SSI 2 a 50 MSI 150 a 5.000 LSI 5.000 a 100.000 VLSI 100.000 a 10.000.000 ULSI 10.000.000 a 1.000.000.000 SLSI acima de 1.000.000.000 ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃO DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO - QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA - TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA Contaminantes atuam como armadilhas “METAL” PORTA ou cargas no óxido ÓXIDO DE PORTA
FONTE DRENO
Contaminantes atuam como
armadilhas, degradando tempo de TRANSISTOR MOS vida e mobilidade no canal DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE
- RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO
- CONTATO RUIM
“METAL” PORTA
ÓXIDO DE PORTA
FONTE DRENO
Contaminantes atuam como “pontos
fracos”, degradando a rigidez dielétrica do óxido de porta DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO
- UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO
UM CIRCUITO
Defeito fatal no circuito - PARTÍCULAS C) JATO DE NITROGÊNIO
✱ MAIS ADEQUADO ✱ MAIS DIFÍCIL ✱ PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA
MELHOR LIMPEZA?
DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA
Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002 Base Mundial de Computadores 1500 Milhões de Usuários
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 .....................2005 ....................2010 8 bits 8/16 Micros multi- 16 bits 16bits 32 bits 32 bits 64 bits 128 bits núcleos Uso pessoal bits de 64 a 486 686 MIPS 10000 256 bits 386 Micros a serem APPLE PC PC XT PC AT Power Alpha Pentium-pro PS desenvolvidos PC 601 Power PC620 Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios Número de 1E+13 Componentes 1 Terabit RAM
µ P 625MHz 1E+12 64G RAM 100M com
1E+11 16G RAM µ P 500MHz
50M. 4G RAM 1E+10 1G RAM µ Proc. with 25M 1E+09 comp. 400 MHZ clock
64M RAM 2000 MHz clock
1E+08
16M RAM 50 MHz clock
1E+07
1E+06 1M RAM
1E+05 64K RAM µ Proc. 32 bits –
10MHz 1E+04 16K RAM µ Proc. – 1MHz clock
1E+03 1Kbit 1sr calculator , 1st µ Proc.
1E+02 MSI – 100K Hz clock
1E+01
1E+0 0 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 Ano Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de silício 0.35µ m as
Dimensões mínimas adotadas na pastilha
para os dispositivos eletrônicos
0.035µ m
Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos
