13/11/2014

UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

DEPARTAMENTO ACADMICO DE ELETROTCNICA
ELETRNICA 1 - ET74C -- Prof Elisabete N Moraes

AULA 14TRANSISTOR

COMO CHAVE
Em 14 de novembro de 2014.

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

REVISO: MODOS DE OPERAO

Conforme o TJB tenha as junes BE e BC polarizadas
polarizadas, tem-se um dos seguintes
modos de operao:
Modo de
operao

Saturao
Corte
Ativo ou
Amplificao

JJuno
no
BaseEmissor

JJuno
no
BaseColetor

Direta

Direta

Reversa

Reversa

Direta

Reversa

Funo
F no no circuito
circ ito

Chave eletrnica
com controle pelo
terminal de base.

Representao
simplificada para config .
Emissor Comum (EC)
B

OPERAO DISCRETA
ON & OFF

Amplificador de
pequenos sinais

E
B+
E

C
+

C
E

13/11/2014

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

CARACTERSTICAS ELTRICAS
Regio de Saturao
Saturao: Junes BE e BC diretamente polarizadas. O TJB conduz a
maior corrente permissvel. Isto ocorre quando h um acrscimo muito elevado de
corrente na base.
Caractersticas:
- chave
fechada
C
i
h
f h d
- Ic = Ic mxima ou de saturao
- Vce 0V a 0,3V

Regio de Corte
Corte: Junes BE e BC inversamente polarizadas, quando a
corrente de base sofre um decrscimo, chegando a um valor quase nulo, o TJB
passa para a regio de corte.Nesta
corte Nesta regio ele no conduz.
conduz
Caractersticas: - chave aberta
- Ic 0 A
- Vce Vcc

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

CURVA CARACTERSTICA DE SADA

IC = f(VCE) @IB

IC

O valor de IB na regio ativa, um

pouco antes da saturao pode
ser aproximado por:

I Bmax

IB IBmax
SATURAO
ICsat

I C sat

DC

O nvel de saturao deve ser

assegurado a seguinte condio:

IB

CORTE

I C sat

DC

VCE
4

13/11/2014

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

CURVA CARACTERSTICA DE SADA

IC

I '' B

IC

I C sat

DC
IB

IB

IB

ICsat

I 'B

VCE prtica: para o transistor

Regra
operar como chave , adota-se :
= 20 ou 10

Aula T14 - Transistor como chave

I C sat

DC

VCE
5

14-Nov-14

RESUMO
CHAVE ABERTA TJB CORTE

CHAVE FECHADA TJB SATURADO

IC= IB

IC=0
RC
RB

RC
Vcc

VCEVcc

IB=0
R gi d
Regio
de Corte:
Corte
C t
Junes BE e BC inversamente
polarizadas, a corrente de base sofre um
decrscimo, chegando a um valor quase
nulo, nesta regio o TJB no conduz.
- chave aberta
- Ic 0 A
- VCE Vcc

RB

Vcc

VCE 0V

IB 0

Regio de Saturao:
Saturao
Junes BE e BC diretamente
polarizadas.
- chave fechada
- IC = IC mxima ou de
saturao
- VCE 0V a 0,3V
6

13/11/2014

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

EXEMPLO BOYLESTAD 4.24

Determine o valor de RB e RC para o transistor inversor, considerando a condio
apresentada pela equao IB> IC/DC sendo Icsat=10mA.

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

EXEMPLO BOYLESTAD 4.24

Determine o valor de RB e RC para o transistor inversor, considerando a condio
apresentada pela equao IB> IC/DC sendo Icsat=10mA.
a)Clculo de RC
Na saturao (chave fechada):
IC =Icsat= 10mA e VCE=0V

VCC RC I C VCE
RC

10 m
250
40 uA

I Bmax

VCC RC I C sat 0
10
VCC

I C sat 10 m

10 0,7
60 u
RB 155k
Para garantir a saturao
d)Conferncia para resistor
(50%),
se IB
60uA
(50%) faz
faz-se
IB=60uA
comercial mais prximo que
c)Clculo de RB
150kohms:
Usando IB=60uA,
10 0,7
IB
62 uA
calcula-se RB.
150 k
VCC I B RB VBE

I Bmax

RC 1k
b)Clculo de IB
Usando a equao IBmax
ICsat/DC para definir o valor
de IBmax.
IC
I Bmax sat

dc

RB

VCC VBE
IB

RB

Ok! O valor calculado maior

que o definido pela eq. 13.2,
que resultou em IB=40uA.
8

13/11/2014

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

EXEMPLO DO SEDRA 4.14 (P.286)

O tjb da figura, tem como especificao um na faixa de 50 a 150. Encontre o valor de
RB que resulta em uma saturao com fator de saturao forada de pelo menos 10.
a)Clculo da ICsat:

VCC RC I C VCE
VCC RC I C sat 0,2
I C sat

V 0,2 9,8
CC

RC
1k

I C sat 9,8mA
Comentrio: o Sedra
adota para VCE na
saturao o valor
igual a 0,2V .

b)Clculo da corrente
IB para saturar o tjb
com o mnimo :

IB

I C sat

min

9,8

50

I B 0,196 mA

Aula T14 - Transistor como chave

c)Clculo da corrente
IB para um fator de
saturao 10:

I B (0,196)(10)
I B 1,96 mA
d)Clculo da RB para a
condio do problema:

VBB RB I B
V
VBE
RB VBB I C sat 0,2
RB

VCC 0,7
IB

RB

5 0,7
2,2k
1,96 m

14-Nov-14

EXERCCIOS
1)Verifique se o circuito ao lado comporta-se como um inversor, quando a entrada
chaveia entre 0 e 5V. a)Suponha que = 100, (R: Sim, VCE=0). b)Supor que o
resistor da base seja de 43k, qual o efeito sobre essa alterao?
2)No circuito abaixo
abaixo, deseja
deseja-se
se que o led seja acionado quando a chave estiver
na posio on e desacionado na posio off. Calcular o valor de RC
comercial e a sua potncia.
Parmetros BC548:
Parmetros LED:
VBEsat=0,7V
Vj=1,5V
VCEsat=0,3V
Iled=25mA
sat=20
R: RC=288Rc=270 , 168,75mW
Icmax = 200mA
RB=66406k8, 10,625mW
VCEmax=80V
3)A entrada do circuito da fig 4.66 alterna entre 0V e 10V.
Se o tjb de silcio possuir = 120, verifique se o circuito
funciona como um inversor. (R:IC=4,545mA)

10

13/11/2014

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

EXERCCIOS
4) Um circuito digital (TTL-transistor-transistor-logic) foi projetado para
acionar um motor de 110V/60Hz sob determinadas condies. Para tanto,
necessrio que um transistor como chave atue sobre um rel, j que nem o
circuito digital, nem um transistor possuem potencial energtico para
acion-lo e mant-lo ligado
ligado. Assim utilizou-se o circuito a seguir como
interface de acionamento.

Livro: Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores.

Marques, Angelo Eduardo B.; Choueri Jr., Salomo; Cruz,
Eduardo Csar Alves. Ed. rica

Aula T14 - Transistor como chave

11

14-Nov-14

EXERCCIOS

12

13/11/2014

Aula T14 - Transistor como chave

14-Nov-14

EXERCCIOS

13