Jurnal Matematika dan Sains

Vol. 10 No. 4, Desember 2005, hal 107-111

Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO2:Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD

Horasdia Saragih1,2), Pepen Arifin1) dan Mohamad Barmawi1)

1)
Laboratorium Fisika Material Elektronik, Institut Teknologi Bandung, Bandung, Indonesia
2)
Jurusan Fisika, Universitas Pattimura, Ambon, Indonesia
E-mail: horas@dosen.fisika.net

Diterima Maret 2005, disetujui untuk dipublikasi Oktober 2005

Abstrak
Film tipis TiO2:Co telah berhasil ditumbuhkan dengan teknik MOCVD. Prekursor yang digunakan adalah titanium
(IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] 99,99% dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III), 99%,
serta gas oksigen sebagai sumber O. Berbagai variasi paramater penumbuhan digunakan. Karakterisasi film tipis
yang dihasilkan mencakup: struktur kristal film dengan menggunakan X-Ray diffractometer (XRD), ketebalan dan
morfologi penampang lintang film dengan potret scanning electron microscope (SEM), dan sifat magnetik film
dengan suatu sistem vibrating sample magnetometer (VSM). Karakteristik anisotropi magnetik film tipis TiO2:Co
yang dihasilkan sangat bergantung pada temperatur penumbuhan. Film tipis yang tumbuh pada temperatur 400°C
menghasilkan konstanta anisotropi K=40000 Oe.emu/cm3 dan disusun oleh butiran dengan bidang kristal anatase-
213. Film tipis yang tumbuh pada temperatur 450°C tidak mengubah struktur kristal butiran, namun memiliki
konstanta anisotopi yang lebih tinggi, K = 95000 Oe.emu/cm3. Film tipis yang tumbuh pada temperatur 500°C
menghasilkan konstanta anisotropi K=72000 Oe.emu/cm3 dan film disusun oleh suatu butiran tambahan yang
memiliki bidang kristal anatase-301. Sementara film tipis yang tumbuh pada temperatur 550°C menghasilkan
konstanta anisotropi K = 103600 Oe.emu/cm3 dengan butiran tambahan TiCoO3. Film tipis yang tumbuh memiliki
tebal sekitar 0,7-0,9 µm.
Kata kunci : Anisotropi magnetik, MOCVD, TiO2:Co.
Abstract
TiO2:Co thin films have been successfully deposited by using MOCVD technique. The titanium (IV) isopropoxide
[Ti(OCH(CH3)2)4] 99,99%, tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III) 99%, and oxygen gas (O2)
were used as Ti, Co, and O precursors, respectively. Crystal structure, morphology and magnetic properties of thin
films were investigated by X-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscope (SEM), and vibrating sample
magnetometer (VSM), respectively. The magnetic anisotropy (K) of thin films was very strong depended on the
growth temperatures. The thin film grown at temperature of 400°C has anatase-213 structure and K value of 40000
Oe.emu/cm3. At the growth temperature of 450°C, the thin films were has still anatase-213 and K value of 95000
Oe.emu/cm3. At growth temperature of 500°C, the thin films have K value of 72000 Oe.emu/cm3. The crystal
structure of films was changed with an additional plane of anatase-301. The thin film grown at temperature of
550°C has K value of 103600 Oe.emu/cm3. The structure of thin film was polycrystalline, mixed by anatase-213,
rutile-220 and TiCoO3 (310) phase. All of films have thickness of about 0,7-0,9 µm.
Keywords: Anisotropy magnetic, MOCVD, TiO2:Co.
1. Pendahuluan deposition (PLD)4-5) dan sputtering6). Penumbuhan
dengan teknik PLD, spray pyrolysis dan sputtering
Perkembangan teknologi spin-elektronik
rata-rata menghasilkan kluster-kluster logam Co yang
(spintronik) mengalami kemajuan yang signifikan
berukuran beberapa puluh nanometer yang tersebar di
setelah material film tipis semikonduktor TiO2 yang
antara kristal TiO2 dan di permukaan film. Kluster-
didadah dengan elemen magnetik Co (TiO2:Co)
kluster tersebut menghasilkan pulau-pulau yang
ditemukan bersifat feromagnetik di atas temperatur
berkonduktivitas tinggi yang tidak diharapkan. Film
ruang1). Penemuan tersebut memperluas penerapan
yang dihasilkan dengan teknik penumbuhan PLD
divais spintronik dalam bidang semikonduktor.
pada tekanan parsial oksigen yang tinggi (PO2 > 10-6
Selanjutnya, penelitian terhadap material film tipis
Torr) tidak menunjukkan adanya magnetisasi.
TiO2:Co mendapat banyak perhatian,2-7) meliputi
Sementara, penumbuhan pada tekanan parsial
teknik penumbuhan dan analisis sifat fisis film. Dari
oksigen yang lebih rendah menghasilkan kekosongan
beberapa hasil yang didapatkan menunjukkan bahwa
oksigen yang tinggi yang menyebabkan
sifat fisis film tipis TiO2:Co sangat bergantung pada
bertambahnya resistivitas. Penumbuhan dengan
teknik dan kondisi penumbuhan1-6).
teknik MBE dapat menghasilkan film tanpa kluster
Film tipis TiO2:Co telah ditumbuhkan
pada tekanan yang rendah, namun respon
dengan beberapa teknik, seperti: molecular beam
magnetisasinya sangat lemah. Pencarian terhadap
epitaxy (MBE)2), spray pyrolysis3), pulsed laser
suatu teknik penumbuhan yang dapat menghasilkan
107
108
film tipis TiO2:Co berkualitas baik dengan sifat fisis
yang terkontrol terus dilakukan.
Makalah ini menjelaskan penumbuhan film
tipis TiO2:Co dengan teknik metalorganic chemical
vapor deposition (MOCVD). Selanjutnya dibahas
sifat fisis film, yakni struktur kristal, ukuran butiran
dan hubungannya dengan sifat anisotropi magnetik
sifat transpot listrik dan optik.
2. Eksperimen
Film tipis TiO2:Co ditumbuhkan di atas subtrat
Si(100) dengan teknik MOCVD. Sebelum digunakan,
substrat Si(100) dicuci dengan aseton selama 5 menit,
kemudian dengan methanol selama 5 menit dan
diakhiri dengan 10% HF dicampur dengan air (de-
ionized water) selama 2 menit. Pencucian dengan
aseton dan metanol adalah untuk menghilangkan zat-
zat organik yang menempel di permukaan substrat,
sementara HF yang dicampur dengan air adalah
untuk mengikis lapisan silika (SiO2) yang mungkin
terjadi di permukaan substrat akibat proses oksidasi
selama berada pada udara bebas. Selanjutnya substrat
disemprot dengan gas N2 dengan tingkat kemurnian
99,9%. Substrat ditempel dengan suatu pasta perak
yang konduktif terhadap panas di permukaan plat
pemanas di dalam ruang penumbuhan.
Prekursor metalorganik yang digunakan adalah
titanium (IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4]
99,99% yang berbentuk cair pada temperatur ruang
dengan titik leleh 20oC (Sigma Aldrich Chemical Co.,
Inc.) dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-
heptanedionato) cobalt (III), 99%, Co(TMHD)3
(Strem Chemical, Inc.) serta gas oksigen sebagai
sumber O. Co(TMHD)3 berbentuk serbuk. Bahan ini
dilarutkan ke dalam pelarut tetrahydrofuran (THF,
C4H8O) dengan konsentrasi 0,2 mol per liter. Hasil
larutan dan juga bahan cair Ti(OCH(CH3)2)4
kemudian dicampur dengan perbandingan 1:5 dan
dimasukkan ke dalam suatu bubbler yang telah
terhubung dengan suatu sistem perpipaan ke ruang
penumbuhan. Untuk menguapkan bahan prekursor,
bubbler dipanaskan dengan suatu plat pemanas pada
temperatur uapnya. Uap dialirkan ke ruang
penumbuhan dengan menggunakan gas argon (Ar)
sebagai gas pembawa. Untuk mensuplai oksigen, gas
O2 dialirkan ke ruang penumbuhan. Tekanan uap di
dalam bubbler dikendalikan melalui suatu katup
pengendali. Bersamaan dengan proses pemanasan
bubbler, ruang penumbuhan divakumkan sampai ke
tekanan 1x10-2 Torr dan subtrat yang terletak di
dalamnya dipanaskan sampai pada temperatur
penumbuhan yang dibutuhkan.
Struktur kristal film ditentukan dari hasil
pola X-ray diffraction (XRD) dengan menggunakan
radiasi Cu Kα (λ=1,54056Å) (Philips PW3710).
Ketebalan dan morfologi penampang lintang film
dianalisa dari hasil potret scanning electron
microscope (SEM) (JEOL JSM 6360LA) dan sifat
magnetik film diuji dengan vibrating sample
magnetometer (VSM) (Oxford).
JMS Vol. 10 No. 4, Desember 2005
3. Hasil dan Diskusi
Respon magnetik dari suatu bahan kristal
feromagnetik bergantung pada arah sumbu kristalnya,
sehingga bahan feromagnetik disebut bersifat
anisotropik7). Sifat anisotropi dapat juga dibangkitkan
oleh bentuk (shape) kristal dan distribusi regangan
(strain) yang terdapat di dalam kristal8). Bahan
feromagnetik memiliki arah sumbu mudah (easy
axis) yaitu suatu arah dimana dipol-dipol magnetik
relatif mudah dimagnetisasi dan arah sumbu
susah/sulit (hard axis) yaitu suatu arah dimana dipol-
dipol magnetik sulit untuk dimagnetisasi. Sifat
anisotropi bahan feromagnetik merupakan suatu
ukuran dari besarnya gaya koersif magnetik
maksimumnya. Besar gaya koersif maksimum ini
dapat diketahui melalui suatu analisis hasil kurva
histeresis dengan menggunakan suatu perumusan
seperti yang dinyatakan oleh persamaan (1)7):
H c = 2K / M s (1)
dengan K adalah konstanta anisotropi, Hc adalah
kuat medan magnetik koersif maksimum, yang
dinyatakan oleh titik potong kurva histeresis terhadap
sumbu H dan Ms adalah besar magnetitasi pada saat
saturasi.
Film tipis TiO2:Co adalah bahan
feromagnetik1). Struktur kristal, bentuk kristal dan
distribusi tegangan di dalamnya bergantung pada
teknik dan kondisi penumbuhan5). Telah
ditumbuhkan film tipis TiO2:Co di atas subtrat
Si(100) dengan menggunakan teknik MOCVD.
Struktur kristal butiran penyusun film dan bentuknya
sangat bergantung pada temperatur penumbuhan.
Gambar 1 menunjukkan pola XRD dan potret SEM
penampang lintang film tipis TiO2:Co yang
ditumbuhkan pada temperatur 400oC selama 120
menit dengan aliran gas O2 = 60 sccm dan Ar = 100
sccm.
Gambar 1. Pola XRD (a) dan potret SEM
penampang lintang (b) film tipis TiO2:Co yang
ditumbuhkan pada temperatur 400oC.
Film tumbuh membentuk bidang tunggal
anatase-213 (A213) dan memiliki ketebalan sekitar
0,7 µm. Film tersusun dari butiran kristal yang
memiliki bentuk kolumnar. Batas antar butir belum
terlihat dengan jelas. Hal ini secara tidak langsung
menyatakan bahwa hubungan antar butir belum
terbentuk dengan baik, atom-atom yang terdapat pada
JMS Vol. 10 No. 4, Desember 2005 109

batas butir belum tersusun mengikuti pola induknya. naik, masing-masing adalah 100 Oe dan 1900
Keadaan tersebut dapat dikonfirmasi dari hasil emu/cm3. Nilai Hc yang lebih tinggi menyatakan
intensitas latar belakang difraksi sinar-X (Gambar 1a) bahwa gaya koersif maksimum yang dibutuhkan
yang menunjukkan bahwa masih ada fase amorf di untuk membalik polarisasi dipol-dipol magnetik
dalam film. Fase amorf tersebut terbentuk pada batas bahan, lebih besar. Untuk kasus film tipis yang kurva
antar butir. Kurva histeresisnya, yang diukur pada histeresisnya ditunjukkan pada Gambar 4, dibutuhkan
temperatur ruang, ditunjukkan pada Gambar 2. Nilai medan magnetik luar sebesar 2x100 Oe untuk
Hc dan Ms -nya masing-masing adalah 80 Oe dan menghilangkan magnetisasi yang telah terjadi. Sifat
1000 emu/cm3. Dengan demikian konstanta anisotropi film bertambah. Pertambahan
anisotropinya adalah K = 40000 Oe.emu/cm3. keanisotropian ini disumbangkan lebih besar oleh
gaya dipol magnet yang semakin kuat. Hal ini
ditunjukkan oleh naiknya harga magnetisasi remanen
film (yaitu nilai M di titik potong kurva pada sumbu
M). Perbaikan susunan atom yang terjadi pada batas
butir menghasilkan bentuk butiran yang lebih tegar
(rigid) sehingga memperbesar gaya dipol magnetik.
Harga Hc yang bertambah disebabkan oleh semakin
besarnya gaya tegangan antar atom dari butir yang
bertetangga di batas butir akibat terjadinya proses
pengaturan posisi untuk mengikuti susunan atom
induknya. Konstanta anisotropi film menjadi, K =
95000 Oe.emu/cm3.
Gambar 2. Kurva histeresis magnetisasi film tipis
TiO2:Co pada temperatur ruang (300K) yang
ditumbuhkan pada temperatur 400oC.
Selanjutnya temperatur penumbuhan diubah
ke 450oC, sementara parameter yang lain
dipertahankan tetap. Pengubahan temperatur
penumbuhan akan mempengaruhi kondisi absorbsi,
difusi permukaan dan ikatan kimia dari atom-atom
prekursor pada permukaan subtrat yang pada
akhirnya mempengaruhi bentuk dan atau struktur
kristal butiran. Pola XRD dan potret SEM
penampang lintang film ditunjukkan pada Gambar 3.
Terjadi suatu perubahan pada bentuk penampang
lintang. Butiran yang berbentuk kolumnar dengan Gambar 4. Kurva histeresis magnetisasi film tipis
batas butir yang sangat jelas, teramati. Penumbuhan TiO2:Co pada temperatur ruang (300K) yang
film tipis TiO2:Co pada temperatur 450oC tidak ditumbuhkan pada temperatur 450oC.
mengubah orientasi kristal butiran (Gambar 3a),
namun dapat memperbaiki fase amorf yang terbentuk
pada batas butir sehingga mempertegas batas antar
butir. Kondisi ini secara tidak langsung ditunjukkan
oleh menurunnya intensitas latar belakang difraksi
pada pola XRD-nya (Gambar 3a).

Gambar 5. Pola XRD (a) dan Potret SEM

penampang lintang (b) film tipis TiO2:Co yang
ditumbuhkan pada temperatur 500oC.
Temperatur penumbuhan kemudian
dinaikkan lagi ke 500oC. Butiran dengan bidang
kristal tambahan anatase-301 (A301), tumbuh. Pola
Gambar 3. Pola XRD (a) dan potret SEM
XRD dan potret SEM penampang lintang filmnya
penampang lintang (b) film tipis TiO2:Co yang
ditunjukkan pada Gambar 5. Kehadiran butiran
ditumbuhkan pada temperatur 450oC.
dengan bidang kristal A301 mengubah pola
Kurva histeresis magnetisasi film penumbuhan, butiran menjadi berbentuk kerucut.
ditunjukkan oleh Gambar 4. Terjadi suatu perubahan Terjadi peningkatan rapat titik-titik nukleasi. Ini
respon magnetik film. Nilai Hc dan Ms keduanya ditunjukkan oleh meningkatnya kerapatan butiran
109
110
yang terbentuk di permukaan subtrat (Gambar 5b).
Peningkatan kerapatan titik-titik nukleasi ini
disebabkan oleh terbangunnya suatu kondisi dimana
daerah-daerah tangkapan (capture zones) di
permukaan subtrat terhadap atom-atom prekursor
semakin bertambah dan padat akibat naiknya
temperatur [9]. Penambahan daerah-daerah
tangkapan tersebut serta tersedianya suplai energi
yang tepat dengan naiknya temperatur penumbuhan,
memberi peluang tumbuhnya butiran yang memiliki
bidang kristal A301.
Gambar 6. Kurva histeresis magnetisasi film tipis
TiO2:Co pada temperatur ruang (300K) yang
ditumbuhkan pada temperatur 500oC.
Gambar 7. Pola XRD (a) dan Potret SEM
penampang lintang (b) film tipis TiO2:Co yang
ditumbuhkan pada temperatur 550oC.
Kurva histeresis film ditunjukkan oleh
Gambar 6. Nilai Hc dan Ms-nya masing-masing
adalah 80 Oe dan 1800 emu/cm3. Nilai Hc dan Ms
berubah menjadi lebih kecil dibandingkan terhadap
film yang tumbuh pada temperatur 450oC. Konstanta
anisotropinya, K = 72000 Oe.emu/cm3. Hasil ini
menunjukkan bahwa sifat anisotropi film menurun.
Akan tetapi masih lebih anisotropik dibandingkan
terhadap film yang tumbuh pada temperatur 400oC.
Butiran yang memiliki struktur bidang kristal A301
mengurangi besar gaya dipol magnetik, sehingga
mengurangi nilai magnetisasi saturasinya, dan pada
akhirnya mengurangi sifat keanisotropian film.
Pengurangan besar gaya dipol magnetik tersebut
disebabkan oleh adanya perbedaan arah sumbu
mudah dari butiran yang memiliki bidang kristal
A301 dengan butiran yang memiliki bidang kristal
A213. Perbedaan arah sumbu mudah ini juga
menyebabkan fluks magnetik total yang dapat
dihasilkan di dalam material pada saat magnetisasi
JMS Vol. 10 No. 4, Desember 2005
dilakukan tidak optimum, sehingga berdampak pada
menurunnya nilai Hc.
Gambar 8. Kurva histeresis magnetisasi film tipis
TiO2:Co pada temperatur ruang (300K) yang
ditumbuhkan pada temperatur 550oC.
Perubahan bentuk butiran kemudian terjadi
lagi ketika film ditumbuhkan pada temperatur 550oC
(Gambar 7b). Film dengan ukuran butiran yang lebih
besar, teramati. Di permukaan film terbentuk sebaran
cacat yang memiliki arah yang sama yang bentuknya
menyerupai garis lurus. Fase tambahan TiCoO3,
tumbuh (Gambar 7a). Intensitas difraksi TiCoO3
sangat tinggi relatif terhadap yang lain. Hal ini
menyatakan bahwa film secara dominan disusun oleh
butiran TiCoO3. Medan magnetik koersifnya Hc,
memiliki nilai yang relatif lebih besar, yaitu 148 Oe
(Gambar 8). Film menjadi lebih sulit dimagnetisasi.
Sementara nilai Ms mengalami penurunan menjadi
1400 emu/cm3. Besar gaya dipol magnetik menurun.
Konstanta anisotropinya, K = 103600 Oe.emu/cm3.
Film menjadi sangat anisotropik.
Fase TiCoO3 merupakan fase pengotor non-
magnetik yang tersebar di antara fase magnetik
TiO2:Co. Fase non-magnetik ini menjadi berperan
sebagai penyangga interaksi magnetik fase TiO2:Co
sebagai akibatnya dapat mempertinggi nilai Hc yang
berkontribusi besar dalam menaikkan nilai konstanta
anisotropi. Di samping itu, TiCoO3 dapat
menimbulkan dan atau memperbanyak sebaran
regangan (strain) pada batas-batas butir dan cacat
lokal seperti yang terjadi pada permukaan film
sehingga juga mempertinggi nilai Hc. Tingkat
kelulusan (permeability) dipol magnetik untuk
menyearahkan diri dengan arah medan magnetik H,
relatif sangat rendah. Oleh karenanya dibutuhkan
medan H yang lebih besar untuk mencapai keadaan
saturasi. Hal ini ditunjukkan oleh gradien kemiringan
kurva yang relatif besar (kurva relatif lebih miring).
Mengacu pada hasil terakhir ini,
penumbuhan film tipis TiO2:Co pada temperatur yang
lebih tinggi tidak dilakukan, karena sifat magnetik
yang dibutuhkan dalam aplikasi spintronik
semikonduktor adalah material yang memiliki nilai
Hc yang rendah dengan tingkat kelulusan yang tinggi
atau nilai magnetik remanen yang tinggi. Dari
keseluruhan film tipis yang ditumbuhkan dengan
struktur permukaan sebagaimana diperlihatkan pada
gambar 1b, 3b, 5b, dan 7b, pembentukan kluster-
JMS Vol. 10 No. 4, Desember 2005
kluster logam Co di permukaan film, sebagaimana
dihasilkan oleh peneliti-peneliti lain yang
menggunakan teknik MBE2), sputtering6) dan PLD4-5),
tidak ditemukan. Selain itu, film tipis yang dihasilkan
pada penelitian ini (gambar 1b, 3b, 5b, dan 7b)
memperlihatkan suatu struktur permukaan yang
relatif sangat halus sehingga permasalahan kekasaran
permukaan yang dihadapi dengan menggunakan
teknik penumbuhan spray pyrolysis3) dapat diatasi.
4. Kesimpulan
Film tipis TiO2:Co telah berhasil
ditumbuhkan dengan teknik MOCVD. Bentuk dan
struktur kristal butiran penyusun film sangat
bergantung pada temperatur penumbuhan. Film yang
tumbuh pada temperatur 450oC memiliki butiran
yang tegar dengan batas butir yang tegas dan
menghasilkan gaya dipol magnetik yang besar. Hal
yang hampir sama ditunjukkan oleh film yang
ditumbuhkan pada temperatur 500oC. Film yang
tumbuh pada temperatur 500oC menghasilkan butiran
tambahan dengan bidang kristal A301. Kehadiran
butiran dengan bidang kristal A301 ini menyebabkan
sedikit penurunan pada nilai Hc dan Ms, sehingga
menurunkan sifat anisotropi film. Film yang tumbuh
pada temperatur 550oC menghasilkan butiran
tambahan TiCoO3 dan bersifat dominan. Fase
TiCoO3 memperbesar nilai Hc dan menurunkan nilai
Ms. Penambahan nilai Hc sangat signifikan (148 Oe)
sehingga menghasilkan sifat anisotropi yang sangat
tinggi. Dari beberapa hasil yang didapatkan dengan
berbagai karakteristik seperti yang telah diterangkan
di atas, film tipis TiO2:Co yang tumbuh pada
temperatur 450oC dan 500oC memiliki nilai Hc yang
relatif lebih kecil dari yang lain dengan nilai Ms yang
relatif besar sebagaimana diharapkan pada aplikasi
divais spintronik semikonduktor.
Daftar Pustaka
1. Matsumoto, Y., Murakami, M., Shono, T.,
Hasegawa, T., Fukumura, T., Kawasaki, M.,
111
111
Ahmet, P., Chikyow, T., Koshihara, S., &
Koinuma, H. “Room-temperature
ferromagnetism in transparent transition metal-
doped titanium dioxide”, Science 291, 854
(2001).
2. Chambers, S.A., Thevuthasan, S., Farrow,
R.F.C., Marks, R.F., Thiele, J.U., Folks, L.,
Samant, M.G., Kellock, A.J., Ruzycki, N.,
Ederer, D.L., & Diebold, U. “Epitaxial growth
and properties of ferromagnetic Co-doped TiO2
anatase”, Appl. Phys. Lett. 79, 3467 (2001).
3. Manivannan, A., Seehra, M.S., Majumder, S.B.,
& Katiyar, R.S. “Magnetism of Co-doped titania
thin films prepared by spray pyrolysis”, Appl.
Phys. Lett. 83, 111 (2003).
4. Punnoose, A., Seehra, M.S., Park, W.K., &
Moodera, J.S. “On the room temperature
ferromagnetism in Co-doped TiO2 films”, J.
Appl. Phys., 93, 7867 (2003).
5. Hong, N.H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini, A.
“Co distribution in ferromagnetic rutile Co-
doped TiO2 thin films grown by laser ablation on
silicon substrates”, App. Phys. Lett. 83, 3129
(2003).
6. Han, G.C., Wu, Y.H., Tay, M., Guo, Z.B., Li,
K.B., & Chong, C.T. “Growth and magnetic
properties of TiO2:Co anatase thin films by
sputtering technique”, J. Magnetism & Magnetic
Mat. 272-276, 1537 (2004).
7. O’Handley, R.C., “Modern Magnetic Materials:
Principles and Applications”, John Wiley &
Sons, Inc., New York, USA (2000).
8. Neelakanta, P.S., “Handbook of Electromagnetic
Materials: Monolithic and Composite Version
and Their Applications”, CRC Press, Florida,
USA (1995).
9. Sittner, C.E., & Bergauer, A. “Correlations
between island nucleation and grain growth for
polycrystalline films”, Material Research Society
Proceeding Spring Meeting, 1-6 (2001).