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RELATÓRIO I (DIODO, DIODO ZENER, TRANSÍSTOR)

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO - UFMA CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA - CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA - DEE CURSO: ENGENHARIA

ELÉTRICA DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I PROFESSOR: NELSON CAMELO

RELATÓRIO I (DIODO, DIODO ZENER, TRANS ÍSTOR) Cristiano Jeferson da Costa Silva EE05237-72

São Luís 2010

referente à primeira experiência realizada em laboratório. ministrada pelo professor Nelson Camelo. São Luís 2010 2 .RELATÓRIO I (DIODO. TRANS ÍSTOR) O relatório referente seráapresentado à disciplina de Laboratório de Eletrônica I. DIODO ZENER.

2 TESTES COM TRANSISTOR 6.2 PROCEDIMENTO 2 (OUTRO TIPO DE TESTE) 6.2 TESTES DE TENSÃO CONCLUSÃO BIBLIOGRAFIA SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO 04 05 06 07 10 12 12 12 13 14 14 16 17 17 18 3 . DIODO ZENER 4.1 TESTES DE RESISTENCIA 6. DIODO SEMICONDUTOR 3.2. SIMULAÇÕES 6.1.1 TESTES COM DIODO 6.2. TESTES COM MULTÍMETRO 6. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) 2.1.SUMÁRIO 1. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR 5.1 PROCEDIMENTO 1 6.

A válvula diodo é composta por duas placas metálicas. fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente em relação ao ânodo. Em meados da década de 20. denominada de grade. Esta válvula foi chamada de tríodo. Um filamento aquece uma das placas polarizada negativamente. a busca passou a ser a de melhorar o desempenho do circuito e.1. conforme a figura abaixo: Invertendo-se a polarização. denominada ânodo. encontrado em rádios. a corrente elétrica deixa de circular pela carga RL. a teoria dos semicondutores surge como promessa tecnológica. muitos dispositivos que trabalham em frequências muito altas e que são ainda muito utilizados. gerando um fluxo de elétrons (corrente elétrica ) que atinge a segunda placa polarizada positivamente. as propriedades e o comportamento elétrico dos semicondutores. que investiga a estrutura. DeForest acrescentou à válvula diodo uma terceira placa entre o cátodo e o ânodo. Em 1908. Na década de 40. televisores e aparelhos de som muito antigos Porém. para isso. radio transmissão. foram as responsáveis pelo sur imento das g transmissões sem fio. denominada cátodo. A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo. era necessário desenvolver uma tecnologia para aperfeiçoar os dispositivos. criando a possibilidade de amplificar sinais elétricos. isso propiciou um avanço na criação de outros dispositivos e circuitos que permitiram a execução de muitas tarefas que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época. colocadas numa cápsula de vidro em vácuo. Ela foi utilizada até meados da década de 80. derivam da válvula. A grade passou a exercer um controle do fluxo de elétrons. Desenvolve-se a física do estado sólido. sendo hoje um dispositivo raro. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) A primeira válvula foi criada pelo cientista John AmbroseFlemming em 1904. A partir daí. É nessa época 4 .

os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N. Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas). que também é quase desprezível. pois consome uma quantidade menor de energia e tem dimensões menores. Assim. que substitui a válvula diodo. tendo uma pequena corrente que é conduzida na ordem de microampères. sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N. Em seguida. que é quase desprezível. ocorrerá uma atração das lacunas do anodo (cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do catodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora. Possui uma queda de tensão de 0. substituindo a válvula tríodo. A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). chamada de corrente de fuga.7 V(silício). Assim. movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. A polarização é indireta quando o inverso ocorre. e possibilitando o surgimento de outros mais. surge o transistor. DIODO SEMICONDUTOR Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação. a condução de corrente elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm. A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora. e outros dispositivos que foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram. É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor. se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo.também que surge o diodo semicondutor. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total devido novamente pela presença de impurezas.3 V(germânio) e 0. 2. ocasionando no bloqueio da corrente elétrica. usado como retificador de corrente elétrica. 5 .

que inicialmente é pequena. a sua tensão de condução não é única. e consequentemente a dissipação daenergia térmica acaba por destruir o dispositivo. não sendo possível reverter o processo. Ele difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior. Qualquer diodo inversamente polarizado praticamente não conduz corrente desde que não ultrapasse a tensão de ruptura. conforme a curva não linear de corrente versus tensão. diferença é que.6 a 0. chamada de corrente de saturação. causando o efeito Joule. ou seja.5 Volts). Na realidade. mas que aumenta rapidamente. o que provoca a aproximaç o da curva na região de avalanche ao eixo vertical. o nome mais preciso seria diodo de conduç o reversa.3 DIODO ZENER   O diodo Ze e é um tipo de diodo especialme te projetado para trabalhar sob o re ime de conduç o reversa. j que há dois fenômenos envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche. a corrente inversa aumenta bruscamente (efeito de avalanche). partir desta tensão mínima começa a condução elétrica. Embora o nome diodo Zener tenha se popularizado comercialmente. No d odo Z n .3 Volts no diodo de germânio. Quando está polarizado diretamente. sendo considerada dentro da faixa de 0. ao atingir uma determinada tensão inversa. Por esse fato. existe uma pequena corrente inversa. no diodo convencional. acima datens o de ruptura da junç o PN.6 Volts no diodo de silício ou 0.7 Volts para o diodo de silício. No d odo acontece a mesma coisa. à temperatura ambiente. O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente. por outro lado. © © ¨ ¨ 6 . Isto reduz consideravelmente a tensão de ruptura e evidencia o efeito Zener que é mais notável à tens es relativamente baixas (em torno de 5. não conduzcorrente elétrica enquanto a tensão aplicada aos seus terminais for inferior a aproximadamente 0. que ocorre devido unicamente à geração de pares de elétron-lacuna na Z n © © § ¤ £ ¦ ¤ ¡ ¤ ¢ ¡ ¤ ¥ ¤ região de § carga espacial. funciona como outro diodo qualquer.

Cada diodo Zener possui uma tensão de Zener específica como. Quanto ao valor da corrente máxima admissível.ao atingir uma tensão chamada de Zener (geralmente bem menor que a tensão de ruptura de um diodo comum). mantendo constante a tensão entre os seus terminais. por exemplo. existem vários tipos de diodos. 5. 9. Por exemplo. 6.1 Volts.3 Volts. o dispositivo passa a permitir a passagem de correntes bem maiores que a de saturação inversa. 7 . O valor da corrente máxima admissível depende dessa potência e da tensão de Zener. Um dado importante na especificação do componente a ser utilizado é a potência do dispositivo. precisamente a limitar a corrente a um valor admissível. 12 Volts e 24 Volts. destinada Curva Característica Equivalente do diodo Zener no estado ligado e desligado.1 Volts. É por isso que o diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistência ligada em série. existem diodos Zener de 400 mili Watts e 1 Watt.

Cada elétron que passa do emissor para a bateria de polarização. conduz eletricidade. também positivo da bateria do emissor. da ordem de 0. o transistor PNP tem a junção emissor-base polarizada diretamente. isso gera um fluxo con tínuo de corrente. a área do coletor. um transistor é constituído pela combinação de dois diodos de junção PN. ao entrar na área da base será atraída pela área de maior tensão. enquanto a junção base coletor é polarizada inversamente. quando polarizado diretamente. o transístor substituiu a válvula diodo. apenas uma pequena parte não penetra na área da base e é atraída para o terminal positivo da bateria de polarização. Os portadores majoritários no transistor PNP são lacunas. Os elétrons do circuito externo passam para o coletor e daí para o emissor. Os elétrons que chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da bateria de polarização. o diodo. para produzir um transistor PNP. Basicamente.1 V enquanto a tensão entre base e coletor oferece um valor bem mais elevado. Uma junção PN é polarizada diretamente e a outra inversamente. Esses poucos elétrons fornecem a corrente de base. 8 . A tensão existente entre o emissor e a base possui tensão muito baixa. cerca de 97%. Como visto. O transístor PNP funciona de forma similar ao transistor do tipo NPN. a junção emissor-base do transistor deve ser polarizada diretamente. podemos aplicar uma pequena tensão de si al a fim de produzir um sinal n amplificado na saída do coletor. Os elétrons provenientes da área do emissor que chegam à área da base são solicitados por duas forças de atração: a primeira do terminal positivo da bateria do coletor e a outra do terminal do terminal. No transístor NPN. O transístor introduz uma capacidade nova. para produzir um transistor NPN e união através do material N. A corrente circula do emissor para a base. Com isso podemos notar que a grande maioria dos elétrons. que é a possibilidade de se controlar q uanto de eletricidade é conduzida. que possui um valor muito pequeno. Como ocorre no transistor NPN.4. A união desses dois componentes poderá ser feita de duas formas: união através do material P. As lacunas que penetram na área da base passam para o coletor onde serão preenchidas com elétron provenientes do terminal negativo da bateria de coletor. Cada elétron que deixa o coletor deve ser substituído e essa substituição é feita pelo emissor que também deve ter seus elétrons substituídos. por exemplo 6 V. deixa uma lacuna em seu lugar. TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR Assim como o diodo semicondutor substituiu a válvula diodo.

tendo o emissor como eletrodo comum.Configurações: a. quando a entrada é na base e a saída é no coletor. 9 .Emissor comum: Um transistor encontra-se na montagem emissor comum.

c.04 1k Amps B1 50V D1 1N4004 Modelo Real 10 . Para uma corrente de base acima de IBSAT. serve para comutação.Coletor Comum: Aqui a entrada é na base e a saída é no emissor. o transístor opera como amplificador e nas regiões de corte e saturação como chave. 5. ou seja. tendo o coletor como eletrodo comum. dessa forma a corrente de coletor será nula. Na região ativa. SIMULAÇÕES RESISTOR +0. con duzindo ou não.Por outro lado se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturação (IBSAT). Condições de Amplificação. região ativa e região de saturação. a base é o eletrodo comum.b. ou seja.Base Comum: Neste caso a base está na entrada e na saída do circuito. o transistor operará na região de saturação. Corte e Saturação: Conforme a polarização um transistor pode atuar em três regiões: região de corte. imposta de acordo com a polarização. iremos operar na região ativa. ou seja. O transistor trabalhará na região de corte caso a corrente de base seja menor ou igual a zero. circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT).

O Diodo éconsiderado uma chave simples Conclui-se.04 Amps RESISTOR B1 50V 1k +49. D1 1N4004 +0.Obs. 11 .: No modelo real o diodo conduz corrente. que cada tipo diferente de diodo apresenta sua faixa de condução.Ainda há uma queda de tensão. com a simulação.2 Volts Modelo Ideal. Neste modelo virtual a medição é que mais se aproxima do ideal. pois o sentido da polaridade é direta. como vemos na figura seguinte.

desligando-o docircuito. 12 . Seestiver usando o provador de continuidade. c) Meça a resistência ou continuidade nos dois sentidos (faça uma medida e depois outrainvertendo as pontas de prova).1 TESTE EM DIODOS 6. utilizando o IV ANALYSER que analisa os gráficos em relação a tensão x corrente. coloque em condições de funcionamento. mostraremos como fazer a prova de estado da junção de um diodo.Curva característica do Transistor TBJ Nesta simulação. foi utilizado o Multisim para desenvolvimento do gráfico da curva característica do transistor de junção bipolar NPN. a) Coloque o multímetro numa escala intermediária de resistências (x 10 ou x 100) e zere -o. -o b) Retire o diodo do circuito em que se encontra ou levante um dos seus terminais. TESTES COM MULTÍMETRO 6.1 Procedimento1: No teste inicial. 6.1.

em que essa resistência inversa ou fuga é tolerada. mas sim a resistênciavista pelo multímetro em função de sua baixa corrente de teste. de modo a se obter uma melhor condiçãode condução. Interpretação da Prova: Um diodo em bom estado deve apresentar uma baixa resistência em um sentido (polarizaçãodireta) e uma alta resistência no sentido oposto (polarização inversa).1. Existem aplicações menos críticas. como o do multímetro ilustrado na figura abaixo. 13 . basta usar essa função no teste dediodos. Nesses casos. na prova inversa. como fontes. A resistência alta deve ser superior a 1 M ohms. Nesta prova é usada uma corrente direta um pouco maior que aempregada na simples medida de resistências. Um diodo que apresente baixa resistência nos dois sentidos encontra-se em curto e altaresistência nos dois sentidos.2 Procedimento 2 (outro tipo de teste) Muitos multímetros digitais e mesmo analógicos possuem uma função de prova específica paradiodos semicondutores. Um diodo com resistência.A figura abaixo mostra como realizar essa prova usando o multímetro. entre10 000 ohms e 100 000 ohms apresenta fugas. 6. se encontra aberto. A baixa resistência pode variar entre 10 ohms e 2 000 ohms conforme o diodo e não representa aresistência que ele vai apresentar quando usado numa aplicação prática.

Procedimento a) Encaixa-se o diodo nos locais designados. Interpretação da Prova A indicação é direta.1 Teste de resistência: 14 . ou então seleciona-se a função e liga-se o diodo às pontas de prova. com fugas.2. O provador indica se o diodo está bom ou ruim (em curto. b) Verifica-se a indicação de estado dada pelo multímetro. aberto). 6.2 TESTE EM TRANSISTORES 6.

as junçõesemissor/base e coletor/baseestão.portanto. A resistênciadeve ser alta para ambas.diretamente polarizadas e. segundo Figura 01. têm resistênciabaixa. a resistência deveser alta nos dois sentidos. Na figura. 15 . as junçõesemissor/base e coletor baseestão inversamentepolarizadas. O transistor PNP opera de modo inverso.Na medição entre coletor eemissor. Na figura as junções coletor/base eemissor/base estãoinversamente polarizadas.Considerando a equivalênciapara o tipo NPN dada notópico anterior.

essasinformações são imprecisas. há necessidade de pontas de prova e instrumentos especiais. A Figura abaixo dá apenas uma orientação grosseira dos valores relativos de tensões em um transistorPNP de um circuito CC típico.resultando em resistênciabaixa. apolaridade do multímetro(agora na escala de tensão)deve ser invertida. Mas o curto citado é observado pela baixaresistência em ambos os sentidos.A resistência entre coletor eemissor é alta nos doissentidos. Lembrar que certos tipos. A tensãoentre emissor e base é emgeral bastante pequena. O instrumento podeser danificado e há risco de acidente. da mesma forma dotipo NPN. antes de retirá-lo do circuito. Para um transistor NPN. Em geral.dependem muito do circuito.2 Teste de tensão: Seria muito cômodo se. fosse possívelafirmar a condição defeituosa de um transistor. alta freqüência ou alta potência. 6.No transistor PNP da Figuraas junções coletor/base eemissor/base estãodiretamentepolarizadas. 16 . Outro aspecto importante: consideram-se apenas circuitos CC de baixa tensão e potência. podem ter diodo interno entre emissor e coletor e tambémresistência interna entre base e emissor. que podeser detectado por esses testes.servem apenas como umaforma de "suspeita" do componente. Um defeito comum em transistores de potência é curto entre coletor e emissor.2.menos de 1 V.Cuidado com circuitos de alta tensão. apenas com medições de tensões no circuito. Repetindo. Muitas vezes isso não ocorre. como os de saída horizontal detelevisores e monitores.

g/wiki/transistores BOYLESTAD. ou apresenta pequenas deficiênciasque podem comprometer o funcionamento de um circuito mais crítico..sabereletronica. 2004 y y y MALVINO. umas são mais confiáveis e mais completas do queoutras.wikipedia. NASHELSKY. São Paulo. Eletrônica: 4ª ed.br mspc. Albert Paul.br/eletrn/comptest_110. Assim. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 2006.eng.Se bem que existam técnicas simples que permitem avaliar o estado de determinadoscomponentes. também é preciso saber interpretar os resultados de um teste de modo a se ter certeza deque o componente analisado está (ou não) em bom estado. http://www. São Paulo: Pearson Prentice Hall. Louis.CONCLUSÃO É fundamental para todo profissional da Eletrônica saber como testar um componente. Robert. BIBLIOGRAFIA y y http://www. 8ª ed.shtml 17 .pt.com.

1 18 .SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO y y PROTEUS ISIS 7 MULTISIM 10.

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