UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO - UFMA CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA - CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA - DEE CURSO: ENGENHARIA

ELÉTRICA DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I PROFESSOR: NELSON CAMELO

RELATÓRIO I (DIODO, DIODO ZENER, TRANS ÍSTOR) Cristiano Jeferson da Costa Silva EE05237-72

São Luís 2010

TRANS ÍSTOR) O relatório referente seráapresentado à disciplina de Laboratório de Eletrônica I. referente à primeira experiência realizada em laboratório. ministrada pelo professor Nelson Camelo. São Luís 2010 2 . DIODO ZENER.RELATÓRIO I (DIODO.

SUMÁRIO 1.1 TESTES COM DIODO 6. DIODO ZENER 4. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR 5.2.2 PROCEDIMENTO 2 (OUTRO TIPO DE TESTE) 6.1 TESTES DE RESISTENCIA 6. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) 2.2 TESTES DE TENSÃO CONCLUSÃO BIBLIOGRAFIA SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO 04 05 06 07 10 12 12 12 13 14 14 16 17 17 18 3 . DIODO SEMICONDUTOR 3.1.1 PROCEDIMENTO 1 6. TESTES COM MULTÍMETRO 6.1.2.2 TESTES COM TRANSISTOR 6. SIMULAÇÕES 6.

Desenvolve-se a física do estado sólido. foram as responsáveis pelo sur imento das g transmissões sem fio. encontrado em rádios. conforme a figura abaixo: Invertendo-se a polarização. É nessa época 4 . radio transmissão. A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo. Um filamento aquece uma das placas polarizada negativamente. Na década de 40. fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente em relação ao ânodo. Esta válvula foi chamada de tríodo. Ela foi utilizada até meados da década de 80. Em 1908. denominada de grade. as propriedades e o comportamento elétrico dos semicondutores. sendo hoje um dispositivo raro. INTRODUÇÃO (HISTÓRICO DA ELETRÔNICA) A primeira válvula foi criada pelo cientista John AmbroseFlemming em 1904.1. A partir daí. a busca passou a ser a de melhorar o desempenho do circuito e. criando a possibilidade de amplificar sinais elétricos. isso propiciou um avanço na criação de outros dispositivos e circuitos que permitiram a execução de muitas tarefas que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época. A grade passou a exercer um controle do fluxo de elétrons. muitos dispositivos que trabalham em frequências muito altas e que são ainda muito utilizados. era necessário desenvolver uma tecnologia para aperfeiçoar os dispositivos. DeForest acrescentou à válvula diodo uma terceira placa entre o cátodo e o ânodo. Em meados da década de 20. derivam da válvula. a teoria dos semicondutores surge como promessa tecnológica. a corrente elétrica deixa de circular pela carga RL. televisores e aparelhos de som muito antigos Porém. A válvula diodo é composta por duas placas metálicas. para isso. denominada cátodo. gerando um fluxo de elétrons (corrente elétrica ) que atinge a segunda placa polarizada positivamente. denominada ânodo. que investiga a estrutura. colocadas numa cápsula de vidro em vácuo.

Assim. 2. DIODO SEMICONDUTOR Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação. e possibilitando o surgimento de outros mais. os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N. A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora.3 V(germânio) e 0. É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor. A polarização é indireta quando o inverso ocorre. pois consome uma quantidade menor de energia e tem dimensões menores. A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). Assim. se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo. a condução de corrente elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm. que é quase desprezível. que substitui a válvula diodo. ocorrerá uma atração das lacunas do anodo (cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do catodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora. usado como retificador de corrente elétrica.7 V(silício). Possui uma queda de tensão de 0. que também é quase desprezível. tendo uma pequena corrente que é conduzida na ordem de microampères. substituindo a válvula tríodo. surge o transistor. Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas). movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. Em seguida.também que surge o diodo semicondutor. sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N. 5 . e outros dispositivos que foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram. ocasionando no bloqueio da corrente elétrica. chamada de corrente de fuga. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total devido novamente pela presença de impurezas.

Quando está polarizado diretamente. que inicialmente é pequena. chamada de corrente de saturação. não sendo possível reverter o processo.7 Volts para o diodo de silício.3 Volts no diodo de germânio. o que provoca a aproximaç o da curva na região de avalanche ao eixo vertical. a corrente inversa aumenta bruscamente (efeito de avalanche). causando o efeito Joule. sendo considerada dentro da faixa de 0.6 a 0. no diodo convencional. não conduzcorrente elétrica enquanto a tensão aplicada aos seus terminais for inferior a aproximadamente 0. a sua tensão de condução não é única. diferença é que. o nome mais preciso seria diodo de conduç o reversa. e consequentemente a dissipação daenergia térmica acaba por destruir o dispositivo. mas que aumenta rapidamente. Por esse fato. No d odo acontece a mesma coisa. No d odo Z n . j que há dois fenômenos envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche.6 Volts no diodo de silício ou 0. conforme a curva não linear de corrente versus tensão. Ele difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior. existe uma pequena corrente inversa. por outro lado. Isto reduz consideravelmente a tensão de ruptura e evidencia o efeito Zener que é mais notável à tens es relativamente baixas (em torno de 5.3 DIODO ZENER   O diodo Ze e é um tipo de diodo especialme te projetado para trabalhar sob o re ime de conduç o reversa. Qualquer diodo inversamente polarizado praticamente não conduz corrente desde que não ultrapasse a tensão de ruptura. © © ¨ ¨ 6 .5 Volts). ao atingir uma determinada tensão inversa. Na realidade. ou seja. acima datens o de ruptura da junç o PN. O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente. partir desta tensão mínima começa a condução elétrica. à temperatura ambiente. que ocorre devido unicamente à geração de pares de elétron-lacuna na Z n © © § ¤ £ ¦ ¤ ¡ ¤ ¢ ¡ ¤ ¥ ¤ região de § carga espacial. Embora o nome diodo Zener tenha se popularizado comercialmente. funciona como outro diodo qualquer.

12 Volts e 24 Volts. 6. Cada diodo Zener possui uma tensão de Zener específica como. O valor da corrente máxima admissível depende dessa potência e da tensão de Zener. existem vários tipos de diodos. existem diodos Zener de 400 mili Watts e 1 Watt. 7 . Um dado importante na especificação do componente a ser utilizado é a potência do dispositivo. o dispositivo passa a permitir a passagem de correntes bem maiores que a de saturação inversa. mantendo constante a tensão entre os seus terminais. Por exemplo. 5. Quanto ao valor da corrente máxima admissível.1 Volts.3 Volts. precisamente a limitar a corrente a um valor admissível. É por isso que o diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistência ligada em série. destinada Curva Característica Equivalente do diodo Zener no estado ligado e desligado. 9.ao atingir uma tensão chamada de Zener (geralmente bem menor que a tensão de ruptura de um diodo comum). por exemplo.1 Volts.

TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR Assim como o diodo semicondutor substituiu a válvula diodo. o diodo. A corrente circula do emissor para a base. ao entrar na área da base será atraída pela área de maior tensão. a junção emissor-base do transistor deve ser polarizada diretamente. podemos aplicar uma pequena tensão de si al a fim de produzir um sinal n amplificado na saída do coletor. Uma junção PN é polarizada diretamente e a outra inversamente. As lacunas que penetram na área da base passam para o coletor onde serão preenchidas com elétron provenientes do terminal negativo da bateria de coletor. conduz eletricidade. Cada elétron que deixa o coletor deve ser substituído e essa substituição é feita pelo emissor que também deve ter seus elétrons substituídos. A tensão existente entre o emissor e a base possui tensão muito baixa. Cada elétron que passa do emissor para a bateria de polarização. Como ocorre no transistor NPN. enquanto a junção base coletor é polarizada inversamente.4. No transístor NPN. cerca de 97%. o transistor PNP tem a junção emissor-base polarizada diretamente. Basicamente. deixa uma lacuna em seu lugar. para produzir um transistor PNP. que possui um valor muito pequeno. Os portadores majoritários no transistor PNP são lacunas. 8 . Os elétrons do circuito externo passam para o coletor e daí para o emissor. para produzir um transistor NPN e união através do material N. Os elétrons que chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da bateria de polarização. o transístor substituiu a válvula diodo. Esses poucos elétrons fornecem a corrente de base. também positivo da bateria do emissor. quando polarizado diretamente. por exemplo 6 V. Os elétrons provenientes da área do emissor que chegam à área da base são solicitados por duas forças de atração: a primeira do terminal positivo da bateria do coletor e a outra do terminal do terminal. Como visto.1 V enquanto a tensão entre base e coletor oferece um valor bem mais elevado. O transístor introduz uma capacidade nova. A união desses dois componentes poderá ser feita de duas formas: união através do material P. isso gera um fluxo con tínuo de corrente. que é a possibilidade de se controlar q uanto de eletricidade é conduzida. Com isso podemos notar que a grande maioria dos elétrons. O transístor PNP funciona de forma similar ao transistor do tipo NPN. a área do coletor. um transistor é constituído pela combinação de dois diodos de junção PN. da ordem de 0. apenas uma pequena parte não penetra na área da base e é atraída para o terminal positivo da bateria de polarização.

9 .Emissor comum: Um transistor encontra-se na montagem emissor comum. tendo o emissor como eletrodo comum. quando a entrada é na base e a saída é no coletor.Configurações: a.

o transístor opera como amplificador e nas regiões de corte e saturação como chave. serve para comutação. dessa forma a corrente de coletor será nula. iremos operar na região ativa. c. Corte e Saturação: Conforme a polarização um transistor pode atuar em três regiões: região de corte. ou seja. Condições de Amplificação. a base é o eletrodo comum. região ativa e região de saturação. 5. ou seja. con duzindo ou não. Na região ativa. tendo o coletor como eletrodo comum. imposta de acordo com a polarização.Por outro lado se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturação (IBSAT).Coletor Comum: Aqui a entrada é na base e a saída é no emissor. O transistor trabalhará na região de corte caso a corrente de base seja menor ou igual a zero. ou seja.Base Comum: Neste caso a base está na entrada e na saída do circuito. circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT). SIMULAÇÕES RESISTOR +0. Para uma corrente de base acima de IBSAT.b.04 1k Amps B1 50V D1 1N4004 Modelo Real 10 . o transistor operará na região de saturação.

11 .Obs.: No modelo real o diodo conduz corrente. D1 1N4004 +0. pois o sentido da polaridade é direta. O Diodo éconsiderado uma chave simples Conclui-se.04 Amps RESISTOR B1 50V 1k +49. Neste modelo virtual a medição é que mais se aproxima do ideal. como vemos na figura seguinte. que cada tipo diferente de diodo apresenta sua faixa de condução.Ainda há uma queda de tensão.2 Volts Modelo Ideal. com a simulação.

a) Coloque o multímetro numa escala intermediária de resistências (x 10 ou x 100) e zere -o. foi utilizado o Multisim para desenvolvimento do gráfico da curva característica do transistor de junção bipolar NPN.1 Procedimento1: No teste inicial. utilizando o IV ANALYSER que analisa os gráficos em relação a tensão x corrente. 12 .Curva característica do Transistor TBJ Nesta simulação. -o b) Retire o diodo do circuito em que se encontra ou levante um dos seus terminais. mostraremos como fazer a prova de estado da junção de um diodo. c) Meça a resistência ou continuidade nos dois sentidos (faça uma medida e depois outrainvertendo as pontas de prova).1. Seestiver usando o provador de continuidade. TESTES COM MULTÍMETRO 6. 6. desligando-o docircuito. coloque em condições de funcionamento.1 TESTE EM DIODOS 6.

1. de modo a se obter uma melhor condiçãode condução. na prova inversa. A baixa resistência pode variar entre 10 ohms e 2 000 ohms conforme o diodo e não representa aresistência que ele vai apresentar quando usado numa aplicação prática. Existem aplicações menos críticas. Nesta prova é usada uma corrente direta um pouco maior que aempregada na simples medida de resistências. 6.2 Procedimento 2 (outro tipo de teste) Muitos multímetros digitais e mesmo analógicos possuem uma função de prova específica paradiodos semicondutores. A resistência alta deve ser superior a 1 M ohms. entre10 000 ohms e 100 000 ohms apresenta fugas. basta usar essa função no teste dediodos. se encontra aberto. Nesses casos. mas sim a resistênciavista pelo multímetro em função de sua baixa corrente de teste. como fontes.em que essa resistência inversa ou fuga é tolerada.A figura abaixo mostra como realizar essa prova usando o multímetro. Um diodo que apresente baixa resistência nos dois sentidos encontra-se em curto e altaresistência nos dois sentidos. como o do multímetro ilustrado na figura abaixo. Um diodo com resistência. Interpretação da Prova: Um diodo em bom estado deve apresentar uma baixa resistência em um sentido (polarizaçãodireta) e uma alta resistência no sentido oposto (polarização inversa). 13 .

Interpretação da Prova A indicação é direta.2. O provador indica se o diodo está bom ou ruim (em curto.2 TESTE EM TRANSISTORES 6. 6. aberto). ou então seleciona-se a função e liga-se o diodo às pontas de prova. b) Verifica-se a indicação de estado dada pelo multímetro. com fugas.1 Teste de resistência: 14 .Procedimento a) Encaixa-se o diodo nos locais designados.

Na medição entre coletor eemissor. a resistência deveser alta nos dois sentidos. Na figura as junções coletor/base eemissor/base estãoinversamente polarizadas. as junçõesemissor/base e coletor/baseestão. têm resistênciabaixa.Considerando a equivalênciapara o tipo NPN dada notópico anterior. as junçõesemissor/base e coletor baseestão inversamentepolarizadas. 15 . segundo Figura 01.portanto. Na figura.diretamente polarizadas e. O transistor PNP opera de modo inverso. A resistênciadeve ser alta para ambas.

apolaridade do multímetro(agora na escala de tensão)deve ser invertida.servem apenas como umaforma de "suspeita" do componente.2.No transistor PNP da Figuraas junções coletor/base eemissor/base estãodiretamentepolarizadas.menos de 1 V. Mas o curto citado é observado pela baixaresistência em ambos os sentidos. apenas com medições de tensões no circuito. Muitas vezes isso não ocorre. fosse possívelafirmar a condição defeituosa de um transistor. Um defeito comum em transistores de potência é curto entre coletor e emissor.resultando em resistênciabaixa. Repetindo. Para um transistor NPN. podem ter diodo interno entre emissor e coletor e tambémresistência interna entre base e emissor. essasinformações são imprecisas. Outro aspecto importante: consideram-se apenas circuitos CC de baixa tensão e potência. Em geral. A tensãoentre emissor e base é emgeral bastante pequena. que podeser detectado por esses testes. 16 . alta freqüência ou alta potência.A resistência entre coletor eemissor é alta nos doissentidos. A Figura abaixo dá apenas uma orientação grosseira dos valores relativos de tensões em um transistorPNP de um circuito CC típico. como os de saída horizontal detelevisores e monitores. antes de retirá-lo do circuito. 6. da mesma forma dotipo NPN. Lembrar que certos tipos. há necessidade de pontas de prova e instrumentos especiais.2 Teste de tensão: Seria muito cômodo se.dependem muito do circuito.Cuidado com circuitos de alta tensão. O instrumento podeser danificado e há risco de acidente.

BIBLIOGRAFIA y y http://www.br mspc.com. São Paulo: Pearson Prentice Hall. Assim.Se bem que existam técnicas simples que permitem avaliar o estado de determinadoscomponentes.CONCLUSÃO É fundamental para todo profissional da Eletrônica saber como testar um componente. Louis. Eletrônica: 4ª ed. São Paulo.. 8ª ed.wikipedia. 2004 y y y MALVINO.shtml 17 . NASHELSKY. ou apresenta pequenas deficiênciasque podem comprometer o funcionamento de um circuito mais crítico. umas são mais confiáveis e mais completas do queoutras. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 2006.g/wiki/transistores BOYLESTAD.br/eletrn/comptest_110. também é preciso saber interpretar os resultados de um teste de modo a se ter certeza deque o componente analisado está (ou não) em bom estado.pt.eng. http://www.sabereletronica. Albert Paul. Robert.

1 18 .SOFTWARES UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO y y PROTEUS ISIS 7 MULTISIM 10.

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