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SENSORES RESISTIVOS:

Os sensores baseados na variação da resistência eléctrica são provavelmente os mais


abundantes. Isto deve-se ao facto de que são muitas as variáveis físicas que afectam o
valor da resistência.

POTENCIÓMETROS:
É uma resistência com um contacto móvel deslizante ou giratório:

A resistência entre o contacto móvel e um dos terminais fixos é:

ρ ρ Onde:
R= L (1 − α ) = (L − x ) x
A A α=
L
O comportamento descrito pela equação anterior é equivalente a dizer que a resistência
é proporcional à distância percorrida pelo cursor.

Para isto é necessário aceitar uma série de simplificações:

A resistência é uniforme ao longo de todo o comprimento do potenciómetro;

O contacto do cursor dá uma resistência contínua, não dá saltos, e que portanto, tem
uma resolução infinita;

Para potenciómetros alimentados com tensão alternada, a indutância e a capacidade do


potenciómetro devem ser desprezáveis;

A temperatura mantém-se uniforme (uma vez que, a resistência varia com a


temperatura).

O roçamento do potenciómetro e a inércia são desprezáveis.

NOTA: Estas características ideais, obviamente, não se conseguem plenamente nos


potenciómetros comerciais. No entanto, estas limitações são compensadas sobradamente
pelas vantagens deste dispositivo, que sendo simples e robusto, permite obter valores
aceitáveis de exactidão em relação com o seu preço.

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Aplicações:

Existem potenciómetros para detectar todo o tipo de deslocamentos:


• Lineares;
• Angulares;
• Etc.

Existem potenciómetros duplos que permitem determinar a posição de um ponto no


plano. São empregues, por exemplo, em joysticks.

Em geral, os potenciómetros aplicam-se à medida de deslocamentos que excedam 1cm


ou 10º.

CÉLULAS EXTENSIOMÉTRICAS:
As células extensiométricas são dispositivos utilizados para medir forças. Baseiam-se na
variação da resistência de um condutor ou semi-condutor quando é submetido a um
esforço mecânico.

L
R=ρ
A

Lei de Hooke

F dL
σ= =ε E = E
A L

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∂R ∂R ∂R L ρ L
dR = dρ + dL + dA = dρ + dL − ρ 2 dA
∂ρ ∂L ∂A A A A

L ρ L
dρ + dL − ρ 2 dA
dR A A A dρ dL dA
= = + −
R ρ
L ρ L A
A

NOTA:
Com o efeito da força:
• o diâmetro diminui;
• o comprimento aumenta.

dD
ν =− D (coeficiente de Poisson)
dL
L

2π D dD
π D2 dA 4 2 dD dA dL
A= ⇒ = = então = −2ν
4 A πD 2
D A L
4

Isto quer dizer, que o incremento do comprimento e o incremento das áreas são
proporcionais.

A variação da resistividade (ρ) de um material como resultado de um esforço mecânico


conhece-se como efeito piezoresistivo.
Nos metais as mudanças relativas de resistividade e volume são proporcionais:

dρ dV
=C , onde C é denominada constante de Bridgman.
ρ V

π L D2 π D2 2π L D
V = dV = dL + dD
4 4 4
π D 2
2π L D
dL + dD
dV 4 4 dL 2 dD
= = +
V π LD 2
L D
4

dρ ⎛ dL 2 dD ⎞ ⎛ dL dL ⎞
⎟ = C (1 − 2 ν )
dL
=C⎜ + ⎟=C⎜ − 2ν
ρ ⎝ L D ⎠ ⎝ L L ⎠ L

Assim:

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= [1 + 2 ν + C (1 − 2 ν )]
dR dL dL
=k
R L L

onde k é denominado factor de sensibilidade da célula.

Então para pequenas variações de resistência do fio deformado:

Onde:
R = R0 (1 + x ) x=k ε ;
R0 = resistência em repouso.

A variação de resistência não excede 2%.

No caso de um material semicondutor, quando é submetido a um esforço, predomina o


efeito piezoresistivo.

Se for conhecida a relação entre a deformação e o esforço que a provoca, a partir das
variações de resistência podem-se determinar os esforços aplicados.

Legenda:
1- Largura do suporte;
2- Largura da célula;
3- Comprimento da célula;
4- Ligação dos extensómetros;
5- Comprimento activo;
6- Comprimento total da célula;
7- Marcas para alinhamento
.

Limitações na aplicação deste tipo de princípio:

O esforço aplicado não deve levar o extensómetro para além do limite elástico;
A medição de um esforço só será correcta se a deformação for transmitida totalmente ao
sensor. (isto é feito através de uma cola elástica, que seja estável com o tempo e a
temperatura);

A temperatura afecta a resistividade do material, as suas dimensões e as dimensões do


suporte. Como consequência, um incremento da temperatura, implica uma variação da
resistência, mesmo que não esteja aplicado nenhum esforço.
O efeito da temperatura minimiza-se, utilizando sensores iguais aos activos, colocados
junto a estes mas sem serem submetidos a esforços. A estes, dá-se o nome de
extensómetros passivos;

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Em células semicondutoras o efeito da temperatura é muito acusado;

Um factor que deve ter-se em consideração é o próprio auto-aquecimento do sensor em


consequência da passagem da corrente. Convém, portanto, minimiza-la.

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DETECTORES DE TEMPERATURA RESISTIVOS (RTD)
Os detectores de temperatura baseados na variação de uma resistência eléctrica
normalmente designam-se pelas suas siglas inglesas RTD (Resistance Temperature
Detector)

O fundamento do funcionamento das RTD é a variação da resistência de um condutor


eléctrico com a temperatura
Num condutor, o número de electrões livres não varia apreciavelmente com a
temperatura. Mas este aumento, aumenta as vibrações dos átomos em redor das suas
posições de equilíbrio, desta forma os electrões em torno do átomo ficam mais disperso,
o que reduz a velocidade média destes. Isto implica um coeficiente de temperatura
positivo, isto é, um aumento da temperatura com o aumento da temperatura.
Esta dependência pode ser expressa da seguinte forma:

onde R0 é a resistência a uma


(
R = R0 1 + α 1T + α 2 T + K + α n T
2 n
) temperatura de referência e T é o
incremento de temperatura, em relação
à temperatura de referência.
A variação de resistência deve-se tanto à variação da resistividade, como à variação de
dimensões associado à variação da temperatura.
No caso dos materiais utilizados nestes sensores (platina, níquel, cobre, molibdénio) e
para margens de medida de cada um, prevalece o termo linear ( α 1T ) sobre os restantes,
com uma proporção de mais de 10 para 1. Desta forma a expressão da resistência em
função do incremento da temperatura pode ficar da seguinte forma.

R = R0 (1 + α T )

Um procedimento aceitável para obter o coeficiente α, num determinado intervalo de


temperaturas, consiste em tomar os pontos extremos do intervalo (t1, t2>t1). A partir
dos valores reais de resistência nestes pontos, resolver a expressão em relação a α:

R2 − R1
α=
(T2 − T1 ) R1
Em todo o caso é o fabricante do sensor que proporciona o valor do coeficiente α.

Parâmetro Platina Cobre Níquel Molibdénio

ρ a 20ºC [μΩcm] 10,6 1,673 6,844 5,7


α [Ω/Ω/K] 0,00385 0,0043 0,00681 0,003786
25, 50, 100, 10 (a 20ºC) 50, 100, 120 100, 200, 500,
R0 a 0ºC [Ω]
200, 500 1000, 200
Margem [ºC] -200 a +850 -200 a +260 -80 a 320 -200 a 200

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Nos RTD é preciso minimizar o erro por auto-aquecimento limitando a corrente que o
circuito de acondicionamento injecta no sensor.
Um dado a ter em conta, proporcionado por todos os fabricantes, é a denominada
resistência térmica (Rt, δ = 1/Rt – é o coeficiente de dissipação térmica) da RTD. Se
este coeficiente é expresso em ºC/W e permite calcular o erro por auto- aquecimento,
aplicando a seguinte expressão:

ΔT
PDISSIPADA = = δ ΔT
Rt

O sensor RTD mais difundido é a denominada PT100. Trata-se de um elemento de


platina que apresenta uma resistência de 100Ω a 0ºC e que pode encontrar-se,
comercialmente, com muitos tamanhos, formas e encapsulamentos para as aplicações
mais diversas.

TERMISTORES
Os termistores são resistências variáveis com a temperatura, mas não estão baseados em
condutores como as RTD, mas em materiais semi-condutores.

Se o seu coeficiente de temperatura é negativo, denominam-se NTC (Negative


Temperature Coefficient). Se o coeficiente de temperatura é positivo denominam-se
PTC (Positive Temperature Coefficient).

Os símbolos respectivos são os seguintes, onde o traço horizontal no extremo da linha


inclinada indica que têm um comportamento não linear.

O fundamento dos termistores está na dependência da resistência dos semi-condutores


com a temperatura, devido à variação, com esta, do número de portadores.

Ao aumentar a temperatura, aumenta também o número de portadores, reduzindo-se a


resistência (coeficiente de temperatura negativo, NTC).

Esta dependência varia com a concentração de impurezas. Se a dopagem é muito forte,


o condutor adquire propriedades metálicas e apresenta um coeficiente de temperatura
positivo (PTC), numa margem de temperaturas limitado.

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NTC

Numa margem de temperaturas reduzida (50ºC) a dependência entre a resistência (RT) e


a temperatura (T) pode ser expressa de forma apropriada (erro = ±0,3ºC) pela seguinte
equação:

⎛1 1 ⎞ onde R0 é a resistência a 25ºC (ou outra


B ⎜⎜ − ⎟

RT = R0 e ⎝ T T0 ⎠ temperatura de referência);
T é a temperatura expressa em Kelvin.

Outra expressão para RT equivalente à anterior seria:

⎛B⎞ ⎛ B ⎞
⎜ ⎟ ⎜− ⎟
⎜ T ⎟
RT = A e ⎝T ⎠
onde A = R0 e ⎝ 0 ⎠

O parâmetro B (ou β) é a denominada temperatura característica do material, e tem


valores que vão de 2000K a 5000K. Mas não é constante para um material, aumenta
com a temperatura.
O gráfico mostra a variação de beta em função da temperatura:

Por analogia com as RTD pode-se definir o coeficiente de temperatura (ou sensibilidade
relativa) α:

dRT
dT −B
α= ⇒ α=
RT T2

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Que obviamente não é constante e, portanto, expressa o comportamento não linear do
termistor. A 25ºC (298K) e com B = 4000K, resulta α = -4,5%/K (mais de dez vezes
superior ao da PT100).

Normalmente os fabricantes costumam dar a resistência em função da temperatura na


forma de tabela e, com uma expressão de quatro coeficientes aplicável num
determinado intervalo de temperatura, que normalmente é de -40ºC a +125ºC.
Utilizando esta expressão de quatro coeficientes o erro é de só 0,0015ºC.

ln⎛⎜ ⎞= A+ B + C + D
RT
⎝ R 25 ⎟⎠ T T2 T3

PTC

Para os PTC há dois tipos de comportamento, que dependem da dopagem:


As de tipo cerâmico apresentam uma mudança brusca de resistência quando se alcança a
temperatura de Curie. Acima da temperatura de Curie, o seu coeficiente de temperatura
é positivo. A baixo da temperatura de Curie, o seu coeficiente é negativo ou quase nulo.
São usados normalmente em aplicações de comutação. Normalmente considera-se que a
temperatura de comutação (TS) é aquela para a que a resistência alcança um valor duplo
do valor mínimo.

As PTC baseadas em silício dopado apresentam uma variação mais suave com e
temperatura. Normalmente usam-se em aplicações de medida.

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Figura 1 – PTC tipo Cerâmico
Figura 2 – PTC tipo silício dopado

Linearização

Pode aumentar-se a linearidade de um termistor acrescentando uma resistência em


paralelo de valor R. A resistência resultante RP apresenta uma linearidade maior e uma
dependência menor com a temperatura, isto é, uma menor sensibilidade.

R RT dR P R2 dRT
RP = =
R + RT dT (R + RT ) dT
2

Ainda que RP continua sem ser linear, a sua variação com a temperatura é menor que
antes ao estar dRT/dT multiplicado pelo factor R2/(RT+R)2 , que é menor que 1.
Ganha-se em linearidade à custa da sensibilidade.

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Existem vários métodos para obter o valor de R mais adequado. Um destes, consiste em
forçar três pontos de passagem da curva de resistência – temperatura:
R RT 1 R RT 2 R RT 2 R RT 3
R P1 − RP 2 = R P 2 − RP 3 ⇒ − = −
R + RT 1 R + RT 2 R + RT 2 R + RT 3

RT 2 (RT 1 + RT 3 ) − 2 RT 1 RT 3
R=
RT 1 + RT 3 − 2 RT 2

Outro método consiste em forçar um ponto de inflexão na curva resistência –


temperatura que seja no centro do intervalo de medida (TC). Para obter o valor de R,
basta impor a condição de que a segunda derivada de RP em relação à temperatura seja
igual a zero. Obtém-se:

B − 2 TC
R = RTC
B + 2 TC
Existem modelos de NTC “lineares” num intervalo de temperatura, que incorporam uma
ou várias resistências em combinações série e paralelo com um ou vários termistores,
segundo os critérios descritos anteriormente.

Figura 3 - Termistores de diferentes tamanhos e formas

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