Ramss Medina Gonzlez

TAREA 4

27 de Octubre de 2015

IMPERFECCIONES EN SLIDOS
Para un slido cristalino hemos asumido implcitamente que existe un orden perfecto por
todo el material en una escala atmica. Sin embargo, un slido idealizado no existe como
tal; todos contienen un gran nmero de diversos defectos o imperfecciones.
De hecho, muchas de las propiedades de los materiales son profundamente sensibles a la
desviacin en la perfeccin cristalina; la influencia no siempre es adversa, y a menudo,
ciertas caractersticas especficas se forman deliberadamente por la introduccin de
defectos particulares controlados.
Por defecto cristalino se entiende como una irregularidad de la red en una o ms de sus
dimensiones, del orden de un dimetro atmico. La clasificacin de las imperfecciones
cristalinas se hace con frecuencia de acuerdo a la geometra o dimensionalidad del
defecto. Incluyendo defectos puntuales (aquellos asociados con una o dos posiciones
atmicas), defectos lineal (o unidimensionales), as como defectos interfaciales, o de
lmites, que son en dos dimensiones. Tambin las impurezas en slidos, ya que pueden
existir tomos de impurezas como defectos puntuales.
Defectos puntuales
Defectos puntuales en metales

El ms simple de los defectos puntuales es una vacancia o sitio de red vacante, uno
normalmente ocupado pero que un tomo falta (Figura 1). Todos los slidos cristalinos
contienen vacancias y, de hecho, no es posible crear un material que est libre de estos
defectos. La necesidad de la existencia de vacancias se explica con principios de
termodinmica, en esencia, la presencia de las vacancias incrementa la entropa (es decir,
la aleatoriedad) del cristal.
El nmero de vacancias en equilibrio Nv para una cantidad dada de material depende y
aumenta con la temperatura segn

En esta expresin, N es el nmero total de sitios atmicos, Qv es la energa necesaria para

la formacin de una vacancia, T es la temperatura absoluta en grados Kelvin, y k es la
constante de Boltzmann.

Figura 1. Representaciones bidimensionales de una vacancia y un auto-intersticial. (Adaptado de W. G. Moffatt, G. W. Pearsall,

and J. Wulff, The Structure and Properties of Materials, Vol. I, Structure, p. 77. Copyright 1964 by John Wiley & Sons, New
York. Reproducido con autorizacin de John Wiley & Sons, Inc.)

Un defecto auto-intersticial es un tomo del mismo cristal que ocup un sitio intersticial,
un pequeo espacio vaco que en circunstancias normales no est ocupado. Este tipo de
defecto tambin est representado en la Figura 1. En los metales, un auto-intersticial
introduce distorsiones relativamente grandes en el enrejado alrededor porque el tomo es
sustancialmente mayor que la posicin intersticial en el que se sita. En consecuencia, la
formacin de este defecto no es muy probable, y existe en concentraciones muy
pequeas, que son significativamente inferiores a las de las vacancias.
Defectos puntuales en cermicos

Tambin pueden existir defectos puntuales en los compuestos cermicos. Al igual que
con los metales, son posibles las dos vacancias e intersticiales; sin embargo, puesto que
los materiales de cermica contienen iones de al menos dos tipos, pueden producirse
defectos para cada tipo de iones. Por ejemplo, en NaCl, pueden existir intersticiales y
vacancias de Na e intersticiales y vacancias de Cl. Es altamente improbable que hubiera
concentraciones apreciables de aniones (Cl-) intersticiales.
El anin es relativamente grande, y para encajar en una pequea posicin intersticial,
deformaciones sustanciales sobre los iones que lo rodean debe ser introducidas.
Vacancias de aniones y cationes y un catin intersticial se representan en la Figura 2.

Figura 2. Representaciones esquemticas de vacancias de cationes y aniones y un catin intersticial. (De W. G. Moffatt, G. W.
Pearsall, and J. Wulff, The Structure and Properties of Materials, Vol. 1, Structure, p. 78. Copyright 1964 by John Wiley &
Sons, New York. Reproducido con permiso de John Wiley & Sons, Inc.)

La expresin defecto estructural se utiliza a menudo para designar los tipos y

concentraciones de defectos atmicos en la cermica. Debido a que los tomos existen
como iones cargados, cuando se consideran los defectos estructurales, se deben mantener
las condiciones de electroneutralidad.
Electroneutralidad es el estado que existe cuando hay un nmero igual de cargas
positivas y negativas de iones. Como consecuencia, los defectos en la cermica no se
producen solos. Un defecto de tal tipo consiste en una vacancia de catin y un par de
cationes intersticial. Esto se llama un defecto Frenkel (Figura 3). Se podra pensar como
un catin dejando su posicin normal y que se mueve a un sitio intersticial. No hay
cambio en la carga, porque el catin mantiene la misma carga positiva como un defecto
intersticial.
Otro tipo de defecto encontrado en materiales AX es un par de vacancia de anin y
vacancia de catin conocido como un defecto Schottky, tambin representado
esquemticamente en la Figura 3. Este defecto puede ser creado mediante la eliminacin
de un catin y un anin desde el interior del cristal y luego colocndolas en una superficie
externa. Dado que ambos catin y anin tienen la misma carga, y puesto que para cada
vacancia de anin existe una vacancia de catin, se mantiene la neutralidad de carga del
cristal.

Figura 3. Diagrama esquemtico que muestra defectos Frenkel y Schottky en slidos inicos. (De W. G. Moffatt, G. W. Pearsall,
and J. Wulff, The Structure and Properties of Materials, Vol. 1, Structure, p. 78. Copyright 1964 by John Wiley & Sons, New
York. Reproducido con permiso de John Wiley & Sons, Inc.)

Impurezas en Slidos
Impurezas en metales

Un metal puro que consta de un solo tipo de tomo simplemente no existe; las impurezas
o tomos ajenos siempre estarn presentes, y algunos van a existir como defectos
puntuales en la red cristalina. De hecho, incluso con tcnicas relativamente sofisticadas,
es difcil de refinar metales a una pureza superior de 99,9999%. En este nivel, estarn
presentes en un metro cbico de material dentro del orden de 1022 a 1023 tomos de
impurezas. La mayora de los metales conocidos no son puros; ms bien, son aleaciones,
en las que los tomos de impurezas se han aadido intencionalmente para impartir
caractersticas especficas al material. Ordinariamente la aleacin se utiliza en metales
para mejorar la resistencia mecnica y resistencia a la corrosin. Por ejemplo, la plata
esterlina es una aleacin de 92.5% de plata y 7,5% de cobre. En entornos ambientales
normales, la plata pura es altamente resistente a la corrosin, pero tambin muy suave. La
aleacin con cobre mejora la resistencia mecnica significativamente, sin depreciar la
resistencia a la corrosin.
La adicin de tomos de impureza a un metal dar lugar a la formacin de una solucin
slida y/o una nueva segunda fase, dependiendo de las clases de impureza, sus
concentraciones y la temperatura de la aleacin.
Varios trminos relacionados con las impurezas y las soluciones slidas merecen
mencin. Con respecto a las aleaciones, soluto y disolvente son trminos que se emplean

comnmente. Solvente representa el elemento o compuesto que est presente en la

mayor cantidad. Soluto se utiliza para denotar un elemento o compuesto presente en
una concentracin menor.
Solucin Slida

Una solucin slida se forma cuando tomos de soluto se aaden al material husped, se
mantiene la estructura cristalina y no se forman nuevas estructuras cristalinas. Tal vez sea
til establecer una analoga con una solucin lquida. Si se combinan dos lquidos,
solubles uno en el otro (tales como agua y alcohol), una solucin lquida se produce
cuando las molculas se entremezclan, y su composicin es homognea a lo largo. Una
solucin slida tambin es de composicin homognea; los tomos de impurezas estn al
azar y uniformemente dispersadas dentro del slido.

Figura 4. Representaciones esquemticas en dos dimensiones de impurezas de tomos substitutionales e intersticiales. (Adaptado de
W. G. Moffatt, G. W. Pearsall, and J. Wulff, The Structure and Properties of Materials, Vol. I, Structure, p. 77. Copyright 1964
by John Wiley & Sons, New York. Reproducido con autorizacin de John Wiley & Sons, Inc.)

Defectos por impurezas puntuales se encuentran en soluciones slidas, de los cuales hay
dos tipos: de sustitucin e intersticial. Por sustitucin, el soluto o tomos de impureza
reemplazan o sustituyen a los tomos husped (Figura 4).
Impurezas en Cermicos

tomos de impurezas pueden formar soluciones slidas en materiales cermicos como lo

hacen en los metales. Son posibles en soluciones slidas ambos tipos de impurezas,
sustitucin e intersticiales. Para una intersticial, el radio inico de la impureza debe ser
relativamente pequeo en comparacin con el anin. Puesto que hay dos aniones y
cationes, una sustitucin por impureza sustituye el in husped al que es ms similar en
un sentido elctrico: si el tomo de impureza normalmente forma un catin en un material

cermico, es muy probable que sustituya a un catin husped. Por ejemplo, en el cloruro
de sodio, impurezas de Ca2+ y O2- son los ms probables para sustituir al Na+ y Cl-,
respectivamente. Las representaciones esquemticas de sustitucin del catin y del anin,
as como impurezas intersticiales se muestran en la Figura 5. Para lograr cualquier
solucin slida apreciable por sustitucin de tomos con impurezas, el tamao inico y la
carga han de ser casi las mismas que las de uno de los iones husped. Para una impureza
de iones que tiene una carga diferente de la de los iones husped que sustituir, el cristal
debe compensar esta diferencia en la carga de manera que la electroneutralidad se
mantiene en el slido. Una manera en que se lleva a cabo es mediante la formacin de
defectos por vacancias reticulares o intersticiales de ambos tipos de iones.

Figura 5. Representaciones esquemticas de tomos intersticiales, sustitucin de aniones, y sustitucin de cationes por tomos de
impurezas en un compuesto inico. (Adaptado de W. G. Moffatt, G. W. Pearsall, and J. Wulff, The Structure and Properties of
Materials, Vol. 1, Structure, p. 78. Copyright 1964 by John Wiley & Sons, New York. Reproducido con permiso de John Wiley &
Sons, Inc.)

Dislocaciones Lineales
Una dislocacin es un defecto lineal o unidimensional en torno al cual algunos de los
tomos estn desalineados. Un tipo de dislocacin se representa en la Figura 6: una
porcin extra de un plano de tomos, o un medio plano, cuyo borde termina dentro del
cristal.
Esto se denomina una dislocacin de borde; es un defecto lineal que gira en torno a la
lnea que se define a lo largo del borde del semiplano adicional de tomos. Esto a veces
se denomina la lnea de dislocacin, que, para la dislocacin de borde en la Figura 6, es
perpendicular al plano de la pgina. Dentro de la regin alrededor de la lnea de
dislocacin hay alguna distorsin de red localizada. Los tomos por encima de la lnea de

dislocacin en la Figura 6 se aprietan juntos, y los de abajo se separan; esto se refleja en

la ligera curvatura de los planos verticales de los tomos que se doblan alrededor de este
medio plano extra.

Figura 6. Las posiciones de los tomos alrededor de una dislocacin de borde; semiplano adicional de tomos mostrados en
perspectiva. (Adaptado de A. G. Guy, Essentials of Materials Science, McGraw-Hill Book Company, New York, 1976, p. 153.)

Existe otro tipo de dislocacin, llama dislocacin de tornillo, que puede ser formada por
una tensin de cizallamiento que se aplica para producir la distorsin mostrada en la
Figura 7a: la regin frontal superior del cristal est desplazada una distancia atmica a la
derecha con respecto a la porcin inferior. La distorsin atmica asociada con una
dislocacin de tornillo tambin es lineal a lo largo de una lnea de dislocacin, la lnea
AB en la figura 7b. La dislocacin de tornillo deriva su nombre de la trayectoria en
espiral o helicoidal o rampa que se traza alrededor de la lnea de dislocacin por los
planos atmicos de los tomos.
La mayora de las dislocaciones que se encuentran en materiales cristalinos son
probablemente ni de borde puro ni de tornillo puro, sino que exhiben ambos tipos; stos
se denominan dislocaciones mixtas. Los tres tipos de dislocaciones se representan
esquemticamente en la figura 8; la distorsin de red que se produce lejos de las dos caras
es mixta, teniendo grados variables de tornillo y de carcter de borde.
La magnitud y direccin de la distorsin de la red asociados con una dislocacin se
expresa en trminos de un vector Burgers, denotado por una b. Vectores Burgers se
indican en las figuras 6 y 7 para las dislocaciones de borde y de tornillo, respectivamente.

Por otra parte, la naturaleza de una dislocacin (es decir, de borde, de tornillo, o mixto) se
define por las orientaciones relativas de lnea de dislocacin y el vector Burgers.

Figura 7. (a) Una dislocacin de tornillo dentro de un cristal. (b) La dislocacin de tornillo en (a) como se ve desde arriba. La lnea
de dislocacin se extiende a lo largo de la lnea AB. Las posiciones de los tomos por encima del plano de deslizamiento son
designados por los crculos abiertos, los de abajo por crculos slidos. (Figura (b) de W. T. Read, Jr., Dislocations in Crystals,
McGraw-Hill Book Company, New York, 1953.)

Figura 8. (a) Representacin esquemtica de una dislocacin de borde, de tornillo, y el carcter mixto. (b) Vista superior, donde los
crculos abiertos denotan posiciones de los tomos por encima del plano de deslizamiento. Los crculos slidos, posiciones de los
tomos de abajo. En el punto A, la dislocacin es de tornillo pura, mientras que en el punto B, es de borde puro. Para las regiones
en el medio donde hay curvatura en la lnea de dislocacin, el carcter es mixto de borde y de tornillo. (Figura (b) de W. T. Read,
Jr., Dislocations in Crystals, McGraw-Hill Book Company, New York, 1953.)

Defectos interfaciales
Los defectos interfaciales son lmites que tienen dos dimensiones y regiones
normalmente separadas en los materiales con diferentes estructuras cristalinas y/o

orientaciones cristalogrficas. Estas imperfecciones incluyen superficies externas, los

lmites de grano, los lmites gemelos, fallas de apilamiento y lmites de fase.
Superficie Externa

Uno de los lmites ms evidentes es la superficie externa, a lo largo de la cual la

estructura cristalina termina. tomos de la superficie no estn unidos al nmero mximo
de vecinos ms cercanos, y estn por lo tanto en un estado de energa ms alto que los
tomos en las posiciones interiores. Los enlaces de estos tomos de la superficie que no
son satisfechos dan lugar a una energa de superficie, expresada en unidades de energa
por unidad de superficie (J/m2 o erg/cm2).
Para reducir esta energa, los materiales tienden a minimizar, si es posible, el rea total de
la superficie. Por ejemplo, los lquidos asumen una forma que tiene un rea mnima y las
gotas se vuelven esfricas. Por supuesto, esto no es posible con los slidos, que son
mecnicamente rgidos.
Lmites de grano

Otro defecto interfacial, el lmite de grano, es el lmite que separa dos pequeos granos o
cristales que tienen diferentes orientaciones cristalogrficas en los materiales
policristalinos. Un lmite de grano se representa esquemticamente desde una perspectiva
atmica en la Figura 9. Dentro de la regin lmite, que tiene probablemente slo varias
distancias atmicas de amplitud, hay una cierta falta de coincidencia atmica en una
transicin de la orientacin cristalina de un grano a la de uno adyacente.

Figura 9. Diagrama esquemtico que muestra los lmites de grano de bajo y alto ngulo y las posiciones de los tomos adyacentes.

Lmites gemelos

Un lmite gemelo es un tipo especial de lmite de grano a travs del cual hay una simetra
especfica de espejo de la red; es decir, los tomos en un lado de la frontera se encuentran
en posiciones de imagen de espejo de los tomos en el otro lado (Figura 10). La regin de
material entre estos lmites se denomina apropiadamente un gemelo. Los gemelos son el
resultado de desplazamientos atmicos que se producen a partir de fuerzas aplicadas de
cizallamiento mecnicas (gemelos mecnicos), y tambin durante tratamientos trmicos
de recocido despus de la deformacin (gemelos de recocido).
Gemelos se produce en un plano cristalogrfico definido y en una direccin especfica,
ambos de los cuales dependen de la estructura cristalina. Gemelos de recocido se
encuentran tpicamente en los metales que tienen la estructura cristalina FCC, mientras
que los gemelos mecnicos se observan en metales BCC y HCP.

Figura 10. Diagrama esquemtico que muestra un plano gemelo o lmite y las posiciones de los tomos adyacentes (crculos
oscuros).

Defectos interfaciales miscelneos

Otros defectos interfaciales posibles incluyen fallas del apilamiento, lmites de fase, y las
paredes de dominio ferromagnticos. Fallas de apilamiento se encuentran en metales
FCC cuando hay una interrupcin en el apilamiento secuencia ABCABCABC. . . de
planos empaquetados.
Existen lmites de fase en materiales multifase a travs de los cuales se produce un
cambio repentino en las caractersticas fsicas y/o qumicas. Para los materiales
ferromagnticos y ferrimagnticos, la frontera que separa las regiones que tienen
diferentes direcciones de magnetizacin se denomina una pared de dominio.
Asociada con cada uno de los defectos mencionados en esta seccin has una energa
interfacial, cuya magnitud depende del tipo de lmite, y que puede variar de un material a

otro. Normalmente, la energa interfacial ser mayor para las superficies externas y
menos para las paredes de dominio.
Defectos de volumen o bulto
Existen otros defectos en todos los materiales slidos que son mucho ms grandes que los
discutidos hasta ahora. Estos incluyen los poros, grietas, inclusiones extraas, y de otras
fases. Se introducen normalmente durante las etapas de procesamiento y fabricacin.
Algunos de estos defectos y sus efectos sobre las propiedades de los materiales se
analizan a continuacin.
A nivel microscpico, la deformacin plstica de los metales corresponde al movimiento
por dislocaciones en respuesta a un esfuerzo cortante aplicado externamente, un proceso
denominado deslizamiento. El deslizamiento se produce en planos cristalogrficos
especficos y dentro de estos planos solamente en ciertas direcciones.
La tensin crtica de cizallamiento es el mnimo estrs de cizallamiento requerido para
iniciar el movimiento de dislocacin; el lmite elstico de un cristal simple de metal
depende tanto de la magnitud de la tensin crtica de cizallamiento y la orientacin de los
componentes de deslizamiento respecto a la direccin del esfuerzo aplicado.
Para los metales policristalinos, el deslizamiento se produce dentro de cada grano a lo
largo de los sistemas de deslizamiento que se orientan ms favorablemente con la tensin
aplicada. Adems, durante la deformacin, los granos cambian de forma tal que se
mantenga la coherencia en los lmites de grano.
Dado que la facilidad con la que un metal presenta deformacin plstica es una funcin
de la movilidad de la dislocacin, la restriccin de movimiento de la dislocacin aumenta
la dureza y la fuerza.
Sobre la base de este principio, hay tres mecanismos diferentes de fortalecimiento. Los
lmites de grano sirven como barreras para el movimiento de la dislocacin; refinar por lo
tanto el tamao de grano de un metal policristalino hace que sea ms difcil y ms fuerte.
La solucin slida fortalecida resulta de las interacciones de deformacin de red entre
tomos de impurezas y dislocaciones. Y, finalmente, como un metal se deforma
plsticamente, la densidad aumenta en la luxacin, como lo hace tambin el alcance de
las interacciones repulsivas dislocacin-dislocacin de campo restringido; el

endurecimiento por deformacin es slo el aumento de la fuerza con el aumento de la

deformacin plstica.
Las caractersticas microestructurales y mecnicas de una muestra de metal plsticamente
deformadas pueden ser restaurados a su estado predeformado por un tratamiento trmico
adecuado, durante el cual se permiten los procesos de recuperacin, recristalizacin y
crecimiento de grano que se produzca. Durante la recuperacin se produce una reduccin
en la densidad de la dislocacin y alteraciones en las configuraciones de dislocacin. La
recristalizacin es la formacin de un nuevo conjunto de granos que estn libres de
restriccin. Adems, el material se vuelve ms suave y ms dctil. El crecimiento de
grano es el aumento de tamao de grano promedio de los materiales policristalinos, que
procede por el movimiento del lmite de grano.
Cualquier deformacin plstica de la cermica cristalina es resultado del movimiento de
una dislocacin; la fragilidad de estos materiales es, en parte, explicada por el nmero
limitado de sistemas de deslizamiento operables. El modo de deformacin plstica de
materiales no cristalinos es por flujo viscoso. A temperatura ambiente, la viscosidad de
muchas cermicas no cristalinas es extremadamente alta.
Durante la deformacin elstica de un polmero semicristalino que estuvo bajo tensin,
las molculas constituyentes se alargan en la direccin del estrs por la flexin y el
estiramiento de la cadena de enlaces covalente. Los desplazamientos moleculares leves
son resistidos por enlaces secundarios dbiles.
Referencias
William D. Callister, Jr. Fundamentals of Materials Science and Engineering, 5 ed.,
John Wiley & Sons, Inc., 2001.

Problemas
1. Defectos puntuales en los metales. Calcular el nmero de vacancias en equilibrio
por metro cbico para el cobre en 1000C. La energa para la formacin de
vacancias es de 0,9 eV/tomo; el peso atmico y densidad (a 1000C) para el cobre
son 63,5 g/mol y 8,40 g/cm3, respectivamente.
Este problema puede ser resuelto mediante el uso de la ecuacin

Pero primero es necesario determinar el valor de N, el nmero de sitios atmicos por

metro cbico para el cobre, a partir de su ACU peso atmico, su densidad , y nmero de
Avogadro NA, segn

Por lo tanto, el nmero de vacancias a 1000C (1273 K) es igual a

2. Impurezas en Slidos. Si se quiere preservar la electroneutralidad, qu defectos

puntuales son posibles en el NaCl cuando un Ca2+ Sustituye al in Na+? Cuntos
de estos defectos existen para cada in Ca2+?
La sustitucin de un Na+ por un in Ca2+ introduce una carga positiva extra. La
electroneutralidad se mantiene cuando una sola carga positiva se elimina o se aade otra

carga negativa. La eliminacin de una carga positiva se logra mediante la formacin de

una sola vacancia de Na+. Alternativamente, un Cl- intersticial suministrara una carga
negativa adicional, anulando el efecto de cada in Ca2+. Sin embargo, como se mencion
anteriormente, es muy poco probable la formacin de este defecto.
3. Defectos puntuales en los metales. Calcular la concentracin de vacancias en el
cobre a 25C. Qu temperatura ser necesaria para calentar el cobre tratado tal
que la concentracin de vacancias producidas sea 1000 veces ms que la
concentracin en equilibrio de las vacancias a temperatura ambiente? Supongamos
que 20.000 cal se requiere para producir un mol de vacancias en cobre.
El parmetro de red del cobre FCC es 0,36151 nm. La base es 1, por lo tanto, el nmero
de tomos de cobre, o puntos de la red, por cm3 es:

A 25C, T = 25 + 273 = 298 K:

Queremos encontrar una temperatura de tratamiento trmico que dar lugar a una
concentracin de vacancias, que es 1000 veces superior a este nmero, o nv = 1.815x1011
vacancias/cm3.
Podramos hacer esto calentando el cobre a una temperatura a la que este nmero de
vacancias se forma:

Al calentar el cobre ligeramente por encima de 100C, hasta que se alcanza el equilibrio,
y luego enfriando rpidamente el cobre de nuevo a temperatura ambiente, el nmero de
vacancias atrapadas en la estructura puede ser mil veces mayor que el nmero de las
vacancias en equilibrio a temperatura ambiente. Por lo tanto, las concentraciones de
vacancias encontradas en materiales relativamente puros son a menudo dictadas por los
factores termodinmicos y cinticos.
4. Defectos puntuales en los metales. Determinar el nmero de vacancias necesarias
para que un cristal de hierro BCC tenga una densidad de 7,87 g/cm3. El parmetro
de red del hierro BCC es 2.866x10-8 cm.
La densidad terica esperada del hierro puede calcularse a partir del parmetro de red y la
masa atmica. Puesto que el hierro es BCC, dos tomos de hierro estn presentes en cada
celda unitaria.

Nos gustara producir hierro con una densidad de 7,87 g/cm3. Podramos hacer esto
mediante la introduccin intencionada de vacancias en el cristal. Vamos a calcular el
nmero de tomos de hierro y las vacancias que estaran presentes en cada celda unidad
para la densidad requerida de 7,87 g/cm3:

O simplemente, debe haber 2.00 1.9971 = 0.0029 vacancias por celda unidad. El
nmero de vacancias por cm3 es:

Suponemos que la introduccin de las vacancias no cambia la constante de red. Si la

informacin adicional, como la energa necesaria para producir una vacante en hierro,
est disponible, podramos ser capaces de disear un tratamiento trmico para producir
esta concentracin de vacancias.
5. Defectos puntuales en los metales. En el hierro FCC, tomos de carbono se
encuentran en los sitios octadricos en el centro de cada borde de la celda unitaria
(1/2, 0, 0) y en el centro de la celda unitaria (1/2, 1/2, 1/2). En el hierro BCC,
tomos de carbono entran en sitios tetradricos, tales como 1/4, 1/2, 0. El
parmetro de red es 0,3571 nm para el hierro FCC y 0,2866 nm para el hierro
BCC. Supongamos que los tomos de carbono tienen un radio de 0,071 nm. (1)
Esperamos una mayor distorsin del cristal por un tomo de carbono intersticial
en hierro FCC o en hierro BCC? (2) Cul sera el porcentaje atmico de carbono
en cada tipo de hierro si se llenaron todos los sitios intersticiales?

(1)
Podramos calcular el tamao del sitio intersticial en la ubicacin 1/4, 1/2, 0 con la ayuda
de la figura 4-2 (a). El radio del tomo de hierro RBCC es:

De la Figura 4-2 (a), encontramos que:

Para el hierro FCC, los sitios intersticiales tales como los 1/2, 0, 0 caen a lo largo de
direcciones <100>. Por lo tanto, el radio del tomo de hierro y el radio del sitio
intersticial son [Figura 4-2 (b)]:

El sitio intersticial en el hierro BCC es menor que el sitio intersticial en el hierro FCC.
Dado que son ms pequeos que el tamao del tomo de carbono, el carbono distorsiona
la estructura cristalina BCC ms que en el cristal de FCC. Como resultado, se espera un
menor nmero de tomos de carbono para entrar en posiciones intersticiales en hierro
BCC que los de hierro FCC.
(2)
En el hierro BCC, se esperan dos tomos de hierro en cada celda unidad. Podemos
encontrar un total de 24 sitios intersticiales del tipo 1/4, 1/2, 0; sin embargo, puesto que
cada sitio est ubicado en una cara de la celda unitaria, slo la mitad de cada sitio
pertenece nicamente a una sola celda. Por lo tanto,

Si todos los sitios intersticiales se llenaron, el porcentaje atmico de carbono contenido

en el hierro sera

En el hierro FCC, se espera cuatro tomos de hierro en cada celda unidad, y el nmero de
sitios intersticiales octadricos es:

De nuevo, si se llenaron todos los sitios intersticiales octadricos, el porcentaje atmico

de carbono en el hierro FCC sera:

El porcentaje atmico mximo de carbono presente en las dos formas de hierro en

condiciones de equilibrio es:

Debido a la deformacin impuesta sobre la estructura de cristal de hierro por los tomos
intersticiales particularmente en el hierro BCC la fraccin de los sitios intersticiales
que puede ocupar es bastante pequea.
6. Dislocaciones Lineales. Una dislocacin en el xido de magnesio (MgO), que
tiene la estructura cristalina del cloruro de sodio y un parmetro de red de 0,396
nm, se muestra en la Figura 4-9. Determinar la longitud del vector de Burgers.

En la Figura 4-9, empezamos un bucle en sentido horario alrededor de la luxacin en el

punto x, a continuacin, movemos tomos igualmente espaciados para terminar en el
punto y. El vector b es el vector de Burgers. Debido a que b esta en direccin [110], debe
ser perpendicular a los planos {110}.
La longitud de b es la distancia entre dos planos (110) adyacentes.

El vector de Burgers est en direccin <110> y tiene 0,280 nm de longitud. Ntese, sin
embargo, que dos semiplanos extras de tomos constituyen la dislocacin compuesta de
iones de oxgeno y uno de los iones de magnesio (Figura 4-9). Tenga en cuenta que esta
frmula para calcular la magnitud del vector de Burgers no funcionar para los sistemas
no cbicos. Es mejor considerar la magnitud del vector de Burgers como igual a la
distancia de repeticin en la direccin del deslizamiento.
7. Dislocaciones Lineales. Calcular la longitud del vector de Burgers en el cobre.

El cobre tiene una estructura cristalina FCC. El parmetro de red del cobre (Cu) es
0,36151 nm. Las direcciones empaquetadas, o las direcciones del vector de Burgers, son
de la forma <110>. La distancia de repeticin a lo largo de las direcciones <110> es la
mitad de la cara diagonal, desde puntos de la red se encuentran en las esquinas y los
centros de las caras [Figura 4-10 (a)].

La longitud del vector de Burgers, o la distancia de repeticin, es:

8. Dislocaciones Lineales. La densidad planar del plano (112) en el hierro BCC es

9.94x1014 tomos/cm2. Calcular (1) la densidad planar del plano (110) y (2) los
espaciados interplanares tanto para los planos (112) y (110). En qu plano se
deslizara normalmente?
El parmetro de red del hierro BCC es 0,2866 nm o 2.866x10-8 cm. El plano (110) se
muestra en la Figura 4-10 (b), con la porcin de los tomos situados dentro de la celda
unidad sombreada. Tenga en cuenta que la cuarta parte de los cuatro tomos de cada
esquina, adems del tomo del centro dentro de un rea 2 veces a0.
(1) La densidad planar es:

(2) Los espaciados interplanares son:

La densidad planar y el espaciamiento interplanar del plano (110) son ms grandes que
las del plano (112). Por lo tanto, el plano (110) sera el plano de deslizamiento preferido.
9. Defectos interfaciales. Supongamos que contamos 16 granos por pulgada
cuadrada en una microfotografa tomada con un aumento x250. Cul es el nmero
ASTM del tamao de grano?
Si contamos 16 granos por pulgada cuadrada con un aumento de x250, a continuacin,
con un aumento de 100 tenemos:

.
10. Defectos interfaciales. El nmero ASTM de tamao de grano para un metal es 6.
Cuntos granos se observaran por pulgada cuadrada en una fotografa tomada
con una ampliacin de 100? Cuntos granos realmente estn presentes por
pulgada cuadrada?