Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
br
J. A. Pomilio
P+ + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _N _
++++++++ _ _ +
++++++++ _ _ +
++++++++ _ _
+
++++++++ _ _ +
+ _ _ _ _ _ _ _
+ _ _ _ _ _ _ _
Anodo
Catodo
+ _ _ _ _ _ _ _
+ _ _ _ _ _ _ _
+
_
Difuso
Potencial
0
1u
1-1
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
1-2
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato
de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses
produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal
corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery,
nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados.
trr
t1
dir/dt
t3
dif/dt
iD
Anodo
P+
10e19 cm-3
10 u
Qrr
i=Vr/R
Vfp
Von
t4 t5
vD
N
_
10e14 cm-3
Depende
da tenso
-Vr
Vrp
t2
+Vr
vi
N+
10e19cm-3
-Vr
vD
250 u
substrato
vi
iD
R
Catodo
1-3
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N tem uma dopagem relativamente alta,
a fim de reduzir as perda de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos
de cerca de 100V.
A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas
quais as quedas sobre os retificadores so significativas.
contato
retificador
SiO2
Al
contato
hmico
Al
N+
Tipo N
Substrato tipo P
Figura 1.3 Diodo Schottky construdo atravs de tcnica de CIs.
Vcc
J2
N+
N-
J1
N+
Vb
B
Rb
1-4
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
E
N+ 10e19 cm-3
10e16 cm-3
10 u
5 a 20 u
C
N-
10e14 cm-3
50 a 200 u
B
E
N+
10e19 cm-3
250 u (substrato)
C
Figura 1.5. Estrutura interna de TPB e seu smbolo
O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP,
o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo,
principalmente, os tempos de comutao do componente.
1.3.2 Limites de tenso
A tenso aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a juno J2 a qual,
tipicamente, est reversamente polarizada. Existem limites suportveis por esta juno, os
quais dependem principalmente da forma como o comando de base est operando, conforme
se v nas figuras 1.6 e 1.7.
Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na regio ativa, o limite de tenso Vce
Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenmeno chamado de primeira ruptura.
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-5
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
Ic
Ic
Ib>0
Vcbo
Ic
Ib=0
Vces
Vceo
Ib<0
segunda ruptura
primeira ruptura
Ib4
Ib3
Ib2
Ib<0
Ib1
Ib=0
Vces
Vceo
Vce
Vcbo
Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0
Figura 1.7 Caracterstica esttica de transistor bipolar.
1.3.3 rea de Operao Segura (AOS)
A AOS representa a regio do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem
se danificar. A figura 1.8 mostra uma forma tpica de AOS.
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-6
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
log Ic
Ic max
J. A. Pomilio
1 us
10 us
100 us
A
Ic DC
C
D
log Vce
Figura 1.8. Aspecto tpico de AOS de TBP
A: Mxima corrente contnua de coletor
B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno)
C: Limite de segunda ruptura
D: Mxima tenso Vce
medida que a corrente se apresenta em pulsos (no-repetitivos) a rea se expande.
Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento trmico do componente para
se saber se possvel utiliz-lo numa dada aplicao, uma vez que a AOS, por ser definida
para um nico pulso, uma restrio mais branda. Esta anlise trmica feita com base no
ciclo de trabalho a que o dispositivo est sujeito, aos valores de tenso e corrente e
impedncia trmica do transistor, a qual fornecida pelo fabricante.
1.3.4 Regio de quase-saturao
Consideremos o circuito mostrado na figura 1.9, e as curvas estticas do TBP al
indicadas.
Quando Ic cresce, Vce diminui, dada a maior queda de tenso sobre R. medida que
Vce se reduz, caminha-se no sentido da saturao.
Os TBP apresentam uma regio chamada de quase-saturao gerada, principalmente,
pela presena da camada N- do coletor.
semelhana da carga espacial armazenada nos diodos, nos transistores bipolares
tambm ocorre estocagem de carga. A figura 1.10 mostra a distribuio de carga esttica no
interior do transistor para as diferentes regies de operao.
Na regio ativa, J2 est reversamente polarizada e ocorre uma acumulao de eltrons
na regio da base. Quando se aproxima da saturao, J2 fica diretamente polarizada, atraindo
lacunas da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a eltrons vindos do emissor e que
esto migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a regio N-. Isto
representa um "alargamento" da regio da base, implicando na reduo do ganho do
transistor. Tal situao caracteriza a chamada quase-saturao. Quando esta distribuio de
carga espacial ocupa toda a regio N- chega-se, efetivamente, saturao.
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-7
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
saturao
J. A. Pomilio
quase-saturao
Ic
R
Vcc/R
Ib
regio ativa
Vcc
Vce
corte
Vcc
Vce
Base
N-
P
quasesaturao
saturao
Emissor
N+
e-
regio ativa
base virtual
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-8
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
Para uma tenso Vce elevada, a largura da regio de transio de J2 que penetra na
camada de base maior, de modo a reduzir a espessura efetiva da base, o que leva a um
aumento do ganho.
ganho de corrente
Vce = 2V (125 C)
Vce = 400 V (25 C)
Vce = 2 V (25 C)
log Ic
Figura 1.11 Comportamento tpico do ganho de corrente em funo da tenso Vce, da
temperatura e da corrente de coletor.
1.3.6 Caractersticas de chaveamento
As caractersticas de chaveamento so importantes pois definem a velocidade de
mudana de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas s comutaes, que
so dominantes nos conversores de alta freqncia. Definem-se diversos intervalos
considerando operao com carga resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento
, geralmente, negativo, a fim de acelerar o bloqueio do TBP.
a) Carga resistiva
A figura 1.12 mostra formas de onda tpicas para este tipo de carga. O ndice "r' se
refere a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores mximos), enquanto "f" relaciona-se
aos tempos de descida. O ndice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de
atraso.
1-9
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
100%
90%
Sinal de base
10%
ton=ton(i)
td=tdi
toff=toffi
ts=tsi
tfi
tri
90%
Corrente de coletor
10%
toff(v)
ton(v)
tdv
tsv
tfv
trv
+Vcc
90%
Tenso Vce
10%
Vce(sat)
CARGA RESISTIVA
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-10
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
b.2) Bloqueio
Com a inverso da tenso Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP.
Aps tsv comea a crescer Vce. Para que o diodo conduza preciso que Vce>Vcc. Enquanto
isto no ocorre, Ic=Io. Com a entrada em conduo do diodo, Ic diminui, medida que Id
cresce (tfi).
Alm destes tempos definem-se outros para carga indutiva:
tti: (tail time): Queda de Ic de 10% a 2%
tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic
Vb
Io
Lcarga
Df
td
Ic
Io
R
carga
Vcc
Vce
tsv
tti
Vcc
Ic
Vce
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-11
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
Io
log Ic
Lcarga
Df
sem amaciador
Io
Cs
R
carga
Vcc
Ic
Cs
Vcc
Vcs
log Vce
Vce
Ds
Rs
Vcc
Ic
Io
Vce
Ic
Vcc
Vce
Io.Vcc
trv
Figura 1.15. Formas de onda no desligamente sem e com o circuito amaciador.
O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo
ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima
corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel.
b) Entrada em conduo: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.16)
No circuito sem amaciador, aps o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce s se reduz
quando Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vce, alm de
reduzir a taxa de crescimento de Ic.
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-12
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
Df
Ds
Ls
Rs
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-13
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte), como mostrado na
figura 1.18, quando o conjunto superior conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se
lembrar aqui que existem capacitncias associadas s junes dos transistores.
Quando o potencial do ponto A se eleva (pela conduo de T2) a juno B-C ter
aumentada sua largura, produzindo uma corrente a qual, se a base de T3 estiver aberta,
circular pelo emissor, transformando-se em corrente de base de T4, o qual poder conduzir,
provocando um curto-circuito (momentneo) na fonte.
A soluo adotada criar caminhos alternativos para esta corrente, por meio de
resistores, de modo que T4 no conduza.
Alm destes resistores, usual a incluso de um diodo reverso, de emissor para
coletor, para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. Alm disso, tal
diodo tem fundamental imporncia no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a
funo do diodo de circulao.
T1
T2
capacitncias parasitas
i
T3
carga
T4
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-14
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
dib/dt
Ib2
dib/dt
Ibr
Figura 1.20 Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
As transies devem ser rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado
Ib1 permite uma reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP
operar na regio de quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa,
acelerando assim a retirada dos portadores armazenados.
Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para
evitar a saturao, como mostrado na figura 1.21.
Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib
desviado por D1. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.
D1
D2
D3
Figura 1.21. Arranjo de diodos para evitar saturao.
1.4 MOSFET
1.4.1 Princpio de funcionamento (canal N)
O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um
diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre
quando Vds>0. A figura 1.22 mostra a estrutura bsica do transistor.
Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas
na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso
atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico)
presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se
possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados,
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-15
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo o aumento de Id. Este
comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva".
Vdd
Vgs
G
+++++++++++++++
N+
-Id
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - ---------------- - - - - - - -- - - --
-Id
P
N-
N+
Smbolo
D
SiO2
metal
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-16
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
Id
regio
resistiva Vgs3
Vgs2
regio ativa
Vgs1
Vdso
vgs3>Vgs2>Vgs1
Vds
A
B
C
D
1-17
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre
um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo
com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da
capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar,
at atingir Vgg.
Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que
drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia
dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e
dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de
acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd
esteja descarregado.
Vgg
V+
Io
Vgs
Df
V+
Vth
Cgd
Id
Id=Io
Vds
Vdd
Cds
Rg
Vds on
td
Vgs
Vds
Vgg
Cgs
Id
CARGA INDUTIVA
Figura 1.25 Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva.
Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor
(Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.26, as quais se relacionam com as capacitncias do
componente por:
Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada
Crs = Cgd
Coss ~ Cds + Cgd
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-18
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
C (nF)
J. A. Pomilio
C (nF)
Ciss
Cgs
3
Coss
Cds
2
1
Crss
0
Cgd
0
0
10
20
30
40 Vds (V)
10
20
30
40
Vds (V)
1-19
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
Gate (porta)
Emissor
N+
J3
N+
C
J2
N-
E
N+
J1
P+
Coletor
SiO2
metal
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-20
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com.br
J. A. Pomilio
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor
1-21