Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
n funcie de tipul sarcinilor electrice care predomin. Prin alturarea a dou asemenea
straturi de material semiconductor, caracterizate prin predominana diferit a sarcinilor
electrice, n zona de contact, se obine o aa numit jonciune de tip p-n.
Sub aciunea diferenei de potenial electric, manifestat n zona de contact, electronii
excedentari din stratul n, prezint tendina de migraie n stratul p, deficitar n electroni.
Analog, golurile excedentare din stratul p, prezint tendina de a migra n stratul n, deficitar n
sarcin electric pozitiv.
Amploarea migraiei sarcinilor electrice
ntre
cele dou straturi ale jonciunii p-n este
limitat de nivelul energetic al
purttorilor celor dou tipuri de sarcini
electrice. Astfel, cu toate c nu se va
realiza o reechilibrare la nivelul
sarcinilor electrice n toat profunzimea
celor
dou straturi, o zon superficial din
stratul p va fi ocupat de sarcini
electrice negative (electroni), iar o zon
Figura Tendina de migrare a sarcinilor electrice ntre
superficial din stratul n, va fi ocupat de
straturile jonciunii p-n
sarcini electrice pozitive (goluri). Ca
efect,
se va produce o redistribuire a sarcinilor electrice n zona jonciunii p-n, de tipul celei
reprezentate n figura
Se
observ
c
efectul
acestei
redistribuiri este reprezentat de apariia unei
diferene
de potenial locale, la nivelul
jonciunii. Aceast diferen intern de potenial
reprezint o barier care mpiedic o eventual
deplasare ulterioar a sarcinilor electrice
negative din stratul n spre stratul p i a celor
pozitive din stratul p spre stratul n. Sarcinile
electrice libere din cele dou straturi sunt
respinse din zona jonciunii spre suprafeele
Figura Apariia unei diferene de potenial electric n zona
jonciunii p-n
acestor straturi, opuse jonciunii p-n.
Din punct de vedere clasic bariera de potential este trecuta de o particula daca energia
cinetica a acestora este mai mare decat energia potentiala a barierei de potential (Uo=mgh )
Din punct de vedere cuantic miscarea particulei este descrisa de ecuatia Schrodinger
care pentru regiunea I si III are forma
Unde
Dac jonciunea p-n este supus radiaiei solare, fotonii avnd un nivel energetic
suficient de ridicat (cu att mai ridicat cu ct radiaia solar prezint o intensitate mai mare),
sunt capabili s transfere suficient energie electronilor aflai pe straturile de valen ale
atomilor, pentru a trece pe straturile de conducie i s devin electroni liberi.
Astfel, sub aciunea fotonilor are loc generarea de perechi electroni-goluri. Purttorii
de sarcin noi aprui sunt supui aciunii cmpului electric E al jonciunii p-n caracterizat
printr-un anumita bariera de potenial U0 de ordinul 0,2 - 0,7 V i care depinde de tipul
semiconductorului folosit.
In regiunea n sub actiunea fotonilor perechea electron-gol formata este sub actiune
campului electric E al jonctiunii ce actioneaza astfel :
electronii din regiunea n nu pot trece de aceasta bariera ( se deplaseaza in sens
opus campului E) iar golurile din aceasta regiune pot trece in regiunea p (se
deplaseaza in sensul campului E) similar sarcina pozitiva din regiunea p..
In regiunea p sub actiunea fotonilor perechea electron-gol formata este sub actiune
campului electric E al jonctiunii ce actioneaza astfel :
Rezulta ca sub actiunea radiatiei solare zona p se ncarc pozitiv, zona n se ncarc negativ.
Conectarea unei sarcini la cele doua terminale duce la apariia unui curent electric Is prin
jonciune, determinat de conversia fotovoltaic a radiaiei solare. Acest curent, circulnd prin
jonciune dinspre zona n spre zona p (figura ) duce la o cdere de tensiune U pe sarcina
extern R. Tensiunea U n raport cu jonciunea p-n acioneaz n sens direct i, la rndul su,
va determina prin jonciune curentul diodei Id de sens opus curentului fotovoltaic Is
Diferena de potenial i curentul electric se pot menine la un nivel constant atta tip
ct se manifest radiaia solar. Este evident c variaia intensitii radiaiei solare va
produce i variaii ale diferenei de potenial, dar mai ales ale intensitii curentului
electric.Jonciunea p-n, mpreun cu cei doi electrozi, alctuiete o celul fotovoltaic sau o
celul electric solar avnd construcia de tipul celei reprezentate n figura
Grosimea total a unei celule fotovoltaice este de ordinul 0,3mm, iar grosimea
stratului n, este de cca. 0,002mm. Uzual, deasupra electrodului negativ al celulei fotovoltaice,
se amplaseaz un strat anti-reflexie, cu rolul de a mpiedica reflexia radiaiei solare incidente
pe suprafaa celulei electrice solare, astfel nct o cantitate ct mai mare de energie s fie
transferat electronilor de valen din cele dou straturi semiconductoare. Celulele
fotovoltaice au dimensiuni uzuale de 10x10cm i mai recent de 15x15cm.
Cele mai utilizate din punct de vedere al materiei prime de baz regasim celulele pe
baza de siliciu (disponibil n cantiti aproape nelimitate)
1. Strat gros
Celule monocristaline (c-Si)care au randament mare - n producia n
serie se pot atinge pn la peste 20 % dar au proces de fabricaie
energofag, ceea ce are o influen negativ asupra periodei de
recuperare (timp n care echivalentul energiei consumate n procesul
de fabricare devine egal cantitatea de energia generat).
Celule policristaline (mc-Si) ce-n la producia n serie au randament
energetic de peste la 16 %, cosum relativ mic de energie n procesul de
fabricaie, i cel mai bun raport pre performan.
2. Strat subire
Celule cu siliciu amorf (a-Si) cel mai mare segment de pia la celule
cu strat subire; randament energetic al modulelor de la 5 la 7 %
Celule pe baz de siliciu cristalin de tip microcristale (c-Si) n
combinaie cu siliciul amorf
Monocristaline
Policristaline
Amorfe
Tipuri de celule
2. Policristalele se obin n urma unui proces de producie ce consta in turnarea siliciului
lichid n blocuri, care ulterior sunt tiate n plci subiri. n procesul de solidificare, se
formeaz cristale de diferite dimensiuni i forme, iar la marginea acestor cristale apar
i unele defecte de structur. Ca urmare a acestor defecte, celulele fotovoltaice
fabricate prin aceast metod sunt mai puin eficiente dar mai ieftine (5Euro/W).
3. Structura amorf se obine prin depunerea unui film extrem de subire de siliciu pe o
suprafa de sticl, sau pe un substrat realizat dintr-un alt material. n acest caz,
solidificarea atomilor nu se realizeaz ntr-o structur cristalin ci sub forma unei
reele atomice cu dispunere neregulat, denumit structur amorf. n aceast reea
atomic apar i numeroase defecte, care diminueaz performanele electrice ale
materialului. Grosimea stratului amorf de siliciu, obinut prin aceast metod este mai
mic de1m. Costurile de fabricaie ale silicului amorf sunt foarte reduse, datort
cantitii reduse de material utilizat, dar eficiena este mult mai redus. Datorit
costului redus, celulele fotovoltaice cu siliciu amorf se utilizeaz preponderent la
fabricarea echipamentelor cu putere redus, cum sunt ceasurile sau calculatoare de
buzunar.
A.2 la functionarea in gol La functionarea in gol I=0 iar dependenta tensiunii masurate
la bornele celulei de intensitatea radiatiei solare
.
Putem observa c tnsiunea de mers n gol Voc, este n cretere pn n jurul iradieri de
200W/m 2 dup care tensiunea se stabilizeaz fiind aproximativ (Voc) =0.5V)
Daca curentul debitat de celula fotovolatica are o dependenta liniara de nivelul radiatiei solare
din relatia tensiunii de mers in gol rezulta dependenta neliniara a ei de nivelul radiatiei solare
La temperatura de 25oC avem
Pentru o celul din siliciu raportul Is/I0 este de circa 1010, factorul kT/e, numit i tensiune
termic, este egal cu 26 mV , Astfel V0C= 0,6 V.
Caracteristica externa a celulei este e superpozitia caracteristicii surse ideale de curent cu a
diodei cu ecuatia
Cu ecuatia
unde UT = kT/e.
Pentru o sarcin pasiv valoarea optim a rezistenei sarcinii va fi
Factorul de umplere (fill factor) reprezinta raportul dintre puterea maxima si produsul
current de scurtcircuit tensiune de mers in gol
Cu valori 0,75-0,85
EA
In concluzie in baza caracteristicilor celulei se definesc caracteristicile Panoului votovoltaic
care sunt redata in tabelul urmator :
Influenta diodei by-pass asupra celulei acelasi curent scade tensiunea cu 0,6V . Ele
limiteaz nclzirea celulelor PV i nu permite micorarea intensitii curentului dac un
modul din circuitul consecutiv este mai puin performant sau este umbrit
Influenta diodei by-pass retelei de PV
Dac se conecteaz mai multe module n serie, este necesar s montm cte o diod
antiparalel pe fiecare panou. Curentul maxim i tensiunea de strpungere ale diodei trebuie s
fie cel puin egale cu curentul i tensiunea panoului. De multe ori se utilizeaz diode de
redresare de 3 A / 100 V. Dioda pentru mers n gol este conectat la bornele de legtur ale
fiecrui panou astfel nct n regim normal de funcionare (panoul debiteaz curent) avnd la
borne tensiune invers (catodul diodei legat la polul pozitiv al panoului). Dac panoul ar fi
umbrit, ca n figura 3.12, sau s-ar defecta nu ar mai debita curent, polaritatea tensiunii la
borne s-ar schimba i acesta s-ar defecta, sau n cel mai bun caz randamentul acelui lan de
module ar scdea. Acest lucru este mpiedicat de dioda by-pass care preia curentul n acest
caz.
4.4.5.Aplicatii PV
A Utilizare industrial
Aparatele automate de taxare n parcri aparin sistemelor cu
alimentare autonom care pe lng un modul cu celule solare mai este
nzestrat i cu un acumulator pentru a se asigura alimentarea continu
energie electric.
Pe un stlp de iluminare se
monteaz un panou solar de
40 Wc care alimenteaz o
bateria de cca 50Ah. Acesta
asigur o autonomie de cca 5
8 ore de noapte. Aprinderea i
stingerea luminii se asigur cu
programator inclus.
Figura Lampadar cu celule fotovoltaice
Figura Aparat
Faa sudic a cldirii din de taxare n parcri
Tbingen/Germania terminat n anul 2004 a fost acoperit cu 970
panouri fotovoltaice cu o putere instalat de 43,7 kW i care se estimeaz c
vor produce anual 26000 kWh energie.
cu
cca
zile a
un
.
B Transport pe ap
La mijloacele de transport pe ap, panourile solare se utilizeaz :
Alimentare bateriei de acumulatoare de bord
E Satelii
Staia Spaial Internaional (ISS) este
alimentat cu energie electric avnd ca surs
celule solare ce echipeaz 8 panouri
desfurate pe o lungime de cte 35,05 m
lungime i 11,58 m lime cu o mas de 1,1 T
fiecare. Celulele solare pe o arip sunt n
numr de 32800 aezate n rnduri de cte
400.
Un panou furnizeaz staiei 32,8 Kilowatt
energie electric, la o tensiune reglat la
140 V prin Utility Transfer Assembly (UTA).
Pe
perioada de eclips (35 min din fiecare 90 min
a
Figura Staia Spaial Internaional n anul 2006
rotaiei pe orbit). Energia este stocat n
baterii de nichel-hidrogen proiectate pentru 38.000 cicluri de ncrcare descrcare respective o
durat de via de 6,5 ani. Pentru maximizarea puterii furnizate panourile sunt orientate
permanent ctre soare de sistemele BGA (Beta Gimbal Assembly) i SARJ (Solar Alpha
Rotary Joint).
F Utilizare casnic