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UNIVERSIDADE FEDERAL DO AMAZONAS UFAM

INSTITUTO DE CINCIAS EXATAS ICE


DEPARTAMENTO DE FSICA
ESTADO SLIDO
PROF. DR. ANTONIO CARLOS RODRIGUES BITTENCOURT

Aproximao de Ligao Forte


(Tight Binding Method)
WILLIAMS JONATA MIRANDA RIBEIRO

Manaus, 2015

INTRODUO

Aproximao no clculo de estrutura de banda eletrnica;

Superposio (overlap) das funes de onda no


substancial para eltrons mais internos;

Descrio de bandas de energia de eltrons-d (metais de


transio);

Estrutura eletrnica de isolantes e semicondutores.

INTRODUO

Funes de onda para os


nveis do sdio atmico.

MTODO TIGHT BINDING

MTODO TIGHT BINDING


Seja um autoestado de um eltron em um tomo isolado. Temos:

com

A funo de onda do eltron em qualquer ponto do cristal uma


combinao linear de orbitais atmicos:

Pelo teorema de Bloch, dado por:

MTODO TIGHT BINDING


A funo de onda deve ser normalizada e satisfazer este teorema, de
forma que:

Esta a funo de onda do eltron no cristal, na aproximao de


ligao forte. Queremos saber agora como modifica as energias do
eltron do tomo:

, com e

MTODO TIGHT BINDING


Dos diversos termos da soma dupla, queremos manter somente
aqueles para os quais , que representam a perturbao da rede sobre
o stio , e aqueles onde e diferem somente da distncia entre os
primeiros vizinhos. Com isso:

MTODO TIGHT BINDING


Sendo o vetor que liga o tomo a seus primeiros vizinhos:

Valor esperado de no stio


atmico .

Integrao de funes de onda de


tomos vizinhos.

MTODO TIGHT BINDING


Ex.: rede cbica simples com distncia interatmica . O somatrio
ter 6 termos correspondentes a:

MTODO TIGHT BINDING

REFERNCIAS

Introduo Fsica do Estado Slido, Ivan S. Oliveira


e Vitor L. B. de Jesus.

Fsica do Estado Slido, Neil W. Ashcroft e N. David


Mermin.

Notes on the Tight Binding Method, Mervyn Roy.