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NOTA AL LECTOR Durante el largo tiempo dedicado a la redaccién de este libro, se ha pretendido alcanzar los dos principales objetivos propuestos en su concepcidn sindptica inicial. En primer lugar, recoger en un solo volumen un texto de introduccién general aun programa completo de difraccion de rayos X, limitando la extension de sus distintos temas con un criterio exclusivamente didactico, para un lector no es- pecializado. En segundo lugar, el mayor-interés se ha centrado en la elaboracién de un contenido que pueda ser de utilidad para estudiantes avanzados de las nume- rosas disciplinas donde los fenédmenos de difraccién de rayos X constituyen una entidad de conocimientos de caracter basico 0 complementario, y para los pos- graduados que inician sus trabajos en areas de indole cientifica o industrial, de alguna forma vinculados al empleo de las técnicas de rayos X. Dadas las caracteristicas de la obra, se ha puesto especial cuidado en la sis- tematizacién del texto, tarea nada facil en una materia donde confluyen gran va- tiedad de conceptos cientificos y técnicos, métodos experimentales y aplicaciones. Para simplificar esta sistematizacién, se han distribuido los capitulos en cuatro partes generales y, para facilitar la continuidad del estudio, se remite frecuente- mente al lector 2 la consulta de apartados o figuras precedentes. Los dos capitwios que integran la primera parte, estan dedicados a la Cristalo- grafia; en el primero de ellos se resumen aquellas nociones cristalograficas clasicas sobie las redes reales, que el lector deberd conocer sin ambigiiedades. La justificacion del segundo capitulo, dedicado a la red reciproca, requiere un comentario adicional. Aunque concebido por los cristalografos con gran anterioridad, el concepto de la red reciproca fue matematicamente tratado por P. P. Ewald (1921), para su directo empleo en la interpretacién de los mAs variados y complejos procesos asociados al fendmeno de la difracci6n de rayos X y, muy particularmente, para proceder a su ensefianza. En general, el lector al que va dirigido este libro no esta familiarizado con los fundamentos de este interesante concepto, y el inidjo de su estudio puede manifestarsele como una tarea ardua y de dificil comprensién. Nada mis lejos de la realidad, como podra comprobar si examina con cierto detenimiento el contenido de los primeros apartados del capitulo 2, hasta llegar a asimilar sin reparos el sig- nificado geométrico del concepto; el aparato matematico necesario para posteriores desarrollos, por otra parte, se reduce a unos elementales conocimientos de algebra vectorial. 10 / Nota al lector Los capitulos 3 y 4 de la segunda parte (Fisica de los rayos X), son obviamente necesarios. A la parte instrumental del capitulo 3 se le podria haber dedicado menos espacio, sin perjuicio del contenido global de la obra, pero entonces se hubiese lesionado el atractivo de la misma para muchos lectores interesados en un cono- cimiento mas profundo de los rayos X en general, a la vez que hubiese limitado el caracter de obra de consulta que también se ha pretendido conseguir. Es reco- mendable no dedicar excesiva atencién en una primera lectura de estos dos capitulos, al objeto de no interrumpir por mucho tiempo la necesaria continuidad que debe existir entre el estudio de la teoria que se inicia en el capitulo 2 y la que sigue en los capitulos 5 y 6 de la tercera parte. Los capitulos 5 y 6 son de caracter fundamental. Para el desarrollo de la teoria de la difraccién que se expone en el capitulo 5, se parte de las ecuaciones de M. von Laue (1913), por considerar que es el procedimiento analitico que tiene mas rigor cientifico y mayor sentido didactico, en lugar de sintetizar directamente el fend- meno de la difraccién mediante el simil de la reflexién de W. L. Bragg (1913), como suelen hacer otros autores. Considero, ademas, que la analogia de la reflexién no resulta coherente para el exacto conocimiento del origen del fenémeno, careciendo del sentido critico y de la rigurosa imparcialidad cientifica que la teoria de Laue impone, sin subordinaciones especificas a los espaciados y a los planos reticulares del cristal. El apartado 5.7 (La esfera de reflexidn) es de excepcional importancia, pues resume toda la geometria de la difraccién, en conexidn con el espacio reciproco del cristal; esta geometria es el soporte para la interpretacién de todos los métodos experimentales descritos en este libro. Los conceptos tedricos y practicos que se discuten en el capitulo 6, constituyen la base del anAlisis estructural de los cristales, en particular los relativos a las amplitudes de estructura y a las condiciones de extincién de las reflexiones. Los seis capitulos de la cuarta parte estan dedicados a la descripcién de las técnicas experimentales y a sus aplicaciones. Los capitulos 7, 8, 9 y 10, se refieren integramente al método del polvo; el relativamente considerable espacio destinado a este método, asi como el detalle de su exposicién, estan justificados por el hecho de ser el de mas amplia utilizacion general, debido a su marcado caracter polifacético, en cuanto a la gran varie de informacién que proporciona se refiere, El método, en efecto, es empleado por un elevado numero de personas de forma casi rutinaria, incluso por aquellas sin conocimientos elementales de difraccién de rayos X, cons- tituyendo también tema habitual de los programas de clases practicas o de los seminarios que se imparten en muy distintas asignaturas. La mayor parte de los ejemplos de aplicacién que se citan, estan referidos a los metales y aleaciones, de- bido a mi experiencia docente en el campo de la Metalurgia, si bien el tratamiento puede ser directamente generalizado a otros tipos de sustancias. \ Los dos ultimos capitulos estan dedicados a las técnicas de monocristales, ~ siendo de importancia primordial para la obtencién de datos basicos para el es- tudio estructural de los mismos, principalmente los que proporcionan los métodos experimentales que se describen en el capitulo 11. El caracter especializado de estas técnicas impide dedicarles mas espacio en un libro general como es éste, por lo que solamente se describen los fundamentos de cada una de sus versiones, con- \ \ Nota af lector | 1. fiando que éstos puedan servir al lector no iniciado para una ulterior ampliacién de sus estudios en la bibliografia especializada existente. Como autor de un libro cientifico del tipo de éste, he adquirido una deuda con otros muchos autores que me precedieron, no s6lo por lo que de ellos he aprendido, sino también por el estimulo y sentido de superacién que su buen hacer me han _ infundido. Igualmente, y de forma més directa, deseo expresar mi profunda gra- titud a los profesores S. Garcia-Blanco y J. M. Guilemany y a los doctores Rosa M. Rojas, E. Vila y Maria V. Gonzalez, quienes se han esforzado en la labor de leer criticamente los manuscritos de distintos capitulos, contribuyendo con sus suge- rencias, recomendaciones y revelacién de omisiones 0 de errores, a perfeccionar y enriquecer la obra. El doctor Vila, ademas, ha colaborado muy eficazmente en la correccién de pruebas, por lo que insisto en mi agradecimiento. Mi reconoci- miento también a Ediciones Piramide, por el atento esmero puesto en la preparacién del original y cuidada presentacién editorial. Madrid, septiembre de 1981. J. BERMUDEZ-POLONIO INDICE Nota allector......... wns n eens beet e eens Pewee b eee eee enn ens Lista de simbolos mas empleados..... Leen e eb eee een eee tt aeee eens PARTE PRIMERA Elementos de cristalografia 14. El estado cristalino y la clasificacién de los cristales.............. Ld 1.2. L7. Referencias bibliograficas . Elementos de simetria con movimientos asociados de traslacién El estado cristalino Redes de traslacién 1.2.1, Celdilla unidad. Ejes cristalograficos 1.2.2. Tipos de redes de traslacién . 1.2.3, Redes de Bravais........ Pianos reticulares. Indices de Miller 1.3.}. Distancia entre planos consecutivos de una familia (4k/). (Sistema. de as ortogonales).\....20.seeeeereeees 1.3.2. Direeciones, zonas y formas cristalinas . Simettia.... 26. eee cece eee eee eee eee 1 jones de simetria y elementos 1 ‘entro de simetria 0 centro de inversion see enee L Plano de simetria...... . 1 Ejes de rotacién propios 1.4.5. Ejes de rotacién impropios. . : bee . Combinaciones de elementos de simetria. 1.5.1. Combinaciones entre ejes 1.5.2. Combinaciones entre éjes y planos. 1.6.1. Ejes helicoidales. sedans 1.6.2. Planos.de deslizamiento Grupos espaciales. . L7.1. Simbolos, descripcién grifica y notaciones de los grupos espaciales. 14 / Indice 2. La red reciproca.............. beeen eee 2.1. Definiciones y derivacién geométrica. 2.2. Pardmetros reciprocos en los distintos sistemas cri 2.3. Relacién de homogeneidad entre la red de puntos reciprocos y la red real . 2.4, Resumen de propiedades de la red reciproca 2.5. Sistemas de coordenadas. . 2.6. Tratamiento vectorial de la red reciproca. 2.7. Expresiones algebraicas de los espaciados dy, en cada sistema . 2.8. Ecuacién de la zona. Referencias bibliograficas PARTE SEGUNDA Fisica de los rayos X 3. Caracteristices y obtencién del espectro de rayosX.............- 3.1, Naturaleza de los rayos X 3.2, Obtencién de los rayos X. Tubos de rayos X 3.2.1, Caracteristicas técnicas de los tubos de rayos X 3.2.2. Tipos de focos y eleccin del angulo de salida de ios rayos X. 3.2.3. Equipo eléctrico y dispositivos de seguridad. . . 3.3. Espectro de radiaciones emitido por el tubo de rayos X. 3.3.1. Espectro continuo de radiaciones 3.3.2. Espectro caracteristico....... 3.3.3. Intensidad de las lineas caracteristicas 3.4, Ley de Moseley... Referencias bibliograficas 4, Interaccién de los rayos X con la materia.............6ec cree ee ee 4.1. Descripcién general de los fenémenos de interaccién. ... 4.2. Absorcién general de los rayos X. Coeficientes de atenuacién . 43. Absorcién fotoeléctrica. rat de fluorescencia . filt 4.4. Fundamento y empleo de B.. 4 4,5. Absorcién de la radiacién por los distintos materiales del dispositive experimental 4.6, Radiacién dispersa incoherente. Efecto Compton Referencias bibliogrificas PARTE TERCERA Teoria de la difraccién 5. Direcciones de los rayos difractados............. eee e eres woe 5.1. Introduccién. . . 5.2. Fundamentos. Principio de superposicién de ondas electromagnéticas 5.3. Condiciones generales de la difraccién. Ecuaciones de Laue. 101 101 102 105 107 Ml 112 113 117 7 118 121 5.4. 5.5. 5.6. 3.7. 5.8. 5.9. Referencias bibliogrificas Indice { 1 Restricciones de las ecuaciones de Laue. Técnicas generales de difraccién........ Significado geométrico de la diferencia vectorial (S — S,). El vector de dispersion y la ley de Bragg La ley de Bragg y la «reflexién» de los rayos X. El vector de dispersion y el espacio reciproco. La esfera de reflexion. Interpretacién de los 6. Intensidades de los rayos difractados.................--. 0 eevee 6.1. 6.2. 6.3. 6.4. 6.5. 6.6. 67. 6.8. 71. 7.2, 73. 74, Intensidad de la radiacién dispersa por un electron libre Dispersién de la radiacién por un atomo. El factor de dispersién atémico . Dispersin de la radiacién por un grupo de atomos. Factor de estructura. 6.3.1. Expresion exponencial compleja del factor de estructura... 6.3.2. El factor de estructura y las posiciones de los 4tomos en la celditla 6.3.3. La amplitud de estructura E] problema dela fase....... Simetria de los efectos de difraccién. . . 6.5.1. Ley de Friedel. Los grupos de Laue. 6.5.2. Dispersién andémala de la radiacién. Incumplimiento de la ley de Friedel. Reflexiones sistematicamente ausentes o extincione: Determinacién del grupo espacial... . Correocién de los datos de intensidad 6.8.1. Intensidad integrada de las reflexiones . 6.8.2. Factor de Lorentz-polarizacion o trigonométrico. .... 6.8.3. Factor de multiplicidad............. 6.8.4, Factor de temperatura 0 de Debye-Waller. Dispersion difusa térmica . 6.8.5. Factor de absorcién x PARTE CUARTA \ Las técnicas experimentales \ 7. Método del polvo policristalino (cémaras de poivo) . Geometria del espacio reciproco en un polvo policristalino Registro del espectro de difraccién en cdmaras de pelicula plana . 7.3.1, Interpretacién de los diagramas de pelicula plana... - 7.3.2. Geometria de semifocalizacién en la técnica de retrocesq CAmaras de pelicula cilindrica 7.4.1. Tipos de montajes de la pelicula en la cimara. Calcul de los angulos de Bragg. 7.4.2, Didmetro de la camara. Factores que afectan su eleccion 7.4.3, Medida del diagrama. . 7.4.4, Criterios para la eleocién de las radiaciones aemplear. 128 131 133 134 137 143 145 145 149 153 155 156 158. 159 161 162 165 169 176 181 182 183 185 186 188 190 193 16 / Indice 3.1. Tamafio de los cristalitos 7.5.2. Espesor de la muestra... 7.5:3. Técnicas generales de preparacién de muestras. 7.5.4, Efecto de las orientaciones preferenciales. Anisotropia morfolégica. 7.6. Fuentes de error 7.7. Camaras de focalizacién (Seemann-Bohlin). , 1.7.1. Fundamento y empleo de cristales monocromatizadores 7.7.2. Chmaras de focalizacién con cristales monocromatizadores (Guinier-de Wolf-Hige) Referencias bibliogrificas 8. El difractémetro de polvo . BL. 8.2. 8.3. Introduccién . 8.3.1. Principios de operacién de los detectores de gas. Detector proporcional. 8.3.2. Detector de centelleo.. . 8.4. Registro del espectro: seleccién giro del goniémetro 8.5. Métodos de medida de intensidades. 8.6. Preparacién de muestras, Su problematica . 8.6.1. Transparencia y espesor de la muestra 8.6.2. Efecto det désplazamiento vertical de la superficie de la muestra respecto al eje del goniémetro 8.7. Empleo det difractémetro con cristales monoctomatizadores Referencias bibliograficas............. beteeeee 9. Aplicaciones generales de! método del polvo...................- 9.1. Asignacién de indices a Jas reflexiones y determinacin de las longitudes de tos sjes (sistemas clibico, tetragonal y hexagonal). 9.1.1. Sistema cibico 9.1.2. Sistemas tetragonal y hexagonal 9.2. Determinacién precisa de las dymensiones de la celdilla unidad 9.21. Empleo de patrones de calibracién . 9.2.2. Critetios para lograr una elevada precisign en los resultados... 9.3. Determinaciéa del nimero demoléculas contenido en la celdilla unidad. Densidad de rayos X 9.4, Identificacion de sustancias cristalinas. 9.4.1. El método de Hanawalt y el archivo de datos de difraccién ASTM 9.5, Anilisis cuantitativo de fases cristalinas. Referencias bibliogréficas 10. Aplicaciones especiales de! método del polvo................... 10.1, Estudio de soluciones sélidas metalicas. Conceptos estructurales basicos. , we 10.1.1. Fundamento de los métodos para el estudio de diagramas de equilibrio de fases - oe 224 224 227 228 230 232 237 243 246 247 247 255 271 273 273 274 281 290 298 299 314 317 317 324 indice | 17 10.1.2, Construccién de diagramas de equilibrio de fases en sistemas binarios. 10.1.3. Sistemas ternarios.........-0..... eee 10.1.4. Transformaciones orden-desorden. Forma 10.1.5. Medida del grado de orden a larga distanci 10.2. Estudios de texturas (con especial referencia a los metales) 10.2.1, Diagramas de textura.......0. 0.0.20 e2cee 10.2.2. Determinacién del eje de fibra de un alambre 10.3. Determinacion del tamaiio de los cristalitos...... 10.4, Determinacién de coeficientes de dilatacién térmica . Referencias bibliograficas 11. Técnicas de monocristal mévil ..........-... 06.6 e eee HL. Introduccién. 112. Método det ctistal giratorio 11.2.1. Determinacién de las dimensiones de la celdilla unidad. . 11.2.2. Empleo dé coordenadas cilindticas 11.2.3. Asignacion de indices a las reflexiones: métodos analitico y grafico 11.2.4. Indeterminacién en la asignacién de indices. 11.2.5. Simetria de los diagramas de cristal giratorio 11.3, Método del cristal oscilatorio..... 11.3.1. Asignacion de indices a las reflexiones 11,3.2. Datos de simetria deducibles de los diagramas de cristal oscilatorio 11.4. Método de Weissenberg. Fundamentos. 11.4.1. Coordenadas de las reflexiones de un diagrama de Weissenberg. 11.4.2. Teoria de las reflexiones de Weissenberg en el nivel cero. 11.4.3. Método de equi-inclinacion . . 1).4.4, Asignacién de indices a las teflexiones 11.4.5. Determinacién de las dimensiones de los ejes. 11.4.6. Determinacién de los pardmetros angulares - 11,5. Método de precesién de Buerger. . 11.6. El difractometro de monocrisalcs Referencias bibliograficas 12, Métod 12.1. Introduc . Condiciones experimentales basicas . Interpretacién del método en la esfera de reflexion . Dispositivo experimental . |. Reflexiones de Laue en los planos de una zona . Simetria de los diagramas de Laue. ', Diagramas de Laue de transmisién . Diagramas Laue de retroceso. 12,9. Relacién entre la red reciproca y Ia pr mn gnoménica del crist: 12.10, Asignacién de indices a las reflexiones de los diagramas de transmision. 12.11, Proyeccién estercografica de los diagtamas Laue de retroceso. 12.12. Orientacién de monocristales . Referencias bibliograficas 328 332, 336 343 345 349 351 354 362 364 365 365 365 369 372 374 380 381 381 383 386 386 389 390 395 398 401 402 402 405 408 18 / indice Apéndice A.1. Coeficientes de absorcién masicos de los elementos para las radia- ciones K, de los anticatodos mas empleados en diftaccién... .. Apéndice A.2. Amplitud de onda resultante. Diagrama de Argand. Apéndice A.3. Representacion exponencial compleja de la amplitud de on ‘Apéndice A.4, Factores de multiplicidad, j, en el método del polvo policristalino. ‘Apéndice A.5. Formas cuadriticas de los indices de Miller ‘ ‘Apéndice A.6. Angulos entre dos planos o direcciones cristalogrAficas en los cristales clbicos. . . Apéndice A.7. La proyeccién gnoménica de los cristales Apéndice A.8, La proyeccién estereografica 439 441 442 446 447 449 450 451 a, be: a*, b*, ct: A(B, C): ‘A(A): A®: B: (hkl): F(hkl): hk, t: H, K, L: P(hki Gn U,V, Ww: X, Ys 2: x*, y*, 2: 2, B,: wes Steg ean LISTA DE SIMBOLOS MAS EMPLEADOS Médulos de los ejes (a, b, ¢) de la celdilla unidad real; simbolos de Jos planos de deslizamiento axiales. Médulos de los ejes (a*, b*, c*) de la celdilla unidad reciproca. Celdilla. centrada en dos caras paralelas. Amplitud de una onda electromagnética. Factor de absorcién. Factor de temperatura. Distancia entre los planos de una familia (Akl). Factor de dispersién atémico. Celdilla centrada en todas las caras. Valor absoluto (amplitud) del factor de estructura, F(Ak!). Numeros enteros; indices. de Miller; indices de una reflexion. Numeros enteros; en general contienen un factor comun. Operador ,/-1. Intensidad, en general; celdilla centrada en el cuerpo. Intensidad de la radiacién incidente. Vector unidad. Factor de multiplicidad. Vector unidad: ‘actor de Lorentz. lano-espejo. ‘den de un eje de rotacién propio; plano de deslizamiento diagonal. Orden de un eje de rotacién-inversién. Factor de polarizacion. Punto en el espacio reciproco. Vector de posicién en el espacio real. Vector en 1a direccién del haz de rayos X reflejado. Vector en la direccién del haz de rayos X incidente. Nitmeros enteros; indices de una direccién cristalografica; eje de zona. Coordenadas de un punto en el espacio real. Coordenadas de un punto en el espacio reciproco. Niamero atémico. Angulos interaxiales en la red real. 20 / Métodos de ditraccién de rayos X at, B*, y*: Angulos interaxiales en la red reciproca. Distancia vertical entre planos de la red recfproca (en unidades de la red reciproca). Es una de las coordenadas cilindricas de un punto en el espacio reciproco det cristal. Angulo de Bragg. Angulo de inclinacién de los rayos refiejados. Longitud de onda (A). Coeficiente de absorcién lineal; angulo de equi-inclinacién en ef mé- todo de Weissenberg; anguto de precesién. Coeficiente de absorcién masico, en general. Coeficiente de absorcién miasico referida a la matriz. Angulo entre el rayo refiejado y un eje cristalografico; semiangulo de un cono de Laue; frecuencia de la radiacién. Distancia radial de un punto reciproco al eje de rotacién de referencia (en unidades de la red reciproca). Densidad. Angulo azimutal de una reflexion. Angulo de fase, en general. Vector reciproco. = ah + bk + ci. Coeficiente de absorcién verdadera. (fotoeléctrico). Angulo de rotacion; velocidad angular. 1 EL ESTADO CRISTALINO Y LA CLASIFICACION DE LOS CRISTALES 1.1, El estado cristalino - a Un cristal puede considerarse formalmente descrito por un sistema de motivos + materiales (atomos, iones 0 moléculas), periédicamente ordenados en el espacio. Alternativamente, un cristal es una sustancia homogénea, esencialmente anisétropa y que ordinariamente se manifiesta con formas externas poliédricas: La regularidad morfolégica, sin embargo, no tiene caracter definitorio; lo esencial del cristal es la ordenacién a larga distancia de los constituyentes elementales de su estructura interna. La homogeneidad de las sustancias cristalinas no es sino una consecuencia im- plicita a la particular ordenacién, regular y precisa, de sus componentes elementales: cada motivo, en cualquier parte del sistema, tiene un idéntico entorno de motivos, jos cuales pueden ser relacionados entre si mediante sencillas operaciones de repe- ticién. Un sistema con estas caracteristicas sélo es estrictamente homogéneo si la matematica periodicidad de la repeticién se extiende hasta el infinito, en cuyo caso define un cristal ideal. La homogeneidad del cristal real, por el contrario, es ne- cesariamente finita, es decir, la secuencia de motivos ordenados presenta distintas alteraciones 0 imperfecciones.mas 0 menos acusadas, en distintos puntos del sistema. La anisotropia de los cristales se manifiesta en las variaciones que experimentan los médulos dg sus distintas propiedades fisicas, seguin las direcciones especificas en que se realigen sus medidas. Son, por tanto, propiedades vectoriales 0 direc- cionalés. La cohesién (fractura, exfoliacion, tenacidad, dureza, etc.), conducti- vidad eléctrica y calorifica, dilatacion térmica, piroelectricidad y piezoelectricidad, magnetismo, refraccion de la luz, difraccion de rayos X, velocidad de crecimien- ©, etc., constituyen ejemplos bien conocidos de estas propiedades anisétropas. De ordinario, la masa de muchas sustancias cristalinas —metales, muchos mi- nerales y precipitados, etc.— esta integrada por un elevado numero de diminutas unidades cristalinas 0 cristalitos, aglomerados 0 no pero estadisticamente desorien- tados unos respecto a otros; este tipo de sustancias reciben el nombre de policris- talinas. No es de extrafiar que aparentemente se comporten como isétropas, dado ; que las propiedades que presenta un conjunto finito de sustancia policristaliné en una determinada direccién, no son sino una manifestacién estadistica de las; propiedades vectoriales de cada cristalito individualmente considerado. | 24 / Métodos de ditracci6n de rayos X Los estados materiales carentes del grado de ordenacién tipico del estado cris- talino, se caractetizan por su isotropia; tal es el caso de los gases, los liquidos y los llamados «sdélidos» amorfos o vitreos. La posicién relativa de los componentes ele- mentales que integran estas sustancias, varia al azar en mayor o menor extensi6n, sin que entre ellos exista la estricta relacién de orden que poseen los cristales. E] grado de desorden que poscen los gases y los liquidos es de naturaleza inequivoca. Las moléculas de un gas son practicamente indépendientes unas de otras y disponen de un gran espacio individual para moverse libremente en el recinto que ocupan. De acuerdo con la ley de Avogadro, un mol de un gas contiene 6,03 x 107? moléculas que, en condiciones normales, ocupan un volumen de 22,41 = (22,4 x 10%) x 1074 A? Q A = 107 em). El vo- lumen disponible para 1 molécula sera (22,4 x 1027)/(6,03 x 10? 7x 10° A?. Este volumen es equivalente al de un cubo de arista igual a 3/37 x 10° ~ 33 A. Dado que el diametro medio de una molécula de un gas sencillo.es de unos 1-3 A, se deduce que el espacio gaseoso estA muy escasamente ocupado y que las moléculas gaseosas tendran una gran mo- vilidad, debido a la agitacién térmica. En los liquidos es mucho miayor el estado de condensacién de la materia; tas moléculas estin en estrecho contacto unas con otras y, aunque existen fuerzas de enlace entre ellas, la energia térmica es suficiente para vencer estos enlaces y dotar a las moléculas de una con- siderable movilidad. El grado de desorden interno que poseen los cuetpos amorfos tiene un caracter mas polémico. El mayor o menor estado de ordenacion de las moléculas que cons- tituyen estas sustancias, puede ser debido a muy diversas circunstancias. Muchas de ellas, por ejemplo, se originan a partir de liquidos bruscamente enfriados, de modo que las particulas no tienen tiempo de adquirir una ordenacién regular al solidificarse; otras se originan a partir de masas fundidas susceptibles de polime- tizarse al adquitir el estado sdlido (resinas, bakelitas, etc.), lo que también impide Ja formacién de una distribuciOn ordenada de sus componentes. Pero en cualquier caso, un cuerpo sélido verdadero se diferencia claramente de otro vitreo por la variacién que experimenta la fluidez o grado de rozamiento interno, ¢, en funcion de ta temperatura al producirse la transicién. liquido — cristal o liquido ++ cuerpo vitreo, como se muestra esquematicamente en la figura 1.1 (la fluidez es el valor log ——» ur ® Figura 1.1 —Variacién de la fluidez ef los procesos de transicién cristalina (a) y de transicién vitrea (6). 1, y T, son las temperaturas de cristalizaci6n y de vitrificaci6n, respectivamente. @ El estado cristalino y Ia clasificacién de fos cristales | 25 reciproco de 1a viscosidad). En el caso de la transicion cristalina, el cambio de estado de la sustancia est4 perfectamente definido y la fluidez varia bruscamente a la temperatura de cristalizacién o temperatura de equilibrio entre las dos fases liquido-cristal (Fig. 1.1a), mientras que en el caso de la transicion vitrea el proceso es de naturaleza continua (Fig. 1.16). Las sustancias vitreas, por tanto, deben ser consideradas como liquidos sobreenfriados, cuya aparente solidez es debida a la excesiva viscosidad que poseen. A diferencia de los cristales, los cuerpos amorfos no tienen un punto de fusion definido. Todas estas sustancias, sin embargo, pre- sentan una tendencia local, mas o menos acusada, a adquirir, con el envejecimiento © mediante tratamientos especiales (calentamiento, ordinariamente), un cierto gra- do de cristalinidad sin cambiar de estado de agregacién. Entre los conceptos limites de sdlido cristalino y cuerpo amorfo que hemos es- bozado, existe una extensa gama de sustancias con muy variados grados interme- dios de ordenacién. Se conoce un gran nimero de sustancias organicas, sdlidas a la temperatura ordinaria que, en el estado liquido, presentan propiedades de anisotropia continua. Estas fases liquidas espontaneamente anisOtropas, se designan con el sugestivo nombre de cristales liquidos. Poseen una regularidad interna (monodimensional o bidimensional), intermedia entre el desorden de un liquido ordinario y la ordena- cién periddica de un sélido cristalino. Los conceptos anteriormente expuestos nos permiten establecer la siguiente relacién esquematica entre los distintos estados materiales considerados: Isétropos Anisétropos Gas ——> Liquido ~—— Cristales liquidos Cuerpos amorfos > Solidos cristalinos 1.2, Redes de traslacion tetizado erhun punto (punto de red), el motivo elemental de repeticién de un cristal. Un conjunto infinito de puntos idénticos homogéneamente ordenados en el es- pacio, recibe el nombre de.red espacial o simplemente red. Desde un punto de vista geométrico, una red tridimensional puede considerarse originada mediante la sucesiva aplicacién a un punto de una serie de traslaciones elementales no coplanares, definidas por los vectores a, b y ¢ (Fig. 1.2). Si cualquier punto de esta red se toma como origen, la situacién de cualquier otro punto de la misma queda definida, respecto a dicho origen, por el vector deposicion: T=patgbtre aay donde p, gy r son numeros enteros cualesquiera ' comprendidos entre +00 y — 00. Por en pu y bajo un concepto puramente imaginario, consideremos sin- : red no es primitiva, p,q y r pueden tener valores fraccionales. Véase el apartado 1.2.2. 26 / Métodos de ditraccién de rayos X Figuta 1.2—Red espacial. / Si se tomase como origen otro punto de coordenadas Pa + Qb + Re, los vectores de posicién del resto de los puntos respecto al nuevo origen, vendrén expresa- dos por: (p ~ Pia t+ (q— Qbb+— Re = pat gbt+re donde, de nuevo, p’, q’ y r’ son también numeros enteros. 1.2.1. Celdilla unidad. Ejes cristalograficos Uniendo entre si el conjunto de puntos de una red, el espacio del cristal queda dividido en paralelepipedos elementales (Fig. 1.2). La red, en su conjunto, puede también considerarse generada mediante traslaciones de uno de estos paralelepipe- dos en direcciones paralelas a sus aristas, representando cualquiera de ellos las caracteristicas de la red en todos sus aspectos, por cuya razdn recibe el nombre de celdilla elemental o ila unidad. . Si tomamos.como origen uno de sus vértices, la celdilla unidad queda precisa- mente descrita por las direvcionés y los médulos de. los véctorés unitarios de tras- lacion a,b y-e,.Jos cuales definen 10s: ¢/es cristalogrdficos. Las longitudes a, b y ¢ y los angulos o,f y y de este sisteina de ejes, son: los pardmeiros de la celdilla o-sus constantes reticulares; estos pardmetrés se representan conveficionalmente de: la. forma indicada en la figuta 1.3. De acuerdo con las especificas caracteristicas de simetria que se discuten mas adelante, cualquier cristal puede ser adscrito a uno de los siete sistemas de ejes ctistalograficos o sistemas cristalinos que se relacionan en la tabla 1.1. Los ejes hexagonales pueden emplearse también para describir al sistema tri- gonal, de acuerdo con las recomendaciones del US National Committee on Crys- tallography (1946), con lo que el numero de sistemas cristalinos queda reducido a seis, El estado cristalino y ta clasiticacién de los cristates | 27 Figura 1.3—Pardmetros cristalograficos. TABLA 1.1 Relaciones axiales y angulares de los sistemas cristalinos . Relaciones axiales Figura representativa L Sinterna y angulares ‘més simple Triclinico afxb¢e Paralelepipedo : aepey general Monoclinico (*) a¢b¢e . Paralelepipedo a= y= 9 $8 | osieve Ortorrémbico azb¢e Paralelepipedo . aapuy= 90° rectangular Trigonal a=bee Romboedro (Puede sf considerado como una | a =f = 7 + 90° subdivisiéb del hexagonal) (Ejes romboédricos) a=b¥e Prisma hexagonal a= B= 90", y = 120° (Bjes hexagonales) Tetragonal a=b#e Prisma rectangular |e= pay = Hexagonal ’ | asb¢e " Prigkga hexagonal a= B= 90°, y = 120° Cabico b: Cubo 8 (*) Otra eleccién alternativa de los ejes en dete sitkema es: a ¢ bf cya = B= 90" #7. 28 / Métodos de ditraccién de rayos X 1.2.2. Tipos de redes de traslacién Una red cualquiera puede ser descrita por un nimero muy variado de trasla- ciones, como se muestra claramente en la red bidimensionat de la figura 1.4. En otras palabras, el ntimero de posibilidades para la eleccién de la celdilla unidad puede ser infinito, ya que cualquier paralelogramo cuyos lados conecten puntos de la red es siempre una eleccién valida. . e . a ° ° PS N, . <7 e Py NN { . ! °. a? e e foe , i f . é i + @ / . ° e ° . e ° Figura 1.4—-Distintas posibilidades para Ja eleccién de la celdilla elemental en una red plana. P,P, y P definen celdillas elementales primitivas y C, y C,, celdillas multiples (dobles). Si se toma como origen un nudo arbitrario de la red, es posible seleccionar dis- tintos pares de vectores a y b, que definan distintas celdillas elementales planas, tales como las P o las C representadas en la figura 1.4; aplicando ttaslaciones pa- ralelas a los lados de cualquiera de estas celdillas, se construye la misma red de puntos, extendida hasta el infinito. Evidentemente, las celdillas planas mas simples son las que tnicamente poseen puntos en los vértices (P,, P,, P;), 0 sea, aquéllas que quedan descritas mediante la aplicacion a un solo pynto de las traslaciones unitarias a y b. El punto de cada vértice en estas celdillas, ést4 compartido por cuatro celdillas iguales a la elegida, por lo que'a ésta sdlo le corresponde 1 punto (1/4 de punto en cada vértice x 4 vér- tices). La celdilla que sélo tiene asociado un punto de red, recibe el nombre de primitiva, En tres dimensiones, la celdilla primitiva es la que nicamente tiene puntos en Jos vértices del paralelepipedo elemental, quedando descrita mediante la aplica- cién de tres traslaciones unitarias a, b, c a un solo punto de coordenadas (0, 0, 0), que se toma como origen. Cada uno de los puntos en los vértices de estos paralelepipedos, est4 compar- tido por otros ocho paralelepipedos idénticos, por lo que, de nuevo, slo hay un punto asociado a la celdilla (1/8 de punto en cada vértice x 8 vértices). En términos generales, para la descripcién de una red se suele elegir una celdilla primitiva y, entre sus distintas opciones, aquélla que tenga vectores unitarios mas parecidos y El estado cristalino y la clasificacién de los cristales [| 29 que formen entre si angulos de 90°, si los hubiere: Pero a veces puede resultar més conveniente elegir una celdilla con mas de un punto asociado.a la misma, la cual recibe el nombre de no primitiva o multiple, siendo su multiplicidad igual que la del ntimero de puntos asociados. Tal es el caso de las celdillas planas C, 0 C,, re- presentadas en la figura 1.4. Aplicando una traslacién no coplanar; ¢, a cualquiera de estas celdillas, se origina un paralelepipedo centrado puntualmente en la inter- seccién de los diagonales de dos caras paralelas (Fig. 1.5a). Teniendo en cuenta que cada punto centrado estaria compartido por dos celdillag adyacentes, el nimero total de puntos a esta celdilla es (/8 x 8) + (1/2 x 2) =2 diciéndose que es doblemente primitiva o que su multiplicidad es dos. Otro tipo de celdilla doblemente primitiva es aquélla que contiene un punto en su interior, con coordenadas (1/2, 1/2, 1/2) (Fig. 1.5b); como es obvio, el punto del = te @ ON F Figura 1.5—Celdillas méltiples C, ly F. 30 / Métodos de difreccién de rayos X interior no esté compartido por ninguna otra celdilla, por 1o que la red tendra, 1/8 x 8 + 1 = 2 puntos asociados. Consideremos, como ultima posibilidad de eleccién, la celdilla que, ademas de los 8 puntos en los vértices, posee otros seis en las intersecciones de las diagonales de cada cara (Fig. 1.5c). El niimero de puntos asociados sera: (1/8) x 8) + (1/2 x 6) =4 En general, el niimero de puntos asociados a una determinada celdilla viene dado por la relacién general: Ne 3 siendo N;, N, y N, el namero de puntos situados en el interior, en el centro de jas caras y en los vértices, respectivamente. De acuerdo con la nomenclatura internacional, las distintas redes que acabamos de describir se denominan con los simbolos P, /, F, C (A, B), segin tepresenten a una celdilla primitiva, centrada en el cuerpo, centrada en todas las caras y centrada en dos caras opuestas, respectivamente; en este ultimo caso, los simbolos A, Bo C se refieren a las celdillas centradas en las caras paralelas a be, ac 0 ab (en realidad, rTepresentan un mismo tipo de celdilla con diferentes orientaciones axiales). En la tabla 1.2 se indican las descripciones generales de las distintas redes des- critas, las cuales se obtienen aplicando los tres movimientos de traslacién periddica a los puntos cuyas coordenadas se especifican. El simbolo R se emplea exclusivamente para designar a la celdilla primitiva romboédrica. went Mee TABLA 1.2 . Descripcién de los distintos tipos de redes de traslacién Simbolo Denominacién ponte aes te ieos Multiplicidad P| Primitiva 0,0, 0 I Centrada en el eubrpo 0, 0,0; A Centrada en YZ 0,0, 0; B | Contrada en XZ 0,0, 05 C | Centrada en XY 0,0, 0; F Centrada en todas las caras | 0,0,0; R | Romboédrica (Triplemente hexagonal) Ef estado cristelina y ta clasificacién de fos cristales | 34 1.2.3. Redes de Bravais El cientifico francés A. Bravais demostr6, en 1848, que solo son posibles 14 tedes de traslacién tridimensionales y homogéneas, compatibles con las caracteristicas de simetria de cada sistema cristalino (Fig. 1.6); 0 sea, sdlo hay 14 posibilidades diferentes de asociar atomos, iones o moléculas para formar un cristal. Estas redes agotan las posibilidades de introduccién de puntos adicionales en las celdillas wenn--3 Figura 1.6—Las 14 redes de Bravais. 32 / Métodos de difraccién de rayos X primitivas representativas de cada sistema, sin que se altere la simetria caracteristica de los mismos (Fabla 1.8). Asi, por ejemplo, fa introduccién de un punto en el centro de un cubo 0 en los centros de cada una de sus caras, no modifica la simetria carac- teristica del sistema cibico (cuatro ejes ternarios, tabla 1.8, en el apartado 1.5.2), mientras que centrando en dos caras paralelas se destruye dicha simetria. Debe notarse que cualquier red de Bravais no primitiva, puede ser siempre descrita por una ted primitiva equivalente. Asi, por ejemplo, la celdilla cabica F puede quedar representada por una celdilla primitiva romboédrica, en la que cada © Figura 1.7.—a) La celdilla primitiva de una red cubica tipo F (linea continua); 6) y c) las celdillas tetra- gonales Cy F son equivalentes a las tanibién tetragonales Pe f. lado vale 1/,/2 veces la arista del,cubo y el angulo axial « es de 60° (Fig. 1.7a). Podria pensarse, inversamente, en la-posibilidad de la existencia de otras celdillas multiples que no aparecen en la figura 1.6 como, por ejemplo, las celdillas tetragona- les C y F. Pero, en estos casos, las redes pueden ser descritas por sendas celdillas Pe I también tetragonales, como puede deducirse del examen de las de las figuras 1.7b y 1.7c, respectivamente. Et hecho de emplear en muchos casos celdillas multiples en lugar de primitivas para la descripcién de las redes, estriba, entre otras razones, en la.conveniencia de simplificar la geometria para su estudio, desechando en lo posible los sistemas de ¢jes oblicuos en las celdillas primitivas, cuando éstas puedan ser descritas de forma més sencilla por celdillas multiples con dos 0 tres ejes ortogonales, Asi, por ejem- plo, la red plana de la figura 1.4 exhibe claramente una simetria rectangular, por cuya razén deberia ser C, la celdilla elemental mas convenientemente elegida. El estado cristalino y la clasiticacién de los cristales | 33 1.3. Planos reticulares. Indices de Miller En una red cristalina pueden trazarse, en las mas variadas direcciones, series de infinitos planos paralelos y equidistantes entre si, conteniendo cada uno de ellos sucesiones lineales. de-puntos reticulares (Fig. 1.8). Estos planos, que colectiva- i Figura 1.8.— bidimensional mostrando distintas familias de planos teticulates. Notese e6mo los planos de indicek mas sencillos son los que tienen mayor espaciado y mayor densidad de puntos reticulares. mente contienen todos los puntos de la red, se dice que son planos racionales 0 reales. Dicho de otra forma: no hay puntos de la red que no estén situados en planos tacionales. La distancia d entre dos planos consecutivos de una misma familia, se denomina’ distancia interplanar o, simplemente, espaciado. Cada serie de planos. paraleios divide a los ejes cristalograficos.en un numero entero de partes iguales (obsérvense los planos (320) y (120) de la\Ggura 1.8, por ejemplo). El plano cuyas intersecciones con los ejes sean a/h, b/k y c/l, donde A, k, 1, son numeros enteros sin ningin divisor comin, es ef plano mds cercano al origen perteneciente a una misma familia de planos paralelos y equidistantes. Los na- meros h, k, /, tienen necesariamente que ser enteros ya que, dado el caracter perid- dicamente repetitivo de la red, cualquier plano racional que intersecte a los ejes, los hara en una fraccién entera de sus magnitudes. 34 / Métodos de diftaccién de reyes X Los numeros h, k, J, identifican la posicidn y la orientacién del plano Tespecto a los ejes cristalograficos y son los liamados indices de Miller det plano, escribiéndose con la notacién (hk!). Los indices de Miller se hallan directamente reduciendo a los menores numeros enteros los valores inversos de las iniersecciones Sraccionarias del plano con los ejes cristalogrdficos. Asi, por ejemplo, los indices del plano que intersecta a ios ¢jes en afh = 1/24, bik = 3/4 by cfi=te (valores inversos: 2, 4/3 y 1), seran (643). En Ia figura 1.9 se ilustran otros diversos ejemplos. Figura 1.9.—Indices de Miller ceYistintos Pianos reticulares, P,,..., P;. Se indican las intersecciones de los planos con los gjes, El simbolo generalizado (hk/) especifica un plano con cualquier orientacion, no paralelo a ninguno de jos ejes cristalograficos. Cuando un plano ¢s paralelo a alguno de los ejes, lo intersecta en el infinito y el indice correspondiente es cero (I/eo = 0), Asi, los planos de indices (0k/), (401) y (hk0), son paralelos a los ejes @, by c, respectivamente, y los (400), (0X0) y (00/) son paralelos a los ejes be, acy y ab. Cambiando de signo los indices de un plano, se obtienen los de otro plano situado en el cuadrante opuesto del sistema de ejes. Asi, las parejas de planos in- cluidos en la misma columna de la secuencia ARE RkE hkl kT ARE MRE hkl hl El estado cristalino y fa clasiticacion de fos cristales { 35 son planos paralelos y situados en cuadrantes de signos opuestos en el sistema de coordenadas. Multiplicando por un mismo ntmero x los indices de un plano racional (Ak/), se obtienen vos indices (ah, nk, nl) de un plano ficticio paralelo al (hkl) y cuyo espaciado es — das siendo d,, el espaciado de los planos (hkl), como puede de- ducirse de la construccién bidimensional representada en la figura 1.10. Entre cual- quier par de planos (Ak/) existen (n — 1) planos ficticios de indices (nh, nk, nl). ‘ajnh ‘jh Figura 1.10-—Trazas del plano teal (AKO) y del plano fieticio (nh, mk, 0): dws, = 4 dag ” Aunque estos planos no son racionales, cobran significado fisico en el fendmeno de la difraccién de rayos X y se utilizan sus simbolos generalizados (por ejemplo, (222), (420), etc.), como se vera mas adelante. En el sistema hexagonal se suele emplear a veces un tercer indice i, para designar complementariamente a‘los planos. La existencia de este nuevo indice viene im- puesta poy Ja conveniencia de utilizar en este sistema un tercer eje, a, coplanar con los a, (a2, ycon su direccién positiva formando un Angulo de 120° con los mis- mos (Fig. 1 “1. Este eje esta generado por la simetria rotacional implicita al sistema hexagonal. Desde este punto de vista, los planos en este sistema se designan con los indices (Akil), denominandose indices de Miller-Bravais. Débido a la depen- dencia lineal existente entre los ejes coplanares a,, a, y a3, también son andloga- mente dependientes los valores de h, k e i. En la figura 1.11 se muestran las trazas de un conjunto de planos paralelos que, de acuerdo con la definicién, dividen al eje a, en A partes y al a, dn & partes. Si se construye el paralelogramo a,a,, su diagonal, que es la parte negativa de a,, tiene una longitud de # + k partes, o sea: i=h+k obien, A+k+i=0 (1.2) 36 / Métodos de diftaccién de rayos X a, « ks ey Figura 1.11—Derivacion de la relacion h + k = fen el sistema de ejes hexagonales, a,, a, dy. El valor del indice i, por tanto, se deduce directamente de los valores de A yk. Debido al trivial significado de i, su posicién en la notacién de los indices se suele sustituir por un punto, escribiéndose (Ak./). 1.3.1. Distancia entre planos consecutivos de una familia (AKI). (Sistema de ejes ortogonales) El cAlculo analitico de ta distancia interplanar dy DO presenta dificultades en los sistemas cristalinos de ejes ortogonales. En el resto de los sistemas dicho calculo se realiza de forma mas inmediata y con cardcter general, utilizando los conceptos operativos de la red reciproca que se exponen mas adelante. Por esta raz6n, desarro- laremos aqui las expresiones correspondientes a los sistemas ortorrémbico, tetra- gonal y ciibico, dejando para el apartado 2.7 el desarrollo de la formula generalizada (sistema triclinico, a #b $c, a + B #7). Sea ABC el plano mas préximo al‘origen perteneciente a la familia (hkl) de planos paralelos (Fig. 1.12). La longitud de ta normal a dicho plano trazada desde el origen, ON, es preci te dyj, Ya que por dicho origen pasa otro plano in- mediato de la misma familia (h&/). Las intersecciones del plano ABC con los ejes, seran a/h, b/k y ¢/l, de acuerdo con la definicién de los indices de Miller. Los cosenos de direccién de ON respecto a los ejes, son: — Sa — Sut = Gigs cos a, = Tih COS a = FE» COS a, = Como estamos suponiendo que a, b y ¢ son mutuamente perpendiculares, la sumd de los cuadrados de estos cosenos, sera igual a la unidad: 2 2 cos? a, + cos?.a, + cos? a, = dz, (¢) + i) + 6] =1 Et estado cristalino y la clasificacién de los cristales | 37 (cies ortogonales). 1 ay ky ly z-@)+6)+@ od que seria la ecuacién correspondiente al sistema ortorrémbico (@ # b ¢ c). En el sistema tetragonal (a = b $ c), la expresiOn anterior se reduce a Figura 1.12—Deduccién del valor del espaciado d,,, entre dos planos consecutives de una misma familia de donde 1 _W+R PP torte : (14) de a oe < i y.en el sistema cibico (4 = b = c): 1 _ +h 4+P =a ee 1.5 % 5 (1.5) Como puede observarse, a medida que los valores de h, k y / son mas complejos o mas elevados, disminuye el valor del espaciado de los planos correspondientes (ofr. Fig. 1.8). \ 1.3.2. Direcciones, zonas y formas cristalinas Las direcciones en un reticulo cristalino quedan convenientemente especificadas mediante un vector trazado desde el origen del sistema de ejes, a un punto de coor- 38 / Métodos de difraccién de rayos X denadas (U, V, W) (Fig. 1.13): OP = Ua+ Vb + We (1.6) Figura 1.13.—La direccion [UVW] = Ua + Vb + We {adaptada de Buerger, M. J., 1965). La direccién implicita a dicho vector se representa con el simbolo [UV W], siendo U, Vy W nimeros enteros sin ningtin factor comun; asi, las direcciones [230] y [330], evidentemente idénticas, se representan con el simbolo [110]. Las direcciones positivas de los ejes cristalograficos, a, b, ¢, son [100], [010] y {ool Tespectiva- mente, mientras que las direcciones negativas de los mismos seran [100], [010] y [oof] (Fig. 1.14). x A fo \ [001 Figura 1.14.-Las direcciones [UV W] de 4os ejes cristalogrificos de una celdilla elemental y los planos (100) (010) y (001). £/ estado cristalino y fa clasificacién de tos cristales {| 39 Puede demostrarse que en el sistema cttbico y sdlo en éste, la direccién de indi- ces [hkI] es perpendicular a los pianos de indices (hkl). Asi, si se conocen los indices de un plano cualquiera, queda directamente definida la direccién de su normal. Un conjunto de planos que son paralelos a una misma direccién, se dice que Pertenecen a una zona, siendo dicha direccion el eje de zona, [UVW]. En Ia fi- gura 1.14, se tendra: Zona Eje de zona (100) (010) (100) (010) (001] 010) (001) (010) (001) [100] (100) (001) (100) (007) [010] Entre los indices del eje de una zona, [UV W’], y los de un plano cualquiera que Pertenezca a la misma, existe la siguiente relacién analitica, cuya demostracién damos en el apartado 2,8: AU+ kV + IW=0 (7) Si dos planos de indices conocidos, (4,k4/,) y (h,k,/,), pertenecen a la misma zona, [UVW], se verificara: hU+kV+LW=0 h,U + kV +4W=0 De una forma practica, estas dos ecuaciones se resuelven para U, V y W, es- cribiendo repetidamente los indices de los planos de la forma siguiente: kh hy ky Sh x XX hy k, L hy k, L, hy \ Suprimieddo las columnas 1 y 6 y resolviendo los determinantes de segundo orden formados por las columnas 2-3, 3-4 y 4-5, se deducen los valores de U, Vy W: Ueki, —kyl, V=hh,—hh, W=hk, - hk, Andlogamente, los indices de Miller de un plano (Ak!) que pertenece a dos zonas dadas, [U,V,W,] y [U,V,W,], seran: U| yw Uy | m, U, 2 Ww, U, Vv, Ww, h=VW,—VWy k= WU, - WU, 1= U,V, - UY, 40 / Métodas de difraccién de rayos X EJEMPLOS: —— Determinar el simbolo del eje de zona de los planos (210) y (321). me or Re U=l1-0=1, VsO- W=4-3 Eje de zona: [UVW] = [131}. — Hiallar los indices de Miller de un plano que es paralelo a las direcciones [301] y [211]: oe No nw h=O0-1=-1, k=2-3=2-1,° /=3-0=3 El conjunto de planos cristalograficos manifiestamente equivalentes y que estan generados o relacionados entre si por operaciones de simetria, constituyen una forma, El simbolo de la forma es {hk}, siendo h, k, J, los indices de uno de los pla- nos mas representativos del conjunto. Asi, por ejemplo, la forma {100} en un cristal cabico representa a los planos (100), (010), (001), (100), (010) y (001), © sea, las seis caras que delimitan a un cubo, relacionadas todas ellas por simetiia rotacional de 90°. En el prisma tetragonal de la figura 1.14, las caras de las formas {100} y {010} seran, respectivamente, tas (100), (001), (100), (001) y (010), (010). 1.4. Simetria Se dice que un cuerpo posee simetria cuando sus distintos motivos (caras de un cristal, por ejemplo), pueden ponerse en mutua coincidencia mediante ciertas opera~ ciones geométricas sencillas, amadas operaciones de simetria, de forma tal que, después de realizada la transformacién, el cuerpo aparece indistinguible con res- pecto a su posicién inicial. La simetria externa que presentan los cristales, es decir, el hecho de exhibir ef mismo aspecto en distintas direcciones de observacién, no es sino una manifestacion de la sistematica repeticién de los motivos clementes que lo constituyen a escala atémica. Reciben el nombre de elementos de simetria, los operadores o entidades geomé- tricas imaginarias (linea, plano,. . .), respecto a los cuales se realizan las operaciones de simetria. Las operaciones de simetria pueden ser de primera o de segunda clase. Con las operaciones de simetria de primera clase se ponen en coincidencia motivos homé- 1.4.1. Operaciong de simetria y elementos de simetria El estado cristalino y ta clasificacién de tos cristales | 41 logos mediante movimientos de rotacién simple, traslacién o combinacién de am- bos. Los elementos de simetria correspondientes a las rotaciones puras son los ejes de rotacién propios, y los resultantes de la combinacién rotacién/traslacion son los ejes helicoidales (rotacion helicoidal). Con las operaciones de simetria de segunda clase se ponen en coincidencia pares de motivos no congruentes o enantiomorfos, es decir, los que estan relacionados . entre si como un objeto ysu imagen en un espejo. Los elementos de simetria co- rrespondientes a este tipo de operaciones son el plano de simetria o plano espejo, el centro de simetria o centro de inversién, los ejes de rotacién impropios y los planos de deslizamiento, resultante estos ultimos de las combinaciones rotacién-inversion y reflexién-traslacién, respectivamente (Tabla 1.3). TABLA 1.3 Clasificacién de las operaciones de simetria Operaciones de primera clase Operaciones de segunda clase Rotaciones Reflexiones Inversiones Rotaciones-inversiones (Estas operaciones conciernen exclusivamente a la simetria de los grupos puntuales) Traslaciones-rotaciones (ejes helicoidales) | Traslaciones-reflexiones (planos de desli- zamiento) (Estas son operaciones adicionales necesarias para describir la simetria de los grupos espaciales) Los ejes de rotacién, el plano de simetria, el centro de inversion y sus combi- naciones, son en principio suficientes para describir la simetria externa de un cristal o la simetria de moléculas finitas. En realidad, como se ver4 seguidamente, estos elementos quedan reducidos a*los ejes de rotacién propios e impropios. Los ejes helicoidales y lqs planos de deslizamiento surgen de la necesidad de describir la simetria rata interna, de caracter infinito, que poseen los motivos elemen- tales que integren el edificio cristalino. 1.4.2. Centro de simetria o centro de inversion Se dice que un cristal posee centro de simetria cuando tiene caras iguales y opuestas que pueden relacionarse entre si mediante lineas de union que se inter- ceptan en un punto equidistante, donde ésta situado el centro de simetria ie. 1.15a). El centro de simetria también puede definirse como el operador mediante el cual cada motivo de coordenadas (x, y, z) se sitda en la posicién de coordenadas (—x, —y, —2). El simbolo internacionalmente adoptado para el centro de simetria es I (léase barra sobre uno). 42 / Métodos de difraccién de rayos X ZL 7 AAAs NNNN L 7 @ ® Figura 1.15—Conjunto de motives relacionados por un centro de simetria (a), y por un plano de simetria (6). 1.4.3. Plano de simetria Un cristal posee un plano de simetria o plano-espejé, cuando una 0 varias de sus caras se repiten de forma exactamente igual en otra parte del espacio, como si tal repeticién se hubiese realizado mediante una reflexion Optica en una superficie especular coincidente con el plano de simetria (Fig. 1.155). El plano de simetria relaciona pares de motivos enantiomorfos 0 enantiémeros. Las coordenadas de un punto (x, y, z), pasan a ser (x, —y, z) en su imagen reflejada. EI simbolo internacional del plano de simetria es m. 1.4.4, Ejes de rotacién propios La coincidencia entre puntos equivalentes en este caso, se realiza mediante sucesivas rotaciones puras alrededor de un eje, con intervalos angulares de re- peticién a = 2, donde n es el ordén del eje. Los valores de n pueden ser 1, 2, 3, 4 y 6, lo que quiere decir que los tmicos intervalos rotacionales de repeticién son 360°, 180°, 120°, 90° y 60°. Estas restricciones limitan drasticamente el numero de las posibles redes que pueden existir, siendo una consecuencia del caracter homo- géneo de la ordenacién de los motivos en un cristal. Vamos a demostrar la raz6n de esta limitacién en la multiplicidad de n. Sea... P_,, P_1, Po, P,, Pz... una suce- sién monodimensional de puntos cuyo periodo de repeticion es ¢ (Fig. 1.16). Su- pongamos que a través de P, pasa un eje con el que aplicamos una rotacién arbi- traria de intervalo angular a, obteniendo las sucesiones...P~,, P_,, ..., Ph, Py. Si los nuevos puntos pertenecen a la red homogénea descrita por los puntos‘de la sucesién original, el periodo de traslacién pe +P, por ejemplo, ha de ser un mil- tiplo entero de 1, verificandose que mt = 2t cosa El estado cristalino y ta clesiticacion de los cristales | 43 P, P> Figura 1.16—En una red periédica se tiene que verificar que cualquier intervalo unitario ha de ser un ‘miltiplo entero del periodo de repeticién: P*P; = mt. donde m es.un numero entero positivo o negativo, segiin el sentido de la rotacién. Se tiene, cosa = = 2 Habida cuenta que el coseno de un Angulo puede variar entre +1 y —1, sdlo Jos valores de m iguales a 0, +1 y +2, ofrecen soluciones validas de la relacién anterior, por lo que los Unicos érdenes permisibles de a son 1, 2, 3, 4 y 6, como se muestra en la tabla 1.4... TABLA 1.4 . Deervato de giro permisibles para los ejes de rotacién m COS & oe ” 0 9 90 4 1 3 60 6 -1 -} 120 3 \ 2 +1 0, 360 i —2 -1 180 2 El simbolo general de los ejes de rotacién propios es n (o X), mientras que cada eje en particular se identifica por et valor numérico de n, es decir, 1, 2, 3, 4 y 6. En la tabla 1.11 se indican sus simbolos graficos (el eje 1 no tiene). wos 28 ut 1 a wane : * “BISIOUUIS ap Ont sopefeyss sodnuf soy] ‘sojemund eg oe @ Me: o RS uw te wo Be & TD LEX Ae, & Read oo1gn \ Ef estado cristalino y la clasificacién de los cristales / 45 \ En los recuadros 1, 2, 3, 4 y 6 de la primera fila de la figura 1.17 se representan las distribuciones de puntos que resultan después de operar sobre un punto cada uno de los cinco ejes considerados. Para la obtencion de estos estereogramas se ha supuesto que todos los ejes son perpendiculares al plano del papel y que pasan por los centros de las circunferencias convencionales de cada representacién. La operacién correspondiente al eje 1 (« = 360°), se denomina identidad, ya que cualquier motivo puede ponerse en coincidencia consigo mismo mediante un giro de 360° alrededor de un eje que tenga cualquier arbitraria orientacién. Un objeto cualquiera, por tanto, posee un numero infinito de ejes 1. 1.4.5. Ejes de rotacién impropios Existen cristales en los que para verificar la evidente relacion de simetria exis~ tente entre algunas de sus catas, es necesario combinar la operacién de uno de los ejes propios con una inversidn alrededor de un punto situado’en el éje. Asi, por ejemplo, girando 90° (en sentido contrario a las agujas del reloj) la cara 111 del cristal de la figura 1.18, ¢ invirtiéndola alrededor de un punto situado en el centro cd Figura 1.18—Simetria externa de un cristal de urea. del cristal, se pondria en coincidencia con la cara equivalente 111; si se gira 117 otros 90° y se invierte, quedaria superpuesta a la I11, y asi sucesi ite. El ele- mento de simetria que combina las operaciones de rotacién y de inversién es el eje a vatacltye inversion su simbolo general es # (o ¥) (léase barra sobre 7), siendo neil, 2, 5,4, 6. Una operacién completa de roto-inversién, #, se realiza aplicando a un punto sucesivas operaciones unitarias consistentes en rotaciones de intervalos angulares 2njn, seguidas de inversiones, no finalizando el ciclo de las operaciones hasta que se retorna al punto de partida. 46 / Métodos de difraccién de rayos X Figura 1.19.—Descripeién gréfica de un eje binario de rotacion-inversin. La operacién unitaria 2, por ejemplo, consiste en una rotacién de 180° seguida de una inversién. Si se imagina que esta operacién se inicia con la mano derecha, como se muestra en la figura 1.19, puede verse como pasa, tras la operacién uni- taria, a ser la mano izquierda; si con la mano izquierda se repite nuevamente la operacién, se vuelve de nuevo a la posicién inicial d, finalizando el ciclo de la ope- tacién 2. Obsérvese que el resultado final es equivalente a una reflexion pura en un plano de simetria, m, perpendicular al eje binario. La operacion 4 se realizaria siguiendo la sistemética que a continuaciOn se describe (las letras de la figura £.20h identifican las sucesivas etapas unitarias): a) Se gira 90° el punto I de @ Figura 1.20—Operacién 4. a) Representacin espacial del resultado de la operacién; 6) Estereogramia ilustrativo de las sucesivas operaciones pareiales (ver texto). coordenadas x, y, z y se invierte hasta la posicién 2, de coordenadas, x, ¥, Z. b) Se gira el Punto 2 otros 90° y se invierte hasta la posicién 3 (%, J, z). c) Se gira el punto 3 y se invierte hasta 4 (%, y, 2). d) Girando el punto 4 ¢ invirtiéndolo, se alcanza nuevamente el punto 1, con lo que finaliza la operacién. En la figura 1.20a se representa en perspectiva el resultado de la operacién, mientras que la figura 1.208, ilustra Ia proyeccién estereografica corres- pondiente. Este estereogtama se obtiene proyectando sobre un plano perpendicular al eje 4 El estado cristalino y fa clasiticacién de los cristales { a {plano xy), la distribucién de puntos resultantes de 1a operacién; convencionalmente, los puntos situados en la parte superior del plano (polo Norte), se identifican con un pequefio circulo en negro, mientras que los situados en la parte inferior (polo Sur), se sefialan con un cfrculo en blanco. En la segunda fila de la figura 1.17 se muestran los estereogramas del conjunto de ejes 77, Puede observarse que el eje I es equivalente al centro de simetria; el eje 2, es equivalente a un plano de simetria, como ya se ha visto. Compruebe el lector las equivalencias 3 = 3 + i y 6 = 3 + m (siendo m perpendicular al eje). Las operaciones de rotacién-inversién ptleden ser descritas indistintamente mediante los lamados ejes alternatives, que son combinaciones de un eje 7 con un plano-espejo perpen- dicular. Las operaciones de rotacién-reflexién, andtogamente a las de rotacion-inversion, consisten en rotaciones de 2n/n, seguidas de reflexiones en el plano-espejo. A cada intervalo de rotacién aplicado a un punto, le corresponde una reflexién que, por tanto, se efectda al- ternativamente en las dos imaginarias caras especulares del plano de simetria. Si se supone que el plano xy de la figura 1.19a es un plano de simetria, realizando las operaciones de rotacién-reflexin correspondientes, se obtiene un resultado idéntico at que hemos descrito para ja operacién 4. De las dos alternativas, es mas conveniente utilizar las desctipciones de simetria basadas en los ejes impropios, en lugar de las operaciones de rotacién-reflexién. En la figura 1.21 se tepresentan los estereogramas correspondientes a las cinco operaciones de rotaciOn-reflexién, simbolizadas S,, S,, S,, S, y Sg (el subindice es el orden del eje), y en la tabla 1.5 se sefialan las equivalencias con los ejes 7. 2 I & 4 3 Figura 1.21 Equivalencias entre las operaciones de rotacion-reflexion (5) y las de rotacion-inversion (7). \ TABLA 1.5 Equivalencias entre los ejes de rotacién-inversién y los ejes alternativos i Eje de i Be, satin SoMa equivalente 1 Ss, 1: Centro de simetria \, 2 3, m: Plano de simetria 3 S, 341 4 5, _ é Sy 3+ m perpendicular \ 48 / Métodos de difraccién de rayos X Debe advertirse que para la obtencién de los estereogramas que aparecen en la figura 1.17, se ha supuesto que los ejes # tienen una orientacién perpendicular al plano del papel. En el sistema monoclinico existen dos opciones para la eleccidn de los ejes de referencia. Los grupos representados en ta figura 1.17 corresponden a la primera opcion (eje binario contenido en z), mientras que los de la segunda opcién (eje binario en y), son los que estan representados én la figura 1.227. Figura 1.22—Estereogramas de los grupos puntuales det sistema monoclinico obtenidos suponiendo que el gje binario es paralelo a y. 1.5. Combinaciones de elementos de simetria. Grupos puntuales Si cada una de las caras de ua cristal relacionadas entre si por cualquiera de las. operaciones de simetria anterio ite descritas se sintetizan en un punto, la si- metria completa del cristal puede a desea por la combinacién de los elementos de simetria que satisface o impone la distribucién geométrica de los puntos. Si se consideran separadamente los 10 elementos de simetria basicos que se han descrito (1, 2, 3, 4, 6, 1, 2 = m, 3, 4 y 8), y se intentan realizar las posibles combinaciones que pueden resultar entre los mismos, se encuentra que las op- ciones de tales combinaciones conducen a algunos de los resultados siguientes: 1. Que la combinacién hallada sea compatible, pero que esté duplicada, es decir, que tenga su equivalente en otra combinacién de operadores ya des- 2 En la Asamblea General de la Unién Internacional de Cristalografia celebrada en Estocolmo en 1951, se acordé que fuese esta segunda opcién la normalmente aceptada para estudios cristalograficos morfolégicos y estructurales, reservando 1a primera para cuando.convenga por razones especiales. El estado cristalino y Ja clasificacién de los cristales | 49 crita, como, por ejemplo, en los casos 1 = centro de simetria y 2 = plano de simetria, ya sefialados. 2. Que resulte una combinacién incompatible, trivial o imposible, por gene- nerarse una multiplicidad de motivos extendida al infinito, al actuar inde- finidamente unos sobre otros los elementos de simetria. 3. Que se obtengan nuevas combinaciones. compatibles de elementos de si- metria. Las restricciones citadas limitan a 22 el ntmero de posibles combinaciones, Jas cuales, junto con los 10 elementos basicos citados, constituyen los unicos 32 gru- pos compatibles de elementos de simetria; tedricamente no pueden existir otros y, en la practica, todos los cristales conocidos pueden quedar clasificados en alguna de estas 32 descripciones de simetria, denominadas grupos puntuales, Las sustan- cias que presentan la simetria de un determinado grupo constituyen una clase cristalina, Nomenclatura y simbolos En la figura 1.17 se muestran las proyecciones estereograficas de los 32 grupos puntuales y, a la derecha de cada una de ellas, las de. sus elementos de simetria caracteristicos. Los significados de los simbolos adoptados para describir las combinaciones sistematicas generales que aparecen en la primera columna de la figura 1.17, son los siguientes: X: Eje ciclico de rotacién simple (=n). ¥: Eje de rotacién-inversién (=A). X/m: Eje de rotacién con un plano de simetria perpendicular. Xm: Eje de rotacién con un plano de simetria paralelo (eje contenido en el plano). x Xm: Eje de rotacién-inversién con plano de simetria paralelo (eje contenido en el plano). X2:\ Bje de rotacién con ejes binarios perpendiculares. X/mm: Eje de rotacion con un plano de simetria perpendicular y otro paralelo. Debe notarse que la nomenclatura adoptada en la figura 1.17 para designar los grupos, no corresponde en muchos casos con Ja de la combinacién de simbolos que acabamos de sefialar. Estas variaciones se deben a que los simbolos usuaimente empleados, que son los internacionales o de Herman-Mauguin 3, describen con mayor amplitud los elementos de simetria presentes en el grupo; teniendo en cuenta los que surgen automdticamente al combinar los elementos bdsicos. 3 Algunos autores suelen emplear la notacién de Schoenflies. El lector podra encontrar en cualquier libro especiatizado Jas equivalencias entre ambas notaciones. 50 / Métodos de difraccién de rayos X La posicién que ocupa un elemento de simetria en el simbolo pone de manifiesto una determinada direccién del mismo, de acuerdo con las convenciones adoptadas (tabla 1.6). TABLA 1.6 Direcciones de los elementos de simetria en un grupo puntual, de acuerdo con su posicién en el simbolo Sistema 1? posicién 2.* posicién 3." posicién Monoclinico [010] — ~ Ortorrémbico [100} [010] [001 Tetragonai [001] [100], [010] [110] Hexagonal [oor] [100}, [0103, (110) [2103, [120] Cibico [100] {uit] [110] Las tres posiciones en el sistema ortorrémbico se refieren a las direcciones principales x, y, z. El elemento en tercera posicién en los grupos tetragonales, esta situado en una direccién normal a zy formando 45° con x e y. La segunda posicién en el sistema hexagonal indica las ditecciones axiales principales en el plano xy (formando Angulos de 120° o de 60°), mientras que la tercera posicién se refiere a direcciones que bisectan dichas direcciones principales (véase Ia fi- gura 1.17). 1.5.1. Combinaciones entre ejes En un sentido estricto, es imposible que exista una combinacién de sdlo dos ejes que se intersecten en un punto, ya que, si tal combinacién se realiza, surgen autométicamente uno o més ejes pasando por el punto de interseccién comin. Puede demostrarse (Proposicién de Euler), que las nicas combinaciones com- patibles entre ejes, son las que se sefialan en la tabla 1.7, con las orientaciones angulares especificas que se indican y que aparecen Tepresentadas en la figura 1.23. Cualquier otra combinacién es _ imposible. TABLA 1.7 Posibles combinaciones compatibles de tres ejes de simetria Relaciones angulares zoey @ R Ss 2 2 2 90° 90° 90° 3 2 2 90° 90° 60° 4 2 2 90° 90° 45° 6 2 2 90° 90° 30° 4 3 2 54°44" 45° 35°16" 2 3 3 54°44’ $4°44’ 70°32’ El estado cristaline y fa clesificacion de tos.cristales | 61 cee 2 PMB ok Ss 62 ya 2.2197.) tannins in siecle a Wt ‘compatibles resultantes de la interaccién entre las cothbiaacionts ‘bésidas (ay y:(b) (Bucrper, M. J: 1971). 52 / Métodos de difraccién de rayas X Las primeras cuatro combinaciones (Fig. 1.232), corresponden a fos ejes bi- narios x, y contenidos en un plano perpendicular a un tercer eje z de orden 2, 3,4 y 6. Debido a la interaccién de multiplicidades, se obtienen los sistemas compatibles que se representan en (c). Por ejemplo, al operar el eje cuaternario del grupo 422 sobre los ejes binarios en x e y, se originan cuatro ejes binarios, separados entre si 45°. El Angulo que forman dos ejes binarios contiguos en los grupos 222, 32 (2), 422 y 622 es de 90°, 60°, 45° y 30°, respectivamente. Nétese que en la nomenclatura general (X2) de estos grupos, el primer digito se refiere a la multiplicidad n del eje perpendicular. El simbolo reducido de 32 (2) es 32. Para la obtencién de los grupos puntuales correspondientes a estas combinaciones, basta con aplicar sis- temAticamente a un punto la accién sucesiva de cada elemento de simetria. Figura 1.24.—Descripcién de la combinacién 222 {ver texto). Zz Examinemos, por ejemplo, el grupo 222 (Fig. 1.24), El eje binario vertical en z, sitta al punto 1 en la posicién 4, ambos en el espacio norte del plane de proyeccién: el eje en x traslada {os puntos.1 y 4 a las posiciones 2 y 3, respestivamente, en el espacio sur del plano de pro- yeccion. El grupo ast obtenido requiere la presencia del eje binario y para relacionar los Puntos 1-3 y 2-4, quedando wp sistema de simetria compatible constituido por tres ejes bit narios mutuamente perpendiculares, En las dos titimas combinaciones de ejes que figuran en la tabla 1.7, 432 y 23 (3) (simbolo convencional = 23), el angulo de 54°44’ es el formado por la perpendicular trazada a la cara de un cubo con la diagonal entre sus vértices opuestos (Fig. 1.235); por esta razon, la geometria de estos grupos de simetria se representa mediante un imaginario «cubo guia». En la figura 1.23d, se muestran tos esquemas de ejes, que resultan de las combinaciones basicas 23 y 432. . En la combinacién 432, el eje binario forma un ngulo de 45° con el cuaternario y de 35°16’ con el ternario, En la combinacién 23, los ejes ternarios forman entre si 70°32’. Los cuatro ejes ternarios orientados segtin las direcciones [111] de las dia- gonales de un cubo, caracterizan la simetria de las clases cristalinas del sistema ci- bico. En los simbolos de Herman-Mauguin de los grupos de este sistema, aparece siempre el nimero 3 como segundo digito (Fig. 1.17). El estado cristalino y la clasificacién de Jos cristales | 53 1.5.2. Combinaciones entre ejes y planos Los estereogramas correspondientes a las combinaciones X/m, son suficiente- mente explicitos, sin mas que tener en cuenta las reflexiones puras de los puntos equivalentes del eje ciclico m, en un plano de simetria perpendicular al mismo. Hay dos reglas importantes a tener en cuenta cuando se combinan elementos de simetria: a) Alcombinar un eje de orden n con un plano de simetria paralelo, se originan n planos de simetria (nunca uno) que se intersectan entre si formando an- gulos de 360/2n, estando el eje situado en la direccién comin de interseccién. 5) Si dos de los tres siguientes elementos estan presentes, el tercero también esta necesariamente presente: 1, Bje de simetria de orden par (por ejemplo, 2, 4, 6). 2. Plano de simetria perpendicular al eje. 3. Centro de simetria. Segun 6), la obtencién de 2/m, 4/m, 6/m y m3 (=2/m3), también puede realizarse colocando un centro de simetria en un punto del eje par correspondiente o en el punto de interseccién de la combinacién de ejes 23 (téngase en cuenta que el orden del sistema 23 o de cualquier otro sistema de ejes de la figura 1.17, viene dada por el primer digito de la notacién). Si el eje es de orden impar, la combinacién con un centro de simetria origina un eje de rotaci6n-inversién del mismo orden, como puede facilmente comprobarse: r+1st 34123" Lo anteriormente expuesto es también aplicable, como es légico, a las combi- naciones compatibles de ejes 222, 322, 422, 622, y 432. La adicién de un centro de simetria implicad la aparicién de un plano-espejo perpendicular a cada cje de ordeg par, mientras que el eje 3 del grupo 322 se convierte en un eje 3. Surge asi Ja opkracién general X2 + 1. Si el centro de simetria se combina con los sistemas de eje par 222, 422, 622 y 432 se obtienen los grupos 2/mm, 4/ramm, 6/mmm y m3m. Estos grupos pertenecen a la operacion general X/mm; los nuevos grupos se pueden derivar también directamente éjecutando ta operacién X/mm, tal como se definié anteriormente, es decir, aplicando a los grupos ¥ un plano de simetria perpendicu- lar-(grapos X/m) y otro plano paralelo. Se demuestra que para que las combinaciones de los cinco primeros trios de ejes de la tabla 1.7 sean compatibles, han de ser, 0 los. tres ‘ejes de rotaci6n pura, © dos de Jos ejes de orden par, ejes de inversién. Resultan asi los siguientes nuevos siete conjuntos de ejes compatibles: 222. 32(2) 422 622. 432 mM 3 O22 6 aD 3 Bi 54 / Métodos de difraccién de rayos X Encada uno de estos nuevos sistemas podemos sustituir el eje 2 por sus elementos de simetria equivalentes, 2 = m, resultando los grupos: 2mm(=mm) 3m 4mm 6mm adm 22m m2 Estos grupos pertenecen a las descripciones generales Xm o Xm, mediante cuyas definiciones también podrian haberse obtenido directamente, es decir, incorporando un plano de simetria paralelo a los grupos simples X 0 X. Hay 10 grupos puntuales bidimensionales, es decir, aquéllos cuyas combinaciones de elementos de simetria producen distribuciones de puntos en una malla bidimen- sional. Los operadores de simetria bidimensional son los ejes de rotacién propios, 1, 2, 3, 4, 6, y las combinaciones de estos con una linea de simetria (elemento analogo at plano de simetria en tres dimensiones): 1m (=m), 2mm, 3m, 4mm y 6mm. TABLA 1.8 Relaciones axiales y angulares y simetrias caracteristicas de los sistemas cristalinos ‘Grupos puntuales Sistema cristalino Simetria catacteristica 1,1 Triclinico Un eje de orden 1 6 1, 2, m, 2/m Monoclinico 1." orientacién (@ # 6 # ¢, a= f= = 90° # 9): Un eje binario (2 6 2) en la direccion de z. 2. orientacion (2 #b#c, a= y= = 90° # 8): Un eje binario (2 6 3) en la direccién del eje y. 222, mm, mmm Onorrémbico Tres ejes binarios (2 6 2), mutuamente perpendiculares. 3, 3, 32, 3m, 3m Trigonal (puede ser | Un éje ternario (3 6 3) a lo largo de la considerada como | direccién [111], en el caso de emplear subdivision def hexa- | ejes romboédricos (cfr. tabia 1.1). gonal). 6, 8, 6/m, 622, Hexagonal Un eje senario (6 6 8) a Jo largo del 8m, 8m2, 6/mmm eje z. 4, 4, 4jm, 422, Tetragonal . Un eje cuaternario (4 6 4) a to largo 4mm, 42m, 4{mmm del eje z. 23, m3, 432, 43m, Chbico Cuatro ejes ternarios inclinados 54°44" mm respecto a los ejes cristalograficos. Los grupos puntuales que acabamos de describir quedan distribuidos en los siete sistemas cristalinos, caracterizandose cada clasificacién por la existencia de una simetria basica o minima, comin a todos los grupos incluidos en un mismo sistema, segiin se muestra en la tabla 1.8. Et estado cristalino y Ia clasificacién de tos cristales | 55 1.6. Elementos de simetria con movimientos asociados de traslacién Las simetrias de los 32 grupos puntuales estan basadas en movimientos rota- cionales puros; los elementos de simetria actian de tal forma que, después de su sistematica accién sobre un punto, se llega inevitablemente al punto de partida. Para la descripcién de la simetria interna o microscépica implicita a la ordena- cién infinita de los motivos elementales que integran un cristal, se requieren opera- dores de simetria con movimientos asociados de traslacién, como ya se adelanté en el apartado 1.4.1. La operacién sistematica sobre un punto de los elementos de simetria traslacional, no conduce al punto de partida, sino que después de un cierto numero de operaciones, se llega a un punto que dista del origen un numero entero de traslaciones periédicas en una determinada direccién del reticulo. 1.6.1. Ejes helicoidales Su operacién consiste en una rotacién de intervalo 2x/n alrededor de un eje de orden n, combinada con una simultdnea traslacion paralela al mismo. La tras- lacién unitaria ha de ser siempre una fraccién sencilla del periodo de repeticion. La operacién del eje helicoidal binario paralelo al eje c, por ejemplo, consiste en sucesivos movimientos de rotacién de intervalos de 180°, asociados a traslaciones de avance ¢/2 (Fig. 1.25a). Un punto cualquiera de coordenadas x, y, 2, se repite por la accién del eje en una posicién de coordenadas , j, z + } © sea, que el des- plazamiento efectivo del punto en cada operacién, es de c/2. EI desplazamiento fraccionario a lo largo del eje, depende de la multiplicidad de éste, 1. El avance total acumulado después de m operaciones de rotacién-trasla- ® \ Figura 1.25—a) El eje helicoidal binario paralelo al eje ¢; 4) El plano de deslizamiento a lo largo det eje-c. Para distinguir claramente ambos operadores, se ha supuesto que la cara posterior del motivo de tepeticién circular es de color negro, por lo que no aparece en las operaciones de reflexién, mientras que si lo hace alternativamente en los giros de 180° implicitos al eje helicoidal binario (a). 56 / Métodos de difraccién de-rayos X cién, nt, debe.ser un multiplo entero del periodo de repeticion, #; en la direccién del eje: . : m= pt. (p=1,2,3,...) En Ia tabla 1.9 se indican los valores de t en funcién de los.de.n y p. TABLA 1.9 Posibles valores de la traslacién unitaria.en los ejes helicoidales tal n @=) 1 2 3 4 5 6 1 2 3 2 3? 3f at see 1 2 3 4 3 3! 3 3 gio t 2 3 4 5 4 ah Gh Gh ah Glens 1 2 3 4 5 6 6 ra é! 6 g! rad ef Teniendo en cuenta que 3 1 4 1 5 1 ZtSttsh Flatts Fr=1+5e, ete giattgh Zeattgh Grartzy ete tesulta que los dnicos once ejes helicoidales posibles son aquellos en los que los valores de los desplazamientos fraccionales son: oy Qe Ae wie QIN BIN Aw Al 3 6 ae Se excluyen los valores para p = 0, ya que entonces la operacién carece de movimiento de traslacién, degenerando en una rotacién simple; en el caso de n= 1 (rotacién de 360°), la operacién es trivial. El-simbolo: general de los ejes helicoidales es n,. Teniendo en cuenta tos valores de Ja relacién anterior, los po- sibles ejes helicoidales seran: 2;, 31; 32, 41, 42.43, 61, 6p, 65, 645-65. El estado cristalino y la clasificacion de fos cristales / 57 En la figura 1.26 se han representado las proyecciones de los puntos equiva- lentes que originan cada eje en un plano xy perpendicular al mismo. El comienzo de cada operacién se realiza desde un punto situado a_la altura z del plano xy; los +O 12+O O+ § O+ 2, 2 ot ot or +0, O* 28+0, or 13+O, Or 3 3 Or Oat O1n+ Ox4+ +O 12+0 +O 1240 Or . Or O+ +O 344+] 12+0, 14+O0 4 4; 4; 13+ 2/34 O+ Oo oO 40 ‘O+ 1n+0 ‘O16+ +0 ‘O13+ Or O+ O+ +0, 28+0, 13+O0, 0) 6? : ah qi ou 1240 ome 13+0, . 62 sura_1.26.—Proyecciones en el plano horizontal (001) dé las operaciones de ejes helicoidales paralelos 2 foot]: Se'han inetaido, con fines comparatives, los diagramas de las operaciones de rotacin pur 2, 3, 4y 6 (figuras de la primera columna): 58 / Métodos de difraccién de rayos X valores fraccionales indican posiciones de los Puntos por encima de z; asi, la se- cuencia +z, in st i+, de derecha a izquierda, indican alturas de z, j +2, ; +2, i + 2, tespectivamente. EJEMPLO: Veamos los ejes 4, y 43. 4,: La traslacién es de ze en cada rotacién parcial de 2 = 90°, en el sentido contrario a las agujas del reloj. Mediante cuatro operaciones sucesivas iniciadas en el punto de coor- denadas x, y, z, se llega a las posiciones 1 1 3 BA2+7 RR2+> Hyztl xyzts Rat BRE+T BnztT ye distando el punto de coordenadas x, y, z + 1, un periodo de repeticién ¢ respecto al punto de partida x, y, z. 4,: La operacién consiste en rotaciones de 2 «= 90°, asociudas a traslaciones a Jo largo dezde ; ¢. Las coordenadas de los puntos equivalentes alcanzados en cada operacién parcial, Partiendo de un punto x, y, z, son: 1 nase Rhee ly &yz42i XI243 0, lo que es lo mismo, 3 i 1 ~ I, GZ Pats BM2+T yz HH24G BIZ Bye a », Segin se desprende det de la figura 1.26, los ejes 3,, 45, 6, y 6,, repro- ducen distribuciones de puntoy equivalentes andlogas a las de los ejes 34, 44, 6 y 6,, respectivamente, pero realizando las rotaciones en sentido contrario. Las distribuciones de los pares de ejes 3,-3,, 4,-45, 6,-6, y 6,-6,, estin relacionadas entre si como si una fuese la imagen de la otra reflejada en un espejo. Estos pares de ejes se dice que son enantiomorfos. En general, un eje es dextrégiro cuando pin< 1 levégiro cuando p/n > ; y neptro cuando p/n = 5 1.6.2. Planos de deslizamiento La operacién del plano de deslizamiento combina una reflexion en un plano de simetria con un desplazamiento paralelo al mismo igual a la mitad del periodo de repeticion (Fig. 1.25). El estado cristalino y la clasiticacién de les cristales | 59 Segim que la direccién de traslacién en el plano de deslizamiento sea paralela aun eje, a, b, c, de la celdilla unidad o a una direccién segin una diagonal de la misma, se distinguen los planos de deslizamiento de componente axial o diagonal (Tabla 1.10). En el caso especial del plano de deslizamiento tipo diamante, la com- ponente de deslizamiento viene representada por cualquiera de las sumas (a + 5)/4, (b + o)/4 o (e + @)/4. En los sistemas tetragonal y cibico son posibles también _ las traslaciones (4 + b + ¢)/2y (a + b + c)/4 en los planos diagonales y tipo dia- mante, respectivamente, ‘Si la componente de traslacién es nula, el plano de deslizamiento degenera en un plano de simetria simple. En la figura 1.27 se muestran las operaciones de un plano de deslizamiento axial y otro diagonal. TABLA 1.10 Tipos y caracteristicas de los planos de deslizamiento Component Simbolo Tipo Gmponente de o a Nig Viens 5 + = > +N) ° s +N . n Diagonal o ae 8 8 + He | lor + 3 > > HA ° d Diamante 8 we . a He Alon He . * * Sistemas tetragonal y cabico solamente. 60 / Métodos de ditraccién de rayos X | — ip it 2 O Figura 1.27—Planos de deslizamiento paraielos a (010): a) plano axial con componente de traslacion 4/2; B) plano diagonal con componentes de traslacién a/2 + c/2. El plano de proyeccién ¢s el (001), 1.7. Grupos espaciales Combinando las simetrias de los 32 grupos puntuales en cada sistema (Fig. 1.17), con las correspondientes redes espaciales de la figura 1.6, puede obtenerse un li- mitado ntmero de esquemas de simetria. En el sistema monoclinico, por ejemplo (eje binario paralelo a y, y = 90°), resultartan las siguientes combinaciones entre. sus redes P y C y sus grupos puntuales 2, m y 2/m: P2, Pm, = P2im C2, Cm, Clim Si se supone, ademas, que las asociaciones de 4tomos o moiéculas de cada una de las redes de Bravais, no sélo poseen las simetrias correspondientes a cada uno de sus grupos puntuales, sino que también pueden incluir las simetrias traslaciona- les implicitas a los ejes helicoidales y planos de deslizamiento, el nimero de posi- bles combinaciones aumenta considerablemente. Asi, si en las combinaciones an- teriores se supone que el eje binario puede ser un Sie 2, y el plano de simetria un plano de deslizamiento ¢, se obtendrian las siguientes combinaciones*, después de excluir las que conducen a reenact duplicados: Grupo puntual 2 m 2m P2 Pm P2/m Pe P2je P2, P2,/m P2,Je C2 cm C2jm Ce C2je + Estas combinaciones corresponden a una particular orientacién de los ejes convencionalmente adoptada; con otras orientaciones se obtendran otros simbolos sinénimos.. El estado cristalino y Ja clasificacién de tos cristeles { 61 Si se tienen en cuenta los 14 tipos de redes de traslacién (Fig. 1.6), los 32 grupos puntuales (Fig. 1.17) y los elementos de simetria traslacional previamente descritos, pueden. deducirse hasta un total de 230 combinaciones de simetria diferentes, las cuales constituyen los denominados grupos espaciales, Si se-consideran solamente los elementos de simetria macroscépicos, los 230 grupos espaciaies degeneran en los 32 grupos puntuales. 1.7.1. Simbolos, descripcién grafica y notaciones de los grupos espaciales La derivacion de los grupos espaciales y el estudio de sus caracteristicas particu- lares, es tema que, por su especializacién, queda al margen de los limites de esta obra, por cuya raz6n trataremos solamente de los fundamentos de su nomenclatura y descripcién grafica. En International Tables for X-ray Crystallography, vol. 1 (1968), podra el lector encontrar una detallada descripcién de cada grupo espacial. Para la expresién de tos simbolos de los grupos espaciales se suele utilizar la notacién de Hermann-Mauguin, que es la adoptada por la Unién Internacional de Cristalografia. El simbolo espacial esta basicamente constituido por una letra inicial, que identifica la red de traslaci6n a que pertenece el grupo, seguida del simbolo del grupo puntual del mismo, en el que se han sustituido los simbolos de los elementos de simetria puntual por los de simetria espacial que puedan estar Presentes, como ya hemos visto. Cada simbolo describe al grupo en términos del minimo numero de elementos de simetria que son imprescindibles para su completa identificacién. Igual que ocurre en los grupos puntuales, estos elementos inter- accionan. entre si generando otros que no es necesario incluirlos en ef simbolo del grupo para la interpretacién del mismo, Como es légico, si en un simbolo espacial cualquiera se sustituyen los elementos de simetria traslacional por sus correspondientes elementos de simetria no trasla- cional, se obtiene de forma inmediata el simbolo del grupo puntual. Asi, por ejem- plo, el grupo espacial Pama (nimero 62 de las Tablas Internacionales), pertenece al grupo puntual ortorrémbico mmm, caracterizado por tres planos de simetria que se intersectan en las direcciones de tres ejes binarios mutuamente perpendicula- res (Fig. 1.17). La representaci6n grafica de los grupos espaciales se realiza, en general, mediante su proyeccién en el plano (001), adoptando las siguientes convenciones: — Las letras x, y, z identifican las direcciones de los ejes a, b y ¢, respectiva- mente. ~~ La orientacién del-eje y en el plano de proyeccién (plano del papel), es de izquierda a derecha, mientras que la del eje x va de agriba abajo. — El Angulo entre x e¢ y es de 90° en los sistemas ortogonales, de 120° en el sistema hexagonal y de cualquier valor en el triclinico. En el sistema mono- clinico existen dos alternativas para la eleccién de las -orientaciones de los jes, como se expuso en ef apartado 1.4.5: a) que sea z el eje binario normal 62 / Métodos de difraccién de rayos X al plano de proyeccién, en cuyo caso el Angulo entre x e y puede tener cual- quier valor, y b) que el eje binario sea el y, siendo entonces

7 Triclinico Hy sen? a +B sen? 8 + Fenty + 2hk + 2% (cos «cos fi — cos 7) + + ad (cos. B cos y — cos 4) + 2h + Za (008 7.008 a — cos A) 1 — cos? a — cos? B — cos? y + + 2cos 2 cos B cos 7 80 / Métodos de ditraccién de rayos X 2.8. Ecuaci6n de la zona Si un plano (Ak!) pertenece a una zona (cfr. ap. 1.3.2), el vector reciproco o4,, seta perpendicular al eje de zona[UVW’]], por lo que el producto escalar de ambos sera nulo: (ath + b*k + c*l)-@U + bV + cW) =0 Desarrollando este producto escalar, teniendo en cuenta las relaciones (2.16), se obtiene: hU+kV+IW=0 que es la ecuacién de la zona (1.7). REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS Azaroff, L. V. (1968): Elements of X-ray Crystallography, McGraw, Nueva York. Cullity, B. D. (1956): Elements of X-ray Diffraction, Apéndice, Addison Wesley, Mass. - Guinier, A. (1963): X-ray Diffraction in Crystals, Imperfect Crystals and Amorphous Bodies, Freeman, San Francisco. International Tables for X-ray Crystallography, vol. | (1969), Kynoch Press, Birmingham. Wilson, A. J. C. (1949): X-ray Optics, Methuen, Londres. greene 3 CARACTERISTICAS Y OBTENCION DEL ESPECTRO DE RAYOS X 3.1. Naturaleza de los rayos X Dentro del espectro general de radiaciones electromagnéticas, los rayos X ocupan un pequefio intervalo de frecuencias comprendidas entre los rayos ultra- violeta, en la zona de frecuencias bajas, y los rayos y, en la zona de més altas fre- cuencias. No es posible precisar con datos numéricos los limites del espectro de rayos X ya que, dependiendo del procedimiento de su obtencién, pueden generarse radiaciones con gamas de energias muy variables, idénticas en ocasiones a las de los rayos ultravioleta 0 a la de los rayos y tipicos. En la zona de frecuencias altas, el limite est4 exclusivamente impuesto por la energia de los electrones empleados para producir la radiaci6n y, en este sentido, los rayos X y los rayos 7 emitidos por las sustancias radiactivas, solo se diferencian en el modo en que han sido produ- cidos. Con los métodos ordinarios de obtencién, por otra parte, se producen ra- diaciones X que cubren ampliamente el dominio ultravioleta. En términos muy generales, y considerando las energias de las radiaciones que se utilizan en las distintas técnicas experimentales, los rayos X se pueden clasificar en duros y blandos, denominaciones con las que se diferencia la mayor o menor ca- pacidad de la radiacion para penetrar en la materia. En espectroscopia convencional de fluorescencia de rayos X, es habitual el empleo de radiaciones duras y blandas, con longitudes de onda comprendidas unos 0,3 y 10 A (1A = 107° cm); en espectroscopia de rayos X ultrablandos, se estudia un espectro de radiaciones que puede llegar a extenderse hasta com- ponentes con longitudes de onda de algunas centenas de A. La gama de radiaciones que ordinariamente se utiliza en difraccién, es mucho mas reducida, comprendiendo, en general, un intervalo de longitudes de onda entre unos 0,5 A y 2,5 A. En este intervalo se incluye la radiacién que puede considerarse como la més tipica y usual del espectro de rayos X ordigario, es decir, la CuK, (A = 1,5418 A, energia = 8,047 keV’). 1 Las energias de las radiaciones se suelen expresar en electrén-voltios (eV), unidad definida por la energia que adquiere un clectrén sometido a la diferencia de potencial de 1 voltio. Para las energias habituales de los rayos X, se emplea el miultiplo 1 keV = 10° cY. Para la conversion de longitudes de onda en energias puede emplearse la relacion E(keV) = 12,4/4 (A) (véase ap. 3.3.1). 84 / Métodos de difreccién de rayos X Los fenémenos de difraccién de rayos X se interpretan muy convenientemente, y con formal rigor cientifico, haciendo uso del modelo electromagnético clasico de la radiacién, de acuerdo con la teoria primeramente elaborada por Maxwell (1864), La radiacién, segin esta teoria, es una consecuencia de la perturbacién reciproca y alternativa existente entre el campo eléctrico, A, y el campo magnético, H; esta petturbacién se manifiesta en forma de un movimiento ondulatorio que se propaga en el espacio libre con una velocidad de ¢ = 3 - 108 m/seg™}. La caracteristica mas importante de las ondas clectromagnéticas es su perio- dicidad, tanto en el tiempo como en un punto cualquiera de su direccién de pro- pagacion, x (Fig. 3.1). La frecuencia de la vibracion, v, esta relacionada con la Jongitud de onda y la velocidad de Propagacion mediante la relacion c= vA Si la oscilacién de una de las componentes del campo eléctrico, A, (cuya varia- cién puede considerarse de cardcter sinusoidal), esté confinada en el plano xy, Figura 3.1.—Descripeién grifica de una onda electromagnética. El vector eléctrico.A, oscila petiédica- menteen el plano xy, asociado a la oscilacién del vector campo magnético H., en el plané perpendicular x7, El maximo valor que puede alcanzar la magnitud del vector campo elécttico durante su periédica va: iaci6n, es la amplitud de la onda, Aq. Ei plano de polarizacién de la onda estA definido por el de la vi- bracin det vector eléctrico, es decir el xy. el correspondiente campo magnétic, H,, oscila de una manera andloga en un plano perpendicular, xz. Este tipo de onda se dice que esta polarizada en‘el plano, viniendo definida la polarizacién por el plano xy donde est4 confinada la variacion del campo eléctrico. La onda electromagnética representada en la figura 3.1, por tanto, es una imagen idealizada de un movimiento ondulatorio polarizado en el plano xy, pro- Ppagandose en la direccién x. El campo. eléctrico pasa periddicamente desde un valor maximo en la direccion +y, a otro minimo en la direccién —y, La velocidad de propagacién de la radiacion electromagnética varia al pasar de un medio a otro, pero su frecuencia permanece constante. Si suponemos dos medios en los que las velocidades de propagacién son Cy Y Cp, 8e verificara: ¢. SoA e2 A, Caracteristicas y obtencién del espectro de rayos X / 85 Si se toma como referencia la velocidad de propagacién de la onda en el espacio libre («vaciow) y siendo ¢,, la velocidad en un medio cualquiera, el indice de refraccién sera: G.1) El indice de refraccién de los rayos X, en general, difiere de la unidad en una magnitud del orden de 107°. Para la interpretacién de otros muchos fendmenos, tales como los efectos fotoeléctricos, Auger y Compton, en los que la energia es absorbida o emitida de forma discontinua y en magnitudes discretas, los hechos experimentales son mucho mas facilmente interpretades tomando como base la teoria cudntica o corpuscular de la radiacién. Bajo este concepto, la energia del flujo de radiacién esta localizada en entidades onda/corpisculo o fotones E=hv siendo h la constante de Planck (h = 6,55 - 10-2” erg/seg). Igual que a cualquier otra pequefia particula material, al fotén se le puede atribuir una masa, m,, y un mo- mento mecdnico, ps, cuyos. valores vienen. dados por las relaciones: = 3.2) m= 2 G2) , h h h y y ee (3.3) 3.2. Obtencién de Igs rayos X. Tubos de rayos X La radiaciq4n X se origina siempre que una particula de muy pequeiia masa, y dotada de suf\ciente energia cinética, choca con la materia. Parte de dicha energia se invierte en la produccién de rayos X, merced a la perturbacion que la colisién produce en el estado energético de los atomos del material bombardeado. Las particulas bombardeantes mas eficaces, de mas cémoda produccién y mas facil- mente controlables, son los electrones, recibiendo el nombre de tubo .de rayos X el dispositivo experimental correspondiente. Un tubo de rayos X est4 basicamente constituido por una ampolla de vidrio, en la que se ha hecho un vacio elevado, del orden de 1077 mm Hg, que contiene un filamento, que hace de cétodo, y un 4nodo metilico enfrentado al mismo (Fig. 3.2). Si entre el filamento y el anodo, normalmente llamado placa 0 anticdtodo, se aplica una diferencia de potencial de varios miles de voltios, los electrones emitidos por el filamento, previamente puesto incandescente, son fuertemente aceletados hacia el dnodo, produciéndose en la.colisién la emisién de rayos X. Los rayos X. son 86 / Métodos de difraccién de rayos X rawmmrall Figura 3.2.—Configuracién de un tubo de rayos X: @) Espiral de filamento (emisor de electrones). 4) Cilindro de Wehnelt. ©) Anodo 0 anticatodo. 4) Bloque metalico desmontable para verificacién y limpieza del conducto de refrigeracién. 2) Ventanas. . S) Filtro del agua de reftigeracién. ) Disco mévil con los filtros B(n) (cfr. ap. 4.4). A) Union vidrio/metal, 4) Entrada del agua de refrigeracién. J) Salida del agua de reftigeracién. . ) Soporte metélico. 1) Proteccién de plomo para prevenir filtracion de radiacion. mm) Ampolla de vicrio. 4 {Cortesta de Philips Ibérica, S.A.B.} emitidos por el anodo en todas las direcciones, saliendo al exterior del tubo a través de una o mas ventanas. El filamento del tubo de rayos X es una espiral de wolframio suficientemente tesistente para soportar la fuerte atraccién ejercida por el 4nodo, merced a la di- ferencia de potencial aplicada entre ambos, Esté rodeado por una pantalla metalica, llamada focalizador (cilindro de Wehnelt), abierta sdlo en la direccién de salida de los electrones hacia el 4nodo y mantenida a potencial negativo, con objeto de tepeler los electrones que van en otras direcciones. E] conjunto filamento-focalizador recibe el nombre-de eafién de electrones. Los electrones inciden en una pequefia superficie del anticdtodo Wamada huella focal o simplemente foco. Caracteristicas y obtencién del espectro de rayos X | 87 Para los gradientes de potencial habituales en casi todos los tubos de rayos X, Ja corriente del tubo o intensidad del flujo de electrones desde el filamento al anodo, i, depende solamente de la temperatura del filamento, segiin la ecuacién: i= AT2e“ BE . G4 donde T es la temperatura absoluta y 4 y B unas constantes tipicas del metal del filamento; en el caso del wolframio, 4 = 1,8 x 10!! y B = 5,2 x 10*. Siendo e la carga del electron (4,8. x 107! we.) y V la diferencia de potencial aplicada al tubo, la energia cinética del electron en el momento del impacto con el anticatodo es, E. = e¥ = hmv? donde m es la masa del electron y v su velocidad. 3.2.1. Caracteristicas técnicas de los tubos de rayos X La mayor parte de la energia de los electrones en un tubo de rayos X se invierte en la produccién de calor en el Anodo y s6lo una pequefia proporcién de la misma (menos del 1 por 100), se transforma en radiacién X. El rendimiento de un tubo de rayos X o relacién entre la energia de la radiacién emitida y la de los electrones ‘bombardeantes, viene dada por la formula aproximada: t=1,5.x 107° ZV donde Z es el numero atémico del elemento que constituye el anticatodo. Puede calcularse, por ejemplo, que para un tubo con anticatodo de platino (Z = 78) trabajando a 50 kV, el rendimiento es menor del 0,6 por 100. Casi toda la potencia aplicaga al tubo, dada por el producto iV, se invierte en la produccién de calor. La tonsiderable potencia calorifica que ha de disipar el anodo del tubo de ra- yos X, seria suficiente para deteriorarlo en muy corto plazo, aun estando constituido por un elemento de elevado punto de fusién, tal como wolframio o platino; el calor, por otra parte, esta principalmente localizado en la pequefia superficie del mismo que constituye la huella focal. La refrigeracién intensa del Anodo del tubo de rayos X es condigién indispensable para que éste pueda funcionar de forma continua durante cualquier intervalo de tiempo. El punto de fusién del material anédico y su calor especifico deben de ser lo mas elevados posible. Aparte de estos requerimientos, la naturaleza del anticdtodo en las multiples aplicaciones de los rayos X viene también impuesta por otras diversas razones que afectan la calidad de la radiacion emitida, como se vera mas adelante. En los tubos empleados en difraccién de rayos X, la refrigeracién se realiza cominmente mediante una circulacién forzada de agua. Una caracteristica de todos los tubos de rayos X 88 / Métodos de ditraccién de rayos X es el valor nominal del flujo de agua de refrigeracién, caloulado en base a la maxima potencia Gléctrica que se les puede aplicar, segiin sus caracteristicas elbctricas, estructurales y clase de anode. En cualquier caso, existe siempre una limitacién en la potencia a aplicar debido a la limitada capacidad de conduccién del calor del 4nodo, desde la superficie expuesta al bom- bardeo electrénico hasta la superficie de contacto con ef agua. En los tubos de rayos X re- frigerados con agua el 4nodo est cominmente al potencial de tierra, evitando asi los deli- cados problemas de aislamiento deta alta tensién aplicada. Existen otros procedimientos de refrigeracién utilizados, principalmente, en los tubos de tayos X radiograficos; el mas extendido es el de los denominados tubos de dnodo giratorio. En éstos, el Anodo es circular, pudiendo girar rapidamente accionado por un pequefio motot eléc- trico; et haz de electrones emitido por ef filamento incide cerca dela periferia del Anodo, de for- ma que, durante el giro del mismo, la huella focal cambia de posicion en cada instante, con lo que el calor se distribuye en una gran superficie del anodo, impidiendo su sobrecaientamiento. La principal ventaja que presentan los tubos de anodo giratorio para su empleo en di- fraccién de rayos X, es la de poder soportar potencias bastante mis elevadas que los de Anodo estacionario. De acuerdo con las caracteristicas del tubo (clase de Anodo, dimensiones del filamento, tipo de refrigeracién, etc.) existe siempre un valor de la potencia a aplicar que no debe ser sobrepasado en ningin caso, Tampoco es correcto aplicar libre- mente los valores de la intensidad y de la tensién de trabajo, aunque su producto no sobrepase la potencia maxima permisible, es decir, aumentar arbitrariamente Ja tensién (kV) a expensas de disminuir la intensidad (mA), o viceversa. Cada tubo debe operar a un valor de 1a potencia situado dentro del entorno de la Hamada curva de potencia o curva'de trabajo, que normalmente suministra el fabricante. En la figura 3.3 se representan las curvas de potencia para algunos tubos de rayos X. Estas curvas se dan a modo de ejemplo, ya que, segun las caracteristicas especificas del tubo (dimensiones del filamento, tipo de rectificacién de la corriente aplicada, etc.), pueden variar sus valores nominales de trabajo. mA, 0 50 10 2°30 40 50 60 kV Figura 3.3.—Curvas de potencia para distintos tubos de rayos X. La limitacién de la:potencia a aplicar depende, esencialmente, de la eficiencia para eliminar el calor generado en el anodo. (Tubos Philips RDF 50/1; foco, 1 x 10 mm; rectificacién @ potencial constante, refrigeracién: 3,5 Yimin agua, 1.5 + 0,3 Kgjcm?) ce Caracterlsticas y obtencién del espectro de rayos X / 89 La potencia-de trabajo depende, en primer lugar, de la carga especifica (wa- tios/mm?) que puede soportar el Anodo sin que existan problemas para la disipa- cién del calor generado en el mismo. En la tabla 3.1 se indican algunos valores de las cargas especificas limites para filamentos de distintas dimensiones. Como puede observarse, la carga especifica puede adquirir mayores valores cuando se disminuye el 4rea focal (dimensiones del filamento), ya que en un foco calorifico pequefio se disipa el calor mucho més facilmente que en uno grande. TABLA 3.1 Valores nominales de las cargas especificas para algunos tipos de tubos de rayos X comerciales con dnodo estacionario de cobre* Filamento Potencia Tipo de tubo (foc) saree) ‘Area focal maxima | Catga especifca a foe (am?) a ime?) Foco fino oax 8 32 1.500 469 Foco normal 1 x10 10 2.000 200 Foco ancho 2 «12 4 2700 12 * Tubos Philips. La ventana de tos tubos de rayos X debe estar constituida por un material que ofrezca poca absorcidn de la radiacién y que sea suficicntemente resistente y estable. Como la absor- cidn disminuye con el espesor, éste ha de ser el minimo compatible con la rigidez y resistencia mecinica necesaria para soportar la accién de la presién atmosférica. Entre jas distintas sustancias empleadas como ventanas figuraa el berilio, la mica, el aluminio. En la actualidad ¢s el berilio la sustancia casi universalmente utilizada, por presentar ias mejores caracteristicas gencrales; su espesor en log tubos de difraccién es de 200-300 pm. Los tubos de rayos X tienen elevado precio, debido a las dificultades inherentes a su minucioso proceso de fabricacién. La duracién en servicio o vida itil de los tubos cerrados es, normalmente, de varios millares de horas, El sobrecalentamiento originado por una deficiente reftigeraci6d o por exceder las condiciones de trabajo maximas especificadas (tensién y corriente), son causas fundamentales del deterioro del tubo. La presencia de pequefias can- tidades de gas en su interior puede dar origen a la formacién de un arco eléctrico; la gasifica- cidn del tubo puede llegar a niveles peligrosos después de un largo periodo de almacenaje de! mismo, por lo cual se recomienda poner én servicio periddicamente, durante algunas horas, los tubos que han estado inactivos algin tiempo (seis meses o un aiio). La vaporizacién del filamento de wolframio, con su consiguiente estrechamiento y rotura final, es otra causa limitativa de la vida del tubo; esta vaporizacién es funcién de la potencia aplicada al tubo. La contaminacién masiva del énodo por el wolframio desprendido del Namento tiene im- portancia en los tubos empleados en difraccién de rayos X, donde se requiete una radiacién pura y monocromitica. Las radiaciones emitidas por el wolframio depositado en et anodo, de distinta calidad que la emitida por éste, origina espectros de difraccién que pueden ser causa de error. (En condiciones normales, la intensidad de las lineas més intensas del wol- framio (WL, y WL,), después de unas 300 horas de operacion del tubo, es inferior al 1 por 100 respecto a la linea K, del dnodo del tubo.) 90 / Métodos de ditraccién de rayos X 3.2.2. Tipos de focos y eleccién del angulo de salida de los rayos X La seccién longitudinal de la espiral del filamento emisor de electrones en los tubos de difraccién de rayos X, puede considerarse rectangular y, con un buen disefio del cafién de electrones, su proyeccién sobre el 4nodo puede ser considerado, con gran aproximacion, el foco real de emisién de los rayos X. Generalmente, los tubos estan provistos de cuatro ventanas diametralmente opuestas segiin las direcciones longitudinal y transversal de la huella focal (Fig. 3.4). Figura 3.4.—Esquema de la dptica de un tubo de rayos X mostrando cémo se originan los focos pun- tuales (p) y lineales (/). El foco puntual es ef mas idéneo para trabajar con técnicas de cama que cl foco lineal se emplea casi exclusivamente en las técnicas difractométricas. La pro mento f sobre el anticdtodo es, en teoria, el fego nominal del tubo, a (corteaa de Philips Trica, S.A... Esta geometria permite disponer para las experiencias, de dos pares de focos dis- tintos. El sentido longitudinal del filamento proporciona el foco lineal, mientras que perpendicularmente a-éste se obtiene el foco puntual. Habida cuenta que la dimen- sién media de un tubo convencional de difraccién de rayos X es de 1 x 10 mm, el 4rea nominal del foco sera, en teoria, de 10 mm?; pero las dimensiones efectivas del mismo dependen del valor del angulo formado entre la superficie del anodo y la direccién del haz de rayos X hacia el dispositivo experimental, como se muestra en la figura 3.5. A dicho dngulo «, se le suele llamar dngulo de salida o de toma. La seccién del haz W, aumenta conforme lo hace ¢, de acuerdo con la relacién W=asene (3.5) Caracteristicas y obtencién del espectro de rayos X | 91 Figura 3.5,—Ilustracién de la variacién de la seocién del haz, w, w’, en el sentido longitudinal det foco o filamento, para dos diferentes 4ngulos de salida, c. a tepresenta Ia longitud del foco; fes el flamento. El aumento de la intensidad relativa es muy rapido, hasta.valores de ¢ de unos 6°-7°, permaneciendo después practicamente constante, En estas condiciones, el foco lineal efectivo correspondiente a un foco nominal de 1 x 10 mm, tiene unas dimensiones de 0,1 x 10 mm, mientras que el foco puntual efectivo es de 1 x 1 mm. La adecuada seleccién del angulo de toma es de particular interés en difractometria de polvo, como se vera en el apartado 8.2, Normalmente suele adoptarse un valor angular de 6°, EI foco lineal se emplea casi invariablemente en la técnica difractométrica, mientras que el foco puntual es, en general, el mas idéneo para los trabajos con cAmaras de difraccién provistas de colimador circular. De lo expuesto resulta evidente que un procedimiento indirecto de aumentar la intensidad efectiva del tubo de rayos X, sin necesidad de aumentar su carga especifica disminuyendo.el Area del foco real, como se expuso en el apartado 3.2.1, consiste en elegir adecuadamente el Angulo de salida de la radiacién. 4 4 3.2.3. Equipo eléctrico y dispositivos de seguridad El equipo eléctrico necesario para el funcionamiento de un generador de rayos X esté constituido basicamente por los siguientes componentes: 4) circuito de baja tensién para alimentacién general del equipo; 5) circuito de alta tensién para ali- mentacién del tubo de rayos X, y ¢) dispositivos de control y seguridad. El circuito de alta tensién contiene, aparte del correspondiente transformador, un circuito de rectificacion mas o menos elaborado. Un transformador suministra la alta tension requerida para establecer la dife- rencia de potencial entre anodo y filamento, la cual se mide en un voltimetro co- nectado al circuito primario de dicho transformador. Las lecturas de este voltimetro slo son una medida aproximada del valor de la alta tension, debido a que la mag- 92 / Métodos de difraccién de rayos X netizacién del niicleo det transformador no es lineal ni independiente de la carga aplicada. El caldeo del fitamento (ec. 3.4) se controla mediante una resistencia variable. Algunas instalaciones estan también provistas de un amperimetro en el circuito de filamento para medir la corriente que-pasa por el mismo. La calidad de la rectificacién de la alta tension que alimenta al tubo de rayos X, €s una caracteristica de gran importancia para el correcto funcionamiento del mismo, El esquema eléctrico mas simple y econdmico, aunque el menos recomen- dable, es aquél en el que el propio tubo de rayos X actta como una valvula recti- ficadora, aunque las caracteristicas eléctricas y de disefio de ambos dispositivos, son bastante diferentes. + En la figura 3.6 se representan las formas de las ondas de tension y las de corriente aplicadas al tubo, Las desventajosas condiciones de trabajo del tubo de rayos X 0 72 T Tiempo oO tificacién de onda completa filtrada. La emisién de la Hinea caracteristica a emplear en la experiencia, | s6lo se produce cuando se supera el valor de su potencial critico de excitacién, V, (Bermidez-Potonio’ 4, 1967). en los circuitos autorrectificados son bien patentes; la corriente es nula durante la mitad del ciclo y, durante el ciclo util,.la tension varia entre cero y el valor de pico o maximo, V,, S6lo una fraccién del medio ciclo positive es eficaz para la Caracteristicas y obtencién del espectro de rayos X | 93 produccién de rayos X, ya que a bajos valores de la tensién la emisién de radiacién por el 4nodo es de valor despreciable. En la fase negativa o tension inversa, el Anodo esta cargado negativamente. El resultado del proceso completo es, en resumen, el paso de una corriente continua y pulsante a través del tubo de rayos X. Un sobrecalentamiento del 4nodo puede provocar la emision. termoeléctrica del mismo y, bajo la accién de la tensién inversa, originar el paso de una corriente en el sentido anodo-filamento, con et consiguiente deterioro de éste ultimo. La unica ventaja del circuito autorrectificado es su simplicidad, la cual redunda en su coste y en las dimensiones de la instalacién. La calidad de Ja rectificacién y la forma de la onda pueden ser modificadas muy eficazmente introduciendo en el circuito de alimentacion del tubo, valvulas rectificadoras de alta’ tensién (kenotrones) y condensadores de filtro, lograndose diversos grados de rectificacién, como se muestra en la figura 3.6 5 y c. Los modernos sistemas de rectificacién estan basados en el empleo de elementos rectificadores de estado sdtido (diodos de selenio o silicio), habiéndose desechado el uso de las valvulas de emisién termoiénica para lograr la rectificacién de onda completa (Fig. 3.6c). Las pequefias variaciones de la tensién respecto a la tensién de pico en este tipo de rectificacién, determinan el llamado «rizado» de la onda, cuyo valor en los generadores mas elaborados es inferior al 0,1 por 100. El aumento en la eficacia de la produccién de rayos X obtenida con un circuito de rectificacion lo mas perfecto posible, tiene una considerable repercusién en la practica de la difraccion de rayos X. El aumento y la constancia de la intensidad de la radiacion emitida, repercute grandemente en la sensibilidad y en la precision de las medidas, a la vez que se reduce el tiempo para Ja realizacién de las expe- Tiencias. Consideremos, por ejemplo, que la radiacién que se trata de emplear se excita a partir de un valor V, del potencial aplicado. Resulta evidente que cuanto mayor sea la proporcién del ciclo positivo, V, — V,, mayor serd la intensidad de la ra- diacién emitida por el tubo. Si a esta circunstancia unimos el hecho de que los valores de la corriente a aplicar al tubo son superiores en el caso de la rectificacion de onda completa que en el de una rectificacién mas deficiente, queda expresamente puesta de ifiesto la importancia de utilizar una instalacion con un sistema de rectificacion lo completa posible. La estabilidad de la emisién de los rayos X es un requisito de gran importancia en las aplicaciones cuantitativas de la difraccién y de la espectroscopia de rayos X. El procedimiento mas directo y sencillo para la obtencién de un flujo de rayos X de intensidad constante, con- siste en estabilizar convenientemente la tensién de alimentacién general y la corriente aplicada al filamento del tubo de rayos X. En lo que concierne al valor de la alta tensi6n, el grado de estabilizacién ha de ser tal, que las variaciones de la misma deben permanecer aun nivel inferior a + 0,1 por 100 para variaciones en la tension de entrada del orden deh10 por 100. De cuantia andloga a la de la tensién debe ser la estabilizacion de la corriente de caldeo del filamento del tubo de rayos X. El efecto de la inestabilidad de la corriente es mas acusado que ef de la tension en to que se refiere a.la constancia de la emisién de rayos X. Los modernos generadores de rayos X estan provistos de un conjunto de dis- Positivos electromecdnicos, tanto para la seguridad del operador‘ como para la 94 / Métodos de difraccién de rayos X proteccién del tubo de rayos X. Los dispositivos de seguridad personal impiden el acceso, en condiciones de funcionamiento, a Jas partes donde existe peligro de la accién de los rayos X 0 de Ja alta tensidn. Una o varias valvulas de presién, colo- cadas en el circuito del agua de refrigeracién, interrampe automaticamente la tensidn de alimentacién al equipo cuando el flujo de agua sea inferior al establecido para el correcto funcionamiento del tubo de rayos X, evitando asi su posible de- terioro por sobrecalentamiento (falta de refrigeracién del 4nodo). 3.3. Espectro de radiaciones emitido por el tubo de rayos X Si se analiza el espectro de radiaciones emitido por un tubo de rayos X cuando se le aplican distintas tensiones de trabajo, se observa que, inicialmente, por debajo de un determinado valor de Ia tensién, est constituido por radiaciones de distintas longitudes de onda que se extienden en un amplio intervalo espectral, sin ninguna discontinuidad. Este espectro se denomina continuo, heterocromatico o blanco (figura 3.7). Conforme se eleva la tensién, aumenta también la intensidad global del espectro continuo y Ja curva espectral se desplaza hacia la zona de longitudes de onda mas cortas. El valor de la longitud de onda mas corta, alcanzado a una determinada tensidn, se denomina longitud de onda limite o minima, Es de gran importancia ob- servar que el valor de la longitud de onda limite sdlo depende de la tensién aplicada al tubo de rayos X, siendo independiente de la naturaleza de! material anddico. Cuando para un determinado material anédico se sobrepasa un cierto valor de la tensién aplicada, caracteristico de dicho material, aparecen, superpuestos al espectro continuo, unos mAximos de intensidad muy acusados, cuya caracteris- tica mas singular es la de presentarse siempre en valores perfectamente fijos y de- terminados de la longitud de onda, para un mismo material del anticdtodo del tubo de rayos X. Por esta razén, estos maximos reciben el nombre de /ineas carac- teristicas y, €1 conjunto de las mismas, espectro caracteristico del anticdtodo. El valor especifico del potencial aplicado, a partir del cual aparecen las lineas carac- teristicas, tiene una gran importancia y significacién fisica, recibiendo el nombre de potencial critico de excitacién. En el caso dei molibdeno, las lineas caracteristicas representadas en la figura 3.7 aparecen cuando se sobrepasa el potencial de 20 kV, mientras que en el wolframio no se emiten hasta que se han sobrepasado los 69 kV. Las lineas caracteristicas aparecen formando grupos 0 series espectrales; cada serie tiene un potencial de excitacién diferente para un mismo elemento. Las dis- tintas series espectrales se designan con las letras K, L, M,..., de acuerdo con sus origenes atémicos, segiin se vera en el apartado 3.3.2, Las longitudes de onda de las lineas de cada serie decrecen en el sentido M, L, K,..., mientras que los valores de los potenciales criticos de excitacién crecen en el mismo sentido, Las lineas caracteristicas del molibdeno, K, y K,, representadas en la figura 3.7 son, por tanto, las correspondientes a la serie K del mismo (las series L, M...., aparecerian a longitudes de onda mucho mas largas que las que se indican en Ia abscisa de la figura). ee eee ee OI ESE OSE Intensidad — 0,2 04 046 08 10 Longitud de onda (A) Figura 3.7,—Distribucién espectral de las radiaciones emitidas por tubos de rayos X con distintos anti- cétodos, en funcién del potencial aplicado. Las lineas caracteristicas aparecen a partir de un cierto valor fijo de la tension (potencial critico de excitacién). Notese que conforme aumenta la tension, aumenta también la energia total del espectro continuo, a la vez que disminuye el valor de la longitud de onda limite (Bermitdez-Polonio, J., 1967). 3.3.1) Espectro continuo de radiaciones La existencia de una frecuencia o longitud de onda limite en el espectro continuo Ppresupone que también existe una fraccién de electrones que pierden la totalidad de sus energias en la produccién de energia radiante, pudiéndose formular: E= Ve = fyi, = hy 3, in = ge . 65 La longitud de onda limite es, por tanto, inversamente proporcional al potencial aplicado al tubo de rayos X (Ley de Douane-Hunt). Por otra parte, el hecho de que aparezca todo un espectro policromatico, con longitudes de onda mayores que la de la longitud de onda limite, implica mecanismos de transferencia energéticas incompletos y muy variables, 96 / Métodos de ditraccién de rayos X Aunque no existe una teoria simple para explicar el origen del espectro continuo, se acepta que se produce por efecto de las interacciones electrostaticas del electron en las proximidades de los niicleos de los atomos del anticdtodo, En virtud de estas interacciones, el electron experimenta una serie’ de deflexiones no cuantizadas, perdiendo gradualmente su energia inicial en cada una de ellas. Estas pérdidas de energia son las que aparecen en forma de radiacién continua. La probabilidad de que el electrén pierda la totalidad de su energia en su primer encuentro con el dtomo €s muy pequedia, por cuyo motivo también es muy baja la intensidad de la radiacion correspondiente a la frecuencia de la onda limite del espectro nin) Si el valor de se expresa en kilovoltios y el valor de 2 en A, de la ecuacién (3.5) obtenemos: 12,3981 ggg = 281 66 La ecuacién (3.6) expresa que el valor de Anin $610 depende del potencial aplicado al tubo de rayos X. El aumento de la tensién en el tubo de tayos X, por tanto, re- vierte en la emisién de componentes mas energéticos del espectro continuo. La distribucién de intensidades en el espectro continuo depende del numero atémico del elemento emisor, Z, y de la corriente aplicada al tubo, i, de acuerdo con la siguiente relacién aproximada: =Kiz\4—,|1 Haan = wiz| A ‘| yeaa La intensidad total del espectro continuo es también aproximadamente pro- porcional al cuadrado de la tension aplicada al tubo de rayos X. De una forma general puede escribirse: T= KiZV? = KWZV B12 La posicién espectral det imo del espectro continuo, Anas S@ encuentra que esté relacionada con la lon; de onda limite mediante la expresién aproxi- mada: donde W representa la nko de al tubo (watios). igitui 3.3.2. Espectro caracteristico Si la energia de los electrones que inciden sobre el anticétodo es suficientemente elevada, estos pueden provocar la expulsion de electrones de los orbitales. mas profundos del Atomo. Un atomo en este estado de ionizacién €s sumamente ines- Caracteristicas y obtencién del espectro de rayos X [| 97 table, por lo que las vacantes electrénicas tienden a ocuparse automaticamente mediante transiciones electronicas, simples o multiples, desde orbitales mas externos. La inestabilidad del atomo decrece en el sentido Kt > Lt > M* > N*, De acuerdo con el principio de frecuencia de Bohr, cuando un sistema atémico pasa de un estado con energia inicial E, a otro estado final de energia E,, se emite una radiacién cuya frecuencia viene dada por la relacién: . Para que se verifique la condicién de frecuencia, solo es necesario que un elec- trén pase de un estado estacionario £, a otro estado estacionario £,, supuesta la existencia de una vacante en este ultimo. En la figura 3.8 se representan, simplificadamente, las transiciones electrénicas permitidas que dan origen a los mecanismos de transferencias energéticas que pro- ducen la emisién de algunas de las radiaciones caracteristicas en un 4tomo de ele- vado numero atémico. No todas las transiciones electrénicas son posibles, sino que slo estan permi- tidas aquellas que determinan las llamadas reg/as de seleccién, las cuales especifican los valores que en la transicion han de experimentar los nimeros cudnticos /(mo- wwe eee Figura 3.8.—Reptesentacion esquemiatica de tos niveles de energias electronicos, mostrando algunas de ~ las transiciones que originan las lineas caracteristicas de un elemento. Las radiaciones que usualmente se emplean en difraccién de rayos X son las K,,_,,, las cuales constituyen el dobiete K,. 98 / Métodos de difaccién de rayas X mento angular orbital del electrén, / = 0, n — 1), y #(momento angular total, Ja layy: Al=+1 , Aj= +160 Las radiaciones de la llamada serie K del espectro tienen en comtin que todas sus frecuencias vienen dadas por diferenci-s entre términos espectrales correspon- dientes al nivel K y otro cualquiera de menor energia (ZL, M,...). El origen de dicho espectro es, por tanto, la produecién de una vacante electrénica en el nivel Kyla subsiguiente transicién electronica desde un nivel mas externo. La transicién elec- trénica mas frecuente y, por tanto, la que origina la emision mds intensa en la se- tie K, es la que corresponde al paso de un electron det subnivel Liq 2 la vacante en el nivel X, emititndose la linea denominada K,: Ly > K = vg, 0 bien, 2p32 + Is Andlogamente, las transiciones Ly —+K y My,— K (correspondientes a las transiciones energéticas inversas, 0 sea K— Ly y K— My), dan origen a las lineas K,_, y X,_, (Fig. 3.8). La serie K estd constituida por pares de Iineas con longitudes de onda muy parecidas; tas lineas K,_, y K,-2, cuya diferencia de lon- gitudes de onda es la que corresponde a la Pequefia diferencia entre las frecuencias de los subniveles £,, y Ly, constituyen el doblete , el cual, ordinariamente, aparece sin resolver cn sus dos componentes; cuando esto ocurre, a la longitud de onda de Ja linea K, se le asigna una iongitud de onda promedio de las lineas individuales K,.1 y K,_2, pero considerando doble el valor de la componente K,_,, en razon de su mayor intensidad frente a la linea XK, (oft. ap. 3.3.3.): 1k) = had + WK») Todas las radiaciones de la serie L se originan en la produccién de vacantes en la capa L. Las lineas caracteristicas de esta serie, carecen de interés en difraccién de rayos X. 4 ‘ 3.3.3, Intensidad de ias lineas caracteristicas La intensidad de las lineas del espectro catacteristico de un mismo elemento varia ampliamente, tanto dentro de una misma serie espectral como de una serie a otra. En la serie X, la linca més intensa es la K,_,, a la que se le suele asignar el valor 100, siguiéndole en magnitud Ia K,_, cuya intensidad es del 50 por 100, aproximadamente. La relacién de intensidades entre el doblete Ky (= Ky, Ky), yel X, aumenta con el nimero atémico, desde un valor de 0,15 paraelcobre(Z = 29), hasta 0,45 para el uranio (Z = 92), aproximadamente. La tinica linea caracteristica que presenta un interés especial en los estudios de Caracteristicas y obtencién del espectro de rayos X / 99 difraccién de rayos X, es el doblete K, o su componente K,_,, ya que constituyen la fuente mas importante de radiacién monocromatica utilizada en las diferentes técnicas. 3.4. Ley de Moseley Moseley, en 1913, encontré que las frecuencias de las lineas caracteristicas ho- moélogas de una misma serie espectral, aumentan con el numero atémico del ele- mento emisor. La ley de Moseley puede expresarse mediante la siguiente ecuacién: Jv = a(Z ~ 0) (3.8) donde a es una constante de proporcionalidad y o una constante correctiva de Z, de valor casi idéntico dentro de una misma serie. La ley de Moseley leva implicitos los fundamentos del analisis quimico por espectroscopia de rayos X: identificando la frecuencia (o la longitud de onda) de una linea caracteristica, se identifica el elemento (Z), y midiendo la intensidad de la misma puede conocerse la concentracién atémica del elemento. K (is) Numero atomico, Z Figura 3.9.—Representacion grifica de la ley de Moseley para las lineas caracteristicas de las series KL,MyN. 100 / Métodos de ditraccién de tayos X REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS Azaroff, L. V. (1968): Elements of X-ray Crystallography, McGraw, Nueva York. Bermidez-Polonio, J. (1967): Teoria y prdctica de la espectroscopia de rayos X, Alhambra, Madrid. Blokhin, M. A. (1957): The Physics of X-rays, Clearinghouse for Federal Scientific Technical Information, Springfield (AEC-tr-4502). Brown, J. G. (1966): X-rays and their Applications, Uiffe, Londres. Clark, G. L. (1940): Applied X-rays, McGraw, Londres. Compton, A. H. y Allison, S. K. (1963): X-rays in Theory and Experiment, van Nostrand, Nueva York. Guinier, A. (1964): Théory et technique de la radiocristallographye, Dunod, Paris. Sproull, W. T. (1946): X-rays in Practice, McGraw, Londres. De Vries, J. L. y Jenkins, R. (1967): Practical X-ray Spectometry, Philips Technical Library, Eindhoven. 4 INTERACCION DE LOS RAYOS X CON LA MATERIA 41. Descripcién general de los fenémenos de interaccién Cuando la radiacion X incide sobre la materia se originan, en general, una serie de interesantes fendémenos en los que radican los fundamentos de las mas impor- tantes técnicas rontgenograficas para el estudio de las sustancias. En la figura 4l se esquematizan los distintos efectos producidos cuando sobre un material incide un haz de rayos X de intensidad y longitud de onda primarias I, y 49, respectiva- mente. Figura 4.1.—Ilustracion de los diversos fendmenos que se originan al incidir un haz de rayos X, /o(Ao), sobre un material cualquiera. La radiacién incidente es absorbida por la materia en mayor o menor propor- cién, en virtud de los variados fenédmenos de interaccién que se originan, entre los cuales se distribuye la fraccion de energia absorbida. Estos fendmenos conducen a la formacién de dos tipos generales de radiacién: la radiacion de fluorescencia y la radiacion dispersa. Los rayos X de fluorescencia, de longitudes de onda varia- bles, 4,, tienen su origen en la absorcién fotoeléctrica de la radiacién incidente por el material irradiado; su emisién va siempre acompafiada de la liberacién de electrones, 102 / Métodos de difraccién de rayos X La radiacion dispersa puede ser de dos tipos: coherente ¢ incoherente. La dis- persion coherente, también llamada dispersién de Bragg, esta constituida por aquella fraccion de la radiacién primaria que el material reemite sin vatiacién de su lon- gitud de onda; como se verd mas adelante, la difraccién de rayos X es un caso particular de la dispersion coherente de la radiacion. La radiacion dispersa in- coherente, o dispersién de Compton, se identifica por poseer una longitud de onda ligeramente superior que la de la radiacién primaria. La atenuacién que experimenta la intensidad de la radiacién incidente al atra- vesar la lamina de sustancia, J, — J, es funcién de los coeficientes de absorcién fotoeléctrica, t, y de dispersién de radiaciones, «, y, por supuesto, del espesor de la sustancia atravesada. En este capitulo trataremos de los fenémenos de absorcién implicitos a la accion fotoeléctrica de los rayos X (1a mAs importante desde un punto de vista cuantitativo), y a la dispersién incoherente (la menos importante, en general). El fendémeno de la dispersién coherente de Ia radiacién nos interesa muy par- ticularmente, por constituir el origen generalizado de la difraccién de rayos X, razén por la cual lo estudiaremos mas detalladamente en los capitulos siguientes. 4.2. Absorcién general de los rayos X. Coeficientes de atenuacién El fendmeno global de la absorcién de los rayos X es de una cierta complejidad, ya que al mismo contribuyen no solo la naturaleza del absorbente, sino también la energia de la radiacion incidente. Un planteamiento analitico simple del fend- meno solo es factible si se considera la absorcién de una haz de radiacién mono- cromatico y finamente colimado. ° El decrecimiento fraccional de la intensidad del haz debido a la absorci6n, es Proporcional al espesor del absorbente, dx: at _ yal donde p: es una constante de proporcionalidad denominada coeficiente de absorcién lineal. La atenuacién de la intensidad en todo el espesor x, se obtiene integrando (4.1) entre 0 y x (Fig. 4.1): pax (4.1) Ind = -px+C Para x = 0, C = In Jy, siendo J, la intensidad de la radiacién incidente. Ha- ciendo operaciones se obtiene: InJ—In, = -px rT p= —px T= I, exp (— px) (4.2) Interaccién de tos rayos X con la materia | 103 La relacion (4.2) es analoga a la de Lambert-Beer para la absorcién de Ja luz visible en un medio semitransparente, y expresa la disminucién exponencial de la intensidad que experimenta un haz de rayos X al atravesar una Lamina de sus- tancia de espesor finito x. EI valor del coeficiente de absorcién lineal , depende tanto de la naturaleza del absorbente como de su estado fisico; asi, por ejemplo, en el caso del agua dicho coeficiente tendra valores diferentes segiin se trate de agua liquida, vapor o hielo. Este resultado sugiere que la magnitud de y esté determinada por la cantidad de materia (o por el numero de 4tomos) atravesada por la radiacién, lo cual viene confirmado por el hecho de que el cociente £ (p es la densidad) sea constante para una misma sustancia, sea cual fuere su estado fisico o quimico. Si en la relacién (4.2) introducimos la densidad, resulta: T= iyexp ¢ box) = Ip exp (— Hop) (4.3) El coeficiente p, = es el coeficiente de absorcién mdsico, el cual define la atenuacion que experimenta un haz de rayos X de seccién unidad, por unidad de masa atravesada; sus dimensiones son cm? g~!: El producto px representa la masa por unidad de area en una lamina de absorbente de espesor x. Contrariamente al coeficiente de absorcién lineal, el coeficiente masico es una propiedad atémica, posibilitando la comparacién de las propiedades absorbentes de las sustancias en funcién del contenido atémico de las mismas. Introduciendo el coeficiente de absorcién mésico en (4.1), se obtiene: ad_ se —- T- poet = Hopdx (4.4) En una sustancia constituida por i clases de Atomos, el coeficiente de absorcién mésicoies igual a la suma de los coeficientes de cada dtomo por sus respectivas propordiones en peso, W;: we LM, (2) (45) Si se trata de un compuesto de formula 4,B,, el coeficiente de absorcién masico puede calcularse mediante la relacién \ XP (Hole + YPo(Hode =He Moms xP, + yP, 46 donde P, y P, son los pesos atémicos de los componentes A y B. 104 / Métodos de difraccién de rayos X En el apéndice A.1 se encuentran tabulados los valores de los coeficientes de absorcién masicos de los elementos, para las radiaciones més. frecuentemente empleadas en difraccién de rayos X. El valor del coeficiente de absorcién lineal de una sustancia para una deter- minada longitud de onda, puede deducirse a partir de (4.5): maoE mi (5) EJEMPLO: Sea una aleacién compuesta por 70 por 100 de Ni y 30 por t00 de-Cu. Si se. emplea la tadiacién CuK,, en las tablas se encuentra: Coeficiente de absorcién masico del Ni para CuX, = 45,7 cm? g™! Coeficiente de absorcin mAsico del Cu para CuK, = 52,9 cm? g-? De la relacién (4.5), se deduce: a = (0,70 x 45,7) + (0,30 x 52,9) = 47,86 om? g-! P } ateacton La densidad de la aleacion es de 8,9 g cm~®, por lo que el coeficionte de absorcién lineal para la radiacién CuK,, sera: Hoax, = 47,86 * 8,9 = 426 m=! A veces puede resultar mas conveniente conocer Ja cantidad de energia’ ab- sorbida por cada unidad de masa atémica. Si dn es el numero de Atomos-contenidos en una lamina de sustancia de espesor dx, la atenuacién de la intensidad de un haz de radiacién de | cm? de seccién transversal sera proporcional a dicho némero de dtomos: dl = ~Th,dn ay donde y,, es el coeficiente de\sorcién atémico. Si tenemos en cuenta que la masa del atomo es vr siendo N el nitmero de Avogadro (6,024 x 10? atomos por tomo gramo), y P el peso Atémico, se tiene: P pm = am = pdx donde dm cs la masa total de los de 4tomos. La ecuacién (4.7) se puede expresar de la forma siguiente: Fm 7 pled 8) Interaccién.de los rayos X con fa materia | 105 El producto x p fepresenta al nimero de dtomos contenidos en 1 cm’ de sustancia. Las dimensiones de y,, son las de un area (em?). La seccién atémica efectiva que contribuye a la absorcién o dispersion de la tadiaci6n se denomina seccién eficaz, y el producto de la seccién eficaz por el nu- mero de 4tomos, dn, es numéricamente igual a la probabilidad de tal absorcién o dispersién. Combinando las ecuaciones (4.4) y (4.8), se encuentra: P Has = Ho 5 ‘ (4.9) La expresin (4.9) muestra que el coeficiente de absorcién misico es, sencilla- mente, % veces el coeficiente de absoreién atémico. . 4.3. Absorcién fotoeléctrica. Radiacién de fluorescencia _ Elcoeficiente de absorcién mAsico depende de la longitud de onda y del nimero atémico de la sustancia empleada como absorbente. La variacion de py con la Jongitud de onda no es regular, sino que para determinados valores de la misma presenta unas variaciones muy acusadas, llamadas-discontinuidades de absorcién © limites de absorcién; estos valores son caracteristicos del elemento empleado como absorbente. En la figura 4.2 se muestra la variacién de y, para el platino. Las discontinuidades de absorcién observadas, K, L,, Ly y Ly, forman parte del proceso de emisién de radiaciones de fluorescencia por los elementos y serviran para completar el dio y la interpretacién de dicho proceso, frecuencias correspondientes a cada discontinuidad de absorcién, Hamadas Srecuencias criticas de absorcién, representan las energias de cada nivel electrénico (cfr. ap. 3.3.2). Las radiaciones incidentes son fuertemente absorbidas cuando sus frecuericias son superiores a las frecuencias criticas de un determinado nivel, mien- tras que las radiaciones con frecuencias inferiores atraviesan al absorbente con relativa facilidad. Coincidiendo con la aparicién de una discontinuidad'de absorcién, se observa siempre la presencia de electrones libres; estos electrones (fotoelectrones), pro- vienen de los niveles electrénicos de los 4tomos del absorbente, habiendo sido expulsados de los mismos merced al efecto foteeléctrico producido por accion de los rayos X incidentes. La energia de la radiacién absorbida fotoeléctricamente se invierte en el trabajo necesario para liberar electrones del nivel correspondiente, venciendo sus energias

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