Regio de depleo

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No estudo dos semicondutores, a regio de depleo de uma juno PN
uma regio onde existem poucos portadores de carga, tendo assim alta
resistividade.

Por causa da dopagem do semicondutor, no lado N da juno existe uma alta

concentrao de eletres livres (portadores com carga negativa), enquanto
no lado P existe uma alta concentrao de lacunas (portadores com carga
positiva). Devido corrente de difuso de eletres, ocorre a recombinao
entre eletres livres e lacunas, deixando uma regio intermediria em que a
concentrao destes est bastante abaixo do restante, que tambm
conhecida como regio de transio.

Como a distribuio de portadores diferente da distribuio de dopantes,

existe uma carga eltrica positiva no lado N, e uma carga negativa no lado P.
Isto gera um campo eltrico na regio de depleo, que efetivamente forma
uma barreira passagem de corrente.

Categoria: Dopagem