PROSES PEMBIKINAN

LITAR BERSEPADU
 PROSES PEMBIKINAN
LITAR BERSEPADU
1. Tumbesaran Hablur
 Jenis-jenis struktur hablur silikon
 Pembentukan silikon

2. Penyediaan wafer
 Kaedah Czochralski
 Kaedah Zon Terapung (Floating Zone)
 Proses pembentukan wafer

3. Pengoksidaan
 Lapisan Oksida
 Kaedah proses pengoksidaan
 PROSES PEMBIKINAN
LITAR BERSEPADU

4. Pengedopan
 Lapisan silikon terdop
 3 kaedah pengedopan
 Resapan
 Penanaman Ion
 Epitaksi

5. Fotolitografi
 Topeng foto
 Lapisan Rintang foto
 Jujukan Proses fotolitografi
 PROSES PEMBIKINAN
LITAR BERSEPADU

6. Perlogaman
 Bahan-Bahan Lapisan logam
 Fungsi lapisan logam
 Proses perlogaman

7. Punaran
 Fungsi Punaran
 Contoh-contoh pemunar dan lapisan yang dipunarkan
 Punaran basah (punaran kimia)
 Punaran kering (punaran plasma)
 1. TUMBESARAN HABLUR

JENIS-JENIS STRUKTUR HABLUR

1. Hablur Tunggal
 Atom-atom tersusun dengan seragam di sepanjang bahan
 Setiap titik di sepanjang bahan mempunyai ciri-ciri yang
sama
 Jalur Tenaga (E )g

 Kebolehgerakan pembawa (µ)

 Keberintangan bahan (ρ)
 Menggunakan suatu ‘hablur semaian’ sebagai titik asalan
pembekuan
 Menentukan orientasi kekisi bagi keseluruhan pepejal yang
terbentuk.
 HABLUR TUNGGAL

JENIS-JENIS STRUKTUR HABLUR

1. Hablur Tunggal
 Pembuatan LB memerlukan silikon yang mempunyai
struktur hablur tunggal kerana setiap peranti mempunyai
sifat fizik yang berlainan dan tenaga kinetik yang sama
 Jenis-jenis struktur hablur

1. Polihablur
 Terdiri dari banyak kawasan bahan hablur tunggal
 Hablur yang berselerak dan tidak teratur susunan atomnya
 Kegunaan polihablur silikon dalam pembikinan LB sebagai
bahan get di dalam teknologi Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect Transistors
POLIHABLUR
 Jenis-jenis struktur hablur

1. Amorfus
 Atom-atomnya tidak mempunyai sebarang bentuk
susunan
 Tidak mempunyai susunan tetap
 Kegunaan amorfus silikon dalam pembikinan LB
sebagai elemen suis dalam Liquid Crystal Display (LCD)
AMORFUS SILIKON
 Penyediaan Rod Polisilikon

BAHAN ASAS Bahan asas wafer iaitu silikon biasanya diperolehi

(PASIR/SILIKON DIOKSIDA)
dari pasir 99.99% tulen yang dileburkan pada suhu
tinggi.

PENURUNAN SILIKON
SiO2 + C Si + CO2
Pasir dipanaskan dengan karbon

Silikon dipanaskan dengan asid hidroklorik pada suhu

PENULENAN SILIKON
Si + 3HCL SiHCL3 + H2
1000˚C menghasilkan silikon triklorosilane dan gas
hidrogen dibebaskan bagi proses menulenkan silikon.

Silikon triklorosilane dipanaskan bersama

PENGHASILAN ROD POLISILIKON ULTRA dengan hidrogen pada suhu 1000˚C untuk
TULEN
SiHCL3 + H2 Si + 3HCL menjadikan silikon ultra tulen dengan kadar
peratus ketulenan 99.99999% .
2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH CZOCHRALSKI

1. Suatu hablur semaian silikon yang

diapit oleh rod.
2. Dicelupkan ke dalam mangkuk pijar
kuarza yang mengandungi silikon
lebur dan bendasing (dopan) yang
diperlukan (jenis n atau jenis p)
3. Sambil rod berputar, secara
perlahan-lahan hablur semaian akan
ditarik keluar dari leburan.
4. Kaedah ‘putar dan tarik’ ini
membolehkan silikon lebur melekat
kepada hablur semaian.
5. Apabila hablur semaian ditarik ke
atas, suhu yang lebih rendah akan
menyebabkan leburan silikon
memejal ke atas hablur semaian.
2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH CZOCHRALSKI

6. Ia memejal mengikut orientasi

struktur hablur yang sama.
7. Proses ini dilakukan berulang-ulang
kali sehingga suatu
jongkong/silinder/ingot/boule
diperolehi.
KAEDAH CZOCHRALSKI
2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH CZOCHRALSKI

CIRI-CIRI JONGKONG
 DIAMETER DITENTUKAN OLEH KADAR
‘PUTAR & TARIK’ SERTA SUHU
 SAIZ ADALAH BERGANTUNG KEPADA
KUANTITI LEBURAN SILIKON
 DIAMETER BIASA 100-200mm
 TEKNOLOGI TERKINI MENGGUNAKAN
DIAMETER YANG LEBIH BESAR
 JONGKONG YG BERDIAMETER 100mm
BOLEH DITUMBUHKAN SEHINGGA
140cm PANJANG
 NILAI KEBERINTANGAN BAHAN, ρ
ANTARA 0.01 HINGGA 50 Ω - cm
2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)

1. Sebatang rod polisilikon dikepit pada

kedua-dua hujungnya.
2. Dengan hujung bawah bersentuhan
dengan hablur semaian yg mpy
orientasi yg dikehendaki.
3. Pemanasan RF menggunakan
gegelung pendek yg dibekalkan dgn
tenaga RF.
4. Voltan RF yg teraruh di dalam rod
akan menghasilkan aliran arus yg
besar, seterusnya menghasilkan
pemanasan I2R di dalam rod.
5. Suatu kwsn kecil rod yg dilingkari
oleh gegelung ini akan menjadi lebur.
2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)

6. Gegelung ini pada mulanya diletakkan pada

hujung bawah rod, untuk meleburkan kwsn
rod yg bersentuhan dengan hablur semaian.
7. Gegelung ini akan dianjakkan ke atas sedikit,
meleburkan kawasan silikon yg lain pula.
8. Apabila suhu pada kwsn leburan yg pertama
menjadi lebih rendah, leburan silikon ini akan
memejal mengikut struktur hablur dan
orientasi hablur semaian.
9. Gegelung ini akan dianjakkan sedikit demi
sedikit dari hujung bawah hingga ke hujung
atas rod.
10. Pada akhir proses, keseluruhan rod akan mpy
struktur hablur dan orientasi yg sama dgn
hablur semaian
2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)
2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)

CIRI-CIRI JONGKONG
 DIAMETER BIASA 50-150 mm
 JONGKONG YG BERDIAMETER 110 mm
BOLEH DITUMBUHKAN SEHINGGA
110cm PANJANG
 NILAI KEBERINTANGAN BAHAN, ρ
ANTARA 10 HINGGA 200 Ω - cm YG
SESUAI DIGUNAKAN UNTUK PERANTI-
PERANTI KUASA DAN SENSOR.
 2. PENYEDIAAN WAFER
PROSES PEMBENTUKAN WAFER

- UTK DPTKAN DIAMETER YG SERAGAM

TUMBESARAN HABLUR TUNGGAL
CZ ATAU FZ -KISARAN JONGKONG AKAN MEMBENTUK TEPI WAFER
-PUNARAN DILAKUKAN UNTUK MELICINKAN LAGI
PERMUKAAN WAFER

MENGISAR DIAMETER
SATU TAKUKAN DIBUAT SBG SATAH PENGHALAAN KEKISI
JONGKONG
ATOM DLM WAFER.
TAKUKAN KEDUA DIBUAT UNTUK MENGETAHUI JENIS DOPAN.
MEMBUAT TAKUKAN DI
SEPANJANG JONGKONG KOD MAKLUMAT DITULIS GUNA LASER PD JONGKONG

DLM BENTUK KEPINGAN NIPIS

MENGHASILKAN HIRISAN WAFER
BAHAGIAN DALAM DIHIRIS GUNA GERGAJI
BERMATA INTAN

MENGGILAP PERMUKAAN WAFER

WAFER SILIKON YG SEDIA UTK

PEMBIKINAN LB
 2. PENYEDIAAN WAFER

5. Menggilap permukaan wafer

 Kesan penggergajian wafer akan meninggalkan
kecacatan hablur pada kedua-dua permukaannya.
 Suatu bahan punar digunakan untuk menghilangkan
kesan ini
 Komponen-komponen dalam LB dibuat pada lapisan
atas permukaan wafer sedalam 10 µm
 Permukaan ini mesti benar-benar rata sehingga
berupa seperti cermin dan bersifat hidrofobik
 Wafer digilap melalui suatu proses ‘mechano-chemical’
 Lapisan wafer setebal 1.5 hingga 2.0 mil boleh
disingkatkan
 2. PENYEDIAAN WAFER

6. Wafer silikon yang sedia untuk pembikinan Litar

Bersepadu
 Wafer dibersihkan dan dibilas sehingga tiada air
bilasan tertinggal di atas permukaan wafer
 Boleh dialihkan guna pensil vakum yg
menggunakan prinsip bernoulli yg tidak
menyentuh wafer
 Wafer ini sedia untuk dijalankan proses-proses
lain seterusnya dalam pembikinan litar
bersepadu
 3. PENGOKSIDAAN

1. Takrif
a. Proses kimia di mana silikon
bertindakbalas dengan oksigen untuk
menghasilkan lapisan oksida iaitu silikon
dioksida
b. Suatu proses menumbuhkan satu
lapisan silikon dioksida ke atas
permukaan substratum dengan
menggunakan suhu tinggi.
 3. PENGOKSIDAAN

TUJUAN
Menghasilkan satu lapisan penebatan
oksida yang nipis di atas permukaan
silikon
 3. PENGOKSIDAAN
PROSES UMUM

 Lapisan penebatan oksida ini akan menghalang bahan cemar dan bertindak sebagai topeng bagi
menghalang bendasing dari meresap ke dalam lapisan epitaksi

 Sifat silikon dioksida yang mempunyai nilai dielektrik yang tinggi (3.5µF) sesuai untuk hasilkan kapasitor.

 proses pengoksidaan boleh dimangkinkan dengan memanaskan wafer pada suhu 1000˚C hingga
2000˚C

 Dijalankan dalam keadaan yang bersih untuk mencegah dari sebarang bahan cemar.

 Memakan masa selama beberapa jam bergantung kepada ketebalan dan kualiti lapisan oksida yang
dikehendaki

 Proses ini boleh dilakukan dengan dioksidakan dengan air (pengoksidaan basah) atau tanpa air
(pengoksidaan kering)
 3. PENGOKSIDAAN

FUNGSI LAPISAN OKSIDA

1. Melindungi permukaan wafer secara fizikal dari calar
2. Melindungi wafer dari habuk atau bendasing
3. Melindungi wafer dari tindakbalas kimia akibat
bahan cemar
4. Menjadi penebat semasa proses pengedopan
5. Bertindak sebagai dielektrik pada permukaan wafer
bagi mengelakkan litar pintas antara lapisan-lapisan
perlogaman
6. Bertindak sebagai dielektrik dalam komponen-
komponen seperti transistor MOS bagi
mengaruhkan cas ke dalam terminal GATE
 3. PENGOKSIDAAN

LAPISAN OKSIDA
1. LAPISAN OKSIDA TEBAL (FIELD OXIDE)
• DIGUNAKAN UNTUK PEMENCILAN TRANSISTOR
• MEMPENGARUHI ARUS Ids
• Kepantasan pensuisan
2. LAPISAN OKSIDA NIPIS (THIN OXIDE)
 DIGUNAKAN UNTUK MEMBENTUK LAPISAN NIPIS
OKSIDA GET
3. FAKTOR YANG MEMPENGARUHI KETEBALAN LAPISAN
OKSIDA
 KETUMPATAN BENDASING
 SUHU
 MASA TINDAKBALAS
 3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN BASAH
PROSES PENGOKSIDAAN BASAH
 Percantuman wap basah dengan silikon bagi
menghasilkan Silikon Oksida
 Gas oksigen disalurkan ke dalam balang yang
berisi air dengan oksigen dipanaskan sehingga
takat didih
 Wap air dibebaskan dan memasuki relau
pemanasan yang mengandungi kepingan-
kepingan wafer silikon
 Tindakbalas kimia yang terlibat semasa
tindakbalas silikon dengan wap air.
Si + 2H2O SiO2 + 2H2
• Proses ini memakan
 Hasilnya satu lapisan penebat SiO2 terbentuk di masa yang singkat tetapi
atas permukaan wafer silikon. oksida yang dihasilkan
biasanya adalah tebal tetapi
kurang bermutu berbanding
dengan kaedah Oksida
Kering.
 3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN BASAH
 3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN KERING
PROSES PENGOKSIDAAN KERING
 KEPINGAN-KEPINGAN WAFER SILIKON DISUSUN DI
DALAM TIUB KUARZA
 GAS OKSIGEN KERING DISALURKAN KE DALAM
TIUB KUARZA
 WAFER KEMUDIANNYA DIPANASKAN PADA SUHU
1100˚C DENGAN KEHADIRAN GAS OKSIGEN
KERING
 GAS OKSIGEN KERING DISERAPKAN SECARA
PERLAHAN-LAHAN KE ATAS KEPINGAN-KEPINGAN
WAFER MELALUI TINDAKBALAS KIMIA BERIKUT:
Si + O2 SiO2
 HASILNYA SATU LAPISAN PENEBAT SiO2
TERBENTUK DI ATAS PERMUKAAN WAFER
SILIKON
 KELEBIHAN
 Hasil oksida berkualiti tinggi
 Tumbesaran mengambil masa yang lama
 Hasil oksida bebas daripada kesan lubang jarum
atau lompang air yang biasa terjadi apabila
oksida ditumbuhkan secara mendadak
 Oksida adalah nipis tetapi tahan lama
 3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN KERING
 UJI KEFAHAMAN

1. Nyatakan 2 fungsi lapisan oksida.

2. Berikan 2 kelebihan pengoksidaan kering.
3. Tuliskan persamaan kimia yang terlibat
dalam proses pengoksidaan basah.
4. Lukiskan proses pengoksidaan kering.
5. Lukiskan proses pengoksidaan basah.
6. Lukiskan kaedah Czochralski
7. Lukiskan kaedah Zon Terapung.