Eletrnica de Potncia - Cap.

11

J. A. Pomilio

11.DIMENSIONAMENTO DE SISTEMAS DE DISSIPAO DE CALOR

PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA
11.1

Introduo

A circulao de corrente eltrica por qualquer bipolo provoca uma dissipao de potncia
igual ao produto do quadrado da corrente pela resistncia do caminho percorrido. Tal potncia
dissipada converte-se, essencialmente, em calor (efeito Joule). As relaes entre potncia e
energia so indicadas abaixo:
1 W = 0,239 cal/s
1 W.s = 1 J
1 cal = 4,187 J
O objetivo deste estudo fornecer subsdios para estabelecer critrios para o
dimensionamento de sistemas de dissipao do calor produzido por componentes eletrnicos,
especialmente semicondutores de potncia (diodos, transistores, tiristores, etc.), buscando a
proteo de tais componentes, tendo como meta fundamental a elevada confiabilidade dos
equipamentos nos quais os dispositivos so empregados. Deve-se tambm buscar volumes,
massas e custos to reduzidos quanto possveis.
Os dispositivos semicondutores atuais so praticamente todos de silcio. Este material tem
temperatura de fuso superior a 1400 C. Por qual razo, ento, os fabricantes especificam uma
mxima temperatura de operao da juno em torno de 150 C?
A temperatura interna de um dispositivo semicondutor determina a quantidade de
portadores livres (eltrons e lacunas) que, por sua vez, responsvel pela corrente de fuga que
existe quando o dispositivo deveria estar bloqueado. O efeito combinado da tenso de bloqueio
com a corrente de fuga e a temperatura pode levar ruptura do dispositivo, neste caso,
provocando uma excessiva dissipao de potncia no componente e levando sua destruio.
A mxima temperatura da juno especificada pelos fabricantes aquela que garante que
o componente ser capaz de bloquear a tenso prevista. Assim, um diodo para 500 V somente
ser capaz de manter-se desligado e suportando tal tenso se sua temperatura de juno no
exceder o limite dado (por exemplo, 150 C). Se a temperatura for maior do que esta, o diodo
no ser capaz de bloquear os 500 V previstos.
.
11.2

Clculo da potncia dissipada

Uma primeira dificuldade para a escolha de um dissipador conhecer com alguma

preciso a potncia que ser dissipada pelo dispositivo semicondutor. Uma estimativa pode ser
feita a partir de dados de catlogo, lembrando que os tempos especificados esto sempre
associados a condies precisas de acionamento (no caso de transistores) e das cargas
alimentadas. As condies reais de cada aplicao podem diferir bastante de tais situaes de
teste, de modo que se exige do projetista um cuidado especial nesta estimativa inicial das perdas
no componente. Outro modo de estimativa por simulao, desde que os modelos do
dispositivos sejam confiveis.
O clculo das potncias deve ser feito, via de regra, pelo produto dos sinais de tenso e
corrente sobre o componente em questo.

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11-1

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Consideremos para fins de exemplo as formas de onda indicadas na figura 11.1. Os

valores da potncia mdia em cada sub-intervalo so calculados na seqncia.
Potncia
p=v.i

v
V1

I1

t0

Vo
t1 t2 t3

Io
t4

t5

Figura 11.1 Exemplo de sinais de tenso, corrente e potncia para clculo de potncia mdia
dissipada.

a)

Intervalo (t1-t0)

i( t ) = Io

(11.1)

v ( t ) = V1

(11.2)

t1

P1 =

1
Io V1 dt
T t0

(11.3)

P1 =

Io V1 (t1 t 0 )
T

(11.4)

b)

Intervalo (t2-t1)

i( t ) = Io +

( I1 Io ) ( t t1)
( t 2 t1)

(11.5)

Se Io << I1 e se colocar a referncia de tempo em t1, a equao (11.5) simplifica-se para:

I1
t
tq
onde tq = t2-t1.
i( t ) =

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(11.6)

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11-2

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v ( t ) = V1

P2 =

1
V1 ( I1 Io) ( t 2 2 t12 )
V
1

Io

(
t
2

t
1
)

V
1

(
I
1

Io
)

t
1
+

T
2 ( t 2 t1)

(11.7)

Usando (11.6) ao invs de (11.5), tem-se:

P2 =

V1 I1 tq
2T

(11.8)

c) Intervalo (t3 - t2)

i (t) = I1
v ( t ) = V1 + ( Vo V1)

( t t 2)
( t 3 t 2)

(11.9)

Sendo Vo << V1 e deslocando o incio da integrao para t = t2

t

v ( t ) = V1 1
td
onde td = (t3 - t2)

P3 =

(11.10)

1
I1 ( Vo V1) ( t 32 t 2 2 )
I
1

V
1

(
t
3

t
2
)

I
1

(
Vo

V
1
)

t
2
+

T
2 ( t 3 t 2)

(11.11)

Simplificadamente tem-se:
P3 =

I1 V1 td
2T

(11.12)

d) Intervalo (t4 - t3)

i (t) = I1
v (t) = Vo
P4 = I1 Vo

( t 4 t 3)
T

(11.13)

e) Intervalo (t5 - t4)

i( t ) = I1 + ( Io I1)

( t t 4)
( t5 t 4)

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(11.14)

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11-3

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v ( t ) = Vo + ( V1 Vo)

P5 =

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( t t 4)
( t 5 t 4)

(11.15)

1
( t5 2 t 4 2 )
[
]
I
1

Vo

tj

I
1

V
1
+
Io

Vo

Vo

I
1

t
4

T
2 tj

( Io I1) ( V1 Vo) ( t5 3 t 4 3 )

t 4 ( t 5 2 t 4 2 ) + t 4 2 ( t 5 t 4)
2
3
tj

(11.16)

onde tj= t5 - t4
Simplificadamente:

t
i( t ) = I1 1
tj
t
v ( t ) = V1
tj

(11.17)
(11.18)

Usando as equaes (11.18) e (11.17) tem-se:

P5 = V1 I1

tj
6T

(11.19)

A potncia mdia dissipada ser:

P = P1 + P2 + P3 + P4 + P5

(11.20)

Os picos de potncia no exemplo dado so:

Pp1 = V1 I1 , em t = t2
Pp2 =

(11.21)

( t 4 + t 5)
V1 I1
, em t =
2
2 2

(11.22)

claro que as linearizaes das curvas de corrente e tenso por si s constituem uma
simplificao e, portanto, implicam em erros. O uso de bom senso, atuando de maneira
moderadamente conservativa fundamental para um clculo seguro.
Alguns osciloscpios digitais possuem a funo produto e at mesmo a sua integral,
facilitando o clculo (o valor integrado deve ser dividido pelo perodo de chaveamento). Este o
mtodo mais indicado especialmente em regime chaveado. Para sinais contnuos, a potncia ,
obviamente, o produto dos valores de tenso e corrente. Na ausncia dos equipamentos e/ou
recursos citados, deve-se obter os sinais de tenso e corrente e aproxim-los, em partes, por
funes de fcil integrao.

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11-4

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11.2.1 Diodos
Usualmente a tenso de conduo dos diodos de potncia da ordem de 1 V, valor este
que aumenta quanto maior for a tenso do componente, devendo-se verificar o valor dos
manuais. O efeito da resistncia de conduo pode ser, em geral, desconsiderado. A dissipao
no estado bloqueado pode ser desprezada em funo de seu pequeno valor em comparao com
as perdas em conduo.
A figura 11.2 indica uma situao de aplicao tpica de diodos, qual seja, uma ponte
retificadora trifsica, operando, assim, em baixa freqncia de comutao. O fator dominante
aquele relativo s perdas em conduo. Para um clculo analtico aproximado da potncia mdia,
pode-se considerar a tenso de conduo constante (Vd) e utilizar-se o valor mdio da corrente.
Como a freqncia de comutao baixa, as perdas relativas a este termo podem ser
desprezadas.
A corrente mdia pode ser estimada, conhecida a potncia consumida pela carga,
lembrando-se que por cada diodo circula 1/3 da corrente total. Assim, para uma entrada de 200V
(valor eficaz), tem-se uma tenso retificada de cerca de 300V. Supondo uma carga de 150 , a
corrente mdia pelo diodo ser de 0,66A. Para uma queda de tenso de 2 V, tem-se uma potncia
mdia de 1,32W.
J para a determinao da potncia de pico, como se deve conhecer o valor de pico da
corrente, uma estimativa analtica mais difcil, uma vez que a forma da corrente depende da
impedncia da linha trifsica e ainda de eventuais indutncias parasitas das conexes, que podem
alterar o valor do pico da corrente.
Alguns catlogos de diodos fornecem grficos indicando a potncia ou energia dissipada
pelo componente em funo da forma de onda da corrente.
20W

potncia

Carga

-0W
400V

20A

tenso

corrente
-10V

-1A
0s

4ms

8ms

12ms

16ms

20ms

Figura 11.2. Tenso, potncia e corrente em um diodo de uma ponte retificadora trifsica com
filtro capacitivo.
A figura 11.3 mostra as formas de onda tpicas de um diodo. As perdas devido
recombinao reversa so, em geral, desprezadas, uma vez que durante o tempo de decaimento
da corrente a tenso baixa. Somente quando atingido o pico negativo da corrente reversa
que a tenso comea a crescer. Neste caso a potncia dissipada dada por:

Pr = Q rrn Vr f
Qrrn

(11.25)

: carga de recombinao reversa relativa ao intervalo t5

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Vr
f

: tenso reversa
: freqncia de repetio
Para a entrada em conduo, como o intervalo t1 muito rpido, no se leva em
considerao a potncia a dissipada.
t3
t1

dir/dt

dif/dt
i=Vr/R

iD

Vfp

Von

vD
-Vr

trr

Qrr

t4 t5
Vrp

t2

Figura 11.3 Formas de onda tpicas de um diodo rpido.

11.2.2 Tiristores
Em geral os tiristores so empregados em circuitos conectados rede. Em funo do tipo
de carga alimentada sua corrente pode assumir diferentes formas. O clculo da potncia mdia
pode ser feito analogamente ao que foi indicado para os diodos, pois esta uma situao de pior
caso (ngulo de conduo de 180o). A queda de tenso em conduo em torno de 1,4 V,
devendo-se verificar nos manuais o valor correto.
11.2.3 Transistores
a) Em regime contnuo
Se o transistor (bipolar ou MOSFET) estiver operando em sua regio ativa, a potncia por
ele dissipada simplesmente o produto da corrente pela tenso. Caso os valores no sejam
constantes, a potncia mdia dissipada pode ser calculada pelo produto da corrente e tenso com
valores RMS.
b) Em regime chaveado
Em aplicaes em que o transistor usado como interruptor, como em fontes chaveadas
ou amplificadores classe D, deve-se considerar as perdas em conduo e as perdas de comutao
(chaveamento).
Formas de ondas tpicas de tenso e corrente pelo componente esto indicadas na figura
11.4. Os valores mdio e de pico podem ser calculados (estimados) de acordo com o que foi
indicado anteriormente, para formas de onda genricas. Note que, em relao s formas de onda
da figura 11.1, tem-se um agravante que a corrente de recombinao reversa do diodo, que se
soma corrente do transistor, aumentando significativamente o pico de potncia dissipada na
entrada em conduo do transistor.

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200V

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100A

tenso
corrente
L
0V

0A
10KW

Potncia

0W

20.0us

30.0us

40.0us

50.0us

60.0us

66.5us

Figura 11.4. Formas de onda tpicas de potncia em um transistor utilizado em fonte chaveada
com carga indutiva.
No caso de transistores bipolares, a tenso de saturao est em torno de 0,4V (verifique
o valor no manual especfico). Para conexo Darlington este valor cresce para cerca de 1,2V,
uma vez que o transistor no entra na regio de saturao. A corrente no estado bloqueado pode,
em geral, ser negligenciada para o clculo da potncia.
Para um IGBT, o valor da tenso de conduo maior, situando-se entre 3 e 5 V, a
depender do componente. O valor deve ser verificado no catlogo do fabricante.
Um clculo preliminar da potncia dissipada no componente deve ser feito antes da
montagem do circuito a partir dos dados de manual. Com o funcionamento do equipamento
deve-se verificar as formas de onda reais e reconsiderar o dimensionamento do sistema de
dissipao.
Os manuais de transistores de potncia, em geral, indicam os tempos caractersticos de
chaveamento para cargas resistivas e indutivas, devendo-se empregar os tempos mximos
estipulados para o dimensionamento preliminar. Uma vez que o desempenho do componente
fortemente influenciado pelo circuito de acionamento da base/gate, pela carga e por componentes
parasitas, um dimensionamento mais rigoroso s ser possvel aps o funcionamento do
equipamento.
Como regra geral, deve-se buscar o chaveamento mais rpido possvel embora isto possa
trazer problemas de interferncias e surgimento de picos de tenso e/ou corrente devido aos
elevados di/dt e dv/dt e aos componentes indutivos e capacitivos (parasitas ou no) do circuito.
Medidas para reduo destes tempos ou tcnicas de chaveamento sem perdas podem ser
encontradas fartamente na bibliografia especializada.
Neste ponto sugere-se a consulta a inmeros artigos publicados pela Associao
Brasileira de Eletrnica de Potncia SOBRAEP, seja nos anais das diversas edies do
Congresso Brasileiro de Eletrnica de Potncia, seja na revista Eletrnica de Potncia, que pode
ser livremente acessada atravs de http://www.sobraep.org.br.
Os transistores MOSFET produzem menores perdas de chaveamento, pois seus tempos de
subida e queda da corrente de dreno so menores que os obtidos para a corrente de coletor dos
transistores bipolares ou IGBTs, sendo indicados para aplicaes em freqncias elevadas. No
entanto, possuem maiores perdas de conduo que os transistores bipolares equivalentes. Suas
perdas em conduo podem ser preliminarmente aproximadas pelo produto da resistncia entre
dreno e fonte (RDSon) pelo quadrado da corrente, ponderando-se pelo ciclo de trabalho. No
entanto, como RDS se altera (cresce) com a elevao da temperatura necessrio, em projetos
mais acurados, considerar tal efeito. Para IGBTs, como para os bipolares, faz-se o clculo
utilizando a tenso Vce e a corrente de coletor.

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11.3

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Mecanismos atuantes em um dissipador de calor

11.3.1 Dissipao por Conveco

A dissipao por conveco a que ocorre pela movimentao do ar na regio onde se
encontra o dissipador de calor.
A Taxa de Calor [J/s] dissipado dada por:
Q=h A (Ts -Tf)

(11.26)

h = coeficiente individual de transporte de calor

A = rea do dissipador
Ts = temperatura de superfcie
Tf = temperatura do ar circunstante
De acordo com esta equao, para melhorar a dissipao pode-se aumentar a rea do
dissipador ou aumentar o coeficiente individual de transporte de calor, o qual pode ser melhorado
alterando a geometria do dissipador, alterando a orientao do dissipador (deixando-o em
posio horizontal ou vertical, de modo a facilitar o fluxo do ar) ou forando passagem do ar pelo
dissipador (ventilao forada).

11.3.2 Dissipao por Radiao

O segundo fenmeno que permite dissipao de calor por radiao, no qual a energia
transportada por ondas eletromagnticas. Neste caso, a Taxa de Calor dissipado dada por:
Q=

A (Ts4 - Tf4)

(11.27)

= constante de Boltzmann = 5,67 10 -8 W/m2K4

=emissividade
Ts = temperatura de superfcie
Tf = temperatura do fludo (ar)
A nica varivel que pode ser alterada para o aumento da eficincia a emissividade ( ),
a qual funo apenas do tipo de acabamento da superfcie que irradia o calor.
Da tabela 11.1 nota-se que a anodizao do alumnio (material normalmente utilizado nos
dissipadores) altera a emissividade de 0,04 para cerca de 0,85, o que melhora a Taxa de Calor
radiado em cerca de 20 vezes.
A cor da superfcie influencia apenas na absorvitividade de radiao, mas este no o
mecanismo pelo qual o dissipador absorve o calor do componente eletrnico, uma vez que o
calor absorvido por conduo trmica (contato entre as superfcies). O fato do dissipador estar
anodizado na cor preta ou na cor natural no influencia na dissipao.

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Tabela 11.1 Absortividade e emissividade de radiao do alumnio em funo do acabamento

superficial
absortividade

emissividade

Anodizao Preto

0.86

0.86

1.00

Anodizao Azul

0.67

0.87

0.77

Anodizao Bronze

0.73

0.86

0.85

Anodizao Verde

0.66

0.88

0.75

Anodizao Vermelho

0.57

0.88

0.65

Anodizao Amarelo

0.47

0.87

0.54

Anodizao Natural

0.35

0.84

0.42

Sem Anodizar

0.26

0.04

6.50

Define-se a grandeza resistncia trmica como uma medida da dificuldade do fluxo de

calor entre 2 meios:
Rt =

T
1
=
P
(h A )

(11.28)

T: diferena de temperatura entre regies de transferncia de calor

P: potncia mdia dissipada
A utilizao de grande nmero de aletas para aumentar a rea de troca de calor. A
resistncia trmica entre o dissipador e o ambiente, Rdta, para uma placa plana quadrada
aproximadamente dada por:
Rtda =

3,3
W

C f0.25 + 650

Cf
A
o

(11.29)
o

: condutncia trmica (a 77 C) [W/( C.cm)]

W: espessura do dissipador [mm]

A: rea do dissipador [cm2]
Cf: fator de correo devido posio e tipo de superfcie
Tabela 11.2 Valores de condutncia trmica para diferentes materiais:
Material
(W/oC.cm)
Alumnio
2,08
Cobre
3,85
Lato
1,1
Ao
0,46
Mica
0,006
xido de berlio
2,10

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O fator Cf varia com a posio do dissipador, sendo prefervel uma montagem vertical
horizontal por criar um efeito chamin.
Tabela 11.3Valores para Cf: para dissipador de alumnio
Corpo anodizado
corpo brilhante
Montagem vertical
0,43
0,85
Montagem horizontal
0,5
1,00
O valor efetivo da resistncia trmica do dissipador pode ser significativamente reduzido
por circulao forada de ar, como indicado na figura 11.5.
1
R
0.8

0.6

0.4

0.2

10

11

12

13

14

v (m/s)
Figura 11.5 Variao relativa de Rtda com ventilao forada.

11.4

Comportamento em regime permanente: potncia mdia

Nos dispositivos semicondutores de potncia o calor decorrente do efeito Joule
produzido na pastilha semicondutora, fluindo da para ambientes mais frios, como o
encapsulamento do dispositivo e o ambiente. Este fluxo de calor depende de fatores como o
gradiente de temperatura e as caractersticas trmicas dos meios e materiais envolvidos.
Em geral se faz uma analogia com um circuito eltrico, mostrado na figura 11.6, sendo a
potncia mdia representada por uma fonte de corrente. As temperaturas nos ambientes indicados
(juno, cpsula, ambiente) so anlogas s tenses nos respectivos ns, enquanto as resistncias
trmicas so as prprias resistncias do modelo.
R
Tj

tjc

R
Tc

tca

R tcd

Ta

R tda

P
Td

Figura 11.6. Equivalente eltrico para circuito trmico em regime permanente (incluindo
dissipador).
Via de regra a temperatura ambiente (Ta) considerada constante e o objetivo do
dimensionamento garantir que a temperatura da juno semicondutora (Tj) no ultrapasse um
dado valor mximo. As resistncias trmicas entre juno e cpsula (Rtjc) e entre cpsula e

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ambiente (Rtca) so dados do componente, existindo nos manuais. Eventualmente se omite o

valor da resistncia entre cpsula e ambiente caso seu valor seja elevado e seguramente seja
utilizado algum dissipador de baixa resistncia trmica.
A equao tpica do modelo :
Tj = Ta + P . (Rtjc + Rtca)

(11.30)

Exemplo 1:
Sejam os seguintes dados iniciais (a potncia mdia j foi calculada ou estimada por
algum mtodo):
P = 20 W
Rtjc = 2oC/W (dado de catlogo)
Rtca = 10oC/W (dado de catlogo)
Ta = 40oC (arbitrado pelo projetista em funo do local de instalao)
Tjmax = 120oC (dado de catlogo)
Destes dados determina-se que:
Tc = Ta + P . Rtca = 240oC
Tj = Tc + P . Rtjc = 280oC

11.4.1 Dissipador de calor

Pelos dados de exemplo 1 verifica-se que uma situao de tal tipo levaria destruio do
dispositivo, uma vez que seria ultrapassada a sua mxima temperatura de juno.
Considerando que no seja possvel reduzir a potncia mdia dissipada e que no h
como alterar as resistncias trmicas (a menos que se substitua o componente por algum de outro
tipo) e ainda que a temperatura ambiente no pode ser reduzida significativamente, a alternativa
para a proteo do semicondutor colocar um dispositivo de baixa resistncia trmica entre o
encapsulamento e o ambiente (entre a juno e o encapsulamento no possvel faz-lo). A este
elemento colocado junto ao encapsulamento se diz dissipador de calor. Tal associao em
paralelo de resistncias trmicas (veja a figura 11.6) permite reduzir a resistncia equivalente
entre ambiente e encapsulamento e, assim, reduzir as temperaturas da cpsula e,
conseqentemente, da juno.
Desprezemos inicialmente a resistncia trmica entre a cpsula e o dissipador (Rtcd). No
exemplo dado e usando o modelo, tem-se:
Tj max = Ta + ( Rtjc + Rteq ) P
Rteq =

(11.31)

(Rtca Rtda )

(Rtca + Rtda )
Rteq = 2oC/W
Rtda = 2,5oC/W
A figura 11.7 mostra perfis tpicos de dissipadores.
Na montagem do componente semicondutor sobre o dissipador existe uma resistncia
trmica entre o encapsulamento e o corpo do dissipador, a qual determinada, principalmente,
pelo ar contido entre os corpos, devido s rugosidades e no alinhamento das superfcies. Este
fato pode ser minimizado pelo uso de pastas de silicone ou outro tipo de material que seja bom
condutor trmico e isolante eltrico. Caso seja necessrio isolar eletricamente o corpo do

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componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que apresentam

uma resistncia trmica adicional entre cpsula e dissipador.
Recorde-se aqui que, normalmente, a parte metlica do corpo dos componentes
eletrnicos est ligada eletricamente a um dos terminais do mesmo. Por exemplo, comum que a
cpsula de um transistor esteja conectada ao coletor. Caso seja necessrio isolar eletricamente o
corpo do componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que
apresentam uma resistncia trmica adicional entre cpsula e dissipador.
Tabela 11.4 Valores tpicos de resistncia trmica entre cpsula e dissipador

Tipo de cpsula
TO - 3

TO - 66

TO - 220AB

Tipo de isolador
s/ isolador
teflon
mica
s/ isolador
mica
mylar
s/ isolador
mica

c/ pasta
0,1
0,7 a 0,8
0,5 a 0,7
0,15 a 0,2
0,6 a 0,8
0,6 a 0,8
0,3 a 0,5
2,0 a 2,5

Rtcd (oC/W)
s/ pasta
0,3
1,25 a 1,45
1,2 a 1,5
0,4 a 0,5
1,5 a 2,0
1,2 a 1,4
1,5 a 2,0
4,0 a 6,0

Obs.: mica e mylar com espessura de 50 m a 100 m.

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Figura 11.7 Perfis tpicos de dissipadores (Semikron Semicondutores)

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Comportamento em regime transitrio: potncia de pico

Quando a potncia dissipada no semicondutor apresenta pulsos de potncia preciso

verificar a proteo do componente no apenas em relao ao valor mdio sobre ele mas tambm
em relao aos picos de dissipao.
Durante a ocorrncia do pico de potncia ocorre a elevao da temperatura da juno
embora no ocorra variao nas temperaturas do encapsulamento e do dissipador (que dependem
da potncia mdia) devido maior capacidade trmica da cpsula e, especialmente, do
dissipador. Tal capacidade trmica relaciona-se com o tipo de material utilizado e seu volume.
Na analogia eltrica utilizada anteriormente, ela se comporta como uma capacitncia.
O clculo da temperatura da juno em tal regime transitrio feito utilizando uma
grandeza chamada impedncia trmica que leva em considerao a capacidade trmica da
juno. O valor da impedncia trmica, Ztjc, obtido de curvas normalizadas presentes nos
manuais de componentes semicondutores de potncia. A figura 11.8 mostra uma curva tpica de
impedncia trmica, normalizada em relao resistncia trmica entre juno e cpsula.
Estas curvas tomam por base pulsos quadrados de potncia que, via de regra, no
apresentam tal formato. Como se v na figura 11.9, os pulsos reais devem ser normalizados de
maneira a que o valor de pico e a energia (rea sob o pulso) se mantenham. Com o ciclo de
trabalho obtido pela diviso da largura do pico retangular pelo perodo de chaveamento,
seleciona-se a curva adequada e se obtm o valor de Ztjc (normalizado ou no). Calculada a
temperatura do encapsulamento (a partir da potncia mdia) obtm-se o valor da temperatura da
juno no instante do pulso de potncia.

Zt/Rt

=0.5

=0.1

0.1

=0.05

0.01
1 10

0.001

0.01

0.1

tp

pulso nico

Figura 11.8. Curvas tpicas de impedncia trmica para picos de potncia.

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Pd(t)
Pp

A1

Pj(t)

A1=A2
tp

Pulso normalizado
Pp

A2
T

Figura 11.9. Normalizao do pulso de potncia.

tp =

1
Pd ( t ) dt
Pp 0

(11.32)

tp
T

Uma vez determinada a temperatura relativa potncia mdia pode-se calcular a

temperatura de pico que se tem na juno utilizando estes dados:
Tj p = Tc + Pp Z tjc ( tp, )

(11.33)

Exemplo 2:
Rtjc = 2o C/W (dado de catlogo)
Rtca = 5o C/W (dado de catlogo)
Rtcd = 2o C/W (associado ao tipo de isolao entre cpsula e dissipador)
Rtda = 3o C/W (dissipador escolhido previamente)
Ztjc = 0,05o C/W (dado de catlogo)
Tjmax = 150o C (dado de catlogo)
Ta = 40o C (arbitrado pelo projetista)
P = 20W (calculado ou estimado previamente)
Pp = 1000W (calculado ou estimado previamente)
Em relao potncia mdia:
Rtca (Rtcd + Rtda )

Tj = Ta + P Rtjc +
Rtca + Rtcd + Rtda

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(11.34)

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Tj = 130 oC (o componente est protegido em relao potncia mdia)

Tc = 90 oC
Em relao ao pico de potncia
Tj = Tc + Pp . Ztjc = 140 oC

(11.35)

O componente tambm est protegido nos transitrios. Caso a temperatura calculada da

juno ultrapassasse o valor mximo seria necessrio recalcular o dissipador para que a
temperatura da cpsula fosse baixa o suficiente para permitir a elevao na juno decorrente do
pulso de potncia.

11.6

Clculo de dissipadores

Neste item indicam-se alguns critrios a serem adotados no dimensionamento de

dissipadores. Os valores de potncia sero dados como ponto de partida mas nas situaes reais
devero ter sido calculados a partir de dados de manual ou de observao das formas de onda
sobre o componente.
A temperatura de trabalho da juno deve ser 20% a 30% menor que seu valor mximo, para
permitir a proteo do componente sem superdimensionar o dissipador.
Para ambientes nos quais no se faa um controle rgido da temperatura deve-se usar uma
temperatura ambiente de 40oC (exceto se for possvel a ocorrncia de temperaturas ainda mais
elevadas).
Caso o dissipador fique dentro de algum bastidor ou caixa na qual a temperatura possa se
elevar acima dos 40oC deve-se considerar sempre a mxima temperatura do ar com o qual o
dissipador troca calor. conveniente, falta de maiores informaes utilizar o valor de 40oC e
verificar aps a entrada em operao do prottipo a verdadeira temperatura ambiente.
Deve-se verificar a necessidade do uso de isoladores (mica, teflon ou mylar) e no
desconsiderar suas resistncias trmicas.
O emprego de pastas trmicas sempre recomendado e se deve considerar tambm sua
resistncia trmica.

Exemplo 3:
Rtjc = 1oC/W (dado de catlogo)
Rtca = 35oC/W (dado de catlogo)
Rtcd = 0,7oC/W (isolador e pasta)
Ztjc = 0,01oC/W (dado de catlogo)
P = 20W
Pp = 5 kW
Tjmax = 150oC
Ta = 40oC
a) Clculo em regime permanente
Tj = 0,8 . Tjmax = 120oC
Tj = Ta + P . (Rtjc + Rteq)
Rteq = 3oC/W

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Rteq =

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Rtca (Rtcd + Rtda ) )

Rtca + Rtcd + Rtda

Rtdamax = 2,58oC/W
O dissipador trmico selecionado deve possuir uma resistncia trmica inferior
calculada. Por exemplo:
Rtda = 2oC/W
Assim o novo Rteq ser 2,5oC/W.
b) Clculo em regime transitrio
Tc = Ta + Rteq . P = 90oC
Tjp = Tc + Ztjc . Pp = 140 oC >120o C
Como, no transitrio ultrapassa-se o valor de Tj estabelecido preciso redimensionar o
dissipador, a partir de um valor admissvel para Tc.
Tcmax = Tj - Ztjc . Pp
Tcmax = 70oC
Tcmax = Ta + Rteq . P
Rteq = 1,5oC/W
Rtda = 0,86oC/W

(11.36)

Assim, para proteo do dispositivo contra a potncia mdia dissipada e os pulsos de

potncia nos transitrios, deve-se usar um dissipador com resistncia trmica de 0,8oC/W. Outra
possibilidade usar um dissipador com resistncia trmica maior mas fazendo uso de ventilao
forada.

11.7

Fontes de calor distribudas

Componentes idnticos so freqentemente montados prximos em placas, quando um

nico dispositivo no pode dissipar toda a potncia projetada, por exemplo, um conjunto de
transistores em paralelo em um regulador srie para alta corrente. Cada dispositivo dissipa
praticamente uma mesma frao da potncia total. A mxima temperatura ocorrer no centro da
placa, com uma distribuio parablica de temperatura, com o mnimo nas bordas. A diferena
de temperatura entre as bordas e qualquer ponto da placa dada por:
T=

q
( L2 X 2 )
2 KA

(11.37)

L: distncia entre a borda e o centro da placa [cm]

K: condutividade trmica do material da placa [cal/s.cm.C]
A: seo transversal da placa [cm]
X: distncia, a partir do centro, onde se quer saber a temperatura [cm]
q: potncia distribuda entre o centro da placa e o ponto X [cal/s]

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11.8

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Refrigerao forada

Sistemas eletrnicos de alta potncia freqentemente utilizam refrigerao com

circulao forada de lquidos. Em geral os componentes so montados em placas metlicas de
cobre ou alumnio, atravs da qual circula o lquido refrigerante, normalmente por condutores
ocos soldados placa.
gua provavelmente o melhor lquido para resfriamento em termos de densidade,
viscosidade, condutividade trmica e calor especfico. Para operao de longa durao deve-se
prever uso de gua destilada e deionizada. Se a temperatura esperada puder cair abaixo do ponto
de solidificao ou acima do de ebulio deve-se adicionar outro lquido gua, como o
ethylene glycol o que tambm previne a corroso do cobre ou alumnio usado nos dutos.
O clculo do sistema de refrigerao relativamente elaborado, utilizando frmulas
aproximadas e indicadas nas referncias e que no sero tratadas aqui.

11.9

Referncias bibliogrficas

B.W.Williams: Power Electronics, Devices, Drives and Applications, MacMillan Education,

1987
Ivo Barbi: Progress in the Development of High-Frequency nondissipative Commutation power
Converter Technologies, Power Electronics Seminar, Dec, 15-16, 1988, Florianpolis, Brazil
P.L. Hower Power Semiconductors Devices: An Overview, Proc. IEEE, vol. 76, no 4, April
1988
R.D.King er alli: Comparison of Power Darlinton, IGBT and MCT Switch Losses in ASD
PWM Inverters, PCIM, August 1990
D.S.Steinberg: Cooling Techniques for Electronic Equipment, John Wiley & Sons, Inc., 1980.
http://www.hsdissipadores.com.br/tecnologia.asp, acesso em 21/07/2007.
http://www.sobraep.org.br, para acesso s publicaes da SOBRAEP

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