UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO - UFMA CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA - CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA - DEE CURSO: ENGENHARIA

ELÉTRICA DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I PROFESSOR: NELSON CAMELO

RELATÓRIO I (DIODO, DIODO ZENER, TRANS ÍSTOR) Cristiano Jeferson da Costa Silva EE05237-72

São Luís 2010

TRANS ÍSTOR) O relatório referente seráapresentado à disciplina de Laboratório de Eletrônica I. ministrada pelo professor Nelson Camelo. São Luís 2010 2 .RELATÓRIO I (DIODO. DIODO ZENER. referente à primeira experiência realizada em laboratório.

TESTES COM MULTÍMETRO 6.2 PROCEDIMENTO 2 (OUTRO TIPO DE TESTE) 6. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) 2.1.2. DIODO ZENER 4. SIMULAÇÕES 6.1 TESTES COM DIODO 6.2.1.1 PROCEDIMENTO 1 6. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR 5.2 TESTES DE TENSÃO CONCLUSÃO BIBLIOGRAFIA SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO 04 05 06 07 10 12 12 12 13 14 14 16 17 17 18 3 .1 TESTES DE RESISTENCIA 6. DIODO SEMICONDUTOR 3.2 TESTES COM TRANSISTOR 6.SUMÁRIO 1.

era necessário desenvolver uma tecnologia para aperfeiçoar os dispositivos. criando a possibilidade de amplificar sinais elétricos. gerando um fluxo de elétrons (corrente elétrica ) que atinge a segunda placa polarizada positivamente. foram as responsáveis pelo sur imento das g transmissões sem fio. A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo. A válvula diodo é composta por duas placas metálicas. encontrado em rádios. Em meados da década de 20. Em 1908. denominada ânodo. as propriedades e o comportamento elétrico dos semicondutores. A grade passou a exercer um controle do fluxo de elétrons. fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente em relação ao ânodo. radio transmissão. É nessa época 4 . Esta válvula foi chamada de tríodo. a teoria dos semicondutores surge como promessa tecnológica. a corrente elétrica deixa de circular pela carga RL. A partir daí. que investiga a estrutura. televisores e aparelhos de som muito antigos Porém. conforme a figura abaixo: Invertendo-se a polarização. denominada de grade. DeForest acrescentou à válvula diodo uma terceira placa entre o cátodo e o ânodo. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) A primeira válvula foi criada pelo cientista John AmbroseFlemming em 1904. denominada cátodo. isso propiciou um avanço na criação de outros dispositivos e circuitos que permitiram a execução de muitas tarefas que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época. Desenvolve-se a física do estado sólido. Na década de 40. derivam da válvula.1. sendo hoje um dispositivo raro. Ela foi utilizada até meados da década de 80. colocadas numa cápsula de vidro em vácuo. para isso. a busca passou a ser a de melhorar o desempenho do circuito e. muitos dispositivos que trabalham em frequências muito altas e que são ainda muito utilizados. Um filamento aquece uma das placas polarizada negativamente.

7 V(silício).também que surge o diodo semicondutor. que é quase desprezível. ocorrerá uma atração das lacunas do anodo (cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do catodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora. A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora. e outros dispositivos que foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram. os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N. surge o transistor. É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor. Em seguida. ocasionando no bloqueio da corrente elétrica. tendo uma pequena corrente que é conduzida na ordem de microampères. A polarização é indireta quando o inverso ocorre. chamada de corrente de fuga. se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo. pois consome uma quantidade menor de energia e tem dimensões menores. 2. Possui uma queda de tensão de 0. A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). e possibilitando o surgimento de outros mais. Assim. que também é quase desprezível. substituindo a válvula tríodo. a condução de corrente elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm. movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. usado como retificador de corrente elétrica.3 V(germânio) e 0. DIODO SEMICONDUTOR Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação. Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas). 5 . O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total devido novamente pela presença de impurezas. sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N. que substitui a válvula diodo. Assim.

ou seja. ao atingir uma determinada tensão inversa. no diodo convencional. partir desta tensão mínima começa a condução elétrica. No d odo acontece a mesma coisa. por outro lado. conforme a curva não linear de corrente versus tensão. que inicialmente é pequena.3 Volts no diodo de germânio. mas que aumenta rapidamente. o nome mais preciso seria diodo de conduç o reversa. Quando está polarizado diretamente. No d odo Z n .3 DIODO ZENER   O diodo Ze e é um tipo de diodo especialme te projetado para trabalhar sob o re ime de conduç o reversa. que ocorre devido unicamente à geração de pares de elétron-lacuna na Z n © © § ¤ £ ¦ ¤ ¡ ¤ ¢ ¡ ¤ ¥ ¤ região de § carga espacial. e consequentemente a dissipação daenergia térmica acaba por destruir o dispositivo. causando o efeito Joule. j que há dois fenômenos envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche. Na realidade. acima datens o de ruptura da junç o PN. Embora o nome diodo Zener tenha se popularizado comercialmente. Qualquer diodo inversamente polarizado praticamente não conduz corrente desde que não ultrapasse a tensão de ruptura. não sendo possível reverter o processo. sendo considerada dentro da faixa de 0. Isto reduz consideravelmente a tensão de ruptura e evidencia o efeito Zener que é mais notável à tens es relativamente baixas (em torno de 5.6 Volts no diodo de silício ou 0. O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente. à temperatura ambiente. © © ¨ ¨ 6 . chamada de corrente de saturação. não conduzcorrente elétrica enquanto a tensão aplicada aos seus terminais for inferior a aproximadamente 0.5 Volts).6 a 0. o que provoca a aproximaç o da curva na região de avalanche ao eixo vertical. funciona como outro diodo qualquer. Por esse fato. a sua tensão de condução não é única. diferença é que. Ele difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior. existe uma pequena corrente inversa. a corrente inversa aumenta bruscamente (efeito de avalanche).7 Volts para o diodo de silício.

mantendo constante a tensão entre os seus terminais. destinada Curva Característica Equivalente do diodo Zener no estado ligado e desligado.1 Volts. existem diodos Zener de 400 mili Watts e 1 Watt. precisamente a limitar a corrente a um valor admissível. existem vários tipos de diodos.ao atingir uma tensão chamada de Zener (geralmente bem menor que a tensão de ruptura de um diodo comum). Por exemplo. O valor da corrente máxima admissível depende dessa potência e da tensão de Zener. por exemplo. Um dado importante na especificação do componente a ser utilizado é a potência do dispositivo.1 Volts. Cada diodo Zener possui uma tensão de Zener específica como.3 Volts. 9. É por isso que o diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistência ligada em série. 6. o dispositivo passa a permitir a passagem de correntes bem maiores que a de saturação inversa. 12 Volts e 24 Volts. Quanto ao valor da corrente máxima admissível. 5. 7 .

ao entrar na área da base será atraída pela área de maior tensão. que é a possibilidade de se controlar q uanto de eletricidade é conduzida. também positivo da bateria do emissor. O transístor PNP funciona de forma similar ao transistor do tipo NPN. Os portadores majoritários no transistor PNP são lacunas. apenas uma pequena parte não penetra na área da base e é atraída para o terminal positivo da bateria de polarização. a junção emissor-base do transistor deve ser polarizada diretamente. podemos aplicar uma pequena tensão de si al a fim de produzir um sinal n amplificado na saída do coletor. A corrente circula do emissor para a base.4. Os elétrons do circuito externo passam para o coletor e daí para o emissor. da ordem de 0. o diodo. A união desses dois componentes poderá ser feita de duas formas: união através do material P. As lacunas que penetram na área da base passam para o coletor onde serão preenchidas com elétron provenientes do terminal negativo da bateria de coletor. quando polarizado diretamente. Como visto. a área do coletor. O transístor introduz uma capacidade nova. Basicamente. Cada elétron que passa do emissor para a bateria de polarização. conduz eletricidade. Como ocorre no transistor NPN. deixa uma lacuna em seu lugar. para produzir um transistor PNP. Os elétrons provenientes da área do emissor que chegam à área da base são solicitados por duas forças de atração: a primeira do terminal positivo da bateria do coletor e a outra do terminal do terminal. TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR Assim como o diodo semicondutor substituiu a válvula diodo. o transistor PNP tem a junção emissor-base polarizada diretamente. por exemplo 6 V. para produzir um transistor NPN e união através do material N. um transistor é constituído pela combinação de dois diodos de junção PN. enquanto a junção base coletor é polarizada inversamente. 8 . cerca de 97%. Cada elétron que deixa o coletor deve ser substituído e essa substituição é feita pelo emissor que também deve ter seus elétrons substituídos.1 V enquanto a tensão entre base e coletor oferece um valor bem mais elevado. A tensão existente entre o emissor e a base possui tensão muito baixa. Uma junção PN é polarizada diretamente e a outra inversamente. o transístor substituiu a válvula diodo. isso gera um fluxo con tínuo de corrente. Esses poucos elétrons fornecem a corrente de base. que possui um valor muito pequeno. Com isso podemos notar que a grande maioria dos elétrons. No transístor NPN. Os elétrons que chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da bateria de polarização.

Emissor comum: Um transistor encontra-se na montagem emissor comum.Configurações: a. 9 . tendo o emissor como eletrodo comum. quando a entrada é na base e a saída é no coletor.

Na região ativa. região ativa e região de saturação. Para uma corrente de base acima de IBSAT. Condições de Amplificação. tendo o coletor como eletrodo comum. o transistor operará na região de saturação. 5. ou seja.Coletor Comum: Aqui a entrada é na base e a saída é no emissor. imposta de acordo com a polarização.04 1k Amps B1 50V D1 1N4004 Modelo Real 10 . iremos operar na região ativa. O transistor trabalhará na região de corte caso a corrente de base seja menor ou igual a zero. serve para comutação. o transístor opera como amplificador e nas regiões de corte e saturação como chave. c. ou seja. circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT).Base Comum: Neste caso a base está na entrada e na saída do circuito. a base é o eletrodo comum.b. con duzindo ou não. SIMULAÇÕES RESISTOR +0.Por outro lado se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturação (IBSAT). ou seja. dessa forma a corrente de coletor será nula. Corte e Saturação: Conforme a polarização um transistor pode atuar em três regiões: região de corte.

Ainda há uma queda de tensão.: No modelo real o diodo conduz corrente. com a simulação. O Diodo éconsiderado uma chave simples Conclui-se. 11 . pois o sentido da polaridade é direta.Obs.2 Volts Modelo Ideal. que cada tipo diferente de diodo apresenta sua faixa de condução.04 Amps RESISTOR B1 50V 1k +49. como vemos na figura seguinte. D1 1N4004 +0. Neste modelo virtual a medição é que mais se aproxima do ideal.

a) Coloque o multímetro numa escala intermediária de resistências (x 10 ou x 100) e zere -o. utilizando o IV ANALYSER que analisa os gráficos em relação a tensão x corrente. 12 .1 TESTE EM DIODOS 6. coloque em condições de funcionamento.1. -o b) Retire o diodo do circuito em que se encontra ou levante um dos seus terminais. 6. Seestiver usando o provador de continuidade.1 Procedimento1: No teste inicial. foi utilizado o Multisim para desenvolvimento do gráfico da curva característica do transistor de junção bipolar NPN. TESTES COM MULTÍMETRO 6. mostraremos como fazer a prova de estado da junção de um diodo.Curva característica do Transistor TBJ Nesta simulação. c) Meça a resistência ou continuidade nos dois sentidos (faça uma medida e depois outrainvertendo as pontas de prova). desligando-o docircuito.

Um diodo com resistência. como fontes. mas sim a resistênciavista pelo multímetro em função de sua baixa corrente de teste.1. Nesta prova é usada uma corrente direta um pouco maior que aempregada na simples medida de resistências. Existem aplicações menos críticas. Nesses casos. Interpretação da Prova: Um diodo em bom estado deve apresentar uma baixa resistência em um sentido (polarizaçãodireta) e uma alta resistência no sentido oposto (polarização inversa). entre10 000 ohms e 100 000 ohms apresenta fugas. A resistência alta deve ser superior a 1 M ohms. na prova inversa. Um diodo que apresente baixa resistência nos dois sentidos encontra-se em curto e altaresistência nos dois sentidos. como o do multímetro ilustrado na figura abaixo. 13 . se encontra aberto.2 Procedimento 2 (outro tipo de teste) Muitos multímetros digitais e mesmo analógicos possuem uma função de prova específica paradiodos semicondutores. basta usar essa função no teste dediodos.em que essa resistência inversa ou fuga é tolerada. 6. A baixa resistência pode variar entre 10 ohms e 2 000 ohms conforme o diodo e não representa aresistência que ele vai apresentar quando usado numa aplicação prática. de modo a se obter uma melhor condiçãode condução.A figura abaixo mostra como realizar essa prova usando o multímetro.

2. O provador indica se o diodo está bom ou ruim (em curto. ou então seleciona-se a função e liga-se o diodo às pontas de prova.1 Teste de resistência: 14 .Procedimento a) Encaixa-se o diodo nos locais designados. aberto).2 TESTE EM TRANSISTORES 6. b) Verifica-se a indicação de estado dada pelo multímetro. Interpretação da Prova A indicação é direta. com fugas. 6.

têm resistênciabaixa.Considerando a equivalênciapara o tipo NPN dada notópico anterior. Na figura.Na medição entre coletor eemissor. as junçõesemissor/base e coletor baseestão inversamentepolarizadas. O transistor PNP opera de modo inverso. A resistênciadeve ser alta para ambas. segundo Figura 01. 15 . a resistência deveser alta nos dois sentidos.diretamente polarizadas e. Na figura as junções coletor/base eemissor/base estãoinversamente polarizadas.portanto. as junçõesemissor/base e coletor/baseestão.

há necessidade de pontas de prova e instrumentos especiais.servem apenas como umaforma de "suspeita" do componente. da mesma forma dotipo NPN.resultando em resistênciabaixa. Outro aspecto importante: consideram-se apenas circuitos CC de baixa tensão e potência. Em geral. Um defeito comum em transistores de potência é curto entre coletor e emissor.menos de 1 V. podem ter diodo interno entre emissor e coletor e tambémresistência interna entre base e emissor. apolaridade do multímetro(agora na escala de tensão)deve ser invertida.2. Lembrar que certos tipos. O instrumento podeser danificado e há risco de acidente.2 Teste de tensão: Seria muito cômodo se.dependem muito do circuito. essasinformações são imprecisas. A Figura abaixo dá apenas uma orientação grosseira dos valores relativos de tensões em um transistorPNP de um circuito CC típico. que podeser detectado por esses testes. Para um transistor NPN. como os de saída horizontal detelevisores e monitores. alta freqüência ou alta potência.No transistor PNP da Figuraas junções coletor/base eemissor/base estãodiretamentepolarizadas. A tensãoentre emissor e base é emgeral bastante pequena. 6. antes de retirá-lo do circuito. apenas com medições de tensões no circuito.Cuidado com circuitos de alta tensão. 16 . Mas o curto citado é observado pela baixaresistência em ambos os sentidos.A resistência entre coletor eemissor é alta nos doissentidos. fosse possívelafirmar a condição defeituosa de um transistor. Repetindo. Muitas vezes isso não ocorre.

br mspc. São Paulo: Pearson Prentice Hall. 2006.g/wiki/transistores BOYLESTAD. 2004 y y y MALVINO. Albert Paul. Louis. BIBLIOGRAFIA y y http://www.Se bem que existam técnicas simples que permitem avaliar o estado de determinadoscomponentes.wikipedia.com. Robert. São Paulo. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. ou apresenta pequenas deficiênciasque podem comprometer o funcionamento de um circuito mais crítico.br/eletrn/comptest_110.shtml 17 . Assim.eng.sabereletronica. 8ª ed. NASHELSKY. umas são mais confiáveis e mais completas do queoutras.pt..CONCLUSÃO É fundamental para todo profissional da Eletrônica saber como testar um componente. Eletrônica: 4ª ed. também é preciso saber interpretar os resultados de um teste de modo a se ter certeza deque o componente analisado está (ou não) em bom estado. http://www.

SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO y y PROTEUS ISIS 7 MULTISIM 10.1 18 .

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