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Com o passar dos anos, a indústria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e
desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948,
na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um
dispositivo formado por três camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja,
um dispositivo com duas junções. O dispositivo recebeu o nome de TRANSÍSTOR.
O impacto do transístor, na electrónica, foi grande, já que a sua capacidade de amplificar sinais
eléctricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito
menos energia, substituísse as válvulas na maioria das aplicações electrónicas. O transístor
contribuiu para todas as invenções relacionadas, como os circuitos integrados, componentes
opto-eletrônicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos electrónicos
projectados hoje em dia usam componentes semicondutores.
Menor tamanho
Muito mais leve
Não precisava de filamento
Mais resistente
Mais eficiente, pois dissipa menos potência
Não necessita de tempo de aquecimento
Menores tensões de alimentação.
2. O Transístor Bipolar
O principio do transístor é poder controlar a corrente. Ele é montado numa estrutura de cristais
semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por
uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras
duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relação à sua função na operação do
transístor, As extremidades são chamadas de emissor e colector, e a camada central é
chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e os símbolos eléctricos dos
transístores são mostrados na figura abaixo. Observe que há duas possibilidade de
implementação.
O transístor da esquerda é chamado de NPN
e o outro de PNP.
O emissor é fortemente dopado, com grande número de portadores de carga. O nome emissor
vem da propriedade de emitir portadores de carga.
A base tem uma dopagem média e é muito fina, não conseguindo absorver todos os portadores
emitidos pelo emissor
O colector tem uma dopagem leve e é a maior das camadas, sendo o responsável pela colecta
dos portadores vindos do emissor.
Da mesma forma que nos diodos, são formadas barreiras de potencial nas junções das
camadas P e N.
3. Funcionamento
Este efeito amplificação, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente
pela relação entre a variação de corrente do colector e a variação da corrente de base , isto é:
IE = IC + IB
O estudo das características principais é efectuado por famílias (grupo de transístores com
características semelhantes), que são:
Pequenos Sinais
Baixas Frequências
RF Frequência elevada
5 - Configurações Básicas
Os transístores podem ser utilizados em três configurações básicas: Base Comum (BC),
Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal é
comum a entrada e a saída do circuito.
5.1 - Configuração BC
5.2 - Configuração CC
5.3 Configuração EC
Podemos trabalhar com a chamada curva característica de entrada. Nesta curva, para cada
valor constante de VCE, variando-se a tensão de entrada VBE, obtém-se uma corrente de
entrada IB, resultando num gráfico com o seguinte aspecto.
Observa-se que é possível controlar a corrente de base, variando-se a tensão entre a base e o
emissor.
Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tensão de saída VCE, obtém-se
uma corrente de saída IC, cujo gráfico tem o seguinte aspecto.
Através desta curva, podemos definir três estados do transístor, o CORTE, a SATURAÇÃO e a
DATIVA
CORTE: IC = 0
SATURAÇÃO: VCE = 0
ACTIVA: Região entre o corte e a saturação.
b) O ganho de corrente b
Os transístores, como quaisquer outros dispositivos têm suas limitações (valores máximos de
alguns parâmetros) que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os
manuais técnicos fornecem pelo menos quatro parâmetros que possuem valores máximos:
A utilização do transístor nos seus estados de SATURAÇÃO e CORTE, isto é, de modo que ele
ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir
corrente alguma é conhecido como operação como chave.
A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer circular uma
corrente pela base do transístor, ele satura e acende a lâmpada. a resistência ligada a base é
calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho dê um valor maior do que o
necessário o circuito do coletor, no caso, a lâmpada.
Veja que temos aplicada uma tensão positiva num transístor NPN, para que ele sature e uma
tensão negativa, para o caso de transístores PNP, conforme mostra a figura abaixo.
8 - Exercício
9 - Polarização de Transístores
Polarizar um transístor é fixá-lo num ponto de operação em corrente contínua, dentro de suas
curvas características.
Também chamado de polarização DC, este ponto de operação (ou quiescente) pode estar
localizado nas regiões de corte, saturação ou altiva da curva característica de saída.
A recta de carga é o lugar geométrico de todos os pontos de operação possíveis para uma
determinada polarização.
então,
Para eliminar a fonte de alimentação da base VBB, pode-se utilizar somente a fonte VCC.
Para garantir as tensões correctas para o funcionamento do transístor R B deve ser maior que
RC.
Equações: e
Neste circuito, como VCC e RB são valores constantes e VBE praticamente não varia, a variação
da corrente de base é desprezível. Por isso este circuito é chamado de polarização EC com
corrente de base constante.
Exemplo 2: Dado um transístor com b =200 e uma fonte de 12V, determinar as resistências de
polarização (valores comerciais) para o ponto de operação VCEQ=VCC/2, ICQ = 15mA e VBEQ=0,7V
OBS.: Este circuito de polarização apresentado é bastante sensível a variações de
temperatura. Por seu ponto de operação ser bastante instável, o seu uso é restrito ao
funcionamento como chave electrónica.
A variação de VBE é desprezível, porém a corrente de fuga e o ganho b podem ter variações
acentuadas, ocasionando variações na corrente de coletor, sem que haja variações na corrente
de base, deixando o circuito instável.
A resposta dada por RE para o aumento de IC, chama-se de realimentação negativa e garante a
estabilidade do ponto de operação.
Equações:
Como temos três incógnitas e apenas duas equações temos que arbitrar um dos valores. Neste
caso adoptamos VRE = VCC / 10, de modo que o resto da tensão seja utilizada pela saída do
circuito.
Exemplo 3: Dado um transístor com b =250 e uma fonte de 20V, determinar as resistências de
polarização (valores comerciais) para o ponto de operação VCEQ=VCC/2, ICQ = 100mA e
VBEQ=0,7V
Este circuito é projectado de forma a fixar o valor de V RB2. Como VBE é praticamente constante
com a temperatura, VRE também permanece constante. Isto garante a estabilização de I E e IC,
independentemente da variação do ganho.
Equações:
Exemplo 4: Dado um transístor com b =250 e uma fonte de 9V, determinar as resistências de
polarização (valores comerciais) para o ponto de operação VCEQ=VCC/2, ICQ = 20mA e
VBEQ=0,65V. Traçar a sua recta de carga.
Até agora realizamos a síntese de circuitos, isto é, calculamos os valores das resistências para
os valores especificados de tensão e corrente.
Podemos, também, a partir das resistências determinarmos o ponto de operação
analiticamente ou graficamente. Isto é a análise do circuito.
Caso o circuito utiliza divisor de tensão podemos utilizar o teorema de Thévenin para reduzir
para a forma abaixo.
Onde:
Graficamente temos que ter acesso a curva característica de saída do transístor. Traçando a
reta de carga sobre a curva encontramos o ponto de operação.
Exemplo 6: No circuito a seguir, deseja-se que o Led seja accionado quando a chave estiver na
posição ON e desligado quando a chave estiver na posição OFF.
VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V
ICMAX=200mA VCEMAX=30V
b =20
Exemplo 7: Um circuito digital (TTL) foi projectado para accionar um motor de 220V/60Hz sob
determinadas condições. Para tanto, é necessário que um transístor como chave atue sobre
um relé, já que nem o circuito digital, nem o transístor podem accionar este motor. O circuito
utilizado para este fim esta mostrado a seguir.
Neste circuito, em série com RC, coloca-se a bobina do relê. Esta bobina, normalmente,
apresenta uma resistência DC da ordem de algumas dezenas de ohms. Por ser tão baixa, a
resistência RC, tem a função de limitar a corrente no transístor, para não danificá-lo. O diodo
em paralelo com a bobina serve para evitar que o transístor se danifique devido à tensão
reversa gerada por ela no chaveamento do relê.
Parâmetros do 2N2222:
ICMAX=500mA VCEMAX=100V
Parâmetros do relé:
RR=80W IR=50mA