UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO - UFMA CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA - CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA - DEE CURSO: ENGENHARIA

ELÉTRICA DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I PROFESSOR: NELSON CAMELO

RELATÓRIO I (DIODO, DIODO ZENER, TRANS ÍSTOR) Cristiano Jeferson da Costa Silva EE05237-72

São Luís 2010

DIODO ZENER. referente à primeira experiência realizada em laboratório. São Luís 2010 2 . ministrada pelo professor Nelson Camelo. TRANS ÍSTOR) O relatório referente seráapresentado à disciplina de Laboratório de Eletrônica I.RELATÓRIO I (DIODO.

TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR 5. SIMULAÇÕES 6.2.2 TESTES DE TENSÃO CONCLUSÃO BIBLIOGRAFIA SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO 04 05 06 07 10 12 12 12 13 14 14 16 17 17 18 3 . INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) 2.1 PROCEDIMENTO 1 6. DIODO ZENER 4. DIODO SEMICONDUTOR 3.2.2 PROCEDIMENTO 2 (OUTRO TIPO DE TESTE) 6.2 TESTES COM TRANSISTOR 6.1 TESTES DE RESISTENCIA 6.SUMÁRIO 1.1.1.1 TESTES COM DIODO 6. TESTES COM MULTÍMETRO 6.

era necessário desenvolver uma tecnologia para aperfeiçoar os dispositivos.1. A partir daí. DeForest acrescentou à válvula diodo uma terceira placa entre o cátodo e o ânodo. encontrado em rádios. colocadas numa cápsula de vidro em vácuo. as propriedades e o comportamento elétrico dos semicondutores. a busca passou a ser a de melhorar o desempenho do circuito e. isso propiciou um avanço na criação de outros dispositivos e circuitos que permitiram a execução de muitas tarefas que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época. Esta válvula foi chamada de tríodo. conforme a figura abaixo: Invertendo-se a polarização. denominada de grade. fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente em relação ao ânodo. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) A primeira válvula foi criada pelo cientista John AmbroseFlemming em 1904. sendo hoje um dispositivo raro. Em 1908. A grade passou a exercer um controle do fluxo de elétrons. para isso. a corrente elétrica deixa de circular pela carga RL. A válvula diodo é composta por duas placas metálicas. denominada cátodo. que investiga a estrutura. Desenvolve-se a física do estado sólido. Um filamento aquece uma das placas polarizada negativamente. denominada ânodo. É nessa época 4 . Ela foi utilizada até meados da década de 80. radio transmissão. criando a possibilidade de amplificar sinais elétricos. A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo. Em meados da década de 20. derivam da válvula. gerando um fluxo de elétrons (corrente elétrica ) que atinge a segunda placa polarizada positivamente. televisores e aparelhos de som muito antigos Porém. a teoria dos semicondutores surge como promessa tecnológica. foram as responsáveis pelo sur imento das g transmissões sem fio. muitos dispositivos que trabalham em frequências muito altas e que são ainda muito utilizados. Na década de 40.

Assim. pois consome uma quantidade menor de energia e tem dimensões menores. É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor.3 V(germânio) e 0. e outros dispositivos que foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram. que é quase desprezível. ocasionando no bloqueio da corrente elétrica. surge o transistor. e possibilitando o surgimento de outros mais. ocorrerá uma atração das lacunas do anodo (cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do catodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora. A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora.7 V(silício). Assim. Possui uma queda de tensão de 0. sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N. movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total devido novamente pela presença de impurezas.também que surge o diodo semicondutor. que substitui a válvula diodo. tendo uma pequena corrente que é conduzida na ordem de microampères. substituindo a válvula tríodo. a condução de corrente elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm. usado como retificador de corrente elétrica. Em seguida. 2. 5 . chamada de corrente de fuga. DIODO SEMICONDUTOR Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação. Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas). se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo. que também é quase desprezível. os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N. A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). A polarização é indireta quando o inverso ocorre.

j que há dois fenômenos envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche. não conduzcorrente elétrica enquanto a tensão aplicada aos seus terminais for inferior a aproximadamente 0. existe uma pequena corrente inversa. diferença é que. no diodo convencional. por outro lado. © © ¨ ¨ 6 . No d odo Z n . Embora o nome diodo Zener tenha se popularizado comercialmente. o nome mais preciso seria diodo de conduç o reversa. Por esse fato. No d odo acontece a mesma coisa.6 a 0. Isto reduz consideravelmente a tensão de ruptura e evidencia o efeito Zener que é mais notável à tens es relativamente baixas (em torno de 5.3 Volts no diodo de germânio. a corrente inversa aumenta bruscamente (efeito de avalanche). partir desta tensão mínima começa a condução elétrica. Na realidade. causando o efeito Joule. que inicialmente é pequena. Qualquer diodo inversamente polarizado praticamente não conduz corrente desde que não ultrapasse a tensão de ruptura. à temperatura ambiente. que ocorre devido unicamente à geração de pares de elétron-lacuna na Z n © © § ¤ £ ¦ ¤ ¡ ¤ ¢ ¡ ¤ ¥ ¤ região de § carga espacial. conforme a curva não linear de corrente versus tensão. o que provoca a aproximaç o da curva na região de avalanche ao eixo vertical. a sua tensão de condução não é única. Quando está polarizado diretamente. não sendo possível reverter o processo. O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente.7 Volts para o diodo de silício. e consequentemente a dissipação daenergia térmica acaba por destruir o dispositivo. ou seja. ao atingir uma determinada tensão inversa. sendo considerada dentro da faixa de 0. mas que aumenta rapidamente. funciona como outro diodo qualquer.3 DIODO ZENER   O diodo Ze e é um tipo de diodo especialme te projetado para trabalhar sob o re ime de conduç o reversa. chamada de corrente de saturação.6 Volts no diodo de silício ou 0. Ele difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior.5 Volts). acima datens o de ruptura da junç o PN.

3 Volts.1 Volts. O valor da corrente máxima admissível depende dessa potência e da tensão de Zener. existem diodos Zener de 400 mili Watts e 1 Watt. 5. Por exemplo. precisamente a limitar a corrente a um valor admissível. Quanto ao valor da corrente máxima admissível. mantendo constante a tensão entre os seus terminais. 6. 7 .1 Volts. 9. Um dado importante na especificação do componente a ser utilizado é a potência do dispositivo. 12 Volts e 24 Volts. destinada Curva Característica Equivalente do diodo Zener no estado ligado e desligado. por exemplo. Cada diodo Zener possui uma tensão de Zener específica como. É por isso que o diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistência ligada em série.ao atingir uma tensão chamada de Zener (geralmente bem menor que a tensão de ruptura de um diodo comum). existem vários tipos de diodos. o dispositivo passa a permitir a passagem de correntes bem maiores que a de saturação inversa.

8 . O transístor PNP funciona de forma similar ao transistor do tipo NPN. Os elétrons provenientes da área do emissor que chegam à área da base são solicitados por duas forças de atração: a primeira do terminal positivo da bateria do coletor e a outra do terminal do terminal. Os elétrons do circuito externo passam para o coletor e daí para o emissor. por exemplo 6 V. O transístor introduz uma capacidade nova. que é a possibilidade de se controlar q uanto de eletricidade é conduzida.4. para produzir um transistor NPN e união através do material N. TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR Assim como o diodo semicondutor substituiu a válvula diodo. podemos aplicar uma pequena tensão de si al a fim de produzir um sinal n amplificado na saída do coletor. Os portadores majoritários no transistor PNP são lacunas. o transistor PNP tem a junção emissor-base polarizada diretamente. a junção emissor-base do transistor deve ser polarizada diretamente. isso gera um fluxo con tínuo de corrente. Os elétrons que chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da bateria de polarização. A corrente circula do emissor para a base. que possui um valor muito pequeno. o diodo. Como ocorre no transistor NPN. a área do coletor. Cada elétron que passa do emissor para a bateria de polarização. A união desses dois componentes poderá ser feita de duas formas: união através do material P. As lacunas que penetram na área da base passam para o coletor onde serão preenchidas com elétron provenientes do terminal negativo da bateria de coletor.1 V enquanto a tensão entre base e coletor oferece um valor bem mais elevado. Esses poucos elétrons fornecem a corrente de base. quando polarizado diretamente. conduz eletricidade. deixa uma lacuna em seu lugar. da ordem de 0. apenas uma pequena parte não penetra na área da base e é atraída para o terminal positivo da bateria de polarização. Como visto. ao entrar na área da base será atraída pela área de maior tensão. também positivo da bateria do emissor. um transistor é constituído pela combinação de dois diodos de junção PN. Uma junção PN é polarizada diretamente e a outra inversamente. A tensão existente entre o emissor e a base possui tensão muito baixa. enquanto a junção base coletor é polarizada inversamente. Basicamente. cerca de 97%. o transístor substituiu a válvula diodo. Com isso podemos notar que a grande maioria dos elétrons. No transístor NPN. para produzir um transistor PNP. Cada elétron que deixa o coletor deve ser substituído e essa substituição é feita pelo emissor que também deve ter seus elétrons substituídos.

Emissor comum: Um transistor encontra-se na montagem emissor comum. tendo o emissor como eletrodo comum. 9 . quando a entrada é na base e a saída é no coletor.Configurações: a.

tendo o coletor como eletrodo comum. ou seja. serve para comutação. Corte e Saturação: Conforme a polarização um transistor pode atuar em três regiões: região de corte. dessa forma a corrente de coletor será nula. Condições de Amplificação. O transistor trabalhará na região de corte caso a corrente de base seja menor ou igual a zero. ou seja.Base Comum: Neste caso a base está na entrada e na saída do circuito. o transistor operará na região de saturação. Para uma corrente de base acima de IBSAT. Na região ativa. imposta de acordo com a polarização. o transístor opera como amplificador e nas regiões de corte e saturação como chave.04 1k Amps B1 50V D1 1N4004 Modelo Real 10 . ou seja.Por outro lado se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturação (IBSAT). região ativa e região de saturação. circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT). 5. SIMULAÇÕES RESISTOR +0. a base é o eletrodo comum. c.Coletor Comum: Aqui a entrada é na base e a saída é no emissor. iremos operar na região ativa. con duzindo ou não.b.

Neste modelo virtual a medição é que mais se aproxima do ideal.Obs. como vemos na figura seguinte.Ainda há uma queda de tensão.04 Amps RESISTOR B1 50V 1k +49. 11 . pois o sentido da polaridade é direta. O Diodo éconsiderado uma chave simples Conclui-se. D1 1N4004 +0.: No modelo real o diodo conduz corrente. com a simulação.2 Volts Modelo Ideal. que cada tipo diferente de diodo apresenta sua faixa de condução.

-o b) Retire o diodo do circuito em que se encontra ou levante um dos seus terminais. coloque em condições de funcionamento. mostraremos como fazer a prova de estado da junção de um diodo. desligando-o docircuito. 6.1. foi utilizado o Multisim para desenvolvimento do gráfico da curva característica do transistor de junção bipolar NPN. Seestiver usando o provador de continuidade. 12 . utilizando o IV ANALYSER que analisa os gráficos em relação a tensão x corrente. c) Meça a resistência ou continuidade nos dois sentidos (faça uma medida e depois outrainvertendo as pontas de prova). TESTES COM MULTÍMETRO 6.1 TESTE EM DIODOS 6. a) Coloque o multímetro numa escala intermediária de resistências (x 10 ou x 100) e zere -o.Curva característica do Transistor TBJ Nesta simulação.1 Procedimento1: No teste inicial.

na prova inversa. basta usar essa função no teste dediodos.A figura abaixo mostra como realizar essa prova usando o multímetro. entre10 000 ohms e 100 000 ohms apresenta fugas. Interpretação da Prova: Um diodo em bom estado deve apresentar uma baixa resistência em um sentido (polarizaçãodireta) e uma alta resistência no sentido oposto (polarização inversa). de modo a se obter uma melhor condiçãode condução.2 Procedimento 2 (outro tipo de teste) Muitos multímetros digitais e mesmo analógicos possuem uma função de prova específica paradiodos semicondutores. Um diodo com resistência. Existem aplicações menos críticas. Nesses casos. 13 . Um diodo que apresente baixa resistência nos dois sentidos encontra-se em curto e altaresistência nos dois sentidos. 6. como o do multímetro ilustrado na figura abaixo. mas sim a resistênciavista pelo multímetro em função de sua baixa corrente de teste.em que essa resistência inversa ou fuga é tolerada. como fontes. Nesta prova é usada uma corrente direta um pouco maior que aempregada na simples medida de resistências.1. A baixa resistência pode variar entre 10 ohms e 2 000 ohms conforme o diodo e não representa aresistência que ele vai apresentar quando usado numa aplicação prática. A resistência alta deve ser superior a 1 M ohms. se encontra aberto.

Procedimento a) Encaixa-se o diodo nos locais designados. ou então seleciona-se a função e liga-se o diodo às pontas de prova.2. b) Verifica-se a indicação de estado dada pelo multímetro. Interpretação da Prova A indicação é direta. com fugas.2 TESTE EM TRANSISTORES 6.1 Teste de resistência: 14 . O provador indica se o diodo está bom ou ruim (em curto. aberto). 6.

15 .Considerando a equivalênciapara o tipo NPN dada notópico anterior. a resistência deveser alta nos dois sentidos.portanto. têm resistênciabaixa.diretamente polarizadas e.Na medição entre coletor eemissor. segundo Figura 01. A resistênciadeve ser alta para ambas. as junçõesemissor/base e coletor/baseestão. O transistor PNP opera de modo inverso. as junçõesemissor/base e coletor baseestão inversamentepolarizadas. Na figura as junções coletor/base eemissor/base estãoinversamente polarizadas. Na figura.

6. antes de retirá-lo do circuito. Um defeito comum em transistores de potência é curto entre coletor e emissor.menos de 1 V.2. essasinformações são imprecisas. A tensãoentre emissor e base é emgeral bastante pequena.Cuidado com circuitos de alta tensão. que podeser detectado por esses testes. O instrumento podeser danificado e há risco de acidente. Em geral. Outro aspecto importante: consideram-se apenas circuitos CC de baixa tensão e potência.dependem muito do circuito. Repetindo. A Figura abaixo dá apenas uma orientação grosseira dos valores relativos de tensões em um transistorPNP de um circuito CC típico. podem ter diodo interno entre emissor e coletor e tambémresistência interna entre base e emissor.servem apenas como umaforma de "suspeita" do componente. apenas com medições de tensões no circuito. Lembrar que certos tipos. como os de saída horizontal detelevisores e monitores. apolaridade do multímetro(agora na escala de tensão)deve ser invertida. Para um transistor NPN. Mas o curto citado é observado pela baixaresistência em ambos os sentidos. há necessidade de pontas de prova e instrumentos especiais. fosse possívelafirmar a condição defeituosa de um transistor. da mesma forma dotipo NPN.resultando em resistênciabaixa. alta freqüência ou alta potência. 16 . Muitas vezes isso não ocorre.A resistência entre coletor eemissor é alta nos doissentidos.2 Teste de tensão: Seria muito cômodo se.No transistor PNP da Figuraas junções coletor/base eemissor/base estãodiretamentepolarizadas.

umas são mais confiáveis e mais completas do queoutras.shtml 17 . também é preciso saber interpretar os resultados de um teste de modo a se ter certeza deque o componente analisado está (ou não) em bom estado. ou apresenta pequenas deficiênciasque podem comprometer o funcionamento de um circuito mais crítico. São Paulo.sabereletronica..CONCLUSÃO É fundamental para todo profissional da Eletrônica saber como testar um componente. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. Albert Paul. NASHELSKY.pt. Robert. 8ª ed. BIBLIOGRAFIA y y http://www. http://www. Louis. 2006. São Paulo: Pearson Prentice Hall. Eletrônica: 4ª ed.com. 2004 y y y MALVINO.g/wiki/transistores BOYLESTAD.Se bem que existam técnicas simples que permitem avaliar o estado de determinadoscomponentes.eng.br/eletrn/comptest_110.wikipedia.br mspc. Assim.

SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO y y PROTEUS ISIS 7 MULTISIM 10.1 18 .

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