UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO - UFMA CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA - CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA - DEE CURSO: ENGENHARIA

ELÉTRICA DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I PROFESSOR: NELSON CAMELO

RELATÓRIO I (DIODO, DIODO ZENER, TRANS ÍSTOR) Cristiano Jeferson da Costa Silva EE05237-72

São Luís 2010

São Luís 2010 2 . TRANS ÍSTOR) O relatório referente seráapresentado à disciplina de Laboratório de Eletrônica I. referente à primeira experiência realizada em laboratório. ministrada pelo professor Nelson Camelo.RELATÓRIO I (DIODO. DIODO ZENER.

SIMULAÇÕES 6.1 TESTES COM DIODO 6.SUMÁRIO 1.1.2.1 TESTES DE RESISTENCIA 6.2 TESTES COM TRANSISTOR 6.1. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR 5.2 PROCEDIMENTO 2 (OUTRO TIPO DE TESTE) 6.1 PROCEDIMENTO 1 6.2. TESTES COM MULTÍMETRO 6. DIODO ZENER 4.2 TESTES DE TENSÃO CONCLUSÃO BIBLIOGRAFIA SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO 04 05 06 07 10 12 12 12 13 14 14 16 17 17 18 3 . INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) 2. DIODO SEMICONDUTOR 3.

denominada de grade. A partir daí. que investiga a estrutura. Na década de 40. Desenvolve-se a física do estado sólido. A válvula diodo é composta por duas placas metálicas. encontrado em rádios. era necessário desenvolver uma tecnologia para aperfeiçoar os dispositivos. criando a possibilidade de amplificar sinais elétricos. denominada cátodo. sendo hoje um dispositivo raro. DeForest acrescentou à válvula diodo uma terceira placa entre o cátodo e o ânodo. gerando um fluxo de elétrons (corrente elétrica ) que atinge a segunda placa polarizada positivamente. para isso. radio transmissão. Ela foi utilizada até meados da década de 80. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) A primeira válvula foi criada pelo cientista John AmbroseFlemming em 1904. isso propiciou um avanço na criação de outros dispositivos e circuitos que permitiram a execução de muitas tarefas que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época.1. A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo. A grade passou a exercer um controle do fluxo de elétrons. derivam da válvula. as propriedades e o comportamento elétrico dos semicondutores. fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente em relação ao ânodo. a busca passou a ser a de melhorar o desempenho do circuito e. Um filamento aquece uma das placas polarizada negativamente. Em 1908. Em meados da década de 20. televisores e aparelhos de som muito antigos Porém. conforme a figura abaixo: Invertendo-se a polarização. muitos dispositivos que trabalham em frequências muito altas e que são ainda muito utilizados. denominada ânodo. foram as responsáveis pelo sur imento das g transmissões sem fio. Esta válvula foi chamada de tríodo. É nessa época 4 . a teoria dos semicondutores surge como promessa tecnológica. a corrente elétrica deixa de circular pela carga RL. colocadas numa cápsula de vidro em vácuo.

os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N. Em seguida. usado como retificador de corrente elétrica. É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor.também que surge o diodo semicondutor. tendo uma pequena corrente que é conduzida na ordem de microampères. substituindo a válvula tríodo. e outros dispositivos que foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram. 5 . Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas). chamada de corrente de fuga. movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo. pois consome uma quantidade menor de energia e tem dimensões menores. Assim. A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora. ocasionando no bloqueio da corrente elétrica. DIODO SEMICONDUTOR Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação. 2. que também é quase desprezível.7 V(silício). O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total devido novamente pela presença de impurezas. Assim. sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N. Possui uma queda de tensão de 0. e possibilitando o surgimento de outros mais.3 V(germânio) e 0. ocorrerá uma atração das lacunas do anodo (cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do catodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora. a condução de corrente elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm. A polarização é indireta quando o inverso ocorre. que substitui a válvula diodo. que é quase desprezível. surge o transistor. A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo).

não conduzcorrente elétrica enquanto a tensão aplicada aos seus terminais for inferior a aproximadamente 0. ao atingir uma determinada tensão inversa. no diodo convencional. partir desta tensão mínima começa a condução elétrica. sendo considerada dentro da faixa de 0.6 a 0.3 Volts no diodo de germânio. chamada de corrente de saturação. não sendo possível reverter o processo. o nome mais preciso seria diodo de conduç o reversa. Na realidade. acima datens o de ruptura da junç o PN. Ele difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior. existe uma pequena corrente inversa. Quando está polarizado diretamente. Qualquer diodo inversamente polarizado praticamente não conduz corrente desde que não ultrapasse a tensão de ruptura. j que há dois fenômenos envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche. que ocorre devido unicamente à geração de pares de elétron-lacuna na Z n © © § ¤ £ ¦ ¤ ¡ ¤ ¢ ¡ ¤ ¥ ¤ região de § carga espacial. a corrente inversa aumenta bruscamente (efeito de avalanche). diferença é que. Por esse fato.5 Volts). funciona como outro diodo qualquer. conforme a curva não linear de corrente versus tensão. © © ¨ ¨ 6 . ou seja. que inicialmente é pequena.6 Volts no diodo de silício ou 0. No d odo acontece a mesma coisa. O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente. à temperatura ambiente. e consequentemente a dissipação daenergia térmica acaba por destruir o dispositivo. o que provoca a aproximaç o da curva na região de avalanche ao eixo vertical. Embora o nome diodo Zener tenha se popularizado comercialmente. mas que aumenta rapidamente. causando o efeito Joule. No d odo Z n .3 DIODO ZENER   O diodo Ze e é um tipo de diodo especialme te projetado para trabalhar sob o re ime de conduç o reversa. a sua tensão de condução não é única.7 Volts para o diodo de silício. Isto reduz consideravelmente a tensão de ruptura e evidencia o efeito Zener que é mais notável à tens es relativamente baixas (em torno de 5. por outro lado.

5.3 Volts. É por isso que o diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistência ligada em série. 6. O valor da corrente máxima admissível depende dessa potência e da tensão de Zener. 12 Volts e 24 Volts. Um dado importante na especificação do componente a ser utilizado é a potência do dispositivo. destinada Curva Característica Equivalente do diodo Zener no estado ligado e desligado. 7 . precisamente a limitar a corrente a um valor admissível. Quanto ao valor da corrente máxima admissível. 9. por exemplo. existem diodos Zener de 400 mili Watts e 1 Watt. Por exemplo.1 Volts. o dispositivo passa a permitir a passagem de correntes bem maiores que a de saturação inversa. Cada diodo Zener possui uma tensão de Zener específica como.ao atingir uma tensão chamada de Zener (geralmente bem menor que a tensão de ruptura de um diodo comum). existem vários tipos de diodos.1 Volts. mantendo constante a tensão entre os seus terminais.

A corrente circula do emissor para a base. cerca de 97%. Basicamente. Como ocorre no transistor NPN. Como visto. Os portadores majoritários no transistor PNP são lacunas. podemos aplicar uma pequena tensão de si al a fim de produzir um sinal n amplificado na saída do coletor. conduz eletricidade. o diodo. da ordem de 0. Cada elétron que passa do emissor para a bateria de polarização. As lacunas que penetram na área da base passam para o coletor onde serão preenchidas com elétron provenientes do terminal negativo da bateria de coletor. A tensão existente entre o emissor e a base possui tensão muito baixa. Uma junção PN é polarizada diretamente e a outra inversamente. quando polarizado diretamente. No transístor NPN. a junção emissor-base do transistor deve ser polarizada diretamente. A união desses dois componentes poderá ser feita de duas formas: união através do material P.4. isso gera um fluxo con tínuo de corrente. por exemplo 6 V. um transistor é constituído pela combinação de dois diodos de junção PN. que possui um valor muito pequeno. Os elétrons do circuito externo passam para o coletor e daí para o emissor. Esses poucos elétrons fornecem a corrente de base. Os elétrons provenientes da área do emissor que chegam à área da base são solicitados por duas forças de atração: a primeira do terminal positivo da bateria do coletor e a outra do terminal do terminal. O transístor PNP funciona de forma similar ao transistor do tipo NPN. o transistor PNP tem a junção emissor-base polarizada diretamente. Os elétrons que chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da bateria de polarização. apenas uma pequena parte não penetra na área da base e é atraída para o terminal positivo da bateria de polarização.1 V enquanto a tensão entre base e coletor oferece um valor bem mais elevado. a área do coletor. Com isso podemos notar que a grande maioria dos elétrons. O transístor introduz uma capacidade nova. TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR Assim como o diodo semicondutor substituiu a válvula diodo. Cada elétron que deixa o coletor deve ser substituído e essa substituição é feita pelo emissor que também deve ter seus elétrons substituídos. ao entrar na área da base será atraída pela área de maior tensão. deixa uma lacuna em seu lugar. também positivo da bateria do emissor. o transístor substituiu a válvula diodo. que é a possibilidade de se controlar q uanto de eletricidade é conduzida. 8 . enquanto a junção base coletor é polarizada inversamente. para produzir um transistor NPN e união através do material N. para produzir um transistor PNP.

Configurações: a. quando a entrada é na base e a saída é no coletor.Emissor comum: Um transistor encontra-se na montagem emissor comum. 9 . tendo o emissor como eletrodo comum.

ou seja. ou seja. 5. tendo o coletor como eletrodo comum. região ativa e região de saturação. O transistor trabalhará na região de corte caso a corrente de base seja menor ou igual a zero. o transistor operará na região de saturação.Base Comum: Neste caso a base está na entrada e na saída do circuito. o transístor opera como amplificador e nas regiões de corte e saturação como chave. ou seja. iremos operar na região ativa. Na região ativa. SIMULAÇÕES RESISTOR +0. imposta de acordo com a polarização.Coletor Comum: Aqui a entrada é na base e a saída é no emissor. Corte e Saturação: Conforme a polarização um transistor pode atuar em três regiões: região de corte. con duzindo ou não. circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT).b. Para uma corrente de base acima de IBSAT. dessa forma a corrente de coletor será nula. a base é o eletrodo comum. c.Por outro lado se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturação (IBSAT). Condições de Amplificação. serve para comutação.04 1k Amps B1 50V D1 1N4004 Modelo Real 10 .

2 Volts Modelo Ideal.: No modelo real o diodo conduz corrente.Ainda há uma queda de tensão. pois o sentido da polaridade é direta. D1 1N4004 +0.04 Amps RESISTOR B1 50V 1k +49. Neste modelo virtual a medição é que mais se aproxima do ideal. O Diodo éconsiderado uma chave simples Conclui-se. como vemos na figura seguinte. com a simulação.Obs. que cada tipo diferente de diodo apresenta sua faixa de condução. 11 .

1 Procedimento1: No teste inicial.1 TESTE EM DIODOS 6. c) Meça a resistência ou continuidade nos dois sentidos (faça uma medida e depois outrainvertendo as pontas de prova). foi utilizado o Multisim para desenvolvimento do gráfico da curva característica do transistor de junção bipolar NPN. desligando-o docircuito. Seestiver usando o provador de continuidade. TESTES COM MULTÍMETRO 6.Curva característica do Transistor TBJ Nesta simulação. a) Coloque o multímetro numa escala intermediária de resistências (x 10 ou x 100) e zere -o. coloque em condições de funcionamento. mostraremos como fazer a prova de estado da junção de um diodo. -o b) Retire o diodo do circuito em que se encontra ou levante um dos seus terminais. 6. utilizando o IV ANALYSER que analisa os gráficos em relação a tensão x corrente. 12 .1.

Um diodo com resistência. Interpretação da Prova: Um diodo em bom estado deve apresentar uma baixa resistência em um sentido (polarizaçãodireta) e uma alta resistência no sentido oposto (polarização inversa). de modo a se obter uma melhor condiçãode condução. como o do multímetro ilustrado na figura abaixo. Existem aplicações menos críticas. A resistência alta deve ser superior a 1 M ohms. Nesses casos. 6. 13 . na prova inversa. Nesta prova é usada uma corrente direta um pouco maior que aempregada na simples medida de resistências.1. Um diodo que apresente baixa resistência nos dois sentidos encontra-se em curto e altaresistência nos dois sentidos. mas sim a resistênciavista pelo multímetro em função de sua baixa corrente de teste.em que essa resistência inversa ou fuga é tolerada. como fontes. A baixa resistência pode variar entre 10 ohms e 2 000 ohms conforme o diodo e não representa aresistência que ele vai apresentar quando usado numa aplicação prática. entre10 000 ohms e 100 000 ohms apresenta fugas. basta usar essa função no teste dediodos.A figura abaixo mostra como realizar essa prova usando o multímetro.2 Procedimento 2 (outro tipo de teste) Muitos multímetros digitais e mesmo analógicos possuem uma função de prova específica paradiodos semicondutores. se encontra aberto.

aberto).Procedimento a) Encaixa-se o diodo nos locais designados.2. 6.2 TESTE EM TRANSISTORES 6. Interpretação da Prova A indicação é direta.1 Teste de resistência: 14 . ou então seleciona-se a função e liga-se o diodo às pontas de prova. b) Verifica-se a indicação de estado dada pelo multímetro. com fugas. O provador indica se o diodo está bom ou ruim (em curto.

Na medição entre coletor eemissor.portanto. Na figura. as junçõesemissor/base e coletor baseestão inversamentepolarizadas. 15 . Na figura as junções coletor/base eemissor/base estãoinversamente polarizadas.diretamente polarizadas e. O transistor PNP opera de modo inverso. a resistência deveser alta nos dois sentidos. segundo Figura 01.Considerando a equivalênciapara o tipo NPN dada notópico anterior. têm resistênciabaixa. A resistênciadeve ser alta para ambas. as junçõesemissor/base e coletor/baseestão.

A Figura abaixo dá apenas uma orientação grosseira dos valores relativos de tensões em um transistorPNP de um circuito CC típico.Cuidado com circuitos de alta tensão. antes de retirá-lo do circuito.menos de 1 V.A resistência entre coletor eemissor é alta nos doissentidos. Repetindo. apolaridade do multímetro(agora na escala de tensão)deve ser invertida.2. há necessidade de pontas de prova e instrumentos especiais. Outro aspecto importante: consideram-se apenas circuitos CC de baixa tensão e potência.resultando em resistênciabaixa.servem apenas como umaforma de "suspeita" do componente. da mesma forma dotipo NPN. 6. que podeser detectado por esses testes. O instrumento podeser danificado e há risco de acidente. A tensãoentre emissor e base é emgeral bastante pequena. Um defeito comum em transistores de potência é curto entre coletor e emissor. alta freqüência ou alta potência.2 Teste de tensão: Seria muito cômodo se. Lembrar que certos tipos. Para um transistor NPN. Muitas vezes isso não ocorre. essasinformações são imprecisas.dependem muito do circuito. podem ter diodo interno entre emissor e coletor e tambémresistência interna entre base e emissor. Em geral. Mas o curto citado é observado pela baixaresistência em ambos os sentidos. 16 .No transistor PNP da Figuraas junções coletor/base eemissor/base estãodiretamentepolarizadas. como os de saída horizontal detelevisores e monitores. apenas com medições de tensões no circuito. fosse possívelafirmar a condição defeituosa de um transistor.

br mspc.sabereletronica. São Paulo: Pearson Prentice Hall. http://www. NASHELSKY. Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. BIBLIOGRAFIA y y http://www.shtml 17 . Eletrônica: 4ª ed. ou apresenta pequenas deficiênciasque podem comprometer o funcionamento de um circuito mais crítico. 8ª ed.com. Robert. 2006.br/eletrn/comptest_110. 2004 y y y MALVINO. São Paulo.g/wiki/transistores BOYLESTAD. Assim..wikipedia.pt. também é preciso saber interpretar os resultados de um teste de modo a se ter certeza deque o componente analisado está (ou não) em bom estado.Se bem que existam técnicas simples que permitem avaliar o estado de determinadoscomponentes. Albert Paul.eng.CONCLUSÃO É fundamental para todo profissional da Eletrônica saber como testar um componente. umas são mais confiáveis e mais completas do queoutras.

SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO y y PROTEUS ISIS 7 MULTISIM 10.1 18 .

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