1

Transistores de Efeito de Campo (FETS)

Como no caso do TBJ, a tenso entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo
terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do
dispositivo origina-se de seu pricpio de operao. O controle baseado no campo eltrico estabelecido pela tenso aplicada no
terminal de controle. O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de
efeito de campo de semicondutor de xido metlico), , de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em
circuitos tanto digitais quanto analgicos.

Smbolo

Canal N (NMOS)

Canal P (PMOS)

Funo Controlar a corrente eltrica que passa por ele.

ID funo de VGS
ID

D
G
+
VGS

S
-

Construo
Fonte (S)

Porta (G)

Dreno (D)

xido (SiO2)

n+

Regio de
canal

Corpo (B)

Geralmente o terminal corpo (B)

ligado a fonte (S).

n+

Criao do canal
Considere a figura a seguir:

VGS
(S)

Canal n
induzido

(G)

(D)

n+

n+
p
(B)

Regio de depleo

A tenso VGS, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da regio do substrato sob a porta serem
repelidas, deixando uma regio de depleo. A tenso positiva sob a porta atrai eltrons das regies n+ da fonte e do
dreno para a regio do canal. Quando eltrons suficientes estiverem sob a porta, o canal estar formado ligando a fonte
ao dreno. O valor mnimo de VGS para se formar o canal chamado de tenso de limiar (threshold) ou Vt.

Operao do transistor
A operao de um MOSFET pode ser dividida em trs diferentes regies, dependendo das tenses aplicadas sobre seus
terminais. Para o MOSFET canal n:

Regio de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS a tenso entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece
desligado, e no h conduo entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero
devido chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida.

Regio de Triodo (ou regio linear): quando VGS > Vt e Vds < VGS - Vt onde Vds a tenso entre dreno e fonte. O
transstor ligado, e o canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um
resistor, controlado pela tenso na porta. A corrente do dreno para a fonte :

2
I D = K 2(VGS Vt )VDS VDS
, onde K =

1
W
nCox
2
L

Regio de Saturao: quando VGS > Vt e Vds > VGS - Vt. O transstor fica ligado, e um canal que criado permite o
fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tenso de dreno maior do que a tenso na porta, uma parte do canal
desligado. A criao dessa regio chamada de pinch-off. A corrente de dreno agora relativamente independente da
tenso de dreno (numa primeira aproximao) e controlada somente pela tenso da porta de tal forma que:
2

I D = K (VGS Vt )

OBS: Para o transistor PMOS as equaes so idnticas, lembrando que Vt negativo e as inequaes so inversas.

3
Em circuitos digitais, os MOSFETs so usados somente em modos de corte e de triodo. O modo de saturao usado em
aplicaes de circuitos analgicos.

O transistor NMOS operando na saturao com o canal estrangulado.

+
-

(G)

ID
Canal n
deformado

(D)

n+

VDS

IS

(S)

VGS

IG

Pinch off

ID = IS
IG = 0

p
Regio de depleo

(B)

O terminal da porta (G), por ser eletricamente isolado atravs do oxido, possui corrente nula.

A corrente do dreno igual a corrente da fonte.

Curvas Caractersticas

Caracterstica ID VDS parametrizada por VGS

ID
Regio de triodo
VGS = Vt + 5

20mA
18mA

Regio de saturao
16mA

VGS = Vt + 4

14mA
12mA
VGS = Vt + 3
10mA

VDS = VGS - Vt

8mA

Regio de corte (VGS Vt)

VGS = Vt + 2

4mA
2mA

VGS = Vt + 1
2V

4V

6V

8V

10V

VDS

Observao:
O grfico da caracterstica ID VDS mostra que a corrente do dreno possui uma leve dependncia
linear com VDS na regio de saturao. Essa dependncia pode ser considerada analiticamente pela
incorporao do fator (1+VDS) na equao de ID, onde = 1/VA, como se segue:
2

I D = K (VGS Vt ) (1 + VDS )
Onde um parmetro do MOSFET. VA uma tenso positiva semelhante a tenso Early
do TBJ, como mostra seguinte figura:

Caracterstica ID VGS

ID (mA)
8
7
6
5
4
3

Vt

2
1

VGS (V)

Polarizao
O termo polarizao significa a aplicao de tenses DC em um circuito para estabelecer valores fixos de
corrente e tenso. O Ponto de polarizao (ponto quiescente) deve ser localizado na regio ativa e dentro dos
valores mximos permitido.

Equaes importantes no projeto do circuito de polarizao.

I D = K (VGS Vt )

I D= I S

IG = 0

Para a polarizao do MOSFET em uma sua regio de saturao, as seguintes condies devem ser
satisfeitas:

VGS > Vt

VDS > VGS Vt

OBS: A equao da corrente de dreno pode fornecer dois valores de VGS. Desses valores, apenas um
atender as condies para a polarizao da regio de saturao, o outro valor no tem significado
fsico. Se os dois valores de VGS no atenderem as condies, significa que o transistor no est em sua
regio de saturao.

Circuitos de Polarizao

Exemplo 1:
5V
Projete o circuito de modo que o transistor opere com ID = 0,4 mA e
VD = +1V. O transistor NMOS tem Vt = 2V e K = 0,4 mA/V2.
Suponha que = 0.

RD
ID

VD
IG
VDS
VGS
RS

-5V

6
Temos que:

VD = 5 RD I D
1 = 5 RD 0,4 103
RD = 10k
o que significa operao na regio de saturao, portanto:
2

I D = K (VGS Vt )

0,4 = 0,4(VGS 2)

Essa equao do segundo grau produz dois valores de VGS, 1V e 3V. O primeiro valor no tem significado fsico, pois
ele menor que Vt. Portanto VGS = 3V. Desse modo temos que:

RS =

VS VSS
ID

3 ( 5)
= 5k
0,4 10 3

Exemplo 2:

VDD = +10V
Determine todas as tenses dos ns e as
correntes nas malhas. Suponha Vt = 1V e
K = 0,5 mA/V2. Suponha = 0.

6K
100K

IG1

C2
V0

IG

C1

VDS
Vi

VGS

IG2

ID

100K

Para anlise DC, XC1 = XC2

6K

Como a corrente na porta nula, podemos fazer o divisor de tenso RG1 e RG2:

VG = 10

100
= 5V
100 + 100

I G1 = I G 2 =

10
= 0,05mA
100 + 100

7
Com essa tenso positiva na porta, o transistor NMOS est em conduo. Mas no podemos determinar se ele opera na
regio de triodo ou saturao. Podemos supor uma operao na regio de saturao e verificar a validade da suposio.
A tenso na fonte :

VGS = 5 6 I D
Portanto, ID dado por:
2

I D = K (VGS Vt )

I D = 0,5 10 3 (5 6 I D 1)
18 I D2 25 I D + 8 = 0

A equao de segundo grau produz dois valores para ID: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor no tem significado
fsico pois produz uma tenso de fonte maior que a tenso de porta. Portanto:

I D = 0,5mA
VS = 0,5 6 = 3V
VGS = 5 3 = 2V
VD = 10 6 0,5 = 7V
Como VDS > VGS Vt, o transistor est realmente operando na saturao.

Exemplo 3:

RG1

VDD = +5V

IG1

C2
V0

VG

IG

C1

VD
Vi
IG2
RG2

Para anlise DC, XC1 = XC2

Podemos escrever:
2

I D = K (VGS Vt )

0,5 = 0,5[VGS ( 1)]

RD

ID

Projete o circuito de modo que o transistor

opere na saturao com ID = 0,5 mA e VD = 3V.
Suponha o transistor PMOS tendo Vt = -1V e K =
0,5 mA/V2. Suponha = 0.

8
Como VGS deve ser negativo (VGS < Vt), a nica soluo que faz sentido fsico VGS = -2V. Como a tenso na fonte
5V, a tenso na porta deve ser 3V. Dessa forma, temos o divisor de tenso:

3=5

RG 2
RG 2 + RG1

3RG1 = 2 RG 2
Uma possvel soluo seria RG1 = 2 M e RG 2 = 3M .
O valor de RD pode ser encontrado por:

RD =

VD
3
=
= 6k
I D 0,5

A operao no modo de saturao ser mantida at o ponto em que VD exceder VG por |Vt|, que :

VD max = 3 + 1 = 4V
A mxima resistncia ser dada por:

RD=

4
= 8k
0,5
Exemplo 4:
Projete o circuito para obter uma corrente ID = 80 A. Suponha o
transistor NMOS tendo Vt = 0,6V e K = 0,5 mA/V2. Suponha = 0.

Como VDG = 0, VD = VG o transistor est operando na saturao, dessa forma:

2

I D = K (VGS Vt )

VGS = Vt +

ID
K

VGS = 0,6 +

0,08
= 1V
0,5

A tenso de dreno ser:

VD = VG = 1V
O valor de R ser:

R=

VDD VD 3 1
=
= 25k
ID
0,08

Exerccio:
Projete o circuito para polarizar o transistor com corrente de
dreno ID = 2 mA e VDS grande o suficiente para permitir uma
excurso mxima do sinal de 2 V no dreno. Suponha que o
transistor NMOS tenha Vt = 1,2 V e K = 1,6 mA/V2. Use 22
M como o maior resistor da malha de realimentao.

10

MOSFET - Modelo AC

Assim como o TBJ, o MOSFET tambm pode ser representado por um modelo para descrever, de maneira
simplificada, sua operao AC.
D

G
G

Elementos
de circuito

S
S

Modelo -hbrido

Modelo para altas freqncias

G
S

CGD

G
ID

+
vGS

CGS

gm vGS

r0

S
S

11

Modelo para baixas freqncias (simplificado)

D
G
ID

+
gm vGS = vGS/re

vGS

r0

S
S

gm =

re =

I D
2I D
= 2 K (VGS Vt ) = 2 KI D =
VGS
VGS Vt

1
gm

ro =

VA
ID

VA =

 Nova apresentao do modelo -hbrido (simplificado)

D

G
ID

+
G

vGS/re

vGS

r0

S
S

iD

GB

iD

vGS/re

vGS

r0

r0
re

re
iS

12
Modelo de pequenos sinais:
D

G
r0

re

Anlise para pequenos sinais de circuitos com um transistor

Exemplo 5:

VCC

RD

vo

RG
IG=0
vi

ID

C2

C1

Na Banda de interesse, XC1 e XC2 esto em curto e para anlise incremental (AC) toda fonte de tenso
constante est em curto com o terminal comum.

13

ix
iD

iG

RG

Zo

iD2

ii

RD

ro
i=0

vi

iD1

Zi

re

Parmetros importantes do circuitos

Impedncia de entrada (Zi)

Impedncia de sada (Z0)
Ganho de tenso (Av)
Ganho de corrente (Ai)

Determinao dos parmetros.




Impedncia de entrada (Zi)

Por inspeo da figura acima, temos:

v v v v
ii = i o = i 1 o
RG RG vi
onde vo /vi o ganho de tenso Av, dessa forma:

ii =

vo

vi
(1 Av )
RG

Portanto:

Zi

vi
R
= G
ii 1 Av

14

Impedncia de sada (Z0)
Novamente, por inspeo da figura acima, a impedncia de sada do circuito igual :

Z o = RG // RD // ro

 Note que para determinao de Z0 as tenses independentes, no caso somente vi, so colocadas em
curto com o terra.
 A corrente ix mostrada para evidenciar que esta seria a corrente que uma fonte de tenso (v0)
conectada a sada forneceria ao circuito com uma impedncia de sada Z0.

Ganho de tenso (Av)
Da figura temos:

iD = iD1 + iD 2 + iG

vo vi vo vo vi
= + +
RD re ro
RG

1
1
1
1
1
= vi
vo
+ +

RD ro RG
RG re
1
vo
1
= RG // ro // RD

vi
RG re

Av =

1 1
vo
= Z o

vi
RG re

Ganho de corrente (Ai)

Definindo a corrente de sada como a corrente iD, temos:

ii =

vi
v
, io = iD = o
Zi
RD

Dividindo as duas equaes temos:

io
v Z
= o i
ii
RD vi
Ai =

io
Z
= Av i
ii
RD

15
Exerccio:

+15V

10K

Determine (a) Zo, (b) Av, (c) Zi e Ai. Suponha que o

transistor NMOS tenha Vt = 1,5 V, K = 0,125 mA/V2
e VA = 50 V. Na Banda de interesse, XC1 e XC2 esto
em curto.

ID
vo
C2

10M

vi

C1

Primeiramente devemos avaliar o ponto de operao cc do circuito como segue:

2

I D = K (VGS Vt )

I D = 0,125(VGS 1,5)

Como a corrente em RG nula temos que VGS = VD. Assim temos:

2

I D 0,125(VD 1,5)

(1)

Alm disso,

VD = 15 10 I D

(2)

Resolvendo as equaes (1) e (2) juntas, obtemos:

I D = 1,06mA

VD = 4,4V
(A outra soluo da equao quadrtica no fisicamente aceitvel.)
Assim temos:

ro =

re =

VA
50
=
= 47 k
I D 1,06
1
2 K (VGS Vt )

1
= 1,379k
2 0,125(4,4 1,5)

16
Modelo AC:

ix

10M

iD

iG

Zo

iD2
ii

10k

47k
i=0

vi

iD1

Zi

1,379k

(a) Determinar Zo:

Z o = RG // RD // ro
Z o = 8,24k
(b) Determinar Av:

Av =

1 1
vo
= Z o

vi
RG re

Av = 5,97V V
(c) Determinar Zi:

Zi

vi
R
= G
ii 1 Av

Zi =

10 106
= 1,34 M
1 ( 5,97 )

(d) Determinar Ai:

Ai =

io
Z
= Av i
ii
RD

Ai = 5,97

vo

1,34 106
= 800 A A
10 103