UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA

PRACTICA No 9

POLARIZACION CON MOSFET

1. OBJETIVOS.-

• Comprobar los fundamentos teóricos de la asignatura mediante la

experimentación empleando los medios de enseñanza necesarios,
garantizando el trabajo individual en la ejecución de la práctica.

2. MATERIAL NECESARIO.-

 1 MOSFET 2N700 ó 2N7000

 1 foco navideño
 1 condensador de 100pF o 120pF
 Protoboard
 3 alfileres
 Fuente de Poder
 Alambre de conexiones
 Cable, 600 mm, color rojo
 Cable, 600 mm, color negro

3. MARCO TEORICO.-
POLARIZACION DE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
MOSFET
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a
que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930, estos dispositivos sólo
empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. Y a partir de
los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad.
Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir,
dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Además su
proceso de fabricación es también más simple. Además, existe un gran número de
funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS
(sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella
de la electrónica digital.

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada,

es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno
entrega una parte a la corriente total.
Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares
presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensión, Es un dispositivo
extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o
liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su velocidad
permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando, así, lo que se
denomina distorsión por fase.
La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el
terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es
prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para
tratar señales de muy baja potencia.

Tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP
es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" está
conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje
(drain):

PRINCIPIO DE OPERACION

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la

compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe
aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el
drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente
para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente
(y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la
compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una
tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del
drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que
hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del
puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta.

Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no

hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es
controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

APLICACION

El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen

dos ventajas sobre los MESFET’s y los JFET’s y ellas son:

En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de

entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la
capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer
una potencia de amplificación muy lineal.
El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET’s de
canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de
vaciamiento (-Vg) a la región de modo de enriquecimiento (+Vg).

Capacitancia en el MOSFET

Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con

MOSFET. Éstas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor
de capacitancia es una función no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente
una variación
pequeña, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a través de cero, es muy
significativa. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la
carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada
de operación.
Encendido
En la mayoría de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rápido como
sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación. Para lograrlo, el circuito
manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para
incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido.
Apagado
Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como
fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende
de los arreglos del circuito externo.
Área segura de operación
El área segura de operación de el MOSFET está limitada por tres variables que forman
los límites de una operación aceptable. Estos límites son:
1. Corriente máxima pulsante de drenaje
2. Voltaje máximo drenaje-fuente
3. Temperatura máxima de unión.
Pérdidas del MOSFET
Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la
selección de un dispositivo de conmutación. La elección no es sencilla, pues no puede
decirse que el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor
específico de corriente. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado
juegan un papel más importante en la selección. La frecuencia de conmutación es
también muy importante.
4. PROCEDIMIENTO.-

Armar el circuito y tomar las de medidas de polarización indicadas

Circuito armado sin condensador

Circuito utilizando condensador
5.CONCLUSIONES:
  El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran
versatilidad de trabajo; este puede reemplazar dispositivos como el Jfet.
 Se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran
ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones
 Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se
debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente
(source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por
el canal P entre ellos.
 Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el
semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula
entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

6.BIBLIOGRAFIA

• http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
• http://www.scribd.com/doc/6703381/021-Transistor-de-Efecto-Campo-
MOSFET