Voi = 5 R + 3 da - In) _ 5KV | 100k 3 3 2 tg 85 x 10 - 30x 10 (2.22) e Vp2 = Vp ~ Voi = 5kV — 2750 = 2250V. (b) In = 30mA, Ig = 35mA e Voi = V, Vp/2 = 2.5KV. A partir da Eq (2.19), V1 n+ TR que dé a resisténcia Ro para um valor conhecido de Ri camo40 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagées Cap. 2 Vor Ri = 2D Vor ~ Ri (2 ~ Ist) ee Supondo que R 100 kQ, obtém-se 25KV x 100kQ — = 125k 2,5kV — 100kQ x (35 x 10° - 30 x 10°) Ro= (0) O circuito do diodo para a simulacao PSpice é mostrado na Figura 2.13. A listagem do arquivo do circuito é a seguinte: Diado Voltage-Sharing ¢ u DC KV 0.01 100K 1008 MoDL von2 MODEL (J8-30MA BV=3Kv) ; Diode model pazane| MODEL (1s-35MA BV=3KV) ; Diode model pazame: oP } De operating point analysis END Os resultados da simulagao PSpice sao. NAME pL D; ID Tm = ~30mA 2. 50B-02 = -3.5ma vp Voi = -2750V 2, 255+03 22500 REQ Ror = 16a B+ 12 Rr = 1GQ Figura 2.13 Circuito do diodo para a simulacao PSpice do Exemplo 2.3.Cap. 2. Diodos sersicondutores de poténcia 41 RESUMO As curvas caracteristicas dos diodos praticos diferem daquelas dos diodos ideais. O tempo de recuperagao reversa tem um papel significativo, especialmente em aplicagées de alta velocidade de chaveamento. Os diodos podem ser classificados em trés tipos diodos genéricos, diodos de recuperacao répida e diodos Schottky. Apesar de um diodo Schottky comportar-se como um diodo de juncao pn, nao hé jungao fisica; e como resultado o diodo Schottky é um dispositivo de portadores majoritarios. Por outro lado, um diodo de jungao pi é um dispositivo de portadores tanto majoritérios quanto mino- ritdrios. Se os diodos forem conectados em série para aumentar a capacidade de blo- queio de tensao, sio necessdrias redes de divisio de tensio sob condicdes de regime permanente e transitério. Quando os diodos sao conectados em paralelo para aumentar a capacidade de conducao de corrente, também sao necessarios elementos de divisio de corrente. REFERENCIAS M. H. RASHID. SPICE for Circuits and Electronics Using PSpice. Englewood Cliffs, N.J.: Prentice Hall, 1990. M.S. GAUSHI. Electronic Devices and Cireuits. Nova York: Holt, Rinehart and Winston, 1985, p. 672. P.R. GRAY, R. G. MEYER. Analisys and Design of Analog Integrated Circuits. Nova York: Jonh Wiley & Sons, Inc, 1984, p. 1 PSpice Manual. Irvine, Calif.: MicroSim Corporation, 1992. P. W. TUINENGA. SPICE: A Guide to Circuit Simulation And Analysis Using PSpice. Englewood Cliffs, N.J.: Prentice Hall, 1992. QUESTOES DE REVISAO 2.1 Quais sdo os tipos de diodos de potdncia? 22 Oque éa corrente de fuga dos diodos? 23 Oque é 0 tempo de recuperagao reversa dos diodos? 24 — Oque éa corrente de recuperagao reversa dos diodos? suavidade dos diodos? 25 Oqueéofator d 2.6 — Quais so os tipos de recuperacao dos diodos?2 Eletrnica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagées Cap. 2 2.7 Qual é a causa do tempo de recuperacao reversa em um diodo de jungao pn? 2.8 Qual é oefeito do tempo de recuperagao reversa? 2.9 Por que énecessério usar diodos de recuperacao rapida para altas velocidades de chavea- mento? 2.10 Oque é 0 tempo de recuperacao direta? 211 Quais sao as principais diferengas entre os diodos de jungao pr e os Schottky? 212 — Quais sao as limitagdes dos diodos Schottky? 213 Qual 60 tempo de recuperagao reversa tipico dos diodos genéricos? 2.14 — Qual 60 tempo de recuperagao reversa tipico dos diodes de recuperacao répida? 2.15 — Quais sao 0s problemas dos diodos conectados em série e quais sao as possiveis solugées? 2.16 Quais so os problemas dos diodos conectados em paralelo e quais sao as possiveis solugdes? 2.17 Se dois diodos estao conectados em série com igual diviséo de tensdo, por que as cor- rentes de fuga de ambos diferem? PROBLEMAS 2.1 © tempo de recuperagao reversa de um diodo ¢ tr; = 5ys ¢ a taxa de decaimento da corrente é di/dt = 80 A/us, Se o fator de suavidade ¢ SF = 0,5, determinar (a) a carga armazenada Qkk ¢ (b) a corrente reversa de pico Ink 2.2 Os valores medidos de um diodo A temperatura de 25°C sao: Vp =10V a Ip = 50A = 15V a Ip = 600A Determinar (a) 0 coeficiente de emissdo 1 e (b) a corrente de fuga |,. 2.3 Dois diodos sao conectados em série ¢ a tensao sobre cada um deles é mantida a mesma pela conexao de um resistor divisor de tensao tal que Vp = Voz = 2000V e Ri = 100k. As curvas caracteristicas v-i do diodo so mostradas na Figura P2.3. Deter- minar (a) as correntes de fuga de cada diodo e (b) a resisténcia Rz em paralelo com 0 diodo Dz24 25 26 Cap. 2 Diodos senticondutores de poténcia 43 Figura P23 Dois diodos sao conectados em paralelo e a queda de tensio direta sobre cada diodo é de 15 V. As curvas caracteristicas v-i dos diodos so mostradas na Figura P2.3. Determinar as correntes diretas através de cada diodo. Dois diodos sao conectados em paralelo, como mostrado na Figura 2.11a, com resistencias de diviséo de corrente. As curvas caracteristicas v-i so mostradas na Figura P2.3. A corrente total é Ir = 200 A. A tensao sobre um diodo e sua resisténcia é » = 2,5 V. Deter minar os valores das resisténcias Ri e Rp se a corrente for dividida igualmente pelos diodos. Dois diodos sao conectados em série, como mostrado na Figura 2,9a, A resisténcia sobre os diodos 6 Ri = Ro = 10kQ. A tensdo CC de entrada é 5 kV. As correntes de fuga sao Is, = 25mA e kz = 40 mA. Determinar as tensdes sobre os diodos.