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Comunicaciones ópticas
- En algunos fotodetectores se
Absorción y generación de dan a su vez procesos de
un par electrón-hueco: ganancia (APD’s, fotomultiplica-
Extracción de un electrón dores)
fotodetectores
Comunicaciones Ópticas 3 4.1.- Detectores
- conceptos básicos de detección óptica:
eficiencia cuántica
Todos los fotones que llegan a un fotodetector no dan lugar a pares electrón-hueco
que contribuyen a corriente eléctrica. Parte de ellos se reflejan en la primera
intercara aire-semiconductor, parte de ellos no se van a absorber y de los que
realmente se absorban no todos van a contribuir a generar una corriente eléctrica
(cerca de la superficie del semiconductor los pares electrón hueco se recombinan
con facilidad). Todo esto viene expresado por la figura y la relación:
η = (1 − R)ς (1 − e −αd )
Así como la energía de gap de cada material semiconductor fijaba para las fuentes
ópticas la longitud aproximada de emisión, para los detectores fija la longitud de onda
a partir de la cual son incapaces de absorber, porque los fotones no tienen suficiente
energía para generar un par electrón-hueco.
En la figura se muestra el
coeficiente de absorción intrínseco
para algunos materiales con los
cuales se hacen detectores en
función de la longitud de onda. A
una cierta longitud de onda que
llamaremos de corte los fotones
dejan de ser absorbidos y el
material se hace transparente.
Darse cuenta que los semiconduc-
tores de gap indirecto (Si, Ge)
pueden ser usados como
detectores.
e λ ( µm)
R =η =η 0 proporcional a la
hν 1.24 longitud de onda
λ0 ( µm)
Si el detector tiene ganancia (genera M electrones por fotón): R = ηM
1.24
Comunicaciones Ópticas 6 4.1.- Detectores
- conceptos básicos de detección óptica:
tiempo de respuesta
Después de producirse el fenómeno de genera-
ción del par electrón-hueco se debe extraer los
portadores de la región para dar lugar a una
corriente eléctrica. Esto se hace a través de un
campo eléctrico aplicado. Los portadores se van
a mover a velocidades vh y ve (diferentes) dadas
por: v = μE , donde µ (µe, µh) es la movilidad de
i(t) los portadores. Eso da lugar a un tiempo de
tránsito (τtr) de los portadores hasta que
contribuyen por completo a la corriente.
τtr t
Por otra parte los detectores llevan asociada una resistencia y una capacidad, por lo
que se van a comportar como un circuito RC, con su tiempo de respuesta τRC= RC.
El tiempo de subida (del 10% al 90% de su valor final) se define como:
Tr = (ln 9)(τ RC + τ tr )
Tiempo de respuesta:
El ancho de banda eléctrico viene dado por la caída a 1.- e- generados en zona de deplexión
2.- e- generados en zona de difusión
3dB de la función de transferencia al cuadrado y es: 3.- Constante de tiempo RC del
fotodiodo y el circuito asociado
1 0.35
Δf elec = =
2π (τ tr + τ RC ) Tr
Comunicaciones Ópticas 7 4.1.- Detectores
- La unión p-n como detector
(fotodiodo)
La unión p-n puede utilizarse como detector si
usamos los materiales adecuados. En la unión
p-n tenemos una ventaja de entrada: existe un
campo generado en la región de deplexión.
Este campo va a expulsar a los electrones y
huecos de dicha zona con rapidez y va a dar
lugar a una corriente eléctrica.
A su vez van a poder generarse pares en la región 3 pero como no existe campo
eléctrico en esta región los portadores se mueven hasta que se recombinan (tiempo
de difusión). En la región 2, cercana a la región 1, tampoco hay campo eléctrico, pero
los portadores moviendose pueden llegar a entrar en esta región dando lugar a
corriente eléctrica: son portadores generados en la zona de difusión y van a dar
problemas de tiempo de respuesta.
( )
I elec = I s e eV / k BT − 1 − I p
El factor Ip da cuenta de la corriente eléctrica fotogenerada y lleva signo negativo por
que va en ese sentido (en contra de la intensidad en directa).
Comunicaciones Ópticas 8 4.1.- Detectores
- La unión p-n como detector
(fotodiodo)
Los modos de operación de la unión p-n se muestran en las figuras.
Con uniones p-n se pueden obtener valores de τRC ~ 100 ps y τtr ~ 100 ps -> 1 Gb/s
Comunicaciones Ópticas 9 4.1.- Detectores
- el fotodiodo p-i-n
De todas formas, la unión p-n presenta un
problema grave para utilizarla como
fotodetector en comunicaciones ópticas,
debido al tiempo de difusión de los portadores
generados fuera de la zona de deplexión, con
tiempos del orden del ns
En realidad el efecto es algo más complicado: los electrones pueden generar nuevos
pares electrón-hueco pero los huecos también. Cada uno de ellos lo hace con un
coeficiente distinto llamado coeficiente de ionización (probabilidad de ionización por
unidad de longitud, cm-1), αe y αh. Son dependientes del valor de V y de la Tª.
De forma general
un APD va a ganar
sobre un p-i-n unos
5-10 dB de SNR
Comunicaciones Ópticas 15 4.1.- Detectores
- ruido en fotodetectores
SNR =
I p2
=
(RPin )2
σ 2
2e( RPin + I d )Δf +
4 k BT
Fn Δf
RL
En la mayoría de los casos la intensidad generada es muy pequeña (llega poca luz)
por lo que el ruido térmico domina sobre el cuántico: diremos que estamos en el
límite de ruido térmico. En ese caso:
R (RPin )
2 La SNR aumenta pues con el cuadrado de la potencia incidente o
SNR T = L aumentando la resistencia de carga: esto llevará, como veremos
4k BTFn Δf más tarde, a usar circuitos receptores de alta impedancia
Un parámetro que se suele usar para conocer la potencia necesaria para conseguir
un SNR determinado, conocido el ancho de banda es el NEP (noise equivalent
power): mínima potencia por unidad de ancho de banda para conseguir SNR = 1
Comunicaciones Ópticas 19 4.1.- Detectores
- relación señal a ruido en p-i-n’s
1/ 2
Pin ⎛ 4k TF ⎞
NEP = = ⎜⎜ B 2 n ⎟⎟ Valores típicos de NEP: 1-10 pW/Hz1/2
Δf ⎝ RL R ⎠
Otro valor que se suele dar es la detectividad D = NEP-1 o incluso la detectividad
específica D = D A (A: área del detector)
*
SNR =
(MRPin )2
4 k BT
2eM 2 FA ( RPin + I d )Δf + Fn Δf
RL
Límite Límite
térmico cuántico Depende de la relación
SNR SNR necesaria será
más conveniente usar
1.´ 106 un p-i-n o un APD en
500000. cada una de las regio-
APD
nes en las que limita el
ruido térmico o el cuán-
100000. tico. Hay que tener en
50000 cuenta que el APD
p-i-n siempre es más caro y
más complejo de usar
0.00002 0.000050.0001 0.0002 0.0005 0.001 Pin (W) que el p-i-n.
- Agrawal, pags. 138-170 (Muy bien. En algún momento un poco complejo. Ruido en
fotodetectores)
- Saleh, pags. 644-673 (conceptos básicos, muy bien)
- Keiser, pags. 234-260 (sencillo, bien)
Para ampliar:
- Gowar, pags. 441-462 (pins) y 465-486 (APDs)
- Agrawal, pags. 144-155 (detectores de última generación)
-Wood, capítulo 6 (pins) y capítulo 7 (APDs)