Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
(MEMS)
+ =
Micromachining
Microelectronics
MEMS
ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
MEMS’in Avantajlarõ
! MEMS (ABD)
! MicroSystems Technology (MST) (Avrupa)
! Micromachines (Japonya)
! Silicon Micromachining (Silisyum Mikroişleme)
! Microsensors, microactuators
! Solid-State Sensors
Active Devices
Dielectrics
4-40µm
Circuits epi layer
(b)
Active Devices
2-40µm
Circuits epi layer
Sacrificial
Layer
Silicon Substrate Silicon Substrate
50µm
Polymer Mold
Sacrificial Layer
Thick Plated
Substrate Substrate Microstructure
3000
2500 Military
$ Value (Millions)
Commercial
2000
1500
1000
500
0
1995 1996 1997 1998 1999 2000
Year
Fluid
8 Inertial Regulation
Sensors Other and Control
6 20% 9% 19%
0
1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000
Year
Organizasyon Sayõsõ
! Uluslararasõ projeler
! NATO SfS TU-MICROSYSTEMS (350,000 USD)
! National Science Foundation (30,000 USD)
metal
cam
P++
Silisyum
(a) (c)
P++
(b) (d)
(a) Cam
(b)
(c)
(d)
~1000 V
~ 300-400 ºC
8.6 mm
11.7 mm
T1 T1
T0 T0
+ - + -
V1 V2=4.V1
ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
Yeni Isılküme Yapısı
p+-difüzyon/n-polisilisyum
Avantajlarõ
Oksit "n-polisilisyum ve p+-difüzyon
katmanlarõnõn yüksek õsõl voltaj
katsayõlarõ
"İmalat kolaylõğõ
"Düşük maliyet
p+ metal n-polisilisyum
Aşõndõrõlmõş bölge
Dezavantajlarõ
p-taban #Aşõndõrmayõ p+-difüzyonda
durdurma zorluğu
p+ p+
n-kuyu
p-taban
p+ p+
(a) n-kuyu
p-taban
p+ p+
n-kuyu
p-taban
185 µm
ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
ODTÜ’de CMOS ile Soğutmasõz
Kõzõlötesi Dedektör Çalõşmasõ
n+ n+
n-kuyu
p-taban
! poliSi0.7Ge0.3 alaşõmõ
! 20µm x 20µm
! 640 x 480
www.eee.metu.edu.tr/~tayfuna