UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO - UFMA CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA - CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA - DEE CURSO: ENGENHARIA

ELÉTRICA DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I PROFESSOR: NELSON CAMELO

RELATÓRIO I (DIODO, DIODO ZENER, TRANS ÍSTOR) Cristiano Jeferson da Costa Silva EE05237-72

São Luís 2010

ministrada pelo professor Nelson Camelo. referente à primeira experiência realizada em laboratório. DIODO ZENER.RELATÓRIO I (DIODO. TRANS ÍSTOR) O relatório referente seráapresentado à disciplina de Laboratório de Eletrônica I. São Luís 2010 2 .

1 TESTES DE RESISTENCIA 6.2 PROCEDIMENTO 2 (OUTRO TIPO DE TESTE) 6.1 TESTES COM DIODO 6. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR 5. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) 2. TESTES COM MULTÍMETRO 6. SIMULAÇÕES 6.1.1.2. DIODO ZENER 4.2. DIODO SEMICONDUTOR 3.2 TESTES DE TENSÃO CONCLUSÃO BIBLIOGRAFIA SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO 04 05 06 07 10 12 12 12 13 14 14 16 17 17 18 3 .2 TESTES COM TRANSISTOR 6.SUMÁRIO 1.1 PROCEDIMENTO 1 6.

a corrente elétrica deixa de circular pela carga RL. Ela foi utilizada até meados da década de 80. televisores e aparelhos de som muito antigos Porém. denominada de grade. denominada cátodo. encontrado em rádios. gerando um fluxo de elétrons (corrente elétrica ) que atinge a segunda placa polarizada positivamente. criando a possibilidade de amplificar sinais elétricos. denominada ânodo. muitos dispositivos que trabalham em frequências muito altas e que são ainda muito utilizados. era necessário desenvolver uma tecnologia para aperfeiçoar os dispositivos. É nessa época 4 . colocadas numa cápsula de vidro em vácuo. radio transmissão. as propriedades e o comportamento elétrico dos semicondutores. que investiga a estrutura. A grade passou a exercer um controle do fluxo de elétrons. conforme a figura abaixo: Invertendo-se a polarização. A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo. Na década de 40. foram as responsáveis pelo sur imento das g transmissões sem fio. isso propiciou um avanço na criação de outros dispositivos e circuitos que permitiram a execução de muitas tarefas que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época. Em meados da década de 20. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) A primeira válvula foi criada pelo cientista John AmbroseFlemming em 1904. DeForest acrescentou à válvula diodo uma terceira placa entre o cátodo e o ânodo. para isso. A válvula diodo é composta por duas placas metálicas. a teoria dos semicondutores surge como promessa tecnológica. Em 1908.1. Desenvolve-se a física do estado sólido. a busca passou a ser a de melhorar o desempenho do circuito e. Um filamento aquece uma das placas polarizada negativamente. fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente em relação ao ânodo. Esta válvula foi chamada de tríodo. derivam da válvula. sendo hoje um dispositivo raro. A partir daí.

2. e possibilitando o surgimento de outros mais. ocasionando no bloqueio da corrente elétrica. Assim. chamada de corrente de fuga.também que surge o diodo semicondutor. que também é quase desprezível. e outros dispositivos que foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram. movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. surge o transistor. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total devido novamente pela presença de impurezas. A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). ocorrerá uma atração das lacunas do anodo (cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do catodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora. Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas). Em seguida. usado como retificador de corrente elétrica. que é quase desprezível. 5 . A polarização é indireta quando o inverso ocorre. substituindo a válvula tríodo. É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor. DIODO SEMICONDUTOR Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação. a condução de corrente elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm. Assim.7 V(silício). pois consome uma quantidade menor de energia e tem dimensões menores. que substitui a válvula diodo. sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N. Possui uma queda de tensão de 0.3 V(germânio) e 0. se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo. os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N. A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora. tendo uma pequena corrente que é conduzida na ordem de microampères.

ao atingir uma determinada tensão inversa. existe uma pequena corrente inversa. j que há dois fenômenos envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche. e consequentemente a dissipação daenergia térmica acaba por destruir o dispositivo. O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente. acima datens o de ruptura da junç o PN. à temperatura ambiente. a corrente inversa aumenta bruscamente (efeito de avalanche). que ocorre devido unicamente à geração de pares de elétron-lacuna na Z n © © § ¤ £ ¦ ¤ ¡ ¤ ¢ ¡ ¤ ¥ ¤ região de § carga espacial. No d odo acontece a mesma coisa. por outro lado.6 a 0. a sua tensão de condução não é única. Embora o nome diodo Zener tenha se popularizado comercialmente.5 Volts). No d odo Z n . Isto reduz consideravelmente a tensão de ruptura e evidencia o efeito Zener que é mais notável à tens es relativamente baixas (em torno de 5. diferença é que. Na realidade.7 Volts para o diodo de silício. Quando está polarizado diretamente. causando o efeito Joule. chamada de corrente de saturação. sendo considerada dentro da faixa de 0.6 Volts no diodo de silício ou 0. Por esse fato. Ele difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior. no diodo convencional. o nome mais preciso seria diodo de conduç o reversa. partir desta tensão mínima começa a condução elétrica. mas que aumenta rapidamente. o que provoca a aproximaç o da curva na região de avalanche ao eixo vertical. não conduzcorrente elétrica enquanto a tensão aplicada aos seus terminais for inferior a aproximadamente 0. funciona como outro diodo qualquer. © © ¨ ¨ 6 . Qualquer diodo inversamente polarizado praticamente não conduz corrente desde que não ultrapasse a tensão de ruptura. ou seja. não sendo possível reverter o processo.3 DIODO ZENER   O diodo Ze e é um tipo de diodo especialme te projetado para trabalhar sob o re ime de conduç o reversa. que inicialmente é pequena. conforme a curva não linear de corrente versus tensão.3 Volts no diodo de germânio.

1 Volts. Cada diodo Zener possui uma tensão de Zener específica como. 9.1 Volts. existem diodos Zener de 400 mili Watts e 1 Watt. mantendo constante a tensão entre os seus terminais. É por isso que o diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistência ligada em série. Quanto ao valor da corrente máxima admissível. 5.ao atingir uma tensão chamada de Zener (geralmente bem menor que a tensão de ruptura de um diodo comum). o dispositivo passa a permitir a passagem de correntes bem maiores que a de saturação inversa. Um dado importante na especificação do componente a ser utilizado é a potência do dispositivo.3 Volts. por exemplo. existem vários tipos de diodos. 6. 12 Volts e 24 Volts. destinada Curva Característica Equivalente do diodo Zener no estado ligado e desligado. 7 . precisamente a limitar a corrente a um valor admissível. O valor da corrente máxima admissível depende dessa potência e da tensão de Zener. Por exemplo.

que é a possibilidade de se controlar q uanto de eletricidade é conduzida. Como visto. O transístor PNP funciona de forma similar ao transistor do tipo NPN. A tensão existente entre o emissor e a base possui tensão muito baixa. ao entrar na área da base será atraída pela área de maior tensão. Os elétrons que chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da bateria de polarização. Esses poucos elétrons fornecem a corrente de base. o transístor substituiu a válvula diodo. As lacunas que penetram na área da base passam para o coletor onde serão preenchidas com elétron provenientes do terminal negativo da bateria de coletor. podemos aplicar uma pequena tensão de si al a fim de produzir um sinal n amplificado na saída do coletor. também positivo da bateria do emissor. 8 . No transístor NPN. Como ocorre no transistor NPN. conduz eletricidade. apenas uma pequena parte não penetra na área da base e é atraída para o terminal positivo da bateria de polarização. Os portadores majoritários no transistor PNP são lacunas. a área do coletor. O transístor introduz uma capacidade nova. quando polarizado diretamente.4. A corrente circula do emissor para a base. Com isso podemos notar que a grande maioria dos elétrons. para produzir um transistor PNP. o diodo. Cada elétron que deixa o coletor deve ser substituído e essa substituição é feita pelo emissor que também deve ter seus elétrons substituídos. Cada elétron que passa do emissor para a bateria de polarização. Os elétrons provenientes da área do emissor que chegam à área da base são solicitados por duas forças de atração: a primeira do terminal positivo da bateria do coletor e a outra do terminal do terminal. o transistor PNP tem a junção emissor-base polarizada diretamente. Basicamente. TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR Assim como o diodo semicondutor substituiu a válvula diodo. que possui um valor muito pequeno. enquanto a junção base coletor é polarizada inversamente.1 V enquanto a tensão entre base e coletor oferece um valor bem mais elevado. para produzir um transistor NPN e união através do material N. por exemplo 6 V. isso gera um fluxo con tínuo de corrente. deixa uma lacuna em seu lugar. cerca de 97%. A união desses dois componentes poderá ser feita de duas formas: união através do material P. Uma junção PN é polarizada diretamente e a outra inversamente. a junção emissor-base do transistor deve ser polarizada diretamente. um transistor é constituído pela combinação de dois diodos de junção PN. Os elétrons do circuito externo passam para o coletor e daí para o emissor. da ordem de 0.

quando a entrada é na base e a saída é no coletor. 9 . tendo o emissor como eletrodo comum.Emissor comum: Um transistor encontra-se na montagem emissor comum.Configurações: a.

tendo o coletor como eletrodo comum. o transistor operará na região de saturação. Na região ativa. SIMULAÇÕES RESISTOR +0. c. dessa forma a corrente de coletor será nula.Base Comum: Neste caso a base está na entrada e na saída do circuito. iremos operar na região ativa. Condições de Amplificação. Corte e Saturação: Conforme a polarização um transistor pode atuar em três regiões: região de corte. con duzindo ou não. ou seja. O transistor trabalhará na região de corte caso a corrente de base seja menor ou igual a zero. serve para comutação. imposta de acordo com a polarização.04 1k Amps B1 50V D1 1N4004 Modelo Real 10 .b. 5.Por outro lado se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturação (IBSAT). região ativa e região de saturação. Para uma corrente de base acima de IBSAT. o transístor opera como amplificador e nas regiões de corte e saturação como chave. ou seja. ou seja. circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT). a base é o eletrodo comum.Coletor Comum: Aqui a entrada é na base e a saída é no emissor.

O Diodo éconsiderado uma chave simples Conclui-se. D1 1N4004 +0.Obs. que cada tipo diferente de diodo apresenta sua faixa de condução. Neste modelo virtual a medição é que mais se aproxima do ideal. pois o sentido da polaridade é direta. com a simulação. como vemos na figura seguinte. 11 .2 Volts Modelo Ideal.Ainda há uma queda de tensão.04 Amps RESISTOR B1 50V 1k +49.: No modelo real o diodo conduz corrente.

Curva característica do Transistor TBJ Nesta simulação. Seestiver usando o provador de continuidade.1 TESTE EM DIODOS 6. foi utilizado o Multisim para desenvolvimento do gráfico da curva característica do transistor de junção bipolar NPN. 6. a) Coloque o multímetro numa escala intermediária de resistências (x 10 ou x 100) e zere -o.1 Procedimento1: No teste inicial. 12 . desligando-o docircuito. -o b) Retire o diodo do circuito em que se encontra ou levante um dos seus terminais. utilizando o IV ANALYSER que analisa os gráficos em relação a tensão x corrente. coloque em condições de funcionamento. mostraremos como fazer a prova de estado da junção de um diodo.1. TESTES COM MULTÍMETRO 6. c) Meça a resistência ou continuidade nos dois sentidos (faça uma medida e depois outrainvertendo as pontas de prova).

como fontes. Nesta prova é usada uma corrente direta um pouco maior que aempregada na simples medida de resistências. Nesses casos. entre10 000 ohms e 100 000 ohms apresenta fugas. de modo a se obter uma melhor condiçãode condução. se encontra aberto. Existem aplicações menos críticas. 13 . 6.A figura abaixo mostra como realizar essa prova usando o multímetro.2 Procedimento 2 (outro tipo de teste) Muitos multímetros digitais e mesmo analógicos possuem uma função de prova específica paradiodos semicondutores. Um diodo que apresente baixa resistência nos dois sentidos encontra-se em curto e altaresistência nos dois sentidos.em que essa resistência inversa ou fuga é tolerada. como o do multímetro ilustrado na figura abaixo. A baixa resistência pode variar entre 10 ohms e 2 000 ohms conforme o diodo e não representa aresistência que ele vai apresentar quando usado numa aplicação prática. basta usar essa função no teste dediodos. na prova inversa. Um diodo com resistência. Interpretação da Prova: Um diodo em bom estado deve apresentar uma baixa resistência em um sentido (polarizaçãodireta) e uma alta resistência no sentido oposto (polarização inversa). A resistência alta deve ser superior a 1 M ohms. mas sim a resistênciavista pelo multímetro em função de sua baixa corrente de teste.1.

2. O provador indica se o diodo está bom ou ruim (em curto. aberto). com fugas.Procedimento a) Encaixa-se o diodo nos locais designados. ou então seleciona-se a função e liga-se o diodo às pontas de prova.1 Teste de resistência: 14 . b) Verifica-se a indicação de estado dada pelo multímetro. Interpretação da Prova A indicação é direta. 6.2 TESTE EM TRANSISTORES 6.

diretamente polarizadas e. as junçõesemissor/base e coletor/baseestão. Na figura as junções coletor/base eemissor/base estãoinversamente polarizadas.Na medição entre coletor eemissor. as junçõesemissor/base e coletor baseestão inversamentepolarizadas. Na figura.portanto. O transistor PNP opera de modo inverso. segundo Figura 01. 15 . têm resistênciabaixa.Considerando a equivalênciapara o tipo NPN dada notópico anterior. a resistência deveser alta nos dois sentidos. A resistênciadeve ser alta para ambas.

podem ter diodo interno entre emissor e coletor e tambémresistência interna entre base e emissor. apenas com medições de tensões no circuito. fosse possívelafirmar a condição defeituosa de um transistor. Mas o curto citado é observado pela baixaresistência em ambos os sentidos.No transistor PNP da Figuraas junções coletor/base eemissor/base estãodiretamentepolarizadas.2 Teste de tensão: Seria muito cômodo se. há necessidade de pontas de prova e instrumentos especiais.menos de 1 V. Um defeito comum em transistores de potência é curto entre coletor e emissor.resultando em resistênciabaixa.servem apenas como umaforma de "suspeita" do componente. Muitas vezes isso não ocorre. antes de retirá-lo do circuito. essasinformações são imprecisas. Lembrar que certos tipos. Repetindo. O instrumento podeser danificado e há risco de acidente. apolaridade do multímetro(agora na escala de tensão)deve ser invertida. A Figura abaixo dá apenas uma orientação grosseira dos valores relativos de tensões em um transistorPNP de um circuito CC típico. como os de saída horizontal detelevisores e monitores. da mesma forma dotipo NPN. alta freqüência ou alta potência.dependem muito do circuito.2.A resistência entre coletor eemissor é alta nos doissentidos. A tensãoentre emissor e base é emgeral bastante pequena. que podeser detectado por esses testes. 6.Cuidado com circuitos de alta tensão. Para um transistor NPN. Outro aspecto importante: consideram-se apenas circuitos CC de baixa tensão e potência. Em geral. 16 .

2006. Albert Paul. São Paulo: Pearson Prentice Hall. BIBLIOGRAFIA y y http://www.com..br mspc.shtml 17 .eng. NASHELSKY. Louis.wikipedia.CONCLUSÃO É fundamental para todo profissional da Eletrônica saber como testar um componente. 2004 y y y MALVINO.pt. São Paulo.g/wiki/transistores BOYLESTAD.Se bem que existam técnicas simples que permitem avaliar o estado de determinadoscomponentes. também é preciso saber interpretar os resultados de um teste de modo a se ter certeza deque o componente analisado está (ou não) em bom estado.sabereletronica. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. umas são mais confiáveis e mais completas do queoutras. ou apresenta pequenas deficiênciasque podem comprometer o funcionamento de um circuito mais crítico.br/eletrn/comptest_110. Assim. Eletrônica: 4ª ed. Robert. 8ª ed. http://www.

1 18 .SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO y y PROTEUS ISIS 7 MULTISIM 10.