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Lab.

Electrnica Analgica 2

AO DE LA DIVERSIFICACIN PRODUCTIVA Y DEL FORTALECIMIENTO DE LA


EDUCACIN

LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA 2

Laboratorio: N 1
Tema:

Simetra Complementaria

Especialidad:

Ingeniera Mecatrnica

Profesor:
Alumno:

Ing. Farro Chirinos, Leslie Christian


Benites Graus, Rogger Omar

Fecha:
Ciclo:

26/01/16
6

LIMA-PERU
2016 I

SIMETRA COMPLEMENTARIA:

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FUNDAMENTO TERICO:
Como los transistores de juntura se fabrican en tipos PNP y NPN, pueden usarse ambos en
los circuitos de simetra complementaria para obtener todas las ventajas de los
amplificadores push-pull convencionales, sumadas a las que surgen del acoplamiento
directo.
Se denomina transistores complementarios a un par de transistores tipo PNP y NPN cuyas
caractersticas de ganancia, potencia, etc., sean iguales o muy similares.
Estos transistores pueden conectarse en serie siempre que se respete el sentido de
conduccin de cada uno de ellos. En la misma figura se observa que el colector del
transistor NPN est conectado al potencial positivo de la fuente de alimentacin mientras
que el colector del transistor PNP est conectado al potencial negativo (masa) de la misma.
Esta disposicin permite realizar un amplificador clase B de un modo sencillo.
En el circuito bsico se muestra un amplificador en contrafase simetra complementaria
ideal. Q1 es un transistor NPN y Q2 un PNP, ambos configurados como emisor-seguidor con
los emisores conectador entre s.

La condicin que deben cumplir V1 y V2 es que polaricen de tal modo a Q1 y Q2 que estos
trabajen simtricamente y en clase B (corrientes en reposo cero).
La tensin en la unin de los emisores ser:
VE = VCC/2
Se puede ver con las condiciones anteriores que:
VBE1 = VBE2 = 0 e ICQ1= ICQ2 =0
Podemos ver qu ocurre cuando la tensin de seal Vin toma valores positivos y negativos.

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En el semiciclo positivo de Vin la tensin en bases se hace ms positiva que la


tensin en los emisores: VB > VE

Lo cual hace que Q1 conduzca y Q2 permanezca en corte. IL1 = ie1

Para el semiciclo negativo VE>VB, lo cual abre a Q1 y hace conducir a Q2. La


corriente en la carga es: IL2 = ie2.

La carga est alimentada medio ciclo de Vin por Q1 y el otro medio ciclo por Q2.

DISTORSIN DE CRUCE POR CERO:


Uno de los grandes problemas que se suceden con respecto a los amplificadores en
simetra complementaria, corresponde a la distorsin que se da cuando la seal alterna de
entrada tiene un valor muy cercano a cero volts, que ocurre en la Clase B. En efecto, para
que un transistor entre en conduccin se necesita que el voltaje entre base y emisor sea de
un valor aproximado a 0,6 volts dependiendo si el transistor es NPN o PNP
respectivamente.
+Vcc
vi

Rc

Zona muerta

RL

R2

vo

Rb
vi

Q1

vo

Rq

RL

Q3
Q2

Como este voltaje depende de la seal de entrada Vi, quiere decir que durante todo el
tiempo en que la seal Vi tiene un valor menor a 0,6 volt los transistores Q1 y Q2 estarn
R1
en la zona de corte, generando en
la salida un voltaje de cero volts, y produciendo una
distorsin en el cruce por cero.

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Para evitar esta situacin, se genera una tensin continua en la base de cada transistor, con
diodos, transistores y potencimetros, de manera tal, que cada transistor este en
conduccin, pero muy cerca del corte. Se dice entonces, que los transistores se encuentran
en clase AB, esto significa que cada transistor conduce un ngulo entre 180 y 360.

PROCEDIMIENTO:
1.- Ensamble el siguiente circuito:
Verifique las conexiones de las tensiones DC aplicadas al amplificador operacional, antes de
encender el circuito.

SIMULACIN EN PROTEUS:

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Se verifica que la seal de entrada es muy similar a la seal de salida. Esto por la
configuracin de base comn, donde solo se amplifica la corriente ms no el voltaje.

Los voltajes en el pin2 y pin3son iguales debido a que est en una configuracin Push Pull.

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2.- Mediciones en DC:
Poner: Vg = 0
Mida la tensin en el punto E respecto a tierra:
VE = 11.39 v
Mida la tensin en el punto B respecto a tierra:
VB = 11.74 v
Mida la tensin en el pin 2 del 741:
V2 = 1.037 v
Mida la tensin en el pin 3 del 741:
V3 = 1.2 mv
3.- Aplique la seal de entrada Vg con frecuencia de 1 KHz, Aumente Vg hasta
que se obtenga mxima excursin simtrica en la salida.
Anote los valores pico:
Vg = 1.2 v
Vsalida = 1.03 v
Dibuje las formas de onda en los puntos B y E

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