Neste trabalho, filmes finos condutores e transparentes de óxido de zinco dopado

com alumínio (ZnO:Al) foram depositados pela técnica de pulverização catódica a

ssistida por rádio-freqüência. Utilizou-se dois alvos diferentes para dopar os f
ilmes por dois métodos distintos: (i) alvo de ZnO com placas de Al metálico na s
uperfície e (ii) alvo de ZnO comercialmente dopado com 2% em massa de Al2O3. Par
a o método (i), todos os filmes apresentaram boa cristalinidade e orientação na
direção (002). Quando a pressão de deposição aumentou, a energia da banda óptica
proibida decresceu (3,17 - 3,36 eV), assim como a resistividade, cujo valor mín
imo chegou a 5,24 x 103 Ω.cm. Apesar dos filmes apresentarem transparência em to
rno de 85%, o valor alto da resistividade mostrou que este método não apresentou
uma forma eficaz para dopar os filmes condutores de transparentes de ZnO:Al. Pa
ra o método (ii), observou-se que a densidade de potência e a pressão de deposiç
ão tiveram influência na transparência óptica dos filmes de ZnO:Al, que variou e
m torno de 86% a 90%. Por outro lado,variando-se a pressão de deposição de 0,8 a
8,0 Pa, os tamanhos de grãos dos filmes aumentaram e a resistividade elétrica d
iminuiu, chegando ao menor valor de 3,83 x 10−3 Ω.cm (8,0 Pa e 6,80W/cm2). Entre
ntanto, notou-se um pequeno aumento na resistividade associado à redução nos tam
anhos de grãos para filmes depositados a pressões maiores que 8,0 Pa.