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Eletrnica

Rodrigo Cardozo Fuentes

Santa Maria - RS
2011

Presidncia da Repblica Federativa do Brasil


Ministrio da Educao
Secretaria de Educao a Distncia
Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria
Este Caderno foi elaborado em parceria entre o Colgio Tcnico Industrial de Santa
Maria e a Universidade Federal de Santa Catarina para o Sistema Escola Tcnica
Aberta do Brasil e-Tec Brasil.
Comisso de Acompanhamento e Validao
Universidade Federal de Santa Catarina/UFSC

Equipe de Elaborao
Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria/CTISM

Coordenao Institucional
Araci Hack Catapan/UFSC

Coordenador Institucional
Paulo Roberto Colusso/CTISM

Coordenao do Projeto
Silvia Modesto Nassar/UFSC

Professor-autor
Rodrigo Cardozo Fuentes/CTISM

Cordenao de Design Instrucional


Beatriz Helena Dal Molin/UNIOESTE

Coordenao Tcnica
Iza Neuza Teixeira Bohrer/CTISM

Designers Intrucionais
Helena Maria Maullmann/UFSC
Jorge Luiz Silva Hermenegildo/CEFET-SC

Coordenao de Design
Erika Goellner/CTISM

WEB Designers
Beatriz Helena Dal Molin/UNIOESTE
Mrcia Freire Rocha Cordeiro Machado/ETUFPR
Superviso de Projeto Grfico
Ana Carine Garca Montero/UFSC
Diagramao
Joo Ricardo Zattar/UFSC
Lus Henrique Lindler/UFSC
Reviso
Lcia Locatelli Flres/UFSC

Reviso Pedaggica
Andressa Rosemrie de Menezes Costa/CTISM
Francine Netto Martins Tadielo/CTISM
Marcia Migliore Freo/CTISM
Reviso Textual
Lourdes Maria Grotto de Moura/CTISM
Vera da Silva Oliveira/CTISM
Reviso Tcnica
Eduardo Lehnhart Vargas/CTISM
Ilustrao e Diagramao
Gustavo Schwendler/CTISM
Leandro Felipe Aguilar Freitas/CTISM
Marcel Santos Jacques/CTISM
Muren Fernandes Massia/CTISM
Rafael Cavalli Viapiana/CTISM
Ricardo Antunes Machado/CTISM

Ficha catalogrfica elaborada por Maristela Eckhardt CRB 10/737


Biblioteca Central UFSM
F954e

INSTITUTO
FEDERAL
RIO GRANDE
DO SUL

Fuentes, Rodrigo Cardozo


Eletrnica / Rodrigo Cardozo Fuentes. 3. ed. Santa
Maria : Universidade Federal de Santa Maria, Colgio Tcnico
Industrial de Santa Maria, Curso Tcnico em Automao
Industrial, 2009.
83 p. : il. ; 21 cm.
1. Eletrnica 2. Fsica dos materiais 3. Circuitos eletrnicos
4. Programa Escola Aberta do Brasil I. Universidade Federal
de Santa Maria. Curso Tcnico em Automao Industrial.
CDU 621.38

Apresentao e-Tec Brasil


Prezado estudante,
Bem-vindo ao e-Tec Brasil!
Voc faz parte de uma rede nacional pblica de ensino, a Escola Tcnica
Aberta do Brasil, instituda pelo Decreto n 6.301, de 12 de dezembro 2007,
com o objetivo de democratizar o acesso ao ensino tcnico pblico, na modalidade a distncia. O programa resultado de uma parceria entre o Ministrio da Educao, por meio das Secretarias de Educao a Distncia (SEED)
e de Educao Profissional e Tecnolgica (SETEC), as universidades e escolas
tcnicas estaduais e federais.
A educao a distncia no nosso pas, de dimenses continentais e grande diversidade regional e cultural, longe de distanciar, aproxima as pessoas
ao garantir acesso educao de qualidade, e promover o fortalecimento
da formao de jovens moradores de regies distantes dos grandes centros
geograficamente ou economicamente.
O e-Tec Brasil leva os cursos tcnicos a locais distantes das instituies de ensino e para a periferia das grandes cidades, incentivando os jovens a concluir
o ensino mdio. Os cursos so ofertados pelas instituies pblicas de ensino
e o atendimento ao estudante realizado em escolas-polo integrantes das
redes pblicas municipais e estaduais.
O Ministrio da Educao, as instituies pblicas de ensino tcnico, seus
servidores tcnicos e professores acreditam que uma educao profissional
qualificada integradora do ensino mdio e educao tcnica, capaz de
promover o cidado com capacidades para produzir, mas tambm com autonomia diante das diferentes dimenses da realidade: cultural, social, familiar,
esportiva, poltica e tica.
Ns acreditamos em voc!
Desejamos sucesso na sua formao profissional!
Ministrio da Educao
Janeiro de 2010
Nosso contato
etecbrasil@mec.gov.br

e-Tec Brasil

Indicao de cones
Os cones so elementos grficos utilizados para ampliar as formas de
linguagem e facilitar a organizao e a leitura hipertextual.
Ateno: indica pontos de maior relevncia no texto.

Saiba mais: oferece novas informaes que enriquecem o


assunto ou curiosidades e notcias recentes relacionadas ao
tema estudado.
Glossrio: indica a definio de um termo, palavra ou expresso
utilizada no texto.
Mdias integradas: sempre que se desejar que os estudantes
desenvolvam atividades empregando diferentes mdias: vdeos,
filmes, jornais, ambiente AVEA e outras.
Atividades de aprendizagem: apresenta atividades em
diferentes nveis de aprendizagem para que o estudante possa
realiz-las e conferir o seu domnio do tema estudado.

e-Tec Brasil

Sumrio
Palavra do professor-autor

Apresentao da disciplina

11

Projeto institucional

13

Aula 1 Introduo eletrnica

15

Aula 2 Fsica dos materiais


2.1 A estrutura do tomo

19
19

2.2 Materiais condutores

20

2.3 Materiais isolantes

20

2.4 Material semicondutor

20

2.5 Estudo dos semicondutores

21

2.6 Impurezas

22

Aula 3 O diodo semicondutor


3.1 O diodo semicondutor de juno

27
27

3.2 Polarizao do diodo

29

3.3 Curva caracterstica de um diodo

30

3.4 Especificaes de um diodo

31

Aula 4 Circuitos retificadores


4.1 Onda senoidal

33
33

4.2 Circuito retificador de meia onda

35

4.3 Circuito retificador de onda completa

36

4.4 Circuito retificador de onda completa em ponte

38

Aula 5 Tipos especiais de diodos


5.1 Diodo emissor de luz

41
41

5.2 Fotodiodo

42

5.3 Diodo zener

43

Aula 6 Fontes de alimentao


6.1 O transformador

47
47

6.2 Circuitos retificadores

49

e-Tec Brasil

6.3 O capacitor de filtragem

50

6.4 Regulador de tenso com diodo zener

55

Aula 7 O transistor bipolar


7.1 Funcionamento do transistor bipolar
7.2 Transistor no polarizado

59

7.3 Polarizao do transistor NPN

59

7.4 Polarizao do transistor PNP

61

7.5 Montagem bsica com transistor

62

7.6 O modelo de Ebers-Moll

64

7.7 Polarizao em corrente contnua de transistores

65

7.8 O transistor operando como chave

68

7.9 O transistor operando como fonte de corrente

69

7.10 O transistor operando como amplificador

69

Aula 8 Tiristores
8.1 A estrutura PNPN

75
75

8.2 SCR

76

8.3 TRIAC

78

8.4 Acionando o gatilho dos tiristores

79

Aula 9 Introduo aos circuitos integrados


9.1 Classificao dos circuitos integrados

81
82

9.2 Tipos de encapsulamento dos CIs

e-Tec Brasil

57
58

84

Referncias

90

Currculo do professor-autor

91

Eletrnica

Palavra do professor-autor
So evidentes a evoluo e a melhoria na qualidade de vida das sociedades
nestes ltimos cinquenta anos. Dentre as razes dessa evoluo destacamse as reas relacionadas tecnologia como telecomunicaes, informtica,
diagnsticos atravs de imagens na medicina e a automao industrial como
grande alavanca dos sistemas produtivos e da qualidade. Essa evoluo tem
como base a eletrnica, que proporcionou as condies necessrias para a
atual revoluo tecnolgica. Destaca-se a inveno do transistor semicondutor em 1947, considerada uma das maiores do sculo XX, que possibilitou
a produo de equipamentos portteis alimentados por pilhas e baterias.
Podemos citar como exemplo o velho radinho transistorizado. Destaca-se
ainda a inveno do circuito integrado, que proporcionou grandes avanos
na miniaturizao e na confiabilidade dos equipamentos eletrnicos, de fundamental importncia na rea da microeletrnica.
Neste curso de eletrnica bsica vamos apresentar os fundamentos bsicos
da eletrnica, para possibilitar ao educando o ingresso no mundo fascinante
dos materiais semicondutores. Nosso estudo inicia-se na fsica dos semicondutores, evoluindo para os primeiros dispositivos como os diodos, transistores, tiristores e circuitos integrados. Em cada unidade so desenvolvidas as
teorias dos circuitos eletrnicos pertinentes e necessrias a cada assunto e,
para tanto, fundamental a compreenso dos princpios da eletricidade e
de suas leis.
Caro estudante, nosso objetivo proporcionar a voc uma nova viso sobre
a eletrnica, possibilitando-lhe percorrer um caminho cheio de novidades,
desafios, desenvolvendo as suas habilidades neste campo da tecnologia.
Rodrigo Cardozo Fuentes

e-Tec Brasil

Apresentao da disciplina
Este material didtico constitui a base terica do estudo da disciplina de Eletrnica. Na aula 1, vamos estudar o que a Eletrnica e alguns dos principais
fatos histricos que marcaram a evoluo da Eletrnica at a atualidade. Na
aula 2, estudaremos a estrutura atmica, as partculas eltricas bsicas e as
caractersticas dos materiais condutores, isolantes e semicondutores. Na aula
3, estudaremos o diodo de juno semicondutor que o componente mais
simples da Eletrnica, mas de grande importncia para a compreenso dos
dispositivos mais complexos. Na aula 4, ser estudada uma das principais
aplicaes dos diodos semicondutores, trata do processo de retificao da
energia eltrica. Na aula 5, sero estudados trs tipos especiais de diodos
com ampla aplicao prtica nos equipamentos eletrnicos. Na aula 6, vamos estudar a forma adequada de suprir os circuitos eletrnicos com energia
eltrica, garantindo o seu correto funcionamento. Na aula 7, estudaremos
uma das maiores invenes do sculo XX, que impulsionou toda a evoluo
da Eletrnica: o transistor semicondutor. Na aula 8, vamos estudar uma famlia de componentes semicondutores de estrutura um pouco mais complexa, apresentando at quatro camadas semicondutoras que so os chamados
tiristores. Por fim, na aula 9, estudaremos as principais caractersticas dos
circuitos integrados, tambm chamados de microchips, componentes que
esto presentes em inmeros equipamentos de nosso dia a dia.
O tema Eletrnica no se esgota nas unidades abordadas neste caderno.
Portanto, fundamental a consulta bibliografia especfica para um maior
aprofundamento do assunto.

11

e-Tec Brasil

Projeto instrucional
Disciplina: Eletrnica (carga horria: 60h).
Ementa: Introduo eletrnica, fsica dos materiais, diodo semicondutor,
circuitos retificadores, tipos especiais de diodos, fontes de alimentao, transistor bipolar, tiristores e introduo aos circuitos integrados.
OBJETIVOS DE
APRENDIZAGEM

MATERIAIS

CARGA
HORRIA
(horas)

1. Introduo
eletrnica

Compreender o conceito de eletrnica.


Conhecer as principais descobertas
que contriburam para a evoluo da
eletrnica.
Conhecer algumas aplicaes prticas da
eletrnica.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

2. Fsica dos
materiais

Compreender a estrutura do tomo e


suas partculas elementares.
Reconhecer as caractersticas dos
materiais condutores, isolantes e
semicondutores de eletricidade.
Compreender os processos de dopagem
de semicondutores com a inteno
de produzir cristais eletricamente
polarizados.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

3. O diodo semicondutor

Compreender a estrutura bsica do


diodo semicondutor de juno.
Reconhecer as curvas caractersticas de
operao do diodo semicondutor de
juno.
Empregar os termos tcnicos adequados
e os dados necessrios a especificao
do diodo semicondutor.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

4. Circuitos
retificadores

Compreender o processo de
transformao da corrente alternada em
corrente contnua pela aplicao dos
diodos semicondutores.
Reconhecer os tipos de processos
de retificao e suas respectivas
caractersticas.
Empregar corretamente as equaes
matemticas que descrevem os
processos de retificao.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

AULA

13

e-Tec Brasil

OBJETIVOS DE
APRENDIZAGEM

MATERIAIS

CARGA
HORRIA
(horas)

5. Tipos especiais
de diodos

Conhecer novos componentes


eletrnicos baseados no diodo
semicondutor de juno.
Compreender as suas aplicaes prticas.
Aplicar corretamente as equaes
matemticas pertinentes ao
dimensionamento e operao destes
componentes.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

08

6. Fontes de
alimentao

Compreender a operao e os principais


componentes das fontes de alimentao.
Aplicar corretamente as equaes
matemticas que descrevem a operao
dos circuitos eletrnicos.
Compreender e aplicar corretamente
as leis fundamentais da eletricidade, do
magnetismo e do eletromagnetismo.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

10

7. O Transistor
bipolar

Conhecer o transistor de juno bipolar,


componente que revolucionou a
tecnologia.
Compreender o funcionamento e a
operao do transistor em diversas
aplicaes prticas.
Aplicar corretamente as leis e as
equaes que descrevem a operao do
transistor nos circuitos eletrnicos.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

10

8. Tiristores

Conhecer os tiristores, que so


dispositivos eletrnicos formados por
quatro camadas semicondutoras.
Compreender o processo de conduo e
disparo dos tiristores.
Conhecer as principais aplicaes desses
componentes, relacionadas automao
industrial.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

08

9. Introduo aos
circuitos integrados

Conhecer os circuitos integrados ou


microchips e as suas vantagens quando
utilizados em equipamentos mais
complexos.
Conhecer a classificao dos microchips
quanto aplicao, grau de integrao e
forma de encapsulamento.

Ambiente virtual: plataforma


moodle.
Apostila didtica.
Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

08

AULA

e-Tec Brasil

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Eletrnica

Aula 1 Introduo eletrnica

Objetivos da aula
Compreender o conceito de eletrnica.
Conhecer as principais descobertas que contriburam para a evoluo da eletrnica.
Conhecer algumas aplicaes prticas da eletrnica.

Nesta aula vamos estudar o que a eletrnica e alguns dos principais fatos
histricos que marcaram a evoluo da eletrnica at a atualidade.
Eletrnica o campo da cincia e da engenharia que estuda a forma de
controlar a energia eltrica atravs de dispositivos e meios condutores ou
semicondutores. A compreenso dos conceitos fundamentais da eletrnica,
dos principais dispositivos e circuitos edifica a base tcnica necessria formao do tcnico industrial. A seguir elencaremos uma srie de fatos que
contriburam para o atual estgio da eletrnica.

http://pt.wikipedia.org/wiki/
Eletr%C3%B4nica#Hist.
C3.B3rico

A eletrnica tem como um dos marcos iniciais a descoberta dos raios catdicos por Hittorf em 1869 e, com a verificao, em 1886, da existncia dos
raios positivos cujo estudo logo revelou a sua natureza corpuscular. A teoria
eletromagntica de Maxwell previa, por meio de clculos, a existncia de
ondas eletromagnticas. Hertz as detectou e estudou em 1888. A deteco
dessas ondas tornou-se fcil graas ao chamado coerenciador de Branly. Em
1895, Popov inventou a antena, o que permitiu a Marconi a realizao, no
mesmo ano, de uma transmisso de sinais de telegrafia sem fio (TSF) atravs
de uma distncia de vrias dezenas de quilmetros. Pode-se dizer que essa
foi a primeira aplicao prtica da eletrnica. A inveno das vlvulas eletrnicas, o diodo (Fleming, 1904) e o triodo (Lee De Forest, 1906) permitiram
a produo permanente de ondas, sua amplificao, sua modulao e sua
recepo, tornando possvel a radiodifuso. O emprego de clulas fotoel-

Aula 1 - Introduo eletrnica

15

e-Tec Brasil

tricas e o oscilgrafo de raios catdicos, inventado em 1897 por Braun, permitiram a criao do cinema falado, da televiso, do microscpio eletrnico,
do radar e de outros.
Atualmente, so as novas invenes da tecnologia as condicionantes do desenvolvimento da eletrnica. A fase da miniaturizao dos equipamentos
comearam aps a descoberta do transistor por Bardeen, Brattain e Shockley
em 1947 e a utilizao dos semicondutores (Figura 1.1). Nos anos 60, desenvolveu-se a fabricao de vrios transistores em um mesmo substrato
de silcio, os chamados wafers (Figura 1.1). Surge, ento, a integrao de
componentes eletrnicos em larga escala, diminuindo o tamanho e o custo
dos equipamentos, e aumentando consideravelmente a sua confiabilidade.
O desenvolvimento da integrao permitiu a implantao, sobre uma s pea
de silcio, de sistemas mais complexos, assim como a diminuio dos custos.
Isso explica a revoluo tecnolgica iniciada ao longo dos anos 70, com o
aparecimento dos microprocessadores. No incio dos anos 80, desenvolvese uma nova fase com o tratamento automtico da palavra, que confere s
mquinas voz (sntese automtica) e audio (reconhecimento automtico),
ao passo que os avanos realizados nos reconhecimentos de formas levam
feitura de mquinas de capacidade anloga do olho humano.
A aplicao da eletrnica estende-se a numerosas tcnicas e campos: udio,
vdeo, informtica, telecomunicaes, tratamento de sinais, eletrnica mdica, automao, eletrodomsticos, entretenimento, etc.

Figura 1.1: Wafer e cilindro de silcio puro


Fonte: http://www.fxconsult.com.br

e-Tec Brasil

16

Eletrnica

Resumo
Nessa aula estudamos o conceito de eletrnica, os principais fatos histricos
que contriburam para a sua evoluo da eletrnica e alguns exemplos de
aplicao prtica.

Atividades de aprendizagem
1. O que eletrnica?
2. Qual a importncia da eletrnica na sua vida cotidiana?
3. Qual o principal elemento qumico utilizado atualmente na eletrnica?
4. Qual a descoberta que possibilitou a miniaturizao e o desenvolvimento
de equipamentos eletrnicos portteis?

Aula 1 - Introduo eletrnica

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e-Tec Brasil

Aula 2 Fsica dos materiais

Objetivos
Compreender a estrutura do tomo e suas partculas elementares.
Reconhecer as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e
semicondutores de eletricidade.
Compreender os processos de dopagem de semicondutores com a
inteno de produzir cristais eletricamente polarizados.

A estrutura atmica e a compreenso das partculas eltricas bsicas so


fundamentais para o entendimento da Eletrnica. Nesta aula vamos conhecer essas partculas e as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e
semicondutores. Vamos compreender o processo que transforma um cristal
semicondutor puro em um cristal com cargas eltricas positivas ou negativas,
constituindo assim, a base para o desenvolvimento de toda a Eletrnica.

2.1 A estrutura do tomo


O tomo formado basicamente por trs tipos de partculas elementares:
eltrons, prtons e nutrons (Figura 2.1). A carga do eltron de polaridade
negativa, enquanto a do prton positiva. Os eltrons giram em torno do
ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num mximo de sete. Em cada
tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela
que participa das reaes qumicas. Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si
pelos seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada material tem uma
infinidade de caractersticas, mas em Eletrnica uma especial: o comportamento quanto passagem de corrente eltrica. Em relao a esta caracterstica pode-se dividir os materiais em trs tipos: os condutores, os isolantes
e os semicondutores.

Aula 2 - Fsica dos materiais

19

e-Tec Brasil

Figura 2.1: tomo


Fonte: CTISM

2.2 Materiais condutores


So materiais que permitem com facilidade a passagem de corrente eltrica.
Quanto mais fcil for a passagem de corrente eltrica, melhor condutor o
material. O que caracteriza o material como um bom condutor o fato de
os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando
grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um
eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido torna-se um eltron livre.

2.3 Materiais isolantes


So materiais que possuem uma resistividade eltrica muito alta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seus tomos, sendo que poucos eltrons conseguem
desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons livres.
Consegue-se um maior efeito isolante nas substncias compostas como a
borracha, a mica , a baquelite, os termoplsticos, etc.

2.4 Material semicondutor


Materiais isolantes podem conduzir eletricidade?
Os semicondutores so materiais que apresentam uma resistividade eltri-

e-Tec Brasil

20

Eletrnica

ca intermediria podendo apresentar caractersticas de isolante e condutor.


Como exemplos tm-se o germnio e o silcio. So estes os materiais de
maior importncia na Eletrnica atual, pois a partir deles so obtidos diversos
dispositivos que sero estudados neste curso.

2.5 Estudo dos semicondutores


Os tomos de germnio e silcio tm uma camada de valncia com quatro
eltrons. Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si,
formam uma estrutura cristalina (Figura 2.2), ou seja, so substncias cujos
tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada. Nessa
estrutura, cada tomo busca a sua estabilidade, unindo-se a quatro outros
tomos vizinhos. Atravs de ligaes covalentes, cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de
modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons.

Figura 2.2: Estrutura cristalina


Fonte: CTISM

Aula 2 - Fsica dos materiais

21

e-Tec Brasil

Figura 2.3: Formao de um eltron livre e de uma lacuna


Fonte: CTISM

Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo
era neutro e um eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome
de lacuna, sendo tambm conhecida como buraco (Figura 2.3). As lacunas
no tm existncia real, pois so apenas espaos vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma
ligao covalente rompida, surge simultaneamente um eltron livre e uma
lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de
uma lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao).
Tanto os eltrons como as lacunas sempre surgem e desaparecem aos pares.
Pode-se afirmar que o nmero de lacunas sempre igual ao de eltrons
livres. Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena
de potencial, os eltrons livres se movem em direo ao polo positivo e as
lacunas por consequncia se movem em direo ao polo negativo.

2.6 Impurezas
Os cristais de silcio ou germnio so encontrados na natureza misturados
com outros elementos. Por causa da dificuldade de se controlarem as caractersticas desses cristais realiza-se um processo de purificao do cristal.
Em seguida, so injetadas impurezas na ordem de uma para cada milho de

e-Tec Brasil

22

Eletrnica

tomos do cristal, com a inteno de alterar a produo de eltrons livres e


lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois
tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.

2.6.1 Impureza doadora


So adicionados tomos pentavalentes (com cinco eltrons na camada de
valncia. Ex.: Fsforo e antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de
um tomo de silcio dentro do cristal, absorvendo as suas quatro ligaes
covalentes; fica um eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente
(uma pequena energia suficiente para torn-lo livre).

http://pt.wikipedia.org/wiki/
Dopagem_eletr%C3%B4nica

2.6.2 Impureza aceitadora


So adicionados tomos trivalentes (tem trs eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro, alumnio e glio) ao cristal semicondutor. O tomo trivalente
entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal, absorvendo trs das
suas quatro ligaes covalentes. Isso significa que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou
excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:
a) Semicondutor tipo N o cristal que foi dopado com impureza doadora
chamado semicondutor tipo N, onde N est relacionado com negativo.
Como os eltrons livres excedem em nmero s lacunas num semicondutor tipo N, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as
lacunas, portadores minoritrios (Figura2.4).

Aula 2 - Fsica dos materiais

23

e-Tec Brasil

Figura 2.4: Cristal tipo N


Fonte: CTISM

b) Semicondutor tipo P o cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo P, onde P est relacionado com positivo.
Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres num semicondutor tipo P, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons
livres, portadores minoritrios (Figura2.5).

Figura 2.5: Cristal tipo P


Fonte: CTISM

e-Tec Brasil

24

Eletrnica

Resumo
Nessa aula estudamos a fsica dos materiais, identificando as principais partculas que compem o tomo e suas respectivas caractersticas eltricas.
Identificamos as caractersticas dos materiais isolantes, condutores e semicondutores. No estudo dos materiais semicondutores, compreendemos o
processo de dopagem que confere ao cristal uma polaridade positiva ou
negativa. Estes cristais polarizados tm relevante interesse para a eletrnica,
pois formam a base de todos os dispositivos eletrnicos. Nas prximas aulas
estudaremos diversos dispositivos eletrnicos e alguns de seus circuitos de
aplicao.

Atividades de aprendizagem
1. Quais so as partculas eletricamente carregadas de um tomo?
2. O que caracteriza um material condutor?
3. O que caracteriza um material no condutor?
4. O que caracteriza um material semicondutor?
5. O que uma estrutura cristalina?
6. O que o processo de dopagem de semicondutores?
7. Como se obtm um cristal semicondutor tipo N?
8. Como se obtm um cristal semicondutor tipo P?

Aula 2 - Fsica dos materiais

25

e-Tec Brasil

Aula 3 O diodo semicondutor

Objetivos
Compreender a estrutura bsica do diodo semicondutor de juno.
Reconhecer as curvas caractersticas de operao do diodo semicondutor de juno.
Empregar os termos tcnicos adequados e os dados necessrios a
especificao do diodo semicondutor.

O diodo de juno semicondutor o componente mais simples da eletrnica. formado pela unio de dois cristais eletricamente polarizados. Nesta
aula vamos estudar este importante componente. Vamos compreender tambm a sua operao em um circuito eltrico, em que capaz de controlar de
forma direcional o fluxo de corrente eltrica.

3.1 O diodo semicondutor de juno


Com a unio de um cristal tipo P e um cristal tipo N, obtm-se uma juno
PN, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de
juno (Figura 3.1).

Figura 3.1: Estrutura bsica de um diodo semicondutor de juno


Fonte: CTISM

Aula 3 - O diodo semicondutor

27

e-Tec Brasil

Devido repulso mtua entre os eltrons livres do lado N, os eltrons espalham-se em todas as direes. Alguns atravessam a juno e se combinam
com as lacunas (Figura 3.2). Cada vez que um eltron atravessa a juno, cria
um par de ons, a lacuna desaparece, e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo), enquanto o tomo do cristal N que
perdeu o eltron, torna-se um on positivo.

Figura 3.2: Combinaes de eltrons livres e lacunas


Fonte: CTISM

Os ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente.


medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno fica sem
eltrons livres e sem lacunas. Chamamos essa regio de zona de depleo
(Figura 3.3).

Figura 3.3: Zona de depleo


Fonte: CTISM

Materiais isolantes podem conduzir eletricidade?


Alm de certo ponto, a zona de depleo age como uma barreira, impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da zona

e-Tec Brasil

28

Eletrnica

de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno, at que se


atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs da zona de depleo
chamada de barreira de potencial. Na temperatura de 25C, esta barreira
de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio. O smbolo mais usual para o
diodo mostrado na Figura 3.4.

Figura 3.4: Smbolo do diodo


Fonte: CTISM

3.2 Polarizao do diodo


Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Se conectarmos uma bateria aos terminais do diodo, haver uma
polarizao direta, caso o polo positivo da bateria for colocado em contato
com o material tipo P, e o polo negativo em contato com o material tipo N.

3.2.1 Polarizao direta


No material tipo N os eltrons so repelidos pelo polo negativo da bateria
e empurrados para a juno. No material tipo P, as lacunas tambm so repelidas pelo terminal positivo e tendem a penetrar na juno. Isso diminui a
zona de depleo. Para haver fluxo livre de eltrons, a tenso da bateria tem
de sobrepujar o efeito da zona de depleo. ento estabelecido um fluxo
de corrente eltrica atravs do dispositivo.

3.2.2 Polarizao reversa


Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno PN, isto , ligando o polo
positivo da bateria no material tipo N e o polo negativo no material tipo P, a
juno fica polarizada inversamente. No material tipo N os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato anlogo ocorre
com as lacunas do material do tipo P. Podemos dizer que, nesta condio, o
potencial eltrico da bateria aumenta a zona de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de um cristal para o outro.

Aula 3 - O diodo semicondutor

29

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3.3 Curva caracterstica de um diodo


A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor
da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo
(Figura 3.5).

http://pt.wikipedia.org/wiki/
Dopagem_eletr%C3%B4nica

Figura 3.5: Curva caracterstica do diodo semicondutor


Fonte: CTISM

3.3.1 Curva na polarizao direta


A curva de operao do diodo no uma reta como no caso de um resistor,
portanto o diodo um componente no linear (Figura 3.6).

Figura 3.6: Polarizao direta do diodo


Fonte: CTISM

a) Tenso de joelho aplicando-se a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira de potencial. medida
que a tenso aplicada no diodo aproxima-se do potencial da barreira, os
eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes
quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso joelho (no silcio aproximadamente 0,7 V).

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30

Eletrnica

3.3.2 Curva na polarizao reversa do diodo


O diodo polarizado reversamente conduz uma corrente eltrica extremamente pequena (corrente de fuga). Aumentando-se a tenso reversa aplicada sobre o diodo, em um determinado momento, atinge-se a tenso de
ruptura a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente, causando a destruio do diodo semicondutor (Figura 3.7).

Figura 3.7: Polarizao reversa do diodo


Fonte: CTISM

3.4 Especificaes de um diodo


Para a correta especificao de um diodo so fundamentais dois parmetros:
IFAV Corrente mdia mxima em conduo direta (A).
URRM Mxima tenso reversa repetitiva de pico (V).
A no observncia destes parmetros nos circuitos eletrnicos causa a destruio do componente. Veja na Figura 3.8 um exemplo de especificao de
um diodo.

Aula 3 - O diodo semicondutor

31

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Figura 3.8: Diodo de baixa potncia


Fonte: commons.wikimedia.org

Resumo
Nessa aula estudamos o diodo semicondutor de juno. Foi possvel observar que se trata do dispositivo mais simples da Eletrnica, pois formado
pela juno de apenas dois cristais com polaridades opostas. Apesar de sua
simplicidade, amplamente utilizado, j que tem como caracterstica controlar o fluxo de corrente eltrica atravs de sua juno, permitindo assim
a circulao de corrente eltrica apenas no sentido de nodo para ctodo.
Na aula seguinte estudaremos os circuitos retificadores que so as principais
aplicaes dos diodos semicondutores de juno.

Atividades de aprendizagem
1. O que um diodo semicondutor de juno?
2. Como chamado o terminal positivo do diodo?
3. Como chamado o terminal negativo do diodo?
4. O que zona de depleo?
5. O que a polarizao de um diodo?
6. Qual o comportamento do diodo quando diretamente polarizado?
7. Qual o comportamento do diodo quando reversamente polarizado?
8. Quais os principais parmetros na especificao de um diodo?

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Eletrnica

Aula 4 Circuitos retificadores

Objetivos
Compreender o processo de transformao da corrente alternada
em corrente contnua pela aplicao dos diodos semicondutores.
Reconhecer os tipos de processos de retificao e suas respectivas
caractersticas.
Empregar corretamente as equaes matemticas que descrevem
os processos de retificao.

comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias como forma de prover


energia eltrica. Entretanto, a utilizao da energia eltrica em corrente alternada nas residncias e indstrias uma alternativa econmica mais vivel.
Para a utilizao dessa forma de energia, torna-se necessrio um circuito
que converta a tenso alternada em tenso contnua, de forma compatvel
com os circuitos eletrnicos. O diodo um componente fundamental nessa
transformao.

4.1 Onda senoidal


A onda senoidal um sinal eltrico produzido em todos os geradores de
energia eltrica em corrente alternada. a mesma tenso disponvel em
qualquer tomada de energia residencial ou industrial (Figura 4.1).

Aula 4 - Circuitos retificadores

33

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Figura 4.1: Onda senoidal


Fonte: CTISM

Frequncia angular a taxa de variao temporal de algum ngulo = 2..f


A equao 4.1 representa a onda senoidal.

Onde:
u(t) = tenso instantnea (V)
UP = tenso de pico (V)
= velocidade angular (rad/s)
= ngulo de defasagem (rad)
f = frequncia (Hz)
Algumas maneiras de se referir aos valores da onda:
Valor de pico UP Valor mximo que a onda atinge em um perodo;

Valor de pico a pico (UPP) Diferena entre o mximo e mnimo que a onda
atinge UPP = UP - (- UP) = 2 UP

Valor eficaz (Urms) (Root Mean Square) Valor indicado pelo voltmetro
quando na escala de corrente alternada (CA).

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Eletrnica

A relao entre tenso de pico e tenso eficaz representada pela equao 4.2.

Valor mdio a quantidade indicada em um voltmetro quando na escala de corrente contnua (CC). O valor mdio utilizado para grandezas
expressas em CC.

4.2 Circuito retificador de meia onda


O circuito retificador de meia onda converte a tenso de entrada CA numa
tenso contnua pulsante. Esse processo de converso de CA para CC conhecido como retificao (Figura 4.2).

Figura 4.2: Circuito retificador de meia onda


Fonte: CTISM

Durante o semiciclo positivo, o diodo est ligado no sentido direto e age


como uma chave fechada. Pela lei das malhas, toda a tenso da fonte incide sobre a carga. Durante o semiciclo negativo, o diodo est polarizado
reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica
circulando, no h tenso sobre o resistor, e toda a tenso da fonte aplicada sobre o diodo. Este circuito conhecido como retificador de meio ciclo
porque somente o semiciclo positivo estar presente na carga (Figura 4.3).

Aula 4 - Circuitos retificadores

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Figura 4.3: Tenso retificada na carga


Fonte: CTISM

O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao retificador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo
e, normalmente chamado de resistor de carga, ou simplesmente de carga.
a) Valor CC ou valor mdio a tenso mdia de um retificador de meia
onda medida por um voltmetro, calculada pela equao 4.3:

4.3 Circuito retificador de onda completa


A Figura 4.4 mostra um circuito retificador de onda completa com duas
fontes CA. Observe a tomada central entre as duas fontes. Por causa dessa
tomada, o circuito equivalente a dois retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tenso da fonte superior,
enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo positivo da fonte inferior.

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36

Eletrnica

Figura 4.4: Circuito retificador de onda completa


Fonte: CTISM

As duas tenses denominadas de U1 e U2 na Figura 4.4 so idnticas em


amplitude e fase. Quando a fonte superior positiva, D1 est diretamente
polarizado e conduz, mas D2 est reversamente polarizado. Analogamente,
quando a fonte inferior positiva, D2 conduz e D1 est reversamente polarizado. Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o
resistor de carga (Figura 4.5).

Figura 4.5: Tenso retificada na carga


Fonte: CTISM

a) CC ou valor mdio a tenso mdia de um retificador de onda completa equivale ao dobro da tenso de sada de um retificador de meia onda,
pois agora o circuito opera com um ciclo completo da tenso alternada.

Aula 4 - Circuitos retificadores

37

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b) Frequncia de sada a frequncia de sada no circuito de onda completa o dobro da frequncia de entrada. Supondo que a tenso de
entrada tenha uma frequncia de 60Hz, a onda retificada ter uma frequncia de 120Hz o que corresponde a um perodo de 8,33ms.

4.4 Circuito retificador de onda completa


em ponte
Na Figura 4.6 mostra-se um retificador de onda completa em ponte. Utilizando-se quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso de duas fontes.
Durante o semiciclo positivo da tenso U, o diodo D3 recebe um potencial
positivo em seu nodo, e o D2 um potencial negativo no ctodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem enquanto os diodos D1 e D4 ficam reversamente polarizados. O resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U.
Durante o semiciclo negativo da tenso U, o diodo D4 recebe um potencial
positivo em seu nodo, e o diodo D1 um potencial negativo no terminal ctodo, devido inverso da polaridade de U. Os diodos D1 e D4 conduzem, e
os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizados.
A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido, caracterizando, portanto, uma tenso Ucc contnua.

Figura 4.6: Circuito retificador em ponte


Fonte: CTISM

O valor de Ucc obtido conforme equao 4.4.

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Eletrnica

Resumo
Nessa aula, estudamos os circuitos retificadores, os quais so as principais
aplicaes dos diodos semicondutores de juno. Os circuitos retificadores
realizam a converso da energia eltrica de forma alternada, produzida pelas
mquinas das usinas geradoras, para a forma contnua, utilizada nos circuitos eletrnicos em geral. Na aula seguinte, conheceremos outros tipos de
diodos com suas respectivas aplicaes.

Atividades de aprendizagem
1. Qual a principal aplicao do diodo semicondutor?
2. O que significa valor de pico de uma onda senoidal?
3. Explique o comportamento do diodo em um circuito retificador de meia
onda.
4. Explique o funcionamento do circuito retificador de onda completa com
duas fontes senoidais de energia.
5. Explique o funcionamento do circuito retificador de onda completa em
ponte.

Aula 4 - Circuitos retificadores

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Aula 5 Tipos especiais de diodos

Objetivos
Conhecer novos componentes eletrnicos baseados no diodo semicondutor de juno.
Compreender as suas aplicaes prticas.
Aplicar corretamente as equaes matemticas pertinentes ao dimensionamento e operao destes componentes.

Nesta aula sero estudados trs tipos especiais de diodos com ampla aplicao prtica nos equipamentos eletrnicos. O primeiro componente a ser
estudado o LED, utilizado para sinalizar ou converter eletricidade em luz.
Posteriormente ser estudado o FOTODIODO, que realiza a operao inversa
do LED, ou seja, transforma sinais luminosos em eletricidade. Por ltimo, o
DIODO ZENER com ampla aplicao em circuitos estabilizadores de tenso.

5.1 Diodo emissor de luz


O diodo emissor de luz (LED) o que polarizado diretamente emite luz visvel
(amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha (invisvel).
Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material
opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo, veja a Figura
5.2. amplamente utilizado como elemento sinalizador em equipamentos
devido a sua longa vida til, baixa tenso de acionamento e alta eficincia. A
polarizao do LED similar ao diodo comum, porm sempre em srie com
um resistor limitador de corrente, conforme a Figura 5.1. O LED simbolizado com setas apontando para fora como smbolo de luz irradiada.

http://saber.sapo.cv/wiki/
Diodo#Tipos_de_diodos_
semicondutores

Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica


(ULED) de 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA (IL).

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

41

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Figura 5.1: Circuito de polarizao do LED


Fonte: CTISM

Figura 5.2: Vista interna do LED


Fonte: CTISM

5.2 Fotodiodo
um diodo com uma janela transparente que torna sua pastilha semicondutora sensvel luz (Figura 5.3). O fotodiodo opera reversamente polarizado.
Quando uma energia luminosa incide numa juno PN, injeta mais energia

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Eletrnica

nos eltrons de valncia e, com isso, gera mais eltrons livres. Quanto mais
intensa for a luz na juno, maior ser a corrente reversa no fotodiodo.
O fotodiodo tem grande aplicao nos sistemas de comunicao de dados
por meio luminoso, por se tratar de um excelente conversor de luz em sinal
eltrico.

Figura 5.3: Fotodiodo


Fonte: CTISM

5.3 Diodo zener


O diodo zener construdo especialmente para trabalhar na regio da tenso de ruptura. A Figura 5.4 mostra a curva caracterstica do diodo zener. A
sua representao grfica est indicada na Figura 5.5.

Tabela do diodo zener:


http://www.esquemas.org/
Zeners.htm

Figura 5.4: Curva caracterstica do diodo zener


Fonte: CTISM

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

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Figura 5.5: Smbolo do diodo zener


Fonte: CTISM

O diodo zener comporta-se como um diodo comum quando polarizado diretamente. Nas suas aplicaes prticas o zener deve ser polarizado reversamente e conectado em srie com um resistor limitador de corrente, veja a
Figura 5.6.

Figura 5.6: Circuito de operao do diodo zener


Fonte: CTISM

Figura 5.7: Reta de carga do diodo zener


Fonte: CTISM

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Eletrnica

a) Diodo zener ideal o diodo zener ideal comporta-se como uma chave
fechada para tenses positivas ou tenses negativas menores que UZ. Ele
se comportar como uma chave aberta para tenses negativas entre zero
e UZ, conforme representado na sua curva caracterstica da Figura 5.7.
b) Corrente mxima no zener a corrente mxima que o diodo zener
suporta depende da potncia e da tenso do diodo.

Resumo
Nessa aula, estudamos o diodo LED que tem como finalidade emitir luz onde
for necessrio sinalizar ou produzir um sinal luminoso, o FOTODIODO, dispositivo capaz de converter informaes luminosas em sinais eltricos e, por
ltimo, estudamos as caractersticas do DIODO ZENER, dispositivo que se
aplica aos diversos sistemas de regulao de tenso e, em especial, s fontes
de alimentao que sero estudadas na aula a seguir.

Atividades de aprendizagem
1. O que um LED?
2. Quais as principais aplicaes do LED?
3. O que um fotodiodo?
4. Quais as principais aplicaes do fotodiodo?
5. O que um diodo zener?
6. Quais as aplicaes do diodo zener?

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

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Aula 6 Fontes de alimentao

Objetivos
Compreender a operao e os principais componentes das fontes
de alimentao.
Aplicar corretamente as equaes matemticas que descrevem a
operao dos circuitos eletrnicos.
Compreender e aplicar corretamente as leis fundamentais da eletricidade, do magnetismo e do eletromagnetismo.

Conforme estudado at este momento, os componentes eletrnicos necessitam de um suprimento de energia eltrica para o seu correto funcionamento. Esse suprimento de energia pode ser proveniente de baterias ou pilhas.
Entretanto, muitos equipamentos destinam-se a aplicaes residenciais ou
industriais cuja principal fonte de energia a rede eltrica de corrente alternada. Nesta aula estudaremos a forma de converter a energia das redes eltricas em energia adequada operao de um circuito eletrnico. Essa fonte
de energia composta por diversos componentes: transformador, circuito
retificador, capacitor de filtragem e circuito regulador de tenso. Cada componente ser estudado separadamente a seguir e, ao final da aula, teremos
a integrao de todas as partes.

6.1 O transformador
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 50 UCC, enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma
ser de 127 Urms ou 220 Urms. Logo, a primeira etapa de processamento da
energia o rebaixamento do nvel de tenso. O componente utilizado para
essa tarefa o transformador que opera segundo os princpios do eletromagnetismo. O transformador constitudo por duas bobinas (chamadas
de enrolamentos) unidas magneticamente por um ncleo. A energia flui de
uma bobina para outra pelo fluxo magntico.

Aula 6 - Fontes de alimentao

47

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Na Figura 6.1 observa-se um exemplo de transformador utilizado em fontes


de energia de baixa potncia.

Figura 6.1: Transformador monofsico de baixa potncia


Fonte: CTISM

Na Figura 6.2 a tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de


enrolamento primrio e a tenso de sada, ao enrolamento secundrio.

Figura 6.2: Representao grfica de um transformador e transformador com vrias tenses


Fonte: CTISM

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Eletrnica

No transformador ideal:

onde:
U1 tenso no primrio;
U2 tenso no secundrio;
N1 nmero de espiras no enrolamento primrio;
N2 nmero de espiras no enrolamento secundrio.
A corrente eltrica no transformador ideal :

6.2 Circuitos retificadores


So circuitos que utilizam diodos semicondutores os quais convertem a energia eltrica alternada em corrente contnua. Observe na Figura 6.3, o circuito
retificador meia onda, na Figura 6.4, o circuito retificador onda completa e,
na Figura 6.5, o circuito retificador onda completa em ponte.

Figura 6.3: Transformador e circuito retificador meia onda


Fonte: CTISM

Aula 6 - Fontes de alimentao

49

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Figura 6.4: Transformador de tap central e circuito retificador onda completa


Fonte: CTISM

Figura 6.5: Transformador e circuito retificador onda completa em ponte


Fonte: CTISM

6.3 O capacitor de filtragem


Componente eletrnico, constitudo por duas placas condutoras, separadas
por um material isolante, chamado dieltrico (ver Figura 6.6).

Figura 6.6: Capacitor eletroltico


Fonte: CTISM

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50

Eletrnica

Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado, haver uma distribuio de cargas e, aps certo tempo, as tenses na bateria e no capacitor
sero as mesmas, deixando de circular corrente eltrica em direo ao capacitor (ver Figura 6.7).
Se o capacitor for desconectado da bateria, as cargas eltricas acumuladas
permanecem no capacitor, sendo, portanto, mantida a diferena de potencial no capacitor.
Os capacitores apresentam as seguintes caractersticas:
Armazena grandes cargas eltricas em suas placas;
Ope-se a variaes de tenso eltrica;
A capacidade de armazenar cargas depende da sua capacitncia;
Capacitncia medida em Farads (F) e seus submltiplos, F, nF, pF.
a) Carga e descarga do capacitor
Suponha que o capacitor esteja descarregado e, em t = 0s, a chave do circuito da Figura 6.7 fechada. Inicia-se o processo de carga, e a tenso nos
terminais do capacitor cresce at atingir a tenso da fonte de energia.

Figura 6.7: Processo de carga do capacitor


Fonte: CTISM

Na descarga do capacitor, ele est carregado e a chave fechada. A corrente


atravs do resistor decrescer conforme a Figura 6.8.

Aula 6 - Fontes de alimentao

51

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Figura 6.8: Processo de descarga do capacitor


Fonte: CTISM

6.3.1 A operao do capacitor de filtragem


A tenso de sada de um retificador sobre um resistor de carga pulsante.
Durante um ciclo completo na sada, a tenso no resistor aumenta a partir
de zero at o valor de pico e, depois, diminui retornando a zero. No entanto, a tenso de uma fonte de alimentao deve ser estvel. Para obter esse
tipo de tenso retificada na carga, torna-se necessrio o uso de filtro. O tipo
mais comum de filtro para circuitos retificadores o filtro com capacitor. O
capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga. Para entendermos o
funcionamento do filtro, supe-se o diodo como ideal e que, antes de ligar
o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado.
Idealmente, ele funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta
o enrolamento secundrio ao capacitor, ele carrega at o valor da tenso de
pico UP. Veja as Figuras 6.9, 6.10a e 6.10b.

Figura 6.9: Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo


Fonte: CTISM

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Eletrnica

Figura 6.10a: Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo


Fonte: CTISM

Figura 6.10b: Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo


Fonte: CTISM

Logo aps o pico positivo o diodo para de conduzir, o que significa uma
chave aberta. Isso devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico UP.
Como a tenso no secundrio ligeiramente menor que UP, o diodo fica
reversamente polarizado e no conduz. Com o diodo aberto, o capacitor
se descarrega por meio do resistor de carga. A idia do filtro a de que o
tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o perodo da tenso
de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte de
sua carga durante o tempo que o diodo estiver em aberto. O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio for maior que
a tenso no capacitor. Ele conduzir desse ponto at a tenso no secundrio
atingir o valor de pico UP.
A Figura 6.11 mostra a tenso retificada e filtrada sobre a carga. A tenso
na carga uma tenso contnua mais estvel. A diferena para uma tenso
contnua pura uma pequena ondulao (Ripple), causada pela carga e des-

Aula 6 - Fontes de alimentao

53

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carga do capacitor. Quanto menor a ondulao, maior ser o valor mdio da


tenso na carga. Uma forma de reduzir a ondulao optar pelo uso de um
retificador de onda completa, no qual a frequncia de ondulao o dobro.

Figura 6.11: Tenso retificada e filtrada


Fonte: CTISM

Pode-se relacionar a tenso de ondulao nas equaes 6.3 e 6.4, onde:


URipple = tenso de ondulao pico a pico (V);
ICC = corrente CC mdia na carga (A);
UCC = tenso CC mdia na carga (V);
UP = tenso de pico (V);
f = frequncia de ondulao (Hz);
C = capacitncia (F).
A escolha de um capacitor de filtro depende, ento, do valor da tenso de
ondulao. Como regra prtica, estipula-se a tenso de ondulao em 10%
da tenso de pico da onda senoidal.

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54

Eletrnica

6.4 Regulador de tenso com diodo zener


O circuito regulador de tenso com o diodo zener proporciona para carga
uma tenso constante mesmo com variaes de tenso na entrada (Us). Esse
um requisito essencial para as cargas Eletrnicas que no suportam grandes variaes de tenso para o seu correto funcionamento. O circuito regulador de tenso deve ser projetado para a condio mais severa de operao,
tendo como principal componente a ser projetado o resistor srie (RS). Veja
a Figura 6.12.

Figura 6.12: Regulador de tenso zener


Fonte: CTISM

US Tenso de entrada;
IZ Corrente no zener;
RS Resistncia srie;
UZ Tenso zener e tenso na carga.
a) Clculo do resistor RS para o correto projeto do resistor srie (RS),
devem-se observar duas condies extremas de operao:
1. Condio em que a fonte US est em seu valor mximo e a carga com
uma corrente mnima. Nessa condio a corrente sobre o zener ser limitada a um mximo de 90%, e ser definido o valor mnimo de RS.

2. Condio em que a fonte US est em seu valor mnimo e a carga com


uma corrente mxima. Nessa condio a corrente sobre o zener ser limitada a um mnimo de 10%, e ser definido o valor mximo de RS.

Aula 6 - Fontes de alimentao

55

e-Tec Brasil

O valor de resistor srie a ser selecionado deve estar compreendido entre o


valor mnimo e o mximo. Se, por ventura, o valor mnimo for maior que o
mximo, deve-se adotar um diodo zener de maior potncia, recalculando o
resistor srie RS. Veja a Figura 6.13.

Figura 6.13: Fonte de alimentao com circuito estabilizador de tenso


Fonte: CTISM

Resumo
Nessa aula, estudamos o transformador, responsvel pelo rebaixamento da
tenso alternada da rede eltrica para os nveis exigidos dos equipamentos
eletrnicos; os circuitos retificadores com diodos que convertem a energia alternada em energia na forma contnua; o circuito de filtragem com capacitor
que reduz as ondulaes e proporciona uma tenso mais estvel; e por fim,
o circuito estabilizador de tenso com diodo zener, capaz de produzir uma
tenso estvel para os sensveis circuitos dos equipamentos eletrnicos. As
operaes conjuntas dessas etapas de processamento de energia constituem
as fontes de alimentao para os circuitos eletrnicos.

Atividades de aprendizagem
1. O que uma fonte de alimentao? Qual o equipamento utilizado para
rebaixar tenses em corrente alternada?
2. Qual a finalidade dos circuitos retificadores?
3. Qual a vantagem da retificao em onda completa comparada retificao em meia onda?
4. Qual a finalidade do capacitor de filtro?
5. O que ocorre com o nvel da tenso retificada quando adicionamos o
capacitor de filtro?
6. Qual a finalidade do regulador de tenso com diodo zener?

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56

Eletrnica

Aula 7 O transistor bipolar

Objetivos
Conhecer o transistor de juno bipolar, componente que revolucionou a tecnologia.
Compreender o funcionamento e a operao do transistor em diversas aplicaes prticas.
Aplicar corretamente as leis e as equaes que descrevem a operao do transistor nos circuitos eletrnicos.

Existe uma infinidade de sinais eltricos cujos nveis de intensidade so extremamente baixos. Como exemplo, podem-se citar as correntes eltricas
que circulam no corpo humano, o sinal de sada de uma cabea de gravao, elementos sensores, etc. Para transform-los em sinais teis, torna-se
necessrio amplific-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento
principal nessa tarefa. Em 1947, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa
em relao s vlvulas, para realizar as funes de amplificao, deteco,
oscilao, comutao, etc. A partir desse marco, o desenvolvimento da eletrnica foi imenso (Figura 7.1).
Dentre todos os transistores, o bipolar o mais comum, o qual semelhante
ao diodo estudado anteriormente. A principal diferena que o transistor
formado por duas junes PN, enquanto o diodo por apenas uma.

Aula 7 - O transistor bipolar

57

e-Tec Brasil

Figura 7.1: Os inventores John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley e o primeiro
transistor
Fonte: www.porticus.org

7.1 Funcionamento do transistor bipolar


O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutores dopados. Dois cristais tipo N e um tipo P ou dois cristais tipo P e um tipo N. O primeiro chamado de transistor NPN e o segundo, de PNP. Veja a Figura 7.2.

Figura 7.2: Estrutura do transistor bipolar NPN e PNP


Fonte: CTISM

Cada um dos trs cristais que compem o transistor bipolar recebe o nome
relativo sua funo. O cristal do centro chamado de base, pois comum
aos outros dois cristais, levemente dopado e muito fino. O cristal da extremidade esquerda recebe o nome de emissor, por emitir portadores de carga,
fortemente dopado e, finalmente, o ltimo cristal tem o nome de coletor
por receber os portadores de carga, possui uma dopagem mdia. Apesar de
a Figura 7.2 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si
no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emis-

e-Tec Brasil

58

Eletrnica

sor e a base e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor
se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado
diodo emissor base e o da direita de coletor base. Nessa aula estudaremos o
funcionamento do transistor NPN. A anlise do transistor PNP similar do
NPN, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so
lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isso significa tenses e correntes invertidas se comparadas com o NPN.

7.2 Transistor no polarizado


A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas zonas de depleo. Cada zona tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V
(silcio) em 25C. Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as
zonas de depleo tm larguras diferentes. Quanto maior a largura, menor
a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor, bastante na base e
medianamente na regio do coletor.

7.3 Polarizao do transistor NPN


As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente, conforme a polaridade da tenso aplicada em seus terminais.

7.3.1 Polarizao direta


Na Figura 7.3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo base-emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o diodo base-coletor. Os eltrons livres entram
no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O
fluxo de corrente eltrica intenso nas duas junes.

Figura 7.3: Polarizao direta das duas junes


Fonte: CTISM

Aula 7 - O transistor bipolar

59

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7.3.2 Polarizao reversa


Na Figura 7.4 os diodos base-emissor e base-coletor ficam reversamente polarizados. A corrente eltrica que circula pelas duas junes muito pequena
(corrente de fuga).

Figura 7.4: Polarizao reversa das duas junes


Fonte: CTISM

7.3.3 Polarizao direta reversa


Na Figura 7.5 o diodo base-coletor est reversamente polarizado e diodo
base-emissor diretamente polarizado. Espera-se uma corrente de fuga no
diodo base-coletor e uma intensa corrente no diodo base-emissor. No entanto, isso no acontece, nos dois diodos as correntes so elevadas.

Figura 7.5: Polarizao direta e reversa das funes


Fonte: CTISM

No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo base-emissor,


os eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso
entre base e emissor (Ube) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor
penetram na regio da base. Esses eltrons na base podem retornar ao polo
negativo da bateria B1, ou atravessar a juno base-coletor, atingindo a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so
chamados de corrente de recombinao. Ela pequena, porque a base
pouco dopada. Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base

e-Tec Brasil

60

Eletrnica

atravessam a juno base-coletor. Essa juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas)
para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem dificuldade
a zona de depleo e penetram na regio de coletor. L os eltrons livres so
fortemente atrados para o polo positivo da bateria B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo base-emissor, injetada uma
alta corrente em direo base. Na base uma pequena parcela da corrente,
por recombinao, retorna ao polo negativo da bateria B1 e o restante da
corrente flui para o coletor e da para o polo positivo da bateria B2.
Obs.: Considerar a tenso coletor-base (Ucb) bem maior que a tenso emissor-base (Ube). Veja a Figura 7.6.

Figura 7.6: Fluxo de eltrons


Fonte: CTISM

7.4 Polarizao do transistor PNP


No transistor PNP as regies dopadas so contrrias s do transistor NPN.
Isso significa que as lacunas so portadoras majoritrias no emissor em vez
dos eltrons livres. O funcionamento descrito a seguir: O emissor injeta
lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula em direo ao coletor.
Por essa razo, a corrente de coletor quase igual do emissor. A corrente
de base muito menor que essas duas correntes.
Qualquer circuito com transistor NPN pode ser convertido para uso de transistor PNP. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao dos diodos e capacitores polarizados. O funcionamento do circuito
ser idntico ao modelo com transistor NPN. Considerando esta similaridade,
neste curso os circuitos analisados sero sempre com transistores NPN.

Aula 7 - O transistor bipolar

61

e-Tec Brasil

Figura 7.7: Correntes nos transistores NPN e PNP respectivamente


Fonte: CTISM

A Figura 7.7 mostra os smbolos que representam os transistores NPN e PNP,


respectivamente. A diferenciao entre os tipos de transistores na representao grfica feita pela seta no pino do emissor. A direo da seta mostra
o fluxo de corrente convencional e tambm o sentido das correntes convencionais Ib, Ic e Ie.
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes que
chegam a um n igual soma de todas as correntes que partem desse
mesmo n. Considerando o transistor como um nico n, e aplicando-se a
lei de correntes de Kirchhoff, obtm-se a equao 7.1.

A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base


chamada de ganho de corrente, designado pelo parmetro CC:

Em geral, mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor praticamente igual corrente de coletor.

7.5 Montagem bsica com transistor


Na Figura 7.8 o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao
emissor. Nesse caso, denomina-se o circuito como emissor comum. Alm da
montagem em emissor comum, existe a montagem em coletor e em base
comuns. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que
contm a tenso Ube e a malha da direita, com a tenso Uce. Aplicando-se a
lei das malhas de tenso de Kirchhoff, obtm-se as equaes 7.3 e 7.4.

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62

Eletrnica

Figura 7.8: Polarizao do transistor em emissor comum


Fonte: CTISM

Na juno base-emissor, temos um diodo diretamente polarizado. Isso nos


leva a uma relao entre Ib e Ube, ou seja, para cada Ib existe uma tenso Ube
correspondente. Naturalmente, essa curva semelhante curva do diodo de
juno diretamente polarizado. Veja Figura 7.9.

Figura 7.9: Relao entre Ib e Ube


Fonte: CTISM

Aula 7 - O transistor bipolar

63

e-Tec Brasil

Na Figura 7.10 pode-se visualizar a relao entre a corrente de base IB, a


corrente de coletor IC e a tenso entre os terminais de coletor e emissor UCE.
Essa Figura 7.10 fundamental na determinao do ponto de operao do
transistor que pode se encontrar em trs regies distintas:
a) Regio de corte nessa regio, a corrente de base e de coletor so
praticamente nulas e a tenso entre os terminais de coletor e emissor
praticamente igual a da fonte de alimentao do circuito;
b) Regio ativa ou linear nessa regio, a corrente de base apresenta um
valor determinado, conforme as diferentes curvas do grfico. A corrente
de coletor determinada no eixo das ordenadas e o valor de tenso entre
os terminais de coletor e emissor, no eixo das abcissas;
c) Regio de saturao essa regio definida pelo contorno esquerda do grfico, onde a corrente de coletor apresenta valores elevados,
enquanto a tenso entre o coletor e o emissor relativamente pequena.

Figura 7.10: Ponto de operao do transistor


Fonte: CTISM

7.6 O modelo de Ebers-Moll


Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em
trabalhar com o transistor em nvel de malhas. Uma opo utilizar um circuito equivalente para o transistor, usando componentes mais simples como
fontes e resistores.

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64

Eletrnica

O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente ao transistor, vlido apenas para a operao na regio ativa, ou seja, o diodo base-emissor polarizado diretamente; o diodo base-coletor polarizado reversamente e a tenso do
diodo base-coletor menor que a tenso de ruptura do dispositivo. Observe a
Figura 7.5. O modelo faz algumas simplificaes:
Ube = 0,7V

Despreza a diferena de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistncia de espalhamento da base.

Figura 7.11: Modelo Ebers-Moll


Fonte: CTISM

7.7 Polarizao em corrente contnua de


transistores

Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de aplicaes e os transistores para cada funo tm um ponto de funcionamento correto. Estudaremos, a seguir, a forma de estabelecer o ponto de operao ou quiescente
de um transistor, isto , como polariz-lo.
a) Reta de carga a Figura 7.12 mostra um circuito com polarizao de
emissor comum. O desafio consiste em saber os valores de correntes e
tenses nos diversos componentes. Uma forma de soluo o uso da
reta de carga.

Aula 7 - O transistor bipolar

65

e-Tec Brasil

Figura 7.12: Polarizao do transistor em emissor comum


Fonte: CTISM

Usa-se a reta de carga em transistores para obter as correntes Ic e Uce, considerando a existncia de um resistor de coletor Rc. A anlise da malha formada pela fonte de tenso Ucc, Rc e Uce (ver equao 7.6) leva-nos a determinao da corrente Ic:

Nessa equao, existem duas incgnitas Ic e Uce. A soluo desse impasse


utilizar o grfico Ic x Uce. Com o grfico em mos (Figura 7.13), podemos
calcular os extremos da reta de carga:
Fazendo: UCE = 0 IC = UCC / RC, determinamos o ponto sobre o eixo das
ordenadas;
Fazendo: IC = 0 UCE = UCC, determinamos o ponto sobre o eixo das abcissas.
A partir da definio desses dois pontos, temos a reta de carga para este
circuito.

Definida uma corrente de base Ib, obtemos os valores de Ic e Uce sobre a reta
de carga.

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66

Eletrnica

Exemplo
Vamos definir a reta de carga para o circuito da Figura 7.12 e determinar os
valores de IC e UCE de operao do transistor.
Os dois pontos necessrios para definir a reta de carga so:
UCE = 0 IC = UCC / RC = 15/1500 = 10mA ponto no eixo das ordenadas.
IC = 0 UCE = UCC = 15V ponto sobre o eixo das abcissas.

A corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB e definida por:


Ib = (15-0,7) / 500.000 = 30A.

Figura 7.13: Reta de carga na curva do transistor


Fonte: CTISM

Aps traar a reta de carga na curva do transistor, chega-se aos valores de Ic


= 6mA e Uce = 5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q - ponto
quiescente). O ponto Q varia conforme o valor de Ib. Um aumento na corrente de base Ib aproxima o transistor da regio de saturao, e uma diminuio
de Ib leva o transistor regio de corte (ver a figura 7.13).
O ponto onde a reta de carga intercepta a curva Ib = 0 conhecido como
corte. Nesse ponto a corrente de base zero e a corrente do coletor muito
pequena (Iceo). A interseo da reta de carga e a curva Ib = Ib (SAT) so chamadas saturao. Nesse ponto a corrente de coletor mxima. Ver Figura 7.14.

Aula 7 - O transistor bipolar

67

e-Tec Brasil

Figura 7.14: Regio de operao do transistor


Fonte: CTISM

7.8 O transistor operando como chave


Uma das operaes mais comuns para o transistor bipolar operar como
uma chave controlada, isto , um dispositivo capaz de permitir ou no a conduo da corrente eltrica. Se o transistor for levado a uma operao na regio de saturao ir se comportar como uma chave fechada do coletor para
o emissor. Permitir assim, a passagem de corrente entre estes terminais. Por
outro lado, quando o transistor est na regio de corte, como uma chave
aberta. Todo esse processo depende, exclusivamente, da intensidade de corrente na base do transistor.
a) Corrente de base a corrente de base controla a posio da chave. Se
Ib for zero, a corrente de coletor prxima de zero e o transistor est em
corte (chave aberta). Se Ib for Ib (SAT) ou maior, a corrente de coletor
mxima e o transistor satura. Saturao fraca significa que o transistor
est levemente saturado, isto , a corrente de base apenas suficiente
para operar o transistor na extremidade superior da reta de carga. Saturao significa dispor de corrente na base suficiente para saturar o transistor para todas as variaes de valores de cc. No pior caso de temperatura e corrente, a maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal tem
um cc maior do que 10. Portanto, uma boa orientao de projeto para
a saturao forte de considerar um cc (SAT) = 0,1.CC, ou seja, dispor
de uma corrente de base que seja de aproximadamente um dcimo do
valor saturado da corrente de coletor.

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68

Eletrnica

7.9 O transistor operando como fonte de


corrente
A Figura 7.15 mostra um transistor operando como fonte de corrente. Ele
tem um resistor de emissor Re entre o emissor e o ponto comum. A corrente
de emissor circula por esse resistor, produzindo uma queda de tenso de Ie.Re.

Figura 7.15: Transistor operando como fonte de corrente


Fonte: CTISM

A soma das tenses da malha de entrada :

Logo:

Como Ube, Ubb, e Re so aproximadamente constantes, a corrente no emissor


constante, independentemente de cc, Rc ou da corrente de base.

7.10 O transistor operando como


amplificador
Antes de o transistor amplificar pequenos sinais ele deve estar devidamente
polarizado na regio ativa de operao. O circuito mais usado em amplifi-

Aula 7 - O transistor bipolar

69

e-Tec Brasil

cadores chamado de polarizao por divisor de tenso conforme a Figura


7.16. A principal vantagem desse circuito a independncia da sua operao em relao a variaes do ganho do transistor (cc). Nesse circuito fixa-se
uma tenso na base do transistor, via os resistores R1 e R2. Deve-se ter ateno para que o valor da corrente (I) em R1 seja bem maior que a corrente de
base (Ib).
Dessa forma, a corrente Ib no influenciar na tenso sobre R2. Como regra
prtica considera-se a corrente I, 20 vezes maior que Ib. Para a anlise da tenso
em UR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de tenso. Supondo I >> Ib:

Figura 7.16: Polarizao por divisor de tenso


Fonte: CTISM

Aps obter o valor de UR2 torna-se simples o clculo de Ie. Deve-se utilizar a
equao das tenses da malha formada pela base e emissor do transistor:
UR2 = URe + Ube
Como URe = Ie .Re

e-Tec Brasil

70

Eletrnica

Analisando as tenses da malha de sada formada pelo coletor e emissor do


transistor:
UCC = Rc.Ic + Uce + Re.Ic
E considerando Ie = Ic
Tem-se: UCC = Ic (Rc + Re)+ Uce

Notar que o ganho do transistor cc no aparece na frmula da corrente


de coletor. Isso quer dizer que o circuito imune a variaes em cc, o que
implica um ponto de operao estvel. Por isso, a polarizao por divisor de
tenso amplamente utilizada.
a) Dicas de projeto considerar:
Uce = 0,5.UCC
URe = 0,1.UCC
R2 0,1cc.Re
b) Amplificadores de sinal emissor comum pode-se, ento, considerar os transistores devidamente polarizados com seu ponto de operao
prximo ao meio da reta de carga para uma mxima excurso do sinal
de entrada sem distoro. Ao injetar um pequeno sinal CA base do
transistor, ele se somar s tenses contnuas de polarizao e induzir
flutuaes na corrente de coletor de mesma forma e frequncia. Ele ser
chamado de amplificador linear (ou de alta-fidelidade Hi-Fi) se no mudar a forma do sinal na sada. Desde que a amplitude do sinal de entrada
seja pequena, o transistor usar somente uma pequena parte da reta de
carga, e a operao ser linear. Caso o sinal de entrada apresente elevada
amplitude, as flutuaes ao longo da reta de carga levaro o transistor a
condies de saturao. Um circuito amplificador mostrado na Figura
7.17. A polarizao por divisor de tenso. A entrada do sinal acoplada
base do transistor via o capacitor C1, e a sada do sinal acoplada
carga RL atravs do capacitor C2. O capacitor funciona como uma chave

Aula 7 - O transistor bipolar

71

http://pt.wikipedia.org/wiki/
Amplificador

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aberta para corrente contnua e como chave fechada para a corrente alternada. Essa ao permite obter um sinal CA de um estgio para outro,
sem perturbar a polarizao CC de cada estgio.

Figura 7.17: Amplificador de sinal emissor comum


Fonte: CTISM

Esta etapa amplificadora de pequenos sinais apresenta as seguintes caractersticas:


Elevado ganho de tenso para pequenos sinais;
Independncia com relao s variaes de ganho do transistor;
Inverso da fase do sinal de sada.

Resumo
Nessa aula conhecemos um dos maiores inventos da atualidade, o transistor
bipolar, que um componente que proporcionou uma verdadeira revoluo tecnolgica. de fundamental importncia a compreenso por parte
do tcnico industrial do funcionamento e da operao do transistor, pois se
trata do elemento bsico tanto em um pequeno rdio porttil como no processador de um moderno computador. Nessa aula aprendemos a forma de
operao do transistor em diversas situaes: operando como chave esttica, como fonte de corrente e como amplificador de pequenos sinais. Na aula
seguinte, estudaremos dispositivos eletrnicos que possuem mais de trs

e-Tec Brasil

72

Eletrnica

camadas semicondutoras em sua estrutura, e que desempenham funes


importantes no acionamento de equipamentos eltricos.

Atividades de aprendizagem
1. O que um transistor de juno bipolar?
2. Quais as caractersticas fsicas do cristal da base?
3. Quais as caractersticas fsicas do cristal do coletor?
4. Quais as caractersticas fsicas do cristal do emissor?
5. Como se determina a corrente de emissor em um transistor devidamente
polarizado?
6. O que ganho de corrente de um transistor?
7. Quais as caractersticas da regio de corte?
8. Quais as caractersticas da regio de saturao?
9. Quais as caractersticas da regio de operao ativa?
10. Qual a finalidade do modelo de Ebers-Moll?
11. Explique a operao do transistor como chave.
12. Quais as caractersticas de uma etapa amplificadora tipo emissor comum?

Aula 7 - O transistor bipolar

73

e-Tec Brasil

Aula 8 Tiristores

Objetivos
Conhecer os tiristores, que so dispositivos eletrnicos formados
por quatro camadas semicondutoras.
Compreender o processo de conduo e disparo dos tiristores.
Conhecer as principais aplicaes desses componentes, relacionadas automao industrial.

Os tiristores so componentes eletrnicos com estrutura cristalina de quatro


camadas. So os componentes bsicos da Eletrnica Industrial, utilizados
para acionar cargas como: motores, eletroms, aquecedores e conversores
de corrente alternada em corrente contnua. Nesta aula sero estudados os
componentes denominados SCR e TRIAC.

8.1 A estrutura PNPN


Tiristor um componente eletrnico de silcio cuja estrutura apresenta quatro camadas dopadas na seguinte sequncia PNPN. Este componente apresenta trs terminais:
a) Terminal do material tipo P externo que denominado de nodo (A);
b) Terminal do material tipo N externo que denominado ctodo (K);
c) Terminal da camada tipo P, interna, denominado gatilho (G).
Aplicando-se uma tenso positiva no nodo em relao ao ctodo, polarizam-se diretamente as duas junes extremas do componente. Nesta situao no ocorre conduo de corrente eltrica atravs do componente,
at que a camada interna tipo P (gatilho) receba uma tenso positiva. Essa

Aula 8 - Tiristores

75

e-Tec Brasil

tenso positiva no terminal de gatilho desencadeia a conduo de corrente


por todas as camadas do dispositivo. Ver Figura 8.1.

Figura 8.1: A estrutura de quatro camadas - PNPN


Figura: CTISM

8.2 SCR
O SCR (Sillicon Controlled Rectificier) um diodo retificador controlado. Ele
possui trs terminais A (nodo), K (ctodo) e o terminal de controle G (gate).
Para a entrada em conduo do SCR necessrio que seus terminais A e K
estejam diretamente polarizados e que seja aplicado um pulso de tenso
positiva no terminal G. Satisfeita essa condio, estabelecida uma corrente
atravs do dispositivo (entre os terminais A e K). Essa corrente deve apresentar um valor mnimo chamado corrente de manuteno (valor informado
nas folhas de dados dos componentes). Uma vez estabelecido esse processo,
mesmo sem tenso positiva no terminal de controle G, o dispositivo permanece conduzindo. A extino desse processo ocorre quando o dispositivo
passar a ser polarizado reversamente e a corrente atravs do dispositivo for
menor que a corrente de manuteno.
Na Figura 8.2 observa-se a curva caracterstica de operao do SCR e seu
respectivo smbolo, utilizado nos esquemas eletrnicos.

e-Tec Brasil

76

Eletrnica

Figura 8.2: Curva de operao do SCR


Fonte: CTISM

Na Figura 8.3 observa-se uma aplicao prtica do SCR em que realizado


o controle do ngulo de disparo do componente. Pode-se variar a potncia
entregue carga resistiva variando-se o valor da resistncia R ligada ao terminal de gatilho do SCR.

Aula 8 - Tiristores

77

e-Tec Brasil

Figura 8.3: Circuito de controle de fase com SCR


Figura: CTISM

8.3 TRIAC
O TRIAC um tiristor de estrutura mais complexa contendo diversas regies
PNPN que atuam como dois SCRs interligados em antiparalelo. Essa estrutura permite que o TRIAC opere no controle de cargas em corrente alternada.
Na Figura 8.4 observa-se o smbolo grfico do TRIAC e seu circuito equivalente a partir de dois SCRs.

Figura 8.4: TRIAC


Fonte: CTISM

e-Tec Brasil

78

Eletrnica

Na Figura 8.5 est representado o diagrama esquemtico de um circuito de


controle do ngulo de fase que permite controlar toda a faixa de potncia
desenvolvida na carga. Esse circuito muito utilizado no controle do brilho
produzido por lmpadas incandescentes, ou no controle da velocidade de
rotao de motores universais.

Figura 8.5: Circuito de aplicao do TRIAC


Fonte: CTISM

8.4 Acionando o gatilho dos tiristores


Os tiristores podem ser acionados ou disparados em seu terminal de gatilho
de dois modos: pela aplicao de corrente contnua ou pelos pulsos de tenso.
O disparo por aplicao de corrente contnua usado no acionamento de
cargas por longos perodos como lmpadas, calefatores, eletroms, motores, em sistemas de controle tipo liga-desliga e cclicos. Nesses casos mantm-se continuamente a alimentao de gatilho. Apesar do consumo de
energia alm do necessrio e o consequente aquecimento da juno, isso
simplifica o circuito de acionamento.
O disparo por pulsos de tenso aplicado em controles de ngulo de fase,
podendo controlar a potncia de cargas como lmpadas ou a velocidade
de motores universais (ver Figura 8.5). Nesses, a cada ciclo da tenso CA
de alimentao, gerada uma tenso defasada por uma ou duas redes de
atraso, formadas por resistores e capacitores. Quando a tenso o nvel de

Aula 8 - Tiristores

79

e-Tec Brasil

tenso necessrio ao disparo do TRIAC, num dado ngulo de fase, o tiristor


acionado, energizando a carga. O processo se repete a cada ciclo. Variando o
valor do resistor, varia-se a poro do ciclo em que alimentada a carga (ngulo de conduo do tiristor), variando a tenso eficaz, e a potncia na carga.

Resumo
Nessa aula estudamos os dois principais componentes que apresentam quatro camadas de semicondutores. O SCR um diodo retificador, controlado atravs de um terminal de gatilho e o TRIAC corresponde a uma chave
esttica, controlada para o acionamento de cargas em corrente alternada.
Esses componentes tero grande importncia em sua formao por serem
amplamente utilizados nos modernos conversores estticos e controles de
mquinas eltricas.

Atividades de aprendizagem
1. O que um tiristor?
2. Qual a finalidade do terminal de gatilho nos tiristores?
3. O que um SCR?
4. O que um TRIAC?
5. Quais os mtodos de disparo dos tiristores?

e-Tec Brasil

80

Eletrnica

Aula 9 Introduo aos circuitos


integrados

Objetivos
Conhecer os circuitos integrados ou microchips e as suas vantagens quando utilizados em equipamentos mais complexos.
Conhecer a classificao dos microchips quanto aplicao, grau
de integrao e forma de encapsulamento.

Os circuitos integrados, tambm chamados de microchips, so circuitos


eletrnicos funcionais, constitudos por um conjunto de transistores, diodos,
resistncias e capacitores, fabricados sobre uma nica pastilha semicondutora
de silcio. Foram desenvolvidos a partir da dcada de 60 em importantes
laboratrios americanos e rapidamente difundidos no uso militar, espacial e
domstico. Atualmente pode-se encontrar um microchip em cartes pessoais,
relgios eletrnicos ou modernos computadores pessoais.

http://www.youtube.com/
watch?v=DUjLjGCZV4M

Figura 9.1: Vista interna superior de um circuito integrado (CI)


Fonte: CTISM

O circuito integrado (CI) propriamente dito chama-se pastilha (chip, em ingls)


e muito pequeno, observe a Figura 9.1. O tamanho externo do circuito integrado deve-se ao seu invlucro e s ligaes do chip aos terminais externos.

Aula 9 - Introduo aos circuitos integrados

81

http://www.lsi.usp.br/~chip/
index.html

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Vantagens dos CIs em relao aos circuitos com componentes discretos:


Reduo de custos, peso e tamanho;
Aumento da confiabilidade;
Maior velocidade de trabalho;
Menor consumo de energia;
Facilidade de manuteno;
Simplicidade na produo industrial.

9.1 Classificao dos circuitos integrados


Os circuitos integrados podem ser classificados de diversas formas, considerando sua aplicao prtica, nmero de componentes integrados na sua
pastilha de silcio, tipo de encapsulamento, ou seja, a sua proteo externa.
Vejamos a seguir estas classificaes.

9.1.1 Quanto sua aplicao


Os circuitos integrados lineares ou analgicos produzem sinais contnuos em
funo dos sinais que lhe so aplicados nas suas entradas. As funes dos
CIs analgicos so a amplificao, gerao ou manipulao de pequenos
sinais eltricos. Destacam-se, nesse grupo de circuitos integrados, os amplificadores operacionais.
Os circuitos integrados digitais operam segundo a lgebra booleana, realizando operaes lgicas. Nessas operaes lgicas so manipulados valores
discretos de tenso que representam os dgitos 0 (zero) e 1 (um).
a) Sinal analgico sinal que tem uma variao contnua ao longo do
tempo (Figura 9.2).

e-Tec Brasil

82

Eletrnica

Figura 9.2: Sinal analgico


Fonte: CTISM

b) Sinal digital sinal que tem uma variao por saltos de uma forma descontnua (Figura 9.3).

Figura 9.3: Sinal digital


Fonte: CTISM

9.1.2 Quanto ao seu grau de integrao


O grau de integrao refere-se ao nmero de componentes que o circuito
integrado (CI) contm em sua pastilha semicondutora:
a) SSI (Small Scale Integration) integrao em pequena escala so
os CIs com menos componentes. Podem dispor de at 30 dispositivos por
pastilha (chip).

Aula 9 - Introduo aos circuitos integrados

83

e-Tec Brasil

b) MSI (Medium Scale Integration) integrao em mdia escala


corresponde aos CIS com 30 a 1.000 dispositivos por pastilha (esses circuitos incluem decodificadores, contadores, etc.).
c) LSI (Large Scale Integration) integrao em grande escala contm milhares de componentes 1.000 at 100.000 dispositivos por pastilha
(estes circuitos normalmente efetuam funes lgicas complexas, como
toda a parte aritmtica de uma calculadora, um relgio digital, etc.).
d) VLSI (Very Large Scale Integration) integrao em larga escala
o grupo de CIs com um nmero de componentes compreendido entre
100.000 e 10 milhes de dispositivos por pastilha (so utilizados na implementao de microprocessadores).
e) ULSI (Ultra Large Scale Integration) integrao em escala ultra
larga o grupo de CIs com mais de 10 milhes de dispositivos por
pastilha.

9.2 Tipos de encapsulamento dos CIs


Basicamente so utilizados quatro tipos de encapsulamentos para envolver,
proteger e proporcionar a devida dissipao de calor nos chips:
Cpsulas com filas de pinos (DIL, QIL ou SIL);
Cpsulas planas (Flatpack);
Cpsulas metlicas (TO-5);
Cpsulas especiais.
A maioria dos encapsulamentos constituda de materiais plsticos ou cermicos, exceto as cpsulas TO-5 que so de material metlico. Para os CIs
de baixa potncia utilizam-se as cpsulas em fila de pinos. Nos integrados
de encapsulamento DIL (Dual In Line), a numerao dos terminais feita a
partir do terminal 1 (identificado pela marca), seguindo por essa linha de
terminais e retornando pela outra (em sentido anti-horrio). Durante essa
identificao dos terminais, o CI deve ser sempre observado por cima. Veja
a Figura 9.4.

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Figura 9.4: Circuito integrado DIL dual in line


Fonte: CTISM

QIL (Quad In Line) o encapsulamento utilizado em CIs de mdia potncia,


como os amplificadores de udio (ver figura 9.5). A principal razo da linha
qudrupla de pinos a de permitir um maior afastamento das respectivas
ilhas de ligao no circuito impresso, de forma que pistas mais largas (portanto para correntes maiores) possam ser conectadas.

Figura 9.5: Cpsula QIL quad in line


Fonte: CTISM

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SIL (Single In Line) alguns integrados pr-amplificadores, e mesmo alguns


amplificadores de mdia potncia, para udio, apresentam este encapsulamento.

Figura 9.6: Cpsula SIL - single in line


Fonte: CTISM

As cpsulas planas (flatpack) tm reduzido volume e espessura e so formadas por terminais dispostos horizontalmente, fazendo com que a sua instalao sobre o circuito impresso ocupe pouco espao. Atualmente o encapsulamento preferido para os sistemas que necessitam de alta compactao.
Veja a Figura 9.7.

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Figura 9.7: Cpsula flatpack


Fonte: CTISM

Cpsulas metlicas TO-5 tm um corpo cilndrico metlico, com os terminais


dispostos em linha circular, na sua base. Foram desenvolvidas para suportar
condies mais severas de operao em baixas e altas temperaturas. A contagem dos terminais inicia-se pela pequena marca, em sentido horrio, com
o componente visto por baixo. Veja a Figura 9.8.

Figura 9.8: Cpsula metlica TO-5


Fonte: CTISM

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As cpsulas especiais so as que dispem de numerosos terminais para conectar a enorme integrao de componentes que esses chips dispem (por
exemplo, CIs contendo microprocessadores). (Ver figura 9.9).

Figura 9.9: Cpsula especial TO-5


Fonte: CTISM

Resumo
Nessa aula conhecemos o microchip, um componente desenvolvido a partir
da integrao de diversos componentes em um circuito funcional a ser aplicado para uma tarefa especfica como gerar a base de tempo necessria a
um relgio digital, ou realizar operaes matemticas em uma calculadora
eletrnica. Estudamos suas principais caractersticas, classificaes e diferentes tipos de encapsulamentos. Na sequncia de seu curso, voc entrar novamente em contato com esse fascinante e poderoso dispositivo em novas
aplicaes.

Atividades de aprendizagem
1. O que um circuito integrado?
2. Quais as vantagens dos circuitos integrados?

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3. Como se classificam os circuitos integrados quanto sua aplicao?


4. Como se classificam os circuitos integrados quanto ao seu grau de integrao?
5. Quais os tipos de encapsulamentos para circuitos integrados?

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Referncias
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8
ed. So Paulo: Editora Pearson Prentice Hall, 2004.
CRUZ, E. C. A.; CHOUERI, S. Jr. Eletrnica Aplicada. 1 ed. Editora rica, 2007.
DAL MOLIN, Beatriz Helena, et al. Mapa Referencial para Construo de Material
Didtico - Programa e-Tec Brasil. 2 ed. revisada. Florianpolis: Universidade Federal de
Santa Catarina UFSC, 2008.
DANILOW, L. A.; CELESTINO, P. Amplificadores Operacionais. 10 ed. So Paulo:
Editora rica, 1995.
HELFRICK, A. D.; COOPER, W. D. Instrumentao Eletrnica Moderna e Tcnicas de
Medio. Rio de Janeiro: Prentice Hall do Brasil, 1994.
LALOND, D. E.; ROSS, J. A. Princpios de Dispositivos e Circuitos Eletrnicos. Vol. 1
e 2. So Paulo: Makron Books, 1999.
LANDER, C. W. Eletrnica Industrial: Teoria e aplicaes. So Paulo: Makron Books,
1996.
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. 7 ed. Vol. 1 e 2. Ed. McGraw-Hill Brasil, 2008.
TOCCI, R. J. Sistemas Digitais: Princpios e aplicaes. 5 ed. Editora PHB, 1994.

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Currculo do professor-autor
Rodrigo Cardozo Fuentes natural de Santa Maria-RS. Sua formao tcnica iniciou-se em 1988, como Eletrotcnico no Colgio Tcnico Industrial de
Santa Maria (CTISM). Graduou-se Engenheiro Eletricista pela Universidade
Federal de Santa Maria (UFSM), em 1995. graduado em Formao Pedaggica Licenciatura Plena em Ensino Profissionalizante (UFSM). Especializou-se
em Engenharia de Segurana do Trabalho no Centro Universitrio Franciscano (UNIFRA). No ano de 1996 obteve o grau de Mestre em Engenharia
Eltrica na rea de Sistemas de Energia Eltrica (UFSM).
Desde 1997 desenvolve suas atividades profissionais como docente do Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria nas reas de Eletrotcnica, Eletrnica
e Automao Industrial. Atualmente desenvolve atividades administrativas
como Diretor Geral da instituio e atividades de extenso como a capacitao e qualificao de profissionais nas reas de Eletricidade, Eletrnica,
Automao Industrial e Segurana do Trabalho.

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