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TIRISTORES

Chamamos de tiristores a uma família de dispositivos semicondutores que possuem,


basicamente, quatro camadas (PNPN) e que têm características biestáveis de funcionamento,
ou seja, permanecem indefinidamente no estado de condução ou de corte a menos que fatores
externos os levem a uma mudança de estado. Nesses dispositivos, o estado de condução é
obtido por meio de um processo interno de realimentação positiva. A passagem de um tiristor do
estado de corte para o de condução é chamada de disparo e a passagem do estado de
condução para o estado de corte é chamada de comutação.
Os tiristores podem ser classificados quanto ao número de terminais e quanto ao sentido
de condução de corrente elétrica. Desse modo, um tiristor de dois terminais e que permita a
passagem de corrente em ambos os sentidos será chamado de diodo tiristor bidirecional e um
tiristor com quatro terminais e que permite passagem de corrente em apenas um sentido é
chamada de tetrodo tiristor unidirecional ou de tetrodo tiristor de bloqueio reverso.
Dentre os vários tipos de tiristores existentes, estudaremos especialmente o SCR (Silicon
Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silício) e o TRIAC (Triode AC - Triodo de
Corrente Alternada), grandemente utilizados no controle de potência em corrente contínua e
alternada, respectivamente. Além desses, estudaremos outros tipos de tiristores utilizados
principalmente como dispositivos auxiliares em circuitos com SCR ou TRIAC.

SCR - Retificador Controlado de Silício

É o tipo mais largamente utilizado de tiristor. Sua aplicação é tão comum que é corrente
utilizarem-se os termos “SCR” e “tiristor” como sinônimos, embora isso seja, obviamente, um
equívoco. O SCR é na verdade um triodo tiristor de bloqueio reverso, ou seja, possui três
terminais e permite a passagem de corrente elétrica num único sentido. Seus terminais
principais chamam-se, da mesma forma como num diodo semicondutor, anodo (A) e catodo (K).
O terceiro terminal, que serve como eletrodo de controle, é chamado de porta ou gate (G).
Utilizaremos essa segunda denominação.
Se o potencial do anodo for positivo em relação ao do catodo, o SCR poderá estar
conduzindo (ON - com resistência praticamente nula) ou cortado (OFF - com resistência interna
praticamente infinita). Se o potencial de anodo for negativo em relação ao de catodo, o SCR
necessariamente estará cortado. A Figura 203 mostra a simbologia, estrutura interna e
polarização de um SCR.

A
ANODO R
L
P
Junção J1
N VA
G Junção J2 VAK
P S
Junção J3
GATE N
VG
CATODO K

Figura 203 – Simbologia, Estrutura Interna e Polarização de um SCR

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Seria possível colocar o terminal de gate na primeira camada N, ou mesmo ter dois
terminais de gate, um para disparo com tensões positivas e outro para disparo com tensões
negativas. Nesse caso, teríamos o dispositivo conhecido como SCS - chave controlada de
silício. No entanto, o caso mais comum (e o único que estudaremos) é o representado na
figura acima.

Métodos de Disparo de um SCR

A passagem de um SCR do estado de corte para o estado de condução pode se dar


através de diferentes mecanismos, dos quais apenas dois são considerados como “normais”,
sendo os demais, em geral, indesejáveis, devendo ser evitados. Descreveremos a seguir os
métodos de disparo de um SCR, começando por aqueles que são considerados desejáveis.

1) Aplicação de Corrente no Gate

O método de disparo usual de um SCR é através da aplicação de uma corrente adequada


no terminal de gate, quando o anodo é positivo em relação ao catodo (as duas condições devem
ser simultâneas). Para compreender como uma corrente no gate produz o disparo de um SCR,
iremos analisá-lo usando um modelo clássico, que representa o SCR como sendo composto por
dois transistores bipolares conectados entre si como mostra a Figura 204.

A A S1
RL IA = IE1

IB1 = IC2
P T2 T1 T1
N N VT
G
P P IC1 = IB2

N G S2
T1 RG T2
T2

K VG
K IA = IE2

Figura 204 – Circuito Equivalente do SCR e Mecanismo de Disparo com Corrente no Gate

Sem corrente no gate, o “transistor” T2 estará cortado, já que a sua corrente de base é
nula. Em conseqüência, sua corrente de coletor também será nula. Como a corrente de coletor
do “transistor” T2 é a corrente de base do “transistor” T1, este também estará cortado. Logo, os
transistores serão percorridos tão-somente pelas suas correntes de saturação reversa ICBo, que,
como vimos, são da ordem de nanoampères e, portanto, desprezíveis. É possível demonstrar
que, em qualquer situação, o valor da corrente de anodo IA é determinado pela equação:

IA =
(hFE1 + 1)× (hFE2 + 1)× (ICBo1 + ICBo2) . O valor do ganho de corrente hFE de um
1 − hFE1× hFE2
transistor é altamente dependente do valor da corrente de coletor. Para baixos valores de IC, o
valor de hFE também é extremamente baixo. Assim, na condição de corte, a corrente de anodo
será, aproximadamente, IA = ICBo1 + ICBo2, com um valor na ordem de nanoampères.

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Aplicando-se uma tensão positiva ao gate (através do fechamento da chave S2), passa a
circular uma corrente de base no “transistor” T2, levando-o ao estado de condução. Logo, o
“transistor” T1 passa a ter corrente de base e também entra no estado de condução.
Reportando-nos à equação para a corrente de anodo IA, quando a corrente chega ao ponto em
que o produto hFE1 × hFE2 se torna próximo à unidade, ela passa a crescer indefinidamente,
sendo limitada apenas pelos componentes externos (resistência de carga RL e tensão de
alimentação VT).
A forma como os dois “transistores” estão conectados caracteriza uma realimentação
positiva entre eles, que os leva quase que imediatamente à saturação. Assim, a queda de
tensão entre o anodo e o catodo cai bruscamente. Na situação de condução, a tensão entre o
anodo e o catodo de um SCR é chamada de VAKon. É fácil constatar que:
VAKon = VBEsat1 + VBEsat2.
Uma vez iniciada a condução, o processo de realimentação positiva entre os “transistores”
T1 e T2 mantém o SCR conduzindo mesmo que a corrente externamente aplicada ao gate seja
removida. A única condição necessária para que a condução se mantenha é que o produto entre
os ganhos de corrente dos “transistores” continue próximo de 1. O valor mínimo de corrente para
o qual essa condição se mantém é conhecido como corrente de manutenção (IH), e é outro dos
parâmetros importantes de um SCR. Uma boa estimativa para o valor da corrente de
manutenção de um SCR é cerca de um milésimo da corrente máxima que o dispositivo é capaz
de suportar. Dessa forma, um SCR com capacidade de corrente de 50 A terá uma corrente de
manutenção de cerca de 50 mA.
Para que o disparo por aplicação de corrente de gate seja efetivo, é necessário que a o
anodo seja positivo em relação ao catodo e que a corrente de gate permaneça aplicada até que a
corrente de anodo atinja um valor denominado corrente de retenção (“latching current” – IL).
O valor da corrente de retenção é cerca de duas a três vezes o valor da corrente de manutenção.
O valor do tempo ton necessário para o disparo de um SCR depende das características
do dispositivo e das características da corrente de gate empregada para o seu disparo.

2) Disparo por Radiação Luminosa

O princípio de funcionamento é análogo ao descrito acima, mas a corrente de disparo, ao


invés de ser fornecida pela aplicação de uma tensão ao gate, origina-se a partir da interação
entre a superfície semicondutora do SCR e os fótons da luz incidente através de uma “janela”
aberta no dispositivo, exatamente como ocorre num fotodiodo ou fototransistor. Esse tipo de
SCR é conhecido como LASCR (Ligth Activated Silicon Controlled Rectifier - Retificador
Controlado de Silício Acionado pela Luz). Sua simbologia é representada na Figura 205. O
terminal de gate, em geral, não está disponível para conexões externas, sendo possível o disparo
unicamente por meio da exposição à luz.

G
K

Figura 205 – Símbolo do Retificador Controlado de Silício Foto-Ativado

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3) Disparo por Sobretensão (ou disparo por VBO)

Analisando a estrutura interna de um SCR, observamos três junções PN (J1, J2 e J3).


Com a aplicação de uma tensão positiva entre anodo e catodo, as junções J1 e J3 ficam
diretamente polarizadas e aptas a permitir a passagem de corrente elétrica. Todavia, a junção
J2 se encontra reversamente polarizada e, conseqüentemente a corrente que flui pelo dispositivo
é a corrente de saturação reversa de uma junção PN (ordem de nA).
Caso se aumente o valor da tensão VAK entre o anodo e o catodo, chega-se ao ponto em
que se atinge a tensão de avalanche da junção J2, chamada de tensão de bloqueio direto
(VBO, VDRM ou VBR). Esse é um dos parâmetros importantes de um SCR, sendo da ordem de
centenas de volts. Quando o disparo por sobretensão ocorre, a corrente no SCR deixa de ser
desprezível e o dispositivo passa para o estado de condução.
Embora existam tiristores que disponham apenas desse método de disparo, no caso
específico do SCR o disparo por sobretensão é indesejável, e deve ser evitado escolhendo-se um
SCR adequado para o nível de tensão utilizado no circuito de aplicação.

4) Disparo por Temperatura

Como vimos anteriormente, a corrente de saturação reversa de uma junção PN


reversamente polarizada dobra aproximadamente de valor a cada acréscimo de 10 oC na
temperatura da junção. Dessa forma, caso essa temperatura sofra um aumento considerável, é
possível que a corrente através da junção J2 atinja o valor necessário para dar início ao processo
de condução do SCR. Esse método de disparo também é indesejável num SCR.

5) Disparo por Variação de Tensão (ou disparo por dv / dt)

Como sabemos, uma junção PN apresenta uma capacitância. A corrente que percorre
dv dv
uma capacitância qualquer pode ser calculada pela fórmula i = C , onde é a taxa de
dt dt
variação da tensão aplicada sobre o transistor. Para compreender como ocorre o disparo por
variação de tensão, consideremos o circuito representado na Figura 206.
S

dv
i= C
P dt
J1
N Capacitância
CT
J2 da junção
P
J3
VT N

Figura 206 – Mecanismo de Disparo por Variação de Tensão

Estando a chave S fechada, a tensão sobre a junção J2 é nula. Com o fechamento da


chave, o valor dessa tensão passa rapidamente para VT (já que ela está reversamente
dv
polarizada). Se essa variação de tensão for suficientemente rápida, o produto C x
dt
produzirá uma corrente capaz de dar início ao processo de condução.

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Exemplificando, caso a tensão VT valha 1000 V, a capacitância de J2 valer 20 pF e a
chave fechar em 1 ms, a corrente produzida com o fechamento da chave será de 20 µA, valor
suficiente para o disparo do SCR.
O disparo por variação de tensão também é indesejável. Em aplicações propensas a
essa ocorrência, utilizam-se em paralelo com os tiristores as chamadas redes amortecedoras
(“snubber networks”), normalmente uma associação série de um capacitor e um resistor, o que
serve para reduzir a probabilidade desse tipo de disparo.

Comutação de um SCR

Qualquer que seja o método utilizado para o disparo de um SCR, uma vez iniciada a
condução ela se mantém, mesmo que a causa do disparo seja removida. Isso ocorre devido ao
processo interno de realimentação positiva mencionado anteriormente.
Existem dois métodos para realizar a comutação do SCR, ou seja, levá-lo ao corte:
• Diminuir a corrente que percorre o dispositivo a um valor inferior ao da sua corrente de
manutenção. Com isso, o processo interno de realimentação positiva que mantém a
condução se desfaz e o corte ocorre. Esse método é conhecido como comutação
natural, porque, nos circuitos alimentados com corrente alternada, ele ocorre
naturalmente.
• Tornar a tensão de anodo negativa em relação à de catodo. Com isso, as junções J1 e
J3 se tornam reversamente polarizadas, interrompendo a condução. Esse método é
conhecido como comutação forçada, pois exige a inclusão de componentes adicionais no
circuito de controle. Em geral, utiliza-se a comutação forçada em circuitos alimentados
com corrente contínua e constante.
O tempo necessário para a comutação de um SCR (que chamaremos de tOFF) varia de
alguns microssegundos a centenas de microssegundos.

O Tiristor Comutável pelo Gate → A comutação forçada exige a inclusão de componentes para
esse fim, o que torna os circuitos mais complexos e mais caros. Com o objetivo de contornar
esse problema, foi desenvolvido, na década de 1960, um tiristor comutável através da aplicação
de um pulso negativo de corrente no gate, daí a razão do seu nome, gate turn-off (GTO).
Um GTO possui estrutura semelhante à de um SCR, mas a dopagem e a geometria das
camadas de gate e catodo são diferentes. Na região de gate são inseridos dopantes com alta
mobilidade, o que facilita a extração de portadores pelo terminal de gate. A região de catodo
recebe baixo nível de dopagem, de forma que a junção gate-catodo seja capaz de suportar uma
polarização reversa apreciável sem entrar em avalanche. Essa junção é feita com muitas
reentrâncias, de forma a aumentar a área de contato entre as duas regiões e facilitar a absorção
de portadores.
Em comparação com o SCR, o GTO, além de dispensar a necessidade de comutação
forçada, possuem tempo de desligamento menor, permitindo maior freqüência de chaveamento.
Como desvantagens, o GTO possui uma menor capacidade de bloqueio de tensão reversa do
que a de um SCR do mesmo porte e maior complexidade do circuito de controle. A Figura 207
mostra o símbolo de um GTO. Note-se que a única diferença em relação ao SCR é o traço no
terminal de gate.
ANODO (A)

GATE (G)

CATODO (K)
Figura 207 – Símbolo do GTO

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Curva Característica de um SCR

A curva que relaciona a corrente principal IA num SCR com a tensão VAK aplicada entre o
anodo e o catodo tem o aspecto mostrado na Figura 208.

IA

IGT > IG3 > IG2 > IG1 > 0

IH
região de resistência (dinâmica) negativa
VRRM (máxima tensão reversa) IGT IG3 IG2 IG3 IG = 0
VAK
VBO
(máxima tensão de bloqueio direto)

Figura 208 – Curva Característica de um SCR

Como se pode notar, o valor da corrente de gate necessária para o disparo do SCR é
inversamente proporcional ao valor da tensão entre anodo e catodo, ou seja, quanto menor for o
valor de VAK, maior o valor da corrente de gate necessária para o disparo. Chamamos de IGT
(“gate trigger current”) o valor da corrente de gate necessária para disparar o SCR com o mínimo
valor de tensão entre anodo e catodo. Logo, para garantir o disparo de um SCR, o projetista
deve se assegurar que a corrente aplicada no gate seja igual ou superior a IGT. Desse modo, o
valor da tensão entre anodo e catodo no momento do disparo torna-se irrelevante desde que,
obviamente, o anodo seja positivo em relação ao catodo.
A curva mostra também que, mesmo sem tensão de gate aplicada (IG = 0), o SCR dispara
quando a tensão entre anodo e catodo atinge a máxima tensão de bloqueio direto (VDRM ou
VBO). Trata-se do disparo por sobretensão, descrito anteriormente.
Com tensão negativa entre anodo e catodo, o SCR se comporta como um diodo
reversamente polarizado, com corrente praticamente nula até que se atinge a tensão em que as
junções J1 e J3 entram na região de avalanche e passam a conduzir. Esse valor de tensão é
chamado de máxima tensão reversa ou máxima tensão de bloqueio reverso (VRRM).
A linha pontilhada mostra que a tensão sobre o SCR diminui bruscamente após o disparo,
ao mesmo tempo em que a corrente no dispositivo aumenta. Isso implica numa resistência
dv
dinâmica rd negativa, ou seja, rd = < 0. Essa região da curva é chamada, por esse motivo,
di
de região de resistência negativa. Como veremos adiante, existem vários dispositivos que
apresentam essa característica e que são utilizados em circuitos de disparo para tiristores.

Considerações Sobre a Tensão de Disparo de um SCR

Vimos acima que a tensão de disparo de um SCR é necessária apenas para iniciar o
processo que o leva à condução, sendo desnecessária depois que essa se estabelece. Vimos
também que quanto maior o valor da corrente de gate (e, em conseqüência, quanto maior a
tensão de gate) mais rápida é a resposta do dispositivo. Além disso, como nem sempre é
possível conhecer a priori o valor da tensão entre anodo e catodo no momento em que se dispara
um SCR, o ideal é aplicar uma corrente de gate com valor igual ou superior a IGT, pois isso
garante o disparo, independente de qual seja o valor da tensão VAK.

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Reunindo as informações acima, conclui-se que a forma de onda mais adequada para a
tensão de disparo de um SCR é um pulso, que possua alta amplitude (para garantir uma
corrente de gate com valor maior do que IGT) e curta duração (apenas o suficiente para iniciar o
processo de condução, de forma a não danificar a junção gate-catodo).

Aplicações do SCR

Devido às suas características, o SCR é especialmente adequado para o uso como chave
eletrônica de estado sólido, substituindo com vantagem relés e contatores. Além de não
possuir partes móveis, o que lhe garante maior confiabilidade, o SCR possui uma capacidade de
corrente muito maior do que a de um relé com as mesmas dimensões, além de necessitar de uma
corrente de controle relativamente menor. Uma das desvantagens do SCR em relação aos relés
eletromecânicos é que a sua resistência, quando em condução, é maior que a dos contatos de
um relé. Para a grande maioria das aplicações, no entanto, essa desvantagem é desprezível.
Mas, sem dúvida, a aplicação mais freqüente do SCR é no controle de potência de
cargas DC e, eventualmente, AC. Nesse tipo de aplicação, o SCR substitui com grande
vantagem dispositivos como potenciômetros, grupos motores-geradores, transistores de potência
e válvulas, devido ao seu menor custo, menor corrente de controle e menor dimensão física.
Para se ter uma idéia, enquanto a corrente de base mínima para um transistor de potência com
corrente de coletor igual a 15 A (tipo D44VH1, da General Electric) é de 400 mA, a máxima
corrente de gate necessária para disparar um SCR de 1000 A de corrente principal (tipo C431, da
General Electric) vale 300 mA.
A Tabela 8 resume as vantagens e desvantagens que os tiristores possuem em relação
aos relés:

Vantagens Desvantagens
• Maior vida útil, por não possuírem partes • Apenas um “contato” normalmente aberto.
móveis. • Maior valor de resistência quando em
• Menores dimensões. condução.
• Menor corrente de controle. • Menor resistência quando em corte.
• Possibilidade de controle contínuo de • Não apresentam isolação elétrica entre a
potência. parte de controle e a de potência.
Tabela 8 – Comparação Entre Características de Tiristores e de Relés Eletromecânicos

Embora a tabela mostre que em muitos casos um relé eletromecânico seja mais adequado
para o chaveamento de uma carga do que um tiristor, isso não deve conduzir à conclusão de que
a utilidade dos dois tipos de dispositivo seja semelhante. Na verdade, a aplicação mais nobre
dos tiristores não é o chaveamento de cargas e sim o controle contínuo da potência aplicada a
elas. Essa é uma aplicação para a qual os relés eletromecânicos não podem ser utilizados.
Qualquer que seja a aplicação, os circuitos que utilizam SCR podem ser divididos em duas
seções: a parte de potência, que é composta basicamente pela tensão principal de alimentação,
a resistência e o SCR propriamente dito (percurso anodo-catodo) e a parte de controle, que
compreende os dispositivos utilizados para gerar a tensão de disparo do SCR e para forçar
(quando necessário) a sua comutação. A parte de controle é a seção mais complexa dos
circuitos com SCR ou com qualquer outro tipo de tiristor.
Veremos a seguir as particularidades da utilização do SCR com tensão contínua e
constante e com tensão contínua pulsante. Consideraremos os SCRs utilizados nesses circuitos
como ideais, ou seja, com resistência nula quando em condução e resistência infinita quando em
corte. Nesse enfoque inicial, estaremos analisando exclusivamente a parte de potência,
deixando a parte de controle para uma fase posterior.

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Utilização do SCR com Tensão Contínua e Constante

A Figura 209 mostra um circuito alimentado com tensão contínua e constante no qual o
SCR é utilizado como interruptor.

Circuito Equivalente
RL Utilizando Chave Comum
Circuito Utilizando SCR
RL
S

VT RG VT
S

VG

Figura 209 – Circuito de Chaveamento com SCR e Seu Equivalente com Chave Comum

O princípio de funcionamento é bastante simples. Estando o SCR inicialmente cortado,


ao se fechar a chave S ele dispara (supondo VG e RG corretamente dimensionados) e a
resistência de carga RL é energizada. No entanto, quando se faz necessário desenergizar a
carga, aparece a principal limitação do SCR operando em regime de tensão contínua e constante:
uma vez disparado e iniciada a condução, como fazê-lo parar de conduzir?
A Figura 210 apresenta dois esquemas que possibilitariam a comutação “natural” do SCR.
No circuito da esquerda, abrindo-se a chave S’ a corrente principal IA iria a zero (valor,
obviamente, menor do que o da corrente de manutenção IH), levando à comutação do SCR. No
circuito da direita, o mesmo efeito seria obtido fechando-se momentaneamente a chave S’.

RL
RL
S’

VT
RG VT RG
S S’
S

VG VG

Figura 210 – Dois Métodos Para Permitir a Comutação do SCR

Os dois circuitos acima são, no entanto, inviáveis. Em ambos os casos, a chave S’


utilizada para obter a comutação “natural” teria que possuir a mesma capacidade de corrente do
SCR, ou seja, a presença da chave S’ tornaria inútil a própria utilização do SCR. Esse exemplo
mostra que a utilização em circuitos alimentados com tensão contínua e constante não é a
“vocação natural” do SCR. Para aplicações de chaveamento nessas condições, é mais comum
a utilização de transistores bipolares ou FETs.
Não obstante, é possível utilizar um SCR em regime de corrente contínua e constante.
Basta adicionar ao circuito componentes que realizem a comutação forçada do tiristor sempre que
for necessário desligar a carga. A Figura 211 mostra o diagrama de um circuito com essas
características. Note-se que está representada a penas a seção de potência do circuito,
omitindo-se a seção de controle.

191
R Rcomut
Ccomut
L

SCR1 SCR2
VT (princ (auxi
RG1 RG2

vG1 vG2

Figura 211 – Circuito de Chaveamento Utilizando o Método de Comutação Forçada

Nesse circuito, o SCR1 é o principal e o SCR2 é auxiliar. Suponhamos que inicialmente


ambos os SCRs estejam cortados. Disparando-se o SCR1 em t = T1, este entra em condução e
o capacitor C se carrega através do resistor Rcomut com, a polaridade indicada na Figura 212. O
tempo necessário para a carga completa do capacitor dependerá da constante de tempo do
circuito de carga. Com o SCR principal conduzindo, a resistência de carga RL estará
energizada. Após algum tempo, o capacitor C ficará carregado com a tensão VT, com a
polaridade assinalada na figura.

R corrente de carga
L C do capacitor Rcomut
IRL = IA − +
− +
VT SCR1 SCR2
(conduzindo) (cortado)

Figura 212 – Circuito Equivalente Após o Disparo do SCR1

Se em t = T2 o SCR2 é disparado, ele entra em condução e faz com que a tensão


armazenada no capacitor C polarize reversamente o SCR1, causando a sua comutação forçada.
A Figura 213 ilustra essa situação.

nova corrente de carga iRcomut


R Rcomut R do capacitor
L C L Rcomut
− + + −
VT − + VT + −
− C
Polaridade imposta SCR1 SCR2
pelo capacitor C (cortado) (conduzindo)
+

Instante Inicial: ambos os SCRs conduzindo Instante Final: apenas o SCR2 conduzindo

Figura 213 – Mecanismo de Comutação Forçada do SCR Principal

192
Como a resistência entre o anodo e o catodo do SCR2 é muito baixa, a corrente de
descarga do capacitor é elevada e de curta duração (o capacitor se descarrega rapidamente).
Com o corte do SCR1, o capacitor C começa a se carregar com a polaridade oposta à original.
Se, no entanto, a corrente de anodo iRcomut do SCR2 for inferior à sua corrente de manutenção,
ele voltará ao estado de corte durante a descarga do capacitor. Essa é a situação ideal, pois
garante que o SCR2 conduza apenas durante o tempo necessário para que o SCR1 seja cortado,
evitando desperdício de energia.
Caso o SCR1 seja novamente disparado e o SCR2 ainda esteja conduzindo (por mau
dimensionamento da resistência Rcomut), a tensão no capacitor C ocasionará a sua comutação
forçada. Logo, o disparo do SCR2 leva ao corte do SCR1 e o disparo do SCR1 leva ao corte do
SCR2 (quando necessário). A Figura 214 mostra o diagrama de tempos da tensão sobre a carga
em relação aos pulsos de disparo dos SCRs principal e auxiliar. Supõe-se que em t = 0 ambos
os SCRs estejam cortados.

vG1 Temos:
tH: tempo em que a
carga permanece
vG2 t
energizada.

tL: tempo em que a


t carga permanece
vRL T desenergizada.

VT
tH T: período da onda
tL sobre a carga

t (T = tH + tL).

Figura 214 – Tensão Sobre a Carga em Função dos Pulsos de Disparo dos SCRs

A relação DC =
tH t
= H é chamada de duty cycle (ciclo de trabalho). Através do
tH + tL T
controle do ciclo de trabalho, é possível ajustar o valor médio DC da tensão sobre a resistência de
carga RL. Esse é o princípio de funcionamento da modulação de largura de pulsos (PWM),
técnica utilizada em fontes de tensão chaveadas, amplificadores em Classe D e no controle de
motores DC. O controle do ciclo de trabalho também possibilita o controle do valor RMS (eficaz)
da tensão sobre a carga, e, desse modo, o controle da potência sobre a carga.
Para controlar o ciclo de trabalho, basta variar o intervalo entre o disparo do SCR principal
e o disparo do SCR auxiliar, desde que ambos os SCRs sejam disparados através de pulsos
periódicos e de mesma freqüência (como exemplificado no diagrama de tempos acima). O
intervalo entre o disparo do SCR principal e o disparo do SCR auxiliar corresponde ao tempo em
que a carga permanece energizada (tH).
O valor médio DC e o valor eficaz da tensão sobre a resistência de carga podem ser
calculados através das equações:

tH t
= VT × H
tH tH
VLDC = VT × VLef = VT × = VT ×
tH + tL T tH + tL T

Os diagramas da Figura 215 ilustram como o ajuste do intervalo entre os pulsos de disparo
dos dois SCRs influi sobre o ciclo de trabalho. Em ambos os casos, a freqüência dos pulsos é a
mesma, variando-se apenas o intervalo entre o disparo do SCR principal e o disparo do SCR
auxiliar.

193
vG1

t t
vG2
vG2
menor maior
intervalo intervalo
t v t
RL
vRL

tH tL tH tL

menor ciclo de trabalho t maior ciclo de trabalho t

Figura 215 – Influência do Intervalo Entre os Disparos Sobre o Ciclo de Trabalho

Utilização do SCR com Tensão Contínua Pulsante (Tensão Senoidal Retificada)

Como sabemos, a tensão senoidal passa periodicamente pelo valor zero. Dessa forma,
quando uma tensão desse tipo é aplicada a um circuito com SCR, a corrente principal IA terá, em
algum momento, um valor inferior ao da corrente de manutenção, o que garante a comutação
natural do SCR. Esse fato simplifica bastante a seção de controle nesse tipo de circuito.
Sendo o SCR um retificador, se a tensão senoidal for aplicada diretamente ao SCR, um
dos semiciclos será cortado e metade da tensão deixará de ser aproveitada. Por esse motivo, é
mais conveniente retificar a senóide em onda completa, para alimentar o circuito com tensão DC
pulsante. A Figura 216 ilustra as duas situações.

RL
Aplicação direta da RL Retificação prévia da
tensão senoidal: tensão senoidal:
metade da potência aproveitamento
perdida pela retificação. integral da potência.

Circuito de Circuito de
Controle Controle

Figura 216 – Utilização do SCR com Corrente Alternada Senoidal

Existem duas possibilidades para a utilização do SCR:

• Simplesmente permitir ou interromper a passagem de corrente pela resistência de carga,


ou seja, como um mero interruptor. Para tanto é necessário que a tensão de gate
permaneça aplicada durante todo o tempo em que se deseja energizar a carga. Se for
aplicado um único curto pulso, O SCR irá passar pela comutação natural quando a tensão
senoidal chegar a zero, desenergizando a carga. Esse método é ilustrado na Figura 217.
194
vi

t
vG

t
Intervalo de energização
vRL da carga

t
Figura 217 – Utilização do SCR Como Interruptor (com Retificação Prévia da Tensão Senoidal)

• Controle do nível de potência dissipado pela carga. Essa é a aplicação mais “nobre” do
SCR. Para tanto, é necessário que a freqüência dos pulsos de gate seja sincronizada
com a freqüência da rede senoidal e que sua posição no tempo seja ajustável. Esse tipo
de controle é chamado de controle de potência por fase, e é utilizado no controle de
velocidade de motores, de intensidade de lâmpadas (“dimmers”), da temperatura de
fornos, etc. A Figura 218 ilustra esse tipo de controle, tomando como base uma entrada
senoidal sem retificação prévia.

vi

comutação comutação comutação


natural do natural do natural do
SCR SCR SCR

vG

, , t
vRL
∆t ∆t

α β ∆t: intervalo de tempo entre a passagem por zero e o disparo


t
do SCR.

Figura 218 – Utilização do SCR Como Controlador de Potência

195
O intervalo angular entre a passagem da tensão de entrada por zero e o disparo do SCR é
chamado de ângulo de disparo (α) e o intervalo angular entre o disparo do SCR e a sua
comutação natural é chamado de ângulo de condução (β ). Fica evidente através do gráfico
que, para um SCR ideal alimentado com tensão senoidal, vale a relação: α + β = π rad =
180°. Quanto maior o ângulo de disparo, menor será o ângulo de condução e,
conseqüentemente, menores serão a tensão sobre a carga e a potência dissipada sobre ela.
O ângulo de disparo α se relaciona com o intervalo de tempo ∆t entre a passagem por
π × ∆t
zero e o disparo do SCR através da equação: α = T
= 2 × π × f × ∆t , onde T é o período da

2
senóide de entrada e f é a sua freqüência. Para o valor usual de freqüência (60 Hz), teremos α
≈ 377 ∆t. O máximo valor possível para ∆t é a metade do período do sinal de entrada, o que,
para o caso de senóides de 60 Hz, equivale aproximadamente a 8,33 ms. Os valores médio DC
e eficaz da tensão sobre a carga são calculados pelas fórmulas abaixo.

Sem retificação prévia (meia-onda):

V max × (1 + cos α ) β + 0,5 × sen 2α


VLDC = 2π
VLef = V max × 4π

Com retificação (DC Pulsante):

= V max
× (1 + cosα ) = Vmax ×
β + 0,5 × sen 2α
VL DC
π VL ef

TRIAC - Triodo de Corrente Alternada


Suponhamos que seja necessário realizar o controle de potência por fase de uma carga de
corrente alternada. Para tanto, poderiam ser utilizados dois SCRs conectados entre si na ligação
chamada de anti-paralelo, como mostrado na Figura 219. Nessa ligação, cada semiciclo da
tensão alternada de entrada será controlado por um dos SCRs.

RL

circuito
SCR 1 de
SCR 2
disparo

Figura 219 – Ligação Antiparalela de Dois SCRs

Tal configuração seria dispendiosa, além de necessitar de um circuito de disparo mais


complexo para lidar adequadamente com os dois SCRs. A solução para esse problema consistiu
na criação de um dispositivo que funciona de modo bastante semelhante a dois SCRs ligados em
anti-paralelo e encapsulados em conjunto. Tal dispositivo, cujo símbolo e estrutura interna estão
representados na Figura 220, é conhecido como TRIAC (Triode AC - triodo de corrente
alternada). O TRIAC, como veremos a seguir, pode ser disparado qualquer que seja a
polaridade da tensão entre os seus terminais principais e qualquer que seja a polaridade dos
pulsos aplicados ao gate. O terminal principal número 1 serve como referência.
196
MT2
Terminal Principal
Número 2 (MT2) N4
P1

N1

P2
Gate (G)
N3 N2
Terminal Principal
Número 1 (MT1)
G MT1
Figura 220 – Simbologia e Estrutura Interna de um TRIAC

Modos de Disparo de um TRIAC

O disparo de um TRIAC pode ser feito basicamente pelos mesmos métodos já estudados
para o SCR: aplicação de uma corrente no gate, por sobretensão, por temperatura e por variação
de tensão. No presente estágio de desenvolvimento, os TRIACs foto-ativados são ainda pouco
eficientes, sendo mais usada a associação antiparalela de SCRs foto-ativados
Com relação ao disparo por corrente no gate, existem quatro situações possíveis, que são
classificadas de acordo com a polaridade do MT2 e do gate em relação ao MT1. Em cada uma
dessas situações, algumas das regiões P e N da estrutura interna do dispositivo trabalharão em
conjunto para estabelecer um “SCR efetivo”, que será o responsável pela condução da corrente.
As possibilidades são:

1° Quadrante → Tanto o MT2 quanto o gate são positivos em relação ao MT1. Nesse caso, o
“SCR efetivo” é formado pela regiões P1, N1, P2 e N2, com a região P2 funcionando como gate.
É o modo de disparo em que o TRIAC é mais sensível, isto é, em que existe menor possibilidade
de ocorrer uma falha ao se tentar dispará-lo.

2° Quadrante → O MT2 é positivo e o gate é negativo em relação ao MT1. Nesse caso, teremos
o mesmo “SCR efetivo” do 1° quadrante. A diferença é que o início da condução ocorre de modo
indireto, através da corrente que flui pela junção N3-P2. Por esse motivo, o TRIAC é menos
sensível nesse modo de operação do que no 1º quadrante.

3° Quadrante → O MT2 e o gate são negativos em relação ao MT1. O “SCR efetivo” desta vez
é formado pela regiões P2, N1, P1 e N4. O início da condução também ocorre indiretamente,
através da corrente da junção N3-P2. Nesse modo de operação, o TRIAC é quase tão sensível
quanto no 1º quadrante.

4° Quadrante → O MT2 é negativo e o gate é positivo em relação ao MT1. Possui o mesmo


“SCR efetivo” do 3° quadrante, mas o processo de início de condução é mais complicado,
começando a partir da junção P2-N2. É o modo de operação em que o TRIAC é menos sensível,
sendo maior a probabilidade de ocorrer uma falha no disparo.

Curva Característica de um TRIAC

Devido às particularidades da sua fabricação, o TRIAC tem uma curva característica


simétrica e semelhante à característica direta de um SCR, como se pode ver na Figura 221. Da
mesma forma como ocorre com o SCR, quanto maior a corrente de gate, menor o módulo da
tensão necessária entre os terminais principais para que ocorra o disparo do TRIAC.
197
-VBO +IH

- IH +VBO

Figura 221 – Curva Característica de um TRIAC

Comutação de um TRIAC

Como o TRIAC admite ambas as polaridades de tensão entre os terminais principais,


nunca passará pelo processo de comutação forçada. Logo, uma vez disparado, a única maneira
de interromper a condução de um TRIAC é a comutação natural, ou seja, a redução do módulo da
corrente a um valor inferior ao da corrente de manutenção IH.
Logo, em regime de corrente alternada senoidal, o TRIAC tem apenas um pequeno
intervalo em torno dos pontos de passagem da tensão por zero para que ocorra a comutação. No
caso de cargas resistivas, isso é relativamente simples, mas quando a carga é altamente indutiva
(como um motor, por exemplo) a comutação do TRIAC pode tornar-se extremamente
problemática. Nesses casos, ao invés de um TRIAC, pode ser mais recomendável utilizar dois
SCRs em anti-paralelo.

Circuitos de Disparo Para Tiristores

A seção de controle, que inclui os circuitos específicos para a tensão de disparo, é a parte
mais complexa de um sistema de controle utilizando tiristores. Veremos a seguir os principais
tipos de circuito de disparo, utilizando como padrão sua utilização com o SCR. Os princípios
que estudaremos, no entanto, aplicam-se igualmente ao disparo de TRIACs, fazendo-se as
devidas adaptações.

A) Circuito Resistivo

É o tipo mais simples. No circuito A da Figura 222, a corrente de gate perdurará durante
todo o semiciclo positivo. Logo, enquanto a chave estiver fechada, o SCR, que no caso opera
como um simples interruptor, estará conduzindo. O resistor RG deve ser dimensionado de tal
forma que a corrente de gate seja sempre igual ou superior a IGT, para garantir o disparo do SCR
para qualquer valor de tensão entre anodo e catodo.

198
No circuito B, uma vez disparado o SCR, a tensão na malha de gate cai a praticamente
zero, de modo que a corrente de gate pára de circular. Esse circuito proporciona o controle do
ângulo de disparo do SCR através do ajuste de potenciômetro P.

RL RL
Circuito A: SCR Circuito B:
como R controle de potência
S interruptor G IG por fase
R
G P
vi vi

Figura 222 - Circuitos de Disparo Resistivo Para SCR

Analisando, no circuito B, a malha percorrida pela corrente IGT, chega-se à equação:

vi = IGT (RL + RG + P) + vD + vGK. Sendo a tensão de entrada senoidal, temos vi = Vmáx sen ωt.

Para ωt = α (ângulo de disparo do SCR), temos Vmáx sen α = IGT (RL + RG + P) + vD + vGK.

v +v + IGT × ( RL + RG + P )
Logo: α = arcsen D GK . Para simplificação, consideramos RG >> RL (o
V max
que sempre ocorrerá, na prática) e desprezamos os valores de vD e vGK, que são muito pequenos
quando comparados aos valores das outras tensões envolvidas. Com essas simplificações,
chegamos a:

IGT × ( RG + P )
α = arcsen . O valor de IGT pode ser obtido nas folhas de dados do SCR em
V max
questão.
O maior de ângulo de disparo possível de ser obtido com esse circuito é de 90°. Logo, a
P max
potência sobre a carga poderá ser ajustada entre P max e (se a entrada for previamente
2
P max P
retificada) ou entre e max (entrada sem retificação prévia).
2 4

B) Circuito Capacitivo

O circuito de disparo resistivo, visto anteriormente, possui como inconvenientes a limitação


no ângulo de disparo entre 0° e 90° e a dissipação de potência sobre as resistências na malha de
gate. Para minimizar esses inconvenientes, pode-se utilizar o circuito capacitivo, mostrado na
Figura 223.
Nos semiciclos negativos, o capacitor se carrega rapidamente com -Vmáx através do
capacitor C. Assim, quando começam os semiciclos positivos, a tensão inicial do capacitor será
sempre a mesma. Através de RG e P, o capacitor começa a se carregar positivamente, até que
a tensão de disparo do SCR é alcançada. O tempo em que isso ocorre depende da constante de
tempo τ = (RG + P) × C. A defasagem proporcionada pelo capacitor permite um ajuste mais
amplo do ângulo de disparo.

199
RL
R
G

D2
P
vi

Figura 223 - Circuito de Disparo Capacitivo Para SCR

C) Circuitos de Disparo com Dispositivos de Resistência Negativa

Os circuitos de disparo analisados anteriormente são muito dependentes das


características particulares do tiristor a ser disparado. Além disso, o nível de potência necessário
para o disparo é relativamente elevado, já que toda a corrente de disparo deve fluir pela
resistência RG. Outra desvantagem desse tipo de circuito é não poder ser utilizado em sistemas
de controle automático (de malha fechada).
Para contornar essas desvantagens, os circuitos mais utilizados no disparo de tiristores
são aqueles que utilizam os chamados dispositivos de resistência negativa (que chamaremos
daqui para a frente de DRN). Os DRN são componentes que apresentam em sua curva
característica alguma região em que o aumento da tensão corresponde a uma diminuição da
corrente, ou vice-versa. O SCR e o TRIAC, como já vimos, possuem essa particularidade.
Existem, no entanto, outros dispositivos que apresentam essa mesma propriedade sem, no
entanto, serem tiristores.
Os DRN, de uma forma geral, apresentam elevada impedância (praticamente infinita) até
que a tensão entre dois de seus terminais atinja um determinado valor. A partir desse ponto, a
impedância cai bruscamente (praticamente zero). O DRN permanece nessa condição enquanto
a corrente que o percorre estiver acima de um valor mínimo (chamado, normalmente, de corrente
de manutenção). Quando a corrente cai abaixo desse valor mínimo, o DRN volta para o estado
de alta impedância.
Os DRN podem ser unilaterais, quando conduzem corrente num único sentido, ou
bilaterais, quando conduzem em ambos os sentidos. O aspecto típico da curva característica
de um DRN unilateral é mostrado na Figura 224.

i
Região de
resistência
negativa

Iv

Ip
v
Vv Vp
Figura 224 – Curva Característica de um DRN Unilateral

200
As coordenadas do ponto de disparo são Vp e Ip (tensão e corrente de pico) e as
coordenadas do ponto de corte são Vv e Iv (tensão e corrente de manutenção ou de vale).
Dependendo o tipo de DRN, esses nomes e seus símbolos podem variar, mas a forma da curva
permanece essencialmente a mesma. Para exemplificar, no caso do SCR, a corrente
manutenção Ih corresponde à corrente de vale, a tensão VAKon corresponde à tensão de vale e
a tensão de bloqueio direto VBO corresponde á tensão de pico.
Os circuitos de disparo baseados em DRN são basicamente osciladores de relaxação
(que trabalham com carga e descarga de capacitores). Como veremos a seguir, esses
osciladores geram pulsos de alta amplitude e curta duração, especialmente adequados para
disparar um tiristor. O diagrama básico de um oscilador de relaxação utilizando DRN é mostrado
na Figura 225.

Vcontrol
DRN para o gate
do tiristor

C R
G

Figura 225 – Diagrama Genérico de Oscilador de Relaxação com DRN

Supondo o DRN inicialmente cortado, o capacitor C se carrega através do resistor R.


Sendo a tensão de alimentação Vcontrol superior à tensão de disparo VP do DRN, chegará um
momento em que a tensão no capacitor será suficiente para disparar o DRN. Quando isso
ocorrer, ele passa para a condição de baixa impedância, o que leva à descarga do capacitor
sobre o próprio DRN e sobre RG. O pico de tensão sobre RG é usado para disparar o tiristor.
Ao final da descarga do capacitor, a corrente no DRN cai abaixo da corrente de
manutenção Iv, levando-o ao corte. O capacitor volta então a se carregar, iniciando um novo
ciclo. O diagrama de tempos da Figura 226 mostra as formas de onda sobre o capacitor C e
sobre o resistor RG.

vC

t
vRG

t
Figura 226 – Foras de Onda no Oscilador de Relaxação com DRN

Note-se que o resistor RG é utilizado apenas para que sobre ele apareçam os pulsos que
dispararão o tiristor. Sua presença não é necessária para o funcionamento do oscilador. Para
garantir a oscilação é necessário polarizar o DRN na região de resistência negativa. Essa
condição é obtida quando a resistência R se situa dentro da faixa:
VCONTROL − Vv V − VP
< R < CONTROL . Se a resistência estiver fora dessa faixa, o ponto de operação
Iv IP
fica fora de região de resistência negativa e o circuito não oscilará.
Estudaremos a seguir os principais tipos de DRN utilizados em circuitos de disparo.
201
A - Transistor de Unijunção (UJT - UniJunction Transistor)

Como o próprio nome indica, trata-se de um dispositivo semicondutor formado por uma única
junção PN. O corpo do UJT é composto por uma barra de material N em cujas extremidades são
ligados terminais chamados de bases (base 1 - B1 e base 2 - B2). Na parte intermediária da
barra, mais próximo à extremidade chamada de Base 1, é difundida uma região P. O terminal
ligado à região P é chamado de emissor (E). A Figura 227 apresenta a estrutura interna, a
simbologia e o circuito equivalente de um UJT.

estrutura símbolo circuito equivalente


+
B2 B2 B2

}
R
B
2 R
E E E
P VBB
N
+ B
R B
B
VE 1

B1 − B1
B1 −

Figura 227 – Estrutura, Símbolo e Circuito Equivalente de um UJT

Note-se a semelhança entre os símbolos do UJT e do JFET. A diferença é a inclinação


no terminal que representa o emissor de um UJT (que é correspondente ao terminal que
representa o gate de um JFET).
A região compreendida entre as bases 1 e 2 pode ser vista como um resistor com
derivação central. A resistência dessa região, chamada de resistência interbases (RBB), é da
ordem de KΩ, à temperatura de 25 °C. A resistência interbases é “dividida” em duas partes:
uma que vai da base 2 até o emissor (RB2) e outra que vai do emissor até a base 1 (RB1).
Através do circuito equivalente, vemos que a tensão sobre o “resistor” RB1 vale:
RB1 RB1
V RB1 = VBB × = VBB × .
RB 2 + RB1 RBB
Enquanto a tensão VE for menor do que VRB1, a junção PN estará reversamente
polarizada, sendo percorrida por uma corrente praticamente nula. Se a tensão VE ultrapassar a
soma de VRB1 com a tensão de limiar Vd da junção, esta fica diretamente polarizada e a
corrente através da mesma cresce rapidamente, sendo limitada apenas pelos componentes
externos. Essa elevação brusca de corrente leva a uma forte injeção de portadores no canal, o
que reduz consideravelmente o valor de RB1 e, conseqüentemente, o valor da tensão entre o
emissor e a base 1. Logo, a um aumento da corrente corresponde uma redução da tensão,
caracterizando assim uma região de resistência negativa. Isso é o disparo do UJT.
Quando a corrente na junção cair abaixo do valor de manutenção, o dispositivo volta à
RB1
condição de corte. A relação é chamada de relação intrínseca de corte e é
RB 2 + RB1
representada pela letra grega η (eta). O valor da tensão VE que produz o disparo do UJT é
chamado de tensão de pico (VP) e seu valor é calculado pela equação VP = η × VBB + Vd, onde
Vd é a tensão de limiar da junção PN (da ordem de 0,5 V). O valor de η é fornecido pelo
fabricante do UJT e se situa na faixa entre 0,5 e 0,9.

202
Oscilador de Relaxação com UJT

Aplicando ao UJT o diagrama genérico dos osciladores de relaxação baseados em DRN,


visto anteriormente, chegamos ao diagrama da Figura 228.

}
R

R R
E 2
P

VBB
para o gate
do tiristor a ser
CE disparado
R
1

Figura 228 – Oscilador de Relaxação com UJT

Supondo o capacitor inicialmente descarregado e o UJT cortado, quando a tensão de


alimentação é ligada, começa a carga do capacitor através de RE (RE = R + P). Quando a
tensão no capacitor atinge o valor da tensão de disparo VP, a junção passa a conduzir e o
capacitor se descarrega através dela, gerando sobre R1 um pulso de tensão que pode ser usado
no disparo de um tiristor. R1 também serve para limitar a corrente de descarga do capacitor.
Quando o capacitor se descarrega, a corrente através da junção cai abaixo da corrente de
manutenção e o UJT volta ao estado de corte, reiniciando o ciclo. A função do resistor R2 é dar
estabilidade térmica ao circuito. As formas de onda sobre o capacitor e sobre R1 são aquelas já
mostradas no diagrama de tempos do oscilador genérico com DRN. A freqüência de oscilação
1
pode ser calculada pela equação: fo = .
1
RE × CE × ln
1− η

No circuito analisado, o valor de RE varia em função do ajuste do potenciômetro,


resultando assim numa freqüência de oscilação também variável. Um detalhe importante a ser
verificado é que os valores de RE se situem dentro da faixa permitida para garantir a polarização
do UJT na região de resistência negativa. Se isso não ocorrer, como vimos acima, o circuito não
irá oscilar. Existem fórmulas que auxiliam na determinação de valores ótimos para os resistores
R1 e R2. No entanto, é preferível utilizar a regra prática: utilizar R1 na faixa de dezenas de
ohms (entre 22 Ω e 68 Ω) e R2 na faixa de centenas de ohms (entre 470 Ω e 820 Ω).

Diodo de Corrente Alternada (DIAC - Diode for Alternating Current)

O DIAC pode ser compreendido basicamente como um “TRIAC sem gate”, cujo disparo
ocorre somente por sobretensão (VBO). A fabricação do DIAC é de tal forma que o disparo
ocorre quando a tensão entre os seus terminais atinge cerca de 30 V, independente da
polaridade. Sua estrutura interna é um pouco mais simples do que a de um TRIAC. Como ele
pode ser utilizado de modo análogo em ambas as polaridades, por ser totalmente simétrico, não é
necessário fazer qualquer diferenciação entre os seus dois terminais. No entanto, é costume
chamá-los de anodo 1 (A1) e anodo 2 (A2). A Figura 229 mostra a estrutura interna e os
símbolos utilizados para representar um DIAC.

203
estrutura interna do DIAC três símbolos utilizados
para a sua representação

N1
P1
N2

P2 N3

Figura 229 – Estrutura Interna e Simbologia de um DIAC

Métodos de Sincronização dos Circuitos de Disparo com a Freqüência da Rede

Vimos anteriormente que os circuitos de controle de potência por fase necessitam de


pulsos de disparo sincronizados com a freqüência da rede de alimentação. Veremos agora dois
métodos para obter essa sincronização, utilizando como exemplo um circuito de disparo baseado
em UJT. Os princípios que veremos podem ser utilizados para sincronizar outros tipos de
circuitos de disparo.

I - Sincronização Através de Pulsos

Consiste em aplicar ao circuito pulsos gerados a partir da rede de alimentação (tendo,


portanto, a mesma freqüência e fase da rede). Esses pulsos atuam no sentido de sincronizar os
pulsos de disparo com a rede. A Figura 230 ilustra esse método.

vi

R t
R R
E 2
entrada de pulsos vSINC
P de sincronismo

VBB saída de
pulsos
t
de disparo vR1
CE R
1

- t ∆t
- ∆
- t

t
Figura 230 – Sincronização Por Meio de Pulsos

A cada vez que se inicia um semiciclo positivo da tensão de alimentação, é gerado um


pulso de sincronismo (transição negativa), que é aplicado à base 2 do UJT. Esse pulso,
corretamente dimensionado, reduz a tensão interbases do UJT, causando a descarga do
capacitor. Isso garante que a contagem de tempo para a nova carga do capacitor e o reinício da
geração dos pulsos de disparo se inicie exatamente no momento da aplicação do pulso de
sincronismo.

204
O intervalo de tempo ∆t entre a aplicação do pulso de sincronismo e a geração do primeiro
1
pulso de gate pode ser calculado pela equação ∆t = RE × CE × ln , que é análoga à equação
1− η
vista anteriormente para a freqüência de oscilação do circuito. Esse intervalo de tempo deve ser
menor ou igual à metade do período do sinal de entrada; caso contrário, o tiristor não irá disparar.
Através do gráfico, notamos que, para o exemplo dado, são gerados quatro pulsos de disparo
para cada semiciclo positivo do sinal de entrada quando, teoricamente, apenas um seria
necessário.
O inconveniente desse método é a eventual dificuldade de se obter os pulsos
sincronizados. O circuito cujo diagrama é mostrado na Figura 231 poderia ser utilizado para esse
fim.

+VCC
P R
R R T
pulsos
1 T 8 4 8 4
7 3 3 de
7
− R sincro
555 555 nismo
R 6 5 6 5
+ 2 1 2 1
2
CT CT
10 nF
10 nF

Amostrador da 2º Monoestável
Detetor de Passagem
tensão da rede 1ºMonoestável (ajuste de ∆t) (duração dos pulsos)
por Zero
Figura 231 – Circuito Para Geração de Pulsos de Sincronismo

Para a compreensão de seu funcionamento, basta saber que o circuito integrado 555 está
configurado como monoestável. O pino 2 é a entrada de disparo do circuito, sensível à borda de
descida. Assim, a cada vez que a tensão no pino 2 desse CI vai a zero, é gerado em sua saída
(pino 3) um pulso de duração th determinada pelo resistor RT e pelo capacitor CT.
Quando a tensão da rede, amostrada pelo divisor resistivo formado por R1 e R2, passa de
negativa para positiva (início dos semiciclos positivos), a saída do comparador (detetor de
passagem por zero) vai a zero, disparando o primeiro monoestável, ou seja, levando o seu pino 3
ao nível “1” (+VCC). Ele permanece nessa situação durante o período determinado por RT
(associação de um resistor fixo e um potenciômetro) e CT. Depois desse período, a tensão do
pino 3 vai a zero (borda de descida), disparando o segundo monoestável, em cuja saída é gerado
um pulso de duração determinada por RT e CT.
Assim, o ajuste do tempo no primeiro monoestável determina o intervalo entre a passagem
da tensão da rede e o disparo do tiristor e o segundo monoestável determina a duração dos
pulsos de sincronismo.

II - Sincronização Direta

Embora o circuito da Figura 231 seja apenas um exemplo de gerador de pulsos de


sincronismo, ele permite avaliar a complexidade dos circuitos necessários para a utilização dessa
técnica de sincronização entre os geradores de pulsos de disparo para tiristores e a freqüência da
rede de alimentação senoidal.
Por esse motivo, a técnica mais freqüentemente empregada é a sincronização direta com
a rede, que consiste em alimentar o circuito de disparo com uma tensão que caia a zero todas as
vezes em que se iniciar um semiciclo positivo da tensão da rede. O circuito da Figura 232 utiliza
essa técnica.

205
RL RLIM vA
A B
D1
vimáx
P

R
2
vZ
R
t
rede
SCR vB
UJT
UJT
R CE vZ
1
t

Figura 232 – Circuito com Sincronização Direta com a Rede e Algumas Formas de Onda

O diodo D1 retifica a tensão da rede e o resistor RLIM limita a corrente para o diodo Zener
DZ. Como o valor de pico vimáx da tensão da rede, via de regra, é muito maior do que o da
tensão de regulação VZ, o tempo necessário para a tensão no ponto B ir de zero até VZ é
desprezível. Logo, cada vez que se inicia um semiciclo positivo da tensão da rede, o circuito de
controle é alimentado e, após um intervalo de tempo ∆t, será gerado um pulso na base 1 do UJT,
o qual será usado para disparar o SCR. O valor desse intervalo de tempo é calculado pela
1
mesma fórmula vista no caso anterior, ou seja, ∆t = RE × CE × ln . O intervalo de tempo e,
1− η
conseqüentemente, o ângulo de disparo do SCR, podem ser ajustados pelo do potenciômetro P.
Vale, no entanto, o mesmo princípio visto na sincronização através de pulsos: o valor máximo do
intervalo de tempo deve ser igual à metade do período da tensão da rede (∆t ≤ 8,3 ms, para a
freqüência de 60 Hz). Um intervalo superior a esse ocasiona a geração dos pulsos de disparo
durante os semiciclos negativos da tensão da rede, o que impede na prática o disparo do SCR.
Com o disparo do SCR, a tensão no ponto B cai a zero e, enquanto o SCR não voltar à
condição de corte, não serão gerados novos pulsos de disparo. Logo, a freqüência dos pulsos
gerados será necessariamente igual à freqüência da rede. Este é o motivo pelo qual não se
define a freqüência (fo) dos pulsos gerados pelo UJT, e sim o intervalo de tempo (∆t) entre o
início dos semiciclos positivos e a geração desses pulsos. Como apenas um pulso é gerado a
cada ciclo, concluímos assim que essa técnica possui sobre a anterior o fato de não gerar pulsos
de disparo desnecessários.
O circuito da Figura 233 aproveita apenas os semiciclos positivos da tensão da rede, mas
é óbvio que, desejando-se se aproveitar os dois semiciclos da tensão de alimentação, a mesma
técnica pode ser aplicada no caso da retificação prévia da tensão da rede.
A sincronização direta pode ser aplicada também nos circuitos destinados ao controle de
cargas AC, nos quais se utiliza o TRIAC. Nestes casos, o elemento auxiliar mais apropriado ao
disparo do tiristor, ao invés do UJT, é o DIAC, que é bidirecional da mesma forma como o TRIAC.
A Figura 233 mostra o diagrama básico de um circuito de sincronização direta utilizando
TRIAC e DIAC. Caso a carga seja uma lâmpada incandescente, o circuito atua como variador de
luminosidade (“dimmer”).

206
RL
R

P TRIAC
vi

C DIAC

Figura 233 – Circuito Para Controle de Potência Sobre Cargas AC

Quando a tensão no capacitor atinge o valor da tensão de disparo do DIAC, esse conduz,
aplicando um pulso de corrente no gate do TRIAC, que também entra em condução, energizando
a carga. O disparo do TRAIC deixa o divisor de tensão formado por R, P e C sem energia,
causando o corte imediato do DIAC. O TRIAC permanece em condução até cerca do final do
semiciclo, quando a corrente diminui, causando a sua comutação natural. No semiciclo seguinte,
repete-se o processo.
A potência dissipada sobre a carga é inversamente proporcional ao tempo necessário para
que o capacitor atinja a tensão suficiente para o disparo dos tiristores. Esse tempo, por sua vez,
é determinado pelo ajuste do potenciômetro P.
O circuito da Figura 233 apresenta um problema de histerese, especialmente para baixos
valores de ângulo de disparo (alta potência sobre a carga). Esse problema é ocasionado pela
diferença na tensáo do capacitor antes e depois do disparo do DIAC. Isso faz com que o
comportamento do circuito seja diferente quando se aumenta a potência (diminuindo-se o ajuste
do potenciômetro) e quando se diminui a potência (aumentando-se o ajuste do potenciômetro).
Um método para minimizar esse problema é a utilização de duas redes RC ao invés de
apenas uma, como mostra a Figura 234. Nesse circuito, qualquer perda de tensão sofrida pelo
capacitor C2 devida ao disparo do DIAC é reposta pela tensão armazenada no capacitor C1. O
capacitor CF e o indutor LF formam um filtro para as harmônicas geradas pelo “recorte” da tensão
senoidal, típico dos circuitos de controle de potência que utilizam tiristores. Valores típicos para
CF e LF são, respectivamente, 0,1 µF e 0,1 mH. Esse filtro deve ser utilizado para minimizar
interferências do circuito sobre outros que estejam ligados à mesma rede de alimentação.

RL
LF
R
1

P TRIAC
vi CF

R2

C1 C2 DIAC

Figura 234 – Circuito de Controle de Potência com Filtro de Harmônicas e Dupla Rede RC

207
D - Circuitos de Disparo com Atuação On/Off

Muitas vezes é necessário manter uma carga energizada apenas durante o tempo em que
perdurar uma determinada grandeza física preencher certas condições. Nesses casos, o tiristor
utilizado para o controle da carga deve ser disparado de acordo com essas condições. O
princípio desse tipo de circuito é fazer com que a tensão no gate do tiristor seja suficiente para
dispará-lo apenas quando existir a condição de interesse. Para tanto, é necessária a utilização
de um transdutor, elemento que será responsável para transformar a grandeza física de controle
numa grandeza elétrica (tensão ou corrente). O circuito cujo diagrama está representado na
Figura 235 utiliza um resistor com resistência dependente da iluminação (LDR) como transdutor.
Esse dispositivo possui como característica uma resistência inversamente proporcional à
iluminação.
RL
R

P TRIAC
vi

L
D DIAC
R

Figura 235 – Circuito de Disparo Foto-Ativado

Quando a luminosidade sobre o LDR é baixa, sua resistência aumenta, juntamente com a
tensão sobre ele. Assim essa tensão é suficiente para disparar o DIAC, que por sua vez permite
o disparo do TRIAC, energizando a carga. O potenciômetro permite ajustar o nível de
luminosidade em que o TRIAC irá disparar. Com o aumento da luminosidade sobre o LDR, sua
resistência diminui e a tensão sobre ele torna-se insuficiente para o disparo do DIAC, impedindo o
disparo do TRIAC e desenergizando a carga.
Caso a carga seja uma lâmpada, esse circuito poderá ser utilizado como interruptor
crepuscular, ou seja, para acender a lâmpada automaticamente quando estiver escuro e apagá-
la quando estiver claro. É óbvio que o LDR não poderá ser exposto à luminosidade da lâmpada,
mas somente à iluminação natural.
Note que, também nesse circuito, a seção de controle (formada pelo resistor R, pelo
potenciômetro P, pelo LDR e pelo DIAC) fica desenergizada quando o TRIAC está conduzindo.
Com o uso de outros tipos de transdutores, diferentes grandezas físicas podem ser monitoradas
por este tipo de circuito.

E - Circuitos de Disparo Utilizando o CI TCA 785

Com o objetivo de tornar o projeto de circuitos de disparo mais simples, pela redução do
número de componentes e padronização dos procedimentos de cálculo, foram desenvolvidos
alguns circuitos integrados especialmente para esta função. Dentre os vários tipos de circuitos
integrados projetados para esse fim, estudaremos o TCA 785. Devidamente complementado
com o uso de transformadores de pulsos e outros componentes externos, um único CI TCA 785
pode ser utilizado para o disparo simultâneo de vários tiristores. É possível, por exemplo, utilizar
apenas um TCA 785 para controlar o disparo dos quatro SCRs necessários para a
implementação de um retificador monofásico totalmente controlado. Isso representa uma
significativa economia em relação a um circuito de disparo similar implementado a partir de
208
componentes discretos, sem falar no aumento da confiabilidade. O diagrama em blocos e a
pinagem do TCA 785 são mostrados na Figura 236.

+
5 14 (Q1)
Circuito de

Detetor de Passagem Sincronismo Circuito 15 (Q2)
por Zero (DPZ)
de
16
+ Formação 4 (Q1)
Fonte de − de
Corrente Comparador 1
Constante IF Pulsos 2 (Q2)
(descarga do
capacitor de
externo) Disparo 3 (QU)

Regulador
interno de +
T1 7 (QZ)
tensão (3,1 V) Comparador 2
(detetor do momento
do disparo)
1

8 9 10 11 6 13 12

Figura 236 – Pinagem e Diagrama em Blocos do Circuito Integrado TCA785

A função de cada pino é descrita abaixo:

1. Terra do circuito integrado (GND).


2. Saída complementar dos pulsos gerados nos semiciclos positivos ( ).
3. Saída de pulsos com duração constante de 180° (QU).
4. Saída complementar dos pulsos gerados nos semiciclos negativos ( Q1 ).
5. Entrada de referência da tensão de rede.
6. Inibidor de pulsos. Quando aterrado, bloqueia a geração de pulsos.
7. Saída de pulsos com equação lógica Q1 + Q 2 (QZ).

8. Tensão de referência interna (VREF = 3,1 V). Para proteção contra ruídos, pode-se
ligar a esse pino um capacitor para a filtragem dessa tensão interna.
9. Ligação externa para o resistor que determina o valor da corrente do gerador
interno.
10. Ligação externa para o capacitor gerador da rampa de temporização.
11. Tensão externa de controle do nível de disparo. Esse pino possui uma impedância
interna de 15 KΩ.
12. Ligação externa para o capacitor que determina a largura dos pulsos de disparo
fornecidos pelas saída “normais”.
13. Mesma função do pino 12, em relação às saídas complementares.
14. Saída “normal” dos pulsos gerados nos semiciclos negativos (Q1).
15. Saída “normal” dos pulsos gerados nos semiciclos positivos (Q2).
16. Tensão DC de alimentação do CI (VCC).

209
Conectando-se um capacitor externo ao pino 10, ele será carregado a partir da fonte de
corrente constante IF interna ao CI. Logo, a tensão nesse capacitor será uma rampa linear.
VREF × 1,1 3,41
Essa fonte fornece uma corrente cujo valor é dado por: IF = = , onde R9 é o valor
R9 R9
da resistência externa conectada ao pino 9 do CI e 1,1 é o valor de uma constante peculiar ao
∆v IF
integrado. Logo a variação da tensão ao longo do tempo será dada por = , onde C10 é o
∆t C10
valor do capacitor conectado ao pino 10 do integrado.
Conhecendo-se os valores de C10, R9 e da tensão de controle aplicada ao pino 11 (V11),
é possível calcular o tempo necessário para que o valor da tensão sobre o capacitor ultrapasse a
V 11× C10 V 11 × C 10 × R 9
tensão no pino 11: ∆t = Ÿ ∆t = . Após esse intervalo de tempo, a saída
IF 3,41
do comparador 1 muda de estado, ocasionando a geração de um conjunto de pulsos de disparo.
A carga do capacitor continua até que a tensão senoidal passa por zero. Quando isso ocorre, o
circuito de sincronismo aplica um pulso na base de T1, levando-o à saturação, o que causa a
descarga do capacitor C10. Assim, garante-se que a carga do capacitor e o início da contagem
do tempo para a geração dos pulsos de disparo sempre coincidam com a passagem pelo zero. O
valor da corrente IF está limitado entre 10 µA e 1 mA, o que significa que o resistor R9 deve ter
valores entre 3 KΩ e 300 KΩ. O capacitor C10 deve estar entre 500 pF e 1 µF. A tensão da
rampa sobre esse capacitor atinge o valor máximo de VCC - 2 V.
Os pinos 14 e 15 são, respectivamente as saídas “normais” de pulsos 1 e 2. O pino 14 é
acionado nos semiciclos negativos da tensão senoidal e o pino 15 é acionado nos semiciclos
positivos. A duração dos pulsos nesses pinos é determinada pelo capacitor externo conectado
ao pino 12. Essa duração pode ser calculada por d = 620000 × C, onde d é dado em segundos
e C é dado em farads. Se o pino 12 estiver aberto, a duração dos pulsos será igual a 30 µs e se
ele estiver aterrado, os pulsos duram até o início do próximo semiciclo, isto é, teremos β = π - α.
Os gráficos da Figura 237 representam os pulsos nos pinos 15 e 14 em duas situações
diferentes: com o pino 12 e aberto e com o pino 12 aterrado.
vREDE

vC10
VCC - 2
V11

t
v15
t
pino 12 aberto - pulsos com 30 µs de duração
v14
t
v15
t
pino 12 aterrado - pulsos se estendem ao início do próximo semiciclo
v14

210
Figura 237 – Influência do Pino 12 Sobre a Duração dos Pulsos de Disparo
Além das duas saídas de pulsos “normais”, o TCA 785 possui as saídas auxiliares Q1 , Q2 ,
QU e QZ. Q1 e Q2 são, respectivamente, as saídas complementares a Q1 e Q2. Essas
saídas auxiliares são do tipo coletor aberto, de forma que para a sua utilização é necessário
conectá-las a uma tensão positiva através de um resistor de elevação.
A saída QU é acionada ao mesmo tempo em que a saída Q1, mas sua duração do pulso é
igual a 180º, independente da situação do pino 12. A saída QZ é igual à função NOR entre as
saídas Q1 e Q2, ou seja: QZ = Q1 + Q2 . Essa saída é útil no disparo de TRIACs.
Aplicando-se uma tensão inferior a 2,5 V ao pino 6, todas as saídas de pulsos ficam
bloqueadas. Para garantir a liberação das saídas de pulsos, a tensão no pino 6 deve ser superior
a 4 V. Logo, deve-se evitar a aplicação de tensões entre 2,5 V e 4 V ao pino 6, pois nessa faixa
“cega” de tensões o comportamento das saídas é imprevisível.
O TCA 785 típico pode fornecer pulsos com até 55 mA de corrente, e a versão mais
robusta do integrado fornece pulsos de até 250 mA. Para aplicações que necessitem de
correntes mais elevadas, devem ser utilizados amplificadores com transistores bipolares.

Circuito Típico de Disparo Utilizando o TCA 785

O diagrama da Figura 238 representa uma aplicação típica do TCA 785 no circuito
de disparo de um SCR. Atenção para os cruzamentos de linhas que não têm ligação.

R
1 R
2 carga R
L
D1
linha de tensão DC

SCR1
R R
1 16 4 5
R
T
2 15
3 D3 C
3 14
Tensão D2 A R11
4 13
senoidal
da rede C1 5 12
7 P
6 11 2
DZ1 8
7 10
5
8 9

S
1 C8 P
C10
R9
R

211
Figura 238 – Circuito de Disparo Típico Utilizando o CI TCA785
O conjunto formado por R1, D1, DZ1 e C1 é responsável pela redução, retificação,
estabilização e filtragem da tensão senoidal da rede, originando a tensão DC para a alimentação
do integrado. O conjunto formado por R2, D2 e D3 proporciona a amostragem da tensão da rede
necessária para o sincronismo dos pulsos gerados pelo integrado.
O capacitor C8 faz uma filtragem adicional da tensão de alimentação interna do TCA 785,
que vale 3,1 V. A chave S1 serve para aterrar o pino 6, inibindo dessa forma a geração de
pulsos. Quando a chave está aberta, o resistor R3 serve para garantir uma tensão superior a 4 V
no pino 6, permitindo a saída de pulsos. O potenciômetro P em série com o resistor R permite a
variação da corrente fornecida pelo gerador interno, variando dessa forma o ângulo de disparo.
O capacitor C10 também colabora na determinação da inclinação da rampa de carga.
R5 e P2 determinam a tensão no pino 11, que também influencia o ângulo de disparo.
Como o pino 12 está em aberto, os pulsos gerados terão duração de 30 µs. O resistor R4 tem
por objetivo manter o pino 13 não aterrado, para não influenciar na duração dos pulsos nas
saídas complementares.

Exemplo Numérico: No circuito acima, supondo a tensão no pino 11 igual a 5 V, C3 = 470 nF,
R1 = 10 KΩ e P1 = 150 KΩ, calcular os valores mínimo e máximo de ângulo de disparo que
poderão ser obtidos. A freqüência da rede é de 60 Hz. Que modificações devem ser feitas no
circuito para:

a) Gerar pulsos com duração de 100 µs ?


b) Permitir a inibição dos pulsos a partir de um sinal TTL (pulso de 5 V) ?
c) Disparar um TRIAC ?

212