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PROBLEMAS

§ 1.2 Diodo Ideal



1. Descreva com suas proprias palavras 0 significado da palavra ideal aplicada a urn dispositive ou sistema.

2. Descreva com suas proprias palavras as caracreristicas do diodo ideal e como e1as dctcnninam os cstados Jigado e desligado do dispositivo. Ou soja, descreva por que 0 curiocircuito C 0 circuito aberto sao circuitos equivalentes adequados.

3. Qual c a principal difercnca entre as caractcristicas de uma chave simples e as de um diodo ideal?

§ 1.3 Materials Semicondutores

4. Defina com suas proprias palavras semicondutor, resistividade, resisuincia de corpo do diodo e resistcllcia otnnica de contato.

5. (a) Utilizando a Tabela 1.1, determine a resistencia de uma amostra de silfcio que tenha lima area de 1 em? e lim comprimento de 3 em,

(b) Repita 0 item (a) so 0 comprimento for de I cm e a area, de 4 crrr'.

(e) Repita 0 item (a) sc 0 comprlmento for de 8 ern c a area. de 0.5 em'.

(d) Repita 0 item (a) para 0 cobre c compare os resultados,

14. Descreva a difcrenca entre portador majoritario e minoritario.

15. Esboce a estrutura al6mica do silfcio e insira uma impureza composta de arsenic, como demonstrado pant 0 silfcio na Figura 1.9.

16. Repita 0 Problema IS, mas insira agora uma impureza composta de indio.

17. Pesquise e encontre outra explicacao para fluxo de lacunas versus fluxo de elctrons. Utilizando ambas as descri~5es. descreva com suas proprias palavras 0 processo da conducao de lacunas.

§ 1.6 Diodo Sernicondutor

18. Descreva com suas pr6prias palavras as condicoes estabelecldas pelas situacoes de polarizacao direta e reversa em um diode de jun~ao /NI e como elas afetam a corrcnte resultante.

19. Descreva como voce ira se lembrar dos estados de polariza~ao direta e reversa do diode de jun~ao IHI. Isto e, como se lembrara de qual potencial (positive ou negative) e aplicado a um dctenninado terminal?

20. Usando a Equa,ao (1.4), determine a corrente de diodo a 20°C para urn diodo de silfcio com I, = 50 nA e uma pol ariza,ao direta aplicada de 0,6 V.

21. Repita 0 Problema 20 para T = 10(rC (ponto de ebulicao da agua), Considere que I, aumeniou para 5,0 /-LA.

22. (a) Utilizando a Equacao (1.4), determine a corrente no diodo a 20°C para um diodo de silfcio com I, = 0, I /LA em um potencial de polarizacao reversa de - 10 V. (b) 0 resultado e 0 esperado? Por que?

23. (a) Trace a fun,ao y = e', COm x de 0 a 5, (b) Qual e 0 valor de y = ,," em x = O?

(c) Com base nos resultados do item (b), por que 0 lator -I e importante na Equacao (I.4)?

24. Na regiao de polariza,ao reversa, a corrente de saruracao de urn diodo de silicio e de eerca de 0,1 /-LA(T = 20°C). Dctennine seu valor aproximado se a temperatura for aumentada para 40'C.

25. Compare as caractertstlcas de um diodo de silicio e de germanic e determine qual voce preferiria para a maioria das aplicacoes praticas, De alguns detalhes. Consulte a lista de diodes de um fabricante c compare as caracicrfsticas de urn diodo de germanic e de silicio de espccificacoes rnaximas sernelhames.

26. Determine a queda de tensao direta atraves do diodo cujas caracterfsticas aparecem na Figura 1.24_ 'I tcrnperaturas de -75'C, 25°C, 100'C e 200'C e com uma corrente de 10 mAo Para cada temperatura, determine 0 valor da corrente de salura,ao. Compare os extremos de cada uma e comente a razao entre as duas.

§ 1.8 Valores de Resistencia

27. Delennine a resistencia estalica ou cc do diodo da Figura 1.19 para uma corrente direta de 2 mAo

28. Repila 0 Problema 26 pam uma corrcnte direta de 15 mA e compare os resultados.

6. Esboce a esrrutura atomica do cobre e discuta por que ele ~ um bom conduror e como sua esrrutura c difcrente da do germauio e do silfcio,

7. Defina corn suas pr6prias palavras 0 que significa material intrinscco, coeficieme de temperatura negative e liga~ao covalcme.

8. Pesquise e liste tres materials que tenharn urn coeficiente de temperatura negative e tres que tenham um coeficierne de temperatura positive.

§ 1.4 Niveis de Energla

9. Qual e a energia em joules necessaria para mover uma carga de 6 C at raves de uma diferenca de potencial de 3 V?

10. Se 48 e V de energia SaO necessarios para mover uma carga atraves de uma diferenca de potencial de 12 V, determine a carga envolvida.

11. Pesquise e determine 0 nlvel de Eg para GaP e ZnS, dois materia is semicondutores usados na pratica. Determine tambem 0 nome de cada material.

§ 1.5 Materiais Extrtnsecos - dos Tipos " e l'

12. Descreva a diferenca entre os materiais semlcondutores do tipo II e do tipo 1'.

13. Descreva a diferenca entre as irnpurezas doadoras e aceitadoras.

29. Determine a rcsisrencia estatica ou cc do diodo comercialmente disponivel da Figura 1.19 para uma tensao reversa de - lOY. Seu valor e proximo ao resultado detenninado para uma rensao reversa de - 30 V?

30_ (a) Determine a resistencia dinamica (ca) do diodo da Figura 1.34 para LIma corrente direta de 10 mA, usando a Equacao (1.6).

(b) Determine a resistencia dina mica (ca) do diodo da Figura 1.34 para LIma corrcnte dircta de 10 mA, usando a Equa"o (I. 7).

(c) Compare as solucoes dos itens (a) c (b).

31. Calculc a rcsistencia cc c ca para 0 diodo da Figura 1.34 para lima corrente de 10 mA c compare os resultados.

32. Usando a Equacao (1.6), determine a resisiencia ea para as correntes de I mA e 15 mA no diode da Figura 1.34. Compare as solucocs c dcscnvolva urna conclusao geral que considere a resistencia ca e os nfveis crescenres de corrente no diode,

33. Usando a Equacao (1.7), determine a resistencia ac para as corremes de I mA e 15 mA no diodo da Figura 1.19. Modifique a equacao, conforme necessario, para niveis baixos de corrente no diodo. Compare com os resultados obtidos no Problema 32.

34_ Determine a resistencia ca media para 0 diodo da Figura 1.19, para a regiao entre 0,6 e 0,9 V.

35. Determine a rcsisrencia ac para 0 diodo da Figura 1.19 em 0,75 V e compare com a resistencia ca media obtida no Problema 34.

§ 1.9 Circuitos Equivalentes do Diodo

36. Encontre 0 circuiro equivaleme linear para 0 diodo da Figura 1.19. Use urn segmento de reta que cruze com 0 eixo horizontal em 0,7 V e que melhor aproxime a curva para a regiao acirna de 0,7 V.

37. Repita 0 Problema 36 para 0 diode da Figura 1.34.

§ 1.10 Folhas de Dados do Diodo

* 38. Trace IF vers,,-, V,. usando escalas lineares para 0 diodo da Figura 1.41. Observe que 0 grafico apresentado cmprcga escala logarfunica para 0 eixo vertical (escalas logaritmicas sao abordadas nas secoes 11.2 e 11.3).

39. Comente a variacao no valor cia capacitancia com 0 aumento do potencial de polarizacao reversa para 0 diodo da Figura 1.41.

40. A corrente de saturacao reversa do diodo da Figura 1.41 varia significativamente em amplitude para potenciais de potarizacao revers a na faixa de - 25 V a -100 V'?

*41. Para 0 diodo da Figura 1.41, determine 0 valor de I, a ternperatura arnbiente (25°C) e para 0 ponto de ebulicao cia agua (100°C). A mudanca e significativa? 0 valor quase dobra para cada 10'C de aumento na temperatura?

42. Para 0 diodo da Figura 1.41, detennine a resistencia ca (dinllmica) m:ixima para uma corrente dircla de 0, I mAl 1,5 mA e 20 mAo Compare os niveis e comente se os resultados confinnam as eoncius6es obtidas das sc,6es anteriores deste capitulo.

43. Usando as caracterisliCllS apresentadas na Figura 1.41, detenni.ne os valores de dissipa,ao de potentia maxima

46_ Com base na Figura 1.42. determine a capacitancia de diIusao para 0 e 0,25 V.

47. Descreva com suas pr6prias palavras a diferenca entre as capacitfincias de difusilo e IranSi,ao.

48, Determine a reatancia apreseruada por urn diodo descrito pela curva caracrcristica da Figura 1.42, para um potencial direto de 0,2 V e para urn potencial reverso de -20 V, se a frequencia aplicada for de 6 MHz.

§ 1.12 Tempo de Recuperacao Reversa

49. Esboce a lonna de onda para a corrente i do circuito da Figura 1.70 se I, = 21" sendo 0 tempo de recuperacao reversa total de 9 ns.

10

~i

'~'O~!l

Figll" 1.70 Problema 49.

§ 1.15 Diodos Zener

SO. As seguimes caracleristicas sao especificadas para um delenninado diodo Zener: Vz = 29 V, V. = 16,8 V,llJ = 10 mA,'. = 20 !J,A e 12M = 40 mAo Esboce a curva caraeteristica do modo exibido na Figura 1.55.

1. (a) Utilizando a curva caractensnca da Figura 2.149b, determine 10, v, e V. para 0 circuito da Figura 2.149a. (b) Repita 0 item (a) utilizando 0 modelo aproximado do diodo e compare os resultados.

(c) Repita 0 item (a) utilizando 0 modelo ideal do diodo e compare os resultados.

+ Vo Si

...

...

+ R 0.33kn v.

or

(al

Figura 2.149 Problemas I e 2. tContinua.;

2. (a) Utilizando a curva caractensuca da Figura 2.149b,

determine In C VD pam 0 circuito da Figura 2.150, (b) Repita 0 item (a) com R ~ 0,47 kit

(c) Repita 0 item (a) com R = 0.18 kf),

(d) 0 valor de VD e relativamentc pr6ximo a 0,7 V em cada caso?

Compare os valores resultantes de 'D. Comenre isso.

+ VI) -

~ £[____J,.2k0 ;

Figura 2.150 Problemas 2 e 3.

3. Determine 0 valor de R para 0 circuito da Figura 2.150, que results em uma corrcnre no diode de 10 rnA com E = 7 V. Utilize a curva caracterfstica da Figura 2.149b para 0 diode,

4. (a) Utilizando as caractcrfsticas aproximadas do diodo de Si, determine 0 valor de \fD.I/) c VR para 0 circuito cia Figura 2.151.

(b) Faca a mesma analise do item (a) utilizandn 0 modele ideal do diodo.

(c) Os resultados obtidos nos itens (a) e (b) sugerem que 0 modele ideal pode fornecer uma boa aproximacao para a resposta ideal sob determiuadas condicoes?

.... VIJ -

EJ

.

" 2)'" ;

Figura 2.ISI Problema 4.

I.

_'~v- v,

.

T Q

1,2kU

4,1i;(l

Si

(,j

IbI

Figura 2.153 Problemas 6 e 49,

*7. Determine 0 valor de VQ para cada clrcuito da Figura 2,154.

w~v. 1"0

(.j

IOtVI.''',Si vo ,

v

[h]

Figura 2.154 Problema 7,

ID(mA)

25

IS

, ,

2

4

10 V (V)

3

5

6

7

9

07V

§ 2.4 Conliguracoes em Serie de Diodes com ~

Alrmentacao CC

c-
or.
('"-i
e:
"
ec >f;'
i.i:
'" "
'0
E
'" S
i:!
'0 v
0 cs
e: "
.s --
oj
Q.
....
" S .""
~e :> "
~} '" ~
.,
s
" c,
"
'" e,
" :::l
" ,..;
;:;
Q 1:
=
e-l so
,., i.i: 5. Determine a corrente I para cada urna das configuracoe ~ da Figura 2.152 utilizando 0 modelo equivalente aproxi OJJ made do diodo. tI:

> " +

~ >
... ~ ?
"" CJi;

I2V +

> :<

+

. = ~

s ~.

e,

'" '" ""

M

~ So Q::

zov

+

... H

*

100

Si

20n

(h)

EIJ~I

ton

.

~ d
'"
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'0>,' ,. ~ '0>,"
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" g:: E +
t: ~
" N "
~ ~ 8
So
06 i" ~
* * (r)

Figura 2.152 Problema 5.

6. Determine \/0 c It) para os circuitos da Figura 2.153.

_JOv~G' 5i I,,"U F ';,

v.,

3,3!.Q

(h,

Figura 2.156 Problema 9.

§ 2.5 Configuracocs em Paralelo e em Serte-Paralelo

10. Determine V" c 'D para os circuitos da Figura 2.157.

l!c 13. Determine V" c J D para 0 circuito da Figura 2 .. 160.

15V

'2~V Si2-

v.

Si 4,7k0

~__'P---oV.

+IOV

2.2kH

-5 V

(b1

Figura 2.157 Problema. s 10 c 50.

Figura 2.160 Problemas 13 e 51.

§ 2.8 Reuficacao de Onda Complete

28. Um retificador em ponte de onda completa com uma enrrada senoidal de 120 Y eficazcs possui um resistor de carga de I kn.

(a) Se sao emprcgados diodes de silicic, qual e a tensao C( disponlvel na carga?

(b) Determine a especificacao do PlY necessario para cada diodo.

(e) Encontre a corrente maxima airaves de cada diodo duo rante a conducjo,

(d) Qual e a potencia nominal exigida para cada diodo?

29. Determine v. e a especificacao do PlY exigido para cads Figura 2.174 Problema 33. diodo na configuracao da Figura 2.170.

22. Considerando um diodo ideal, esboce as form as de onda de v" I'D e iD para 0 retificador de meia onda da Figura 2.165. A entrada e uma forma de onda senoidal com frequencia de 60 I1z.

"

n-'''''' 1'",=2 V

+

o

-+- -

Figura 2.165 Problemas 22, 23 e 24.

23. Repita 0 Problema 22 com um diodo de silicic (V T = 0,7 V).

24. Repita 0 Problema 22 com uma carga de 6,8 kG aplicada como mosira a Figura 2.166. Esboce as formas de onda de \It e it,

+ 'J v,'" = 2 V
hk;)1 =r
'J +
--
2,2kO R/_ 6.8tll 'i Figura 2.166 Problema 24.

25. Pard 0 eircuito da Figura 2.167, esboee a forma de onda de Vq c determine V((.

2.21:0

+

+

V, .. 1I0V(nm)

Figura 2.167 Problema 25.

*26. Para 0 circuito da Figura 2.168, esboee as formas de onda de vI' C iR,

Figur. 2.168 Problema 26.

• 27. (a) Dado Pm', = 14 mW para cada diodo da Figura 2.169, determine a corrente maxima nominal de cada dicdo (utilizando 0 modelo equivalente aproximado).

(b) Determine 'm., para Vim., - 60 Y.

(c) Determine a corrente atraves de cada diodo para V,,,,, urilizando os resultados do item (b).

(d) Se apenas um diodo estivcssc prescnte, determine qual scria a corrente dele e compare com 0 valor maximo nominal.

4.71Jl 56 Hl

I"", -

Figura 2.169 Problema 27.

+

Dtodosloeals

>--.,...,.+~,:,

2.2kU

'" 30. Esboee a forma de onda de II, para 0 circuito da Figura 2.171 e determine a tensao cc disponfvel.

-100'))

+

>---r-:+~"

2.21:0

2.2kO

2.2kO

Figura 2 .171 Problema 30.

*31. Esboee a forma de onda de v. para 0 circuito da Figura 2.172 e determine a tensao cc disponfvcl.

+

r\0V

Figura 2.172 Problema 3 L

§ 2.9 Ceiladores

32. Determine 0 v. de cada circuito da Figura 2.173 para 0 sinal de entrada mostrado a seguir.

Si

0----14--.-- 0 + +

2,2U2 I;'

+==CIV ldeat +

v 6.,8Hl l'

, .

- -

Figura 2.173 Problema 32.

33. Determine 0 v,, de cada circuito da Figura 2.174 para 0 sinal de entrada mostrado a seguir.

,.,~.

1',"0"

(.j

Ib,

'" 34. Dctcrmine o ""de cada circuito cia Figura 2.175 para 0 sinal de entrada mostrado a seguir.

-5V
2V Ideal
0--1
+ +
", Ikfl v. Ideal

"'tV'

2.2 kll

+5 V

(b)

Figura 2.175 Problem" 34.

35. Determine 0 11" de cad a circuito cia Figura 2.176 para 0 sinal de entrada mostrado a seguir,

I~V -r-v.:

+ 2.2 kfl +
Si
".
r 4V
0 (a)

"i~rV '.

2.2 kfl

Si

...

(h)

Figura 2.176 Problema 35.

36, Esboce as form as de onda de iN ell. do circuito da Figura 2.177 para 0 sinal de entrada mostrado a seguir.

lxov ~

l~ ~ S'JVrSi,.wrS';

Figum 2.177 Problema 36.

§ 2.10 Grampeadores

37. Esboce a forma de onda de \tv de cada circuito da Figura 2.178 para 0 sinal de entrada mostrado a seguir.

c

:IT

+ +

~ Ideal R ~

(aJ

(bi

Figura 2.178 Problema 37.

'39.

Para 0 circuuo da Figura 2.180: (a) Calcule 5T.

(b) Compare 5T a metade do ciclo do sinal aplieado. (c) Esboce a forma de onda de ",.

",

c ~I-r-~--<> + 0.1 j.l.F

+10

S;

v,

R SISkO v"

2V

Figura 2.180 Problema 39.

40. Projete urn circuito grarnpeador para realizar a fUI19aO indicada na Figura 2.181.

",

-ui»

+

Fl 1 "I

n r

~

+

Projelo

Figura 2.1S1 Problema 40.

*4J. Projete urn circuito grarnpeador para realizar a funrrao indicada na Figura 2.182.

Diodrn;siUcin

+

+

"

",

Figura 2.182 Problema 41.

§ 2.11 Diodos Zener

42. (a) Determine V" I" I, e I, para 0 circuito da Figura 2.183 se R; = 1800.

(b) Repita 0 item (a) se R, = 470 fl.

(c) Determine 0 valor de RL que estabelece as condicoes de maxima potencia para 0 diodo Zener.

(d) Determine a valor mfnimo de R, para gararuir que 0 diodo Zener esta no estado 'Jigado'.

+

o----vov-v---..--....:::;v,+

+ ~ 220n lIz I'

I, t

20V

V"..-IOV 1-'7",~=400mW

Figura 2.183 Problema 42.

43. (a) Projctc 0 circuito d. Figura 2.184 para manter V, em 12 V para uma variacao na carga (ILl de 0 a 200 rn A. Ou seja, determine R, e Vz.

(b) Determine Pz,,~, do diodo Zener do item (a).

16V~h I f'

Figura 2.184 Problema 43.

44. Para 0 circuito da Figura 2.185, determine a faixa de \I, que mantera VL em 8 V c naa excedera a poiencia maxima nominal do diodo Zener.

Rs

9U)

\'7.=8V P,.~=400mW 1 R,.

.... ....

0.22 ill

Figura 2.185 Problemas 44 c 52.

45. Projcre lim rcgulador de tcnsao que mantenha uma rcnsao de safda de 20 V airaves de uma carga de I k!l, com lima entrada que varia de 30 a 50 V. OU seja, determine 0 valor apropriado de R, e a corrente maxima 12/1/'

46, Esboce a forma de onda de safda do circuito da Figura 2.142 se a entrada for uma onda quadrada de 50 V. Repita para uma onda quadrada de 5 V.

38.

§ 2.12 Circuitos Multiplicadores de Tensao Esboce a forma de onda de va de cada circuito da Figura 2.179 para 0 sinal de entrada mostrado a seguir, Seria uma boa aproxlmacao considerar que 0 diodo e ideal em ambas as configuracoes? Por que?

(;I.)

tb)

Figura 2.179 Problema 38.

PROBLEMAS

§ 1S.2 Consideracoes Gerais sobre Filtros

1. Qual eo Iator de ondulacao de um sinal senoidal que possui lima ondulacao com pico de 2 V sobre lim valor medic de 50 V?

2. Um filtro fornccc lima safda de 28 V. scm carga, e 25 V para uma opcracao com carga maxima. Calcule a regula~iio de ten sao em termos pcrcentuais.

3. Um retificador de meia onda fomeee 20 V ce. Qual e 0 valor da ten sao de ondulacao?

4. Qual e a tensao de ondulacao rrns de um retificador de onda completa com tensao de safda de 8 V cc?

§ IS.3 Fittro a Capacitor

S. Urn filtro a capacitor simples alimentado por retificador de onda completa fornece 14,5 V ce com um fator de ondulacao de 8,5%. Qual e a iensao de ondulacao na salda (em rrns)?

6.

Um sinal retificado de onda cornplcta dc 18 V de pi co e * 19. injetado em um filtro a capacitor. Qual e 0 valor da regu-

la<;ao de tensao do filtro se a safda for uma tensao de 17 V

cc com carga maxima?

Urn filtro a capacitor de 400 ILF tern como entrada uma tensao retificada de onda completa, com 18 V de pico. Qual a ondulacao e os valores das tens6es cc no capacitor para uma carga que drena 100 mA?

Urn retificador de onda complera operando na rede de 60 I-Iz produz uma tensao retificada com 20 V de pico, Se um capacitor de 200 J.l.F for urilizado, calcule a ondulacao para uma corrente de carga de '120 mAo

7.

8.

9. Um retificador de onda completa (operando em uma rede de 60 Hz) alimenta urn filtro (C = 100 J.l.F), que fornece 12 V cc quando conectado a uma carga de 2,5 kQ. Calculc a rensao de ondulacao na safda.

10. Determine 0 valor do capacitor necessario para se obter uma rensao filtrada com ondulacao de 15% quando a corrente de carga e de 150 mA. A tensao retificada de onda completa e de 24 V cc e a fonte e de 60 Hz.

'11. Um capacitor de 500 J.l.F fornece uma corrente de carga de 200 mA com ondulacao de 8%. Calcule a amplitude da tensao retificada obtida da rede de 60 Hz e os valores da ten sao cc no capacitor.

12. Calcule 0 valor do capacitor necessario para se obter uma tensao filtrada com ondulacao de 7% em uma carga de 200 mAo A tensao retificada de onda cornpleta e de 30 V cc e a frequencia da rede eletrica e de 60 Hz.

13. Calcule a ondulacao percentual da tensao sobre urn capacitor de 120 J.l.F para uma corrente de carga de 80 mAo 0 retificador de onda complera, operando a partir de uma rede de 60 Hz, fornece uma ten sao retificada com valor de pice de 25 V.

§ 18.4 Filtro RC

14. Um estagio RC e adicionado em uma fonte ap6s 0 capacitor de filtragem para que a ondulacao seja reduzida para 2%. Calcule a tensao de ondulacao na safda do filtro RC que fornece uma ten sao de 80 V cc.

* 15. Um filtro RC (R = 33 1.1, C = 120 ILF) e utilizado para filirar um sinal de 24 V ce e 2 V rms operando a partir de um retificador de onda completa. Calcule a ondulacao percentual na safda do estagio RC para uma corrente de carga de 100 rnA. Calcule tambem a ondulacao do sinal filtrado aplicado ao circuito RC.

* 16. Urn filtro com um unico capacitor possui, na entrada, 40 V cc. Se essa rensao for injetada em 11m estagio RC (R = 50 1.1, C = 40 ILF), qual seria a corrente de safda, considerando lima carga de 500 n?

17. Calcule 0 valor rms da ten silo de ondulacao na safda de urn filtro RC, que alimenta urna carga de I kn quando a ten sao de entrada para 0 filrro e de 50 V cc com lima ondulacao de 2,5 V rms, retificada em onda cornpleta e fiItrada por urn capacitor. Os componentes do filtro RC sao R = looneC = lOOILF.

18. Se a tensao de safda para 0 circuito sem carga do Problema 17 for de 50 V. calcule a regulacao percentual de ten sao considerando para 0 calculo uma carga de I kn.

§ 18.5 Regulacao de Tensiio a Transistor

Calcule a tenslio de safda e a corrente no diodo Zener no circuito regulador da Figura 18.42.

(~~ 100)

V,-~- ____ 15 V (noo-rr:gulml:J)

~-.---v (te~lIl~da)

v.

Conclusoes e Conceitos Importantes

1. As caracterfsticas de urn diode ideal sao semet hantes as de uma chave simples, exceto pelo faro de que um diodo ideal pode conduzir em urn unico sentido.

2. 0 diodo ideal e urn curto na regiao de conducao e um circuito aberto na regiao de nao-conducao,

3. Semicondutor e 0 material que possui nfvel de condutividade entre 0 de urn born condutor e 0 de urn isolante.

4. Uma ligacao de aromos reforcada pelo compartiIhamento de eletrons entre aromos vizinhos e chamada ligacao covalente,

5. 0 aumento de temperatura causa um aumento significativo do mimero de eletrons livres em urn material semicondutor,

6. A maioria dos materia is semicondutores utilizados na industria eletronica possui coeficientes de temperatura negatives, ou seja, a resistencia cai com o aumento de temperatura.

7. Materiais inrrfnsecos sao os semicondutores que possuem um nivel baslanle baixo de impurezas, ao passo que os materiais extrfnsecos sao os que foram expostos a urn processo de dopa gem.

8. 0 material do tipo 11 e formado pela adicao de atomos doadores que possuem cinco eletrons de valencia para estabelecer um alto nfvel de eletrons relativamente livres, Em urn material do tipo 11, 0 eletron e 0 portador majoritarlo, e a lacuna e 0 portador minoritario,

9. 0 material do tipo p e forrnado pel a adicao de atomos receptores com tres eletrons de valencia que estabelecem um alto nfvel de lacunas no material. No material do tipo p, a lacuna e 0 portador majoritario, e 0 eletron e 0 minoritario.

L L Na ausencia de qualquer polarizacao direta, a corrente no diodo e zero.

12. Na regiao de polarizacao direta, a corrente no diodo aumenta exponencialmente com 0 aumento da lensao no diodo,

13. Na regiao de polarizacao reversa, a corrente no diodo e de saturacao reversa, que 6 muito pequena, ale que ocorra a ruptura por efeito Zener e a corrente flua no sentido oposto ao indicado pelo sfmbolo do diodo,

14. A corrente de saturacao reversa I, praticamente dobra de valor pam cada aurnento de 10°C na temperatura,

15. A resistencia cc de um diodo e determinada pela relacao entre a tensao e a corrente no diodo no ponto de interesse e nao e sensivel ao formate da curva. A resistencia cc dirninui com 0 aumento da corrente ou da tensiio no diodo.

16. A resistencia ca de urn diodo 6 sensfvel ao formato da curva na regiao de interesse e diminui para valores mais altos de corrente ou tensso no diode.

17. A tensao limiar e de aproximadamente 0,7 V para os diodes de silfcio e 0,3 V para os diodos de gerrnanio.

18. 0 maier valor de dissipacao de potencia de um diode e igual ao produto da tensao pel a corrente no diodo.

19. A capacitancia de um diodo aumenta exponencialmente com 0 aumento da polarizacao direta, Seus nfveis mais baixos estao na regiao de polarizacao reversa.

20. 0 sentido de conducao de um diodo Zener e oposto ao da seta no sfrnbolo, e a ten sao Zener possui polaridade oposta a de mn diodo com polarizacao direta.

21. Diodos que ernitem luz (LEOs) 0 fazem sob condi~iies de polarizacac direta, mas requerem de 2 V a 4 V para uma boa emissao,

2.14

RESUMO

Conclusoes e Conceitos Importantes

I. As caracterfsticas de um dispositive nao sao alteradas pelo circuito no qual esta sendo utilizado, 0 circuito simplesmente determina 0 ponto de operacao do dispositive.

2. 0 ponto de operacao de lim circuito e determinado pel a intersecao da equacso do circuito com a equa- 930 que define a curva caracterfstica do dispositive.

3. Na maioria das aplicacoes, as caracrerlsticas de um diodo podem ser defin idas simples mente pel a tensao de Iimiar na regiao de polarizacao direta e um circuito aberto para tens6es aplicadas menores que as do valor-limite.

4. Para se detenninar 0 estado de urn diodo, deve-se simplesmente imagina-lo como uma resistencia e encontrar a polaridade da tensao e do sentido da corrente convencional que pass am por ele. Caso a tensao tenha uma polaridade direta e a corrente tenha o mesmo sentido da seta no simbolo, 0 diodo estanl conduzindo.

18.8 RESUMO

5. Para se determinar 0 estado de diodos utilizados em uma porta 16gica, deve-se primeiro fazer uma suposi~ao em relacao aos estados dos diodos e entao testar a suposicao. Se a suposicao estiver incorreta, deve-se tentar novamente com outra suposicao e repetir a analise ate que se confirrnem as conclusoes.

6. Retificacao e urn processo em que uma forma de onda aplicada de valor medlo zero 6 modificada para que tenha um nivel cc, Para sinais aplicados acima de alguns volts, podem-se usar geralmenre as aproximacoes do diodo ideal.

7. E multo importanre que a especiflcacao do PIV de urn diodo seja verificada ao se escolher urn diodo para aplicacoes especificas. Determina-se simplesmente a tensao maxima que passa pelo diodo sob condicoes de polarfzacao reversa e comparase it especificacao indicada no manual. Para os retificadores em ponte de meia onda e de onda cornpleta, esse parametro e 0 valor de pico do sinal aplicado. Para 0 retificador de onda completa que usa transformador com derivacao central, corresponde a duas vezes 0 valor de pico (que pode ser bastante alto).

Equacocs Ondulacao:

,. = tensuo de ondular;ao (rms) = Vr(rms) X 100%

tensao cc Vro

Retificador de onda completa:

VIX = O.636Vm

Regulacao de tensao:

%VR '" VNL - VI'L x 100% VFL

Retificador de meia onda:

Fittro com capacitor simples:

Ideal:

III' = 0 V; ID e dcterminado pelo circuito, Para conducao:

Vo; = 0,318\1",

Equacoes

r = 0,308V", x 100% = 48% O,636\'m

Equacoes

k = 11,600 TK = Tc + 2730 T}

v)' .. 0,7 V (Si)

VT '" 0,3 V (Ge)

26mV lD

av" I

aliI pt.u pt.

8. Ceifadores sao circuitos que 'ceifam' parte do sinai aplicado tanto para criar um tipo especffico de sinal quanto para limitar a tensao que pede ser aplicada a lim circuito.

9. Grampeadores sao circuitos que 'deslocam' 0 sinal de entrada para urn nivel ee diferente, Em qualquer caso, a variacao de pica a pieo do sinal aplieado sera mantida.

10. Os diodos Zener fazem uso efetivo do potencial de ruptura Zener de uma juncao P-II simples para oferecer um dispositivo de larga importfincia e aplica~iio. Para a conducao Zener, 0 sentido do fluxo cooveneional e oposto ao da flecha no simbolo. A polaridade sob a conducao tambern e oposta a do diodo convencional.

1 J. Para se determinar 0 estado de urn diode Zener em urn circuito cc, simplesmente se deve remove-to do circuito e detenninar a tensiio do circuito aberto entre os dois pontos onde 0 diodo Zener foi inicialmente conectado. Caso seja maior que 0 potencial do Zener e tenha a polaridade correta, 0 Zener estara no estado 'Iigado'.

12. Um duplicador de ten sao de meia onda OU de onda completa emprega dois capacitores: um rriplicador, tres capacitores; e um quadruplicador, quatro capacirores. Na verdade, para cada urn, 0 numero de diodos e igual ao de capacitores.

FiltroRC:

1,3 Xc=C

Xc V;(rms) = 'RV,(nns)

Regulador do tipo serie com amp-op :

II" = (I + ~)lIz

Aproximada:

Silfcio: III' = 0,7 V; ID e determinado pelo circuito, Germanic: VT = 0,3 V; If) e determinado pelo circuito.

V,(nns) = O,385Vm

r = 0,385\,", x 100% = 121% 0,318V"l

1«: 4.17'<0

Ifcc = II", - 4fC = -C-

r = \',(nm) X 100% = 2.4/(0 x 100% = 2::.. x 100%

V" elf" RLC

\10'" VT Retificador de meia onda:

II" = 0,31811", Retificador de onda completa:

\I" = 0.636\1",

19.12 RESUMO

Conclusees e Conceitos Importantes

I. 0 diodo Schottky (portador quente) possui uma baixa tensao limiar (cerca de 0,2 V), umu corrente maier

de saturacan reversa e urn valor de PIV menor que

o tipo de junciio p-n convencional. Ele pede ser uti- 8. Hzado tambem com freqnenclas maiores devido ao

seu tempo reduzido de recuperacao reversa.

2. 0 diodo varactor (varicap) possui capacitancia de transicao sensivel ao potencial de polarizacao reversa aplicado. Essa capacirancia e maxima em zero

V, diminuindo exponencialmente com os poten- 9. dais crescentes de polarizacao reversa.

3. A capacidade de corrente dos diodes de potencia pode ser ampliada colocando-sc dais au mais em paralelo, e a especificacao do valor de PIV pode ser

aumentada colocando-se as diodos em serie. lO.

4. 0 pr6prio chassi pode ser utilizado como dissipador de calor para diodos de potencia.

5. Diodos tunc) sao diferentes porque possuem uma regiao de resistencia negative para tensao menores

que a tensao limiar dajuncao p-n convencional. Essa caracterfstlca e particularmente uti! em osciladores

para estabilizar uma forma de onda ocilante em

uma fonte de alimentacao chaveada ce. Devido a sua reduzida regiao de deplecao, ele e considerado tarn-

bern um dispositivo de alta frequencia para aplicacoes que exigem tempo de chaveamento em 11. nanossegundos ou picossegundos.

6. A regiao de operacao dos fotodiodos e uma regiao de pclarlzaeac reverse. A corrente do diodo resul(ante aumenta quase linearmente em relacao ao au· mente da luz incidente. 0 comprimeoto de ooda da luz incidente determine qual material resulta na melhor resposta. 0 selenic e melhor para 0 01110 nu,

7.

enquanro 0 silicic e melhor para luz incidenre com compri mentos de onda maiores.

Celula fotocondutiva e aquela cuja resistencia entre terminals diminui exponencialmente com urn aumento na luz incidente.

Urn diodo emissor de luz infravermelha emile urn feixe de fluxo radiante quando polarizado diretamente. A intensidade do padrao do fluxo emitido e quase linearmente relacionada a corrente direta cc arraves do dispositive.

Os LCDs possuern um nivel de absorcao de potencia bern menor do que os LEDs, mas sua vida ulil e muito mais curta e eles exigem uma fonte de luz interna ou externa.

A celula solar e capaz de converter a energia luminosa na forma de f6tons em energia eletrica na forma de uma diferenca de potencial ou de tensiio. A lensao entre tenninais subira rapidamente no inicio com a aplicacao de luz, mas, depois, essa ascensao ocorrera em uma taxa mais lenta. Em outras palavras, a tensao entre terminais atinge um nivel de saturacao em urn ponto onde qualquer au mento da luz incidente tem pouco efeito sobre a amplitude da tensao entre terminals.

Um termistor pode ter regioes de coelicientes de temperatura positiva ou negativa detenninadas pelo material de fabricaeao ou pela temperatura desse material, A mudanca de temperatura pode ocorrer devido a efeitos internos como os causados pel a corrente atraves do termisror ou devido a efeitos externos de aquecimento ou resfriamento.