Eletrnica Analgica II

Transistores Unipolares
JFET / MOSFET

Data da Entrega (Prevista): 02/05/2007

Curso: Engenharia Eltrica c/ nfase em Telecomunicaes

Turma: 4 A

Componentes do Grupo
Clodoaldo Teixeira
Edgar de Oliveira Carmo

Corrigido pelo Professor:

Nota

ndice
1. Transistores Unipolares: JFET e MOSFET...........................................3
1.1.

JFET..............................................................................3

1.1.1.

Polarizao de um JFET.................................................4

1.1.1.1.

Curva Caracterstica de Dreno....................................5

1.1.1.2.

Curva de Transcondutncia........................................6

1.1.1.3.

Autopolarizao.....................................................6

1.1.1.4.

Reta de Autopolarizao...........................................8

1.1.1.5.

Seleo RS............................................................9

1.1.2.

Transcondutncia.........................................................9

1.1.2.1.

Transcondutncia de um Transistor Bipolar....................10

1.1.3.

Amplificador de Fonte Comum........................................11

1.1.4.

Amplificador com Realimentao Parcial...........................12

1.1.5.

Amplificador Seguidor de Fonte......................................13

1.2.

MOSFET.........................................................................15

1.2.1.

MOSFET de Modo Depleo............................................15

1.2.2.

MOSFET de Modo Crescimento ou Intensificao...................16

1.2.3.

Tenso Porta-Fonte Mxima...........................................19

2. Concluso..............................................................................20
3. Referncias Bibliogrficas..........................................................21

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Transistores Unipolares: JFET e MOSFET

1. Transistores Unipolares: JFET e MOSFET

Os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e
eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto
existem aplicaes nos quais os transistores unipolares com a sua alta
impedncia de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor
depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar.
H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido
metlico (MOSFET).

1.1. JFET
Na Figura abaixo, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito
de campo de juno ou simplesmente JFET.

a conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source)

para o dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O
transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com

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canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com
canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.

1.1.1. Polarizao de um JFET

A Figura a seguir mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n.
Uma alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte,
estabelecendo um fluxo de corrente atravs do canal. Esta corrente tambm
depende da largura do canal.
Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta
fica com uma polarizao reversa, circulando apenas uma corrente de fuga e,
portanto, uma alta impedncia entre a porta e a fonte. A polarizao reversa
cria camadas de depleo em volta da regies p e isto estreita o canal
condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o
canal.

Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (DS) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG
que produz o corte simbolizada por VGS(Off) .

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1.1.1.1.

Curva Caracterstica de Dreno

Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo

linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou
estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura
por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante.
Os ndices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em
curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode
produzir. Na Figura 7-3, mostrado um exemplo de curva para um JFET.
Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0 e 4V,
dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual
intensidade da tenso de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma
propriedade inerente a todos os JFETs.
Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto
, se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado
por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, na
<colocar figura>, aps a condio de pinamento e esquerda da regio de
tenso VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de
trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de
pinamento.

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1.1.1.2.

Curva de Transcondutncia

A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada

versus a tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua equao :

1.1.1.3.

Autopolarizao

A polarizao de um transistor JFET se faz de maneira semelhante

polarizao de transistor bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o
transistor JFET como se fosse um transistor bipolar.
Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que, primeiramente,
o mesmo deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura
7-5 vemos um JFET polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais
para limitar tenses e correntes convenientemente, como visto na polarizao
de transistores bipolares.

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Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por

derivao de corrente, pois o VGS aparece devido corrente de dreno sobre
RS, o que resulta em VRS.
Essa tenso, distribui-se entre RG e a juno reversa, que, como tal, possui
uma alta resistncia. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS.

o diodo porta-fonte est reversamente polarizado e a corrente IG uma

pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero.

unindo estas duas equaes, temos:

A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente

a corrente de dreno muito maior que a de porta. Ento:

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Anlise da malha do lado direito do circuito:

1.1.1.4.

Reta de Autopolarizao

Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de

transcondutncia para encontrar o ponto Q de operao. Seja a curva ID x VGS
a base para encontrar o ponto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e
a tenso de corte da porta-fonte de -4V. Isso significa que a tenso da porta
tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir este valor, pode-se fazer o grfico
da Figura abaixo e ver onde ela intercepta a curva de transcondutncia.
Exemplo : Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarizao for de
300. Qual o ponto Q. Usar o grfico ID x VGS que apresentamos
anteriormente.

SOL.: A equao de VGS :

para traar a reta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e

para o outro valor de ID, VGS= 13,5m*300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q
:
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1.1.1.5.

Seleo RS

O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o

ponto Q fique no na regio central, como o do exemplo. O mtodo mais
simples para escolher um valor para RS :

Este valor de RS no produz um ponto Q exatamente no centro da curva, mas

aceitvel para a maioria dos circuitos.

1.1.2. Transcondutncia
Grandeza designada por gm e dada por:

gm a inclinao da curva de transcondutncia para cada pequena variao

de VGS. Ou em outras palavras, uma medida de como a tenso de entrada
controla efetivamente a corrente de sada. A unidade o mho, (razo entre a
corrente e a tenso - 1/Ohm). O equivalente formal o Siemens.
A Figura a seguir mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET vlida
para baixas freqncias. H uma resistncia RGS muito alta entre a porta e a
fonte. Esse valor est na faixa de centenas de M. O dreno do JFET funciona
como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS.

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A equao abaixo mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de

dreno e da transcondutncia para VGS= 0V (gmo).

o valor de gm para um dado VGS.

1.1.2.1.

Transcondutncia de um Transistor Bipolar

O conceito de transcondutncia pode ser usado em transistores bipolares. Ela

definida como para os JFETs.

como re = vbe/ie

esta relao ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com JFETs.

1.1.3. Amplificador de Fonte Comum

Na Figura abaixo temos um amplificador fonte comum. Ele similar a um
amplificador emissor comum. As regras aplicadas para a anlise so as mesmas
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O equivalente ca para a anlise do ganho.

o resistor de carga est em paralelo com a resistncia de dreno.

Simplificando:

Quando a corrente de sada gm vent flui atravs de rd ela produz uma tenso
de sada

dividindo ambos os lados por vent.

finalmente o ganho de tenso ca para fonte comum

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notar a semelhana com a do amplificador em emissor comum

1.1.4. Amplificador com Realimentao Parcial

Abaixo temos um amplificador com realimentao parcial

o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando re = 1/ gm, :

1.1.5. Amplificador Seguidor de Fonte

A Figura a seguir mostra um seguidor de fonte

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Novamente por analogia:

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1.2. MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta
e um dreno. A diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do
canal. Por isso, a corrente de porta extremamente pequena, para qualquer
tenso positiva ou negativa.

1.2.1. MOSFET de Modo Depleo

As figuras abaixo mostram um MOSFET de modo depleo canal n e o seu
smbolo. O substrato em geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em
algumas aplicaes usa-se o substrato para controlar tambm a corrente de
dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais.
Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A
regio p chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a
passagem dos eltrons livres da fonte ao dreno.

A fina camada de dixido de Silcio (S 1O2), que isolante, impede a passagem

de corrente da porta para o material n.

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A Figura acima mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta
negativa. A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n.
Como no JFET a tenso de porta controla a largura do canal. Quanto mais
negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um momento que a camada
de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltrons livres. Com VGS
negativo o funcionamento similar ao JFET.
Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso
positiva na porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito). A tenso
positiva na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do
canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente de dreno. Isto que a
diferencia de um JFET.

1.2.2. MOSFET de Modo Crescimento ou Intensificao

O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET
de modo depleo e de uso generalizado na industria eletrnica em especial
nos circuitos digitais.

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Acima temos um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O

substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe
mais um canal n ligando a fonte e o dreno.
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons
livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons
livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o
MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos
dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo.
Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons
livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio.
Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a
dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte
para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de
material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada chamada de
camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente
aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte para
o dreno.
O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de
limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente
de dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso

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tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode

variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET.
Vamos montar as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo
intensificao e reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa
para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno
controlada pela tenso da porta. Neste estgio o MOSFET pode trabalhar tanto
quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de corrente. A curva ID
x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O incio da
parbola est em VGS(th). Ela :

onde k uma constante que depende do MOSFET em particular.

O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Ento reescrevendo a
frmula:

Onde:

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1.2.3. Tenso Porta-Fonte Mxima

Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que
impede a circulao de corrente de porta tanto para tenses positivas como
negativas. Essa camada isolante mantida to fina quanto possvel para dar a
porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a camada muito
fina, fcil destru-la com uma tenso porta fonte excessiva. Alm da
aplicao direta de tenso excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a
camada

isolante

devido

transientes

de

tenso

causados

por

retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O simples ato de

tocar um MOSFET pode depositar cargas estticas suficiente que exceda a
especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET so protegidos por diodos zener
internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como
inconveniente, diminuir a impedncia de entrada.

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2. Concluso
Verificamos as caractersticas dos transistores JFET e MOSFET. Comparando
com os transistores BJT que estudamos at aqui, os FETs apresentam:

Alta impedncia de entrada, bem mais alta que os BJT

As correntes de entrada so muito mais baixas que os BJT

O ganho bem menor que um BJT

Os JFETs so usados nos casos em que um BJT no funciona de forma

conveniente, como quando a corrente de fuga para a base de um BJT muito
alta.
Para aplicaes de lgica digital, o uso de FETs importante, j que eles
podem ser muito mais rpidos e dissipam menos potncia. A maioria dessas
aplicaes, contudo, usa MOSFETs, que possuem impedncias de entrada
ainda maiores que os JFETs.

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3. Referncias Bibliogrficas

CATHEY, Jimmie J. Dispositivos e Circuitos Eletrnicos, 1 ed. So

Paulo, Makron Books, 1994. (Coleo Schaum).

MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So Paulo, Makron Books,

1997.

MELLO,

Hilton

Andrade

de;

INTRATOR,

Edmond.

Dispositivos

Semicondutores, 3 ed. Rio de Janeiro, Livros Tcnicos e Cientficos,

1978.

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