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S G is olante D
W (S iO2)
S
G
D (s ource) (gate) (drain)
n+ n+
L
n+ n+
S ubs trato p
S ubs trato p
B (bulk)
simbologia
D D D
G G G B
S S S
0 per VGS ≤ VTH , Interdizione
VDS
2
I D = β ⋅ ( VGS − VTH ) ⋅ VDS − per VGS > VTH , per VDS ≤ VGS − VTH nonSaturazione
2
β
2 ⋅ ( VGS − VTH ) per VGS > VTH , per VDS ≥ VGS − VTH Saturazione
2
W W
β = 2 K = kp ⋅ = µn Cox ⋅ valore di esempio β = 20 µ A/V 2
L L
2ε s qN A (2ϕ F − VBS )
VTH = VFB + 2ϕ F + valore di esempio VTH = 0.5V
Cox
Circuito equivalente alle variazioni
ig = 0 D
G id
g0
ib = 0 gm vgs gmb vbs
S
i d = g m vgs + g o vds + g mb v bs B
∂ ID ∂ ID ∂ ID
gm = go = g mb =
∂ VGS V ∂ VDS V ∂ VBS V
GS 0,VDS 0 ,VBS 0 GS 0,VDS 0,VBS 0 GS 0,VDS 0,VBS 0
non saturazione:
g m = β VDS
∂ I D ∂ VTH 2ε s qN A 1/ 2
g mb = =β VDS
∂ VTH ∂ VBS Cox 2ϕ F − VBS
saturazione:
g m = β (VGS − VTH )
go = 0
∂ I D ∂ VTH 2ε s qN A 1/ 2
g mb = =β (VGS − VTH )
∂ VTH ∂ VBS Cox 2ϕ F − VBS
MOSFET a canale p
S G is olante D
(s ource) (gate) (S iO2) (drain)
p+ p+
S ubs trato n
B (bulk)
simbologia
S S S
G G G B
D D D
0 per VSG ≤ − VTH , Interdizione
VSD
2
I D = β ⋅ ( VSG +VTH ) ⋅ VSD − per VSG > − VTH , per VSD ≤ VSG +VTH nonSaturazione
2
β
⋅ ( ) per VSG > − VTH , per VSD ≥ VSG +VTH Saturazione
2
2 VSD +VTH
W W
β = 2 K = kp ⋅ = µn Cox ⋅ valore di esempio β = 20 µ A/V 2
L L
2ε s qN D (2ϕ F − VSB )
VTH = VFB − 2ϕ F − valore di esempio VTH = − 0.5V
Cox
Circuito equivalente alle variazioni
ig = 0 D id
G
g0
ib = 0 gm vsg gmb vsb
S
i d = g m vsg + g o vsd + g mb vsb B
∂ ID ∂ ID ∂ ID
gm = go = g mb =
∂ VSG VSG 0,VSD 0,VSB 0
∂ VSD VSG 0,VSD 0,VSB 0
∂ VSB V
SG 0,VSD 0,VSB 0
non saturazione:
g m = β VSD
∂ I D ∂ VTH 2ε s qN A 1/ 2
g mb = =β VSD
∂ VTH ∂ VSB Cox 2ϕ F − VSB
saturazione:
g m = β (VSG +VTH )
go = 0
∂ I D ∂ VTH 2ε s qN A 1/ 2
g mb = =β (VSG +VTH )
∂ VTH ∂ VSB Cox 2ϕ F − VSB