Figura 2
Figura 3 Figura 1
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Figura 4 Figura 6
IFPA-Prof. Raimundo Nonato Machado 5 IFPA-Prof. Raimundo Nonato Machado 7
Amplificador de RF
Freqncias bem acima de 20 kHz
Rdio AM (Ondas Mdias): 535 a 1605 kHz. Rdio FM: 88 a 108 MHz
Figura 5
Figura 11 Figura 12
Figura 7
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Figura 8
9 IFPA-Prof. Raimundo Nonato Machado 11
Figura 9
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Figura 15
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Figura 16
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Figura 18
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Amplificadores de Potncia Retas de carga DC e AC Reta de carga AC (Emissor Comum com realimentao)
Figura 17 Figura 19
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Rendimento do estgio
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Figura 21
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Exerccio 3
Situar o ponto Q timo para o circuito da figura 17 para obter a mxima excurso pico a pico na sada.
Figura 22
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Figura 23
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Figura 28
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Amplificadores de Potncia Amplificador Classe B Polarizao do amplificador classe B Polarizao por divisor de tenso
A diminuio de VBE com a temperatura faz a corrente de coletor aumentar o que pode danificar o transistor.
VBE diminui 2mV para cada grau de aumento na temperatura. Uma diminuio de 60 mV em VBE faz a corrente de coletor aumentar em 10 vezes.
Figura 30
Figura 29
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Amplificadores de Potncia Amplificador Classe B Polarizao do amplificador classe B Polarizao por diodo (espelho de corrente)
D1 e D2 so chamados diodos compensadores e polarizam os diodos emissores de Q1 e Q2. As curvas de VBE dos diodos e dos transistores devem ser idnticas.
Amplificadores de Potncia Amplificador Classe B Acionador classe B Amplificador EC com acoplamento direto que funciona como uma fonte de corrente para polarizar os diodos. A corrente de emissor de Q1 ajustada por R2.
Figura 31 Figura 33
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Figura 32 Figura 34
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Amplificadores de Potncia Amplificador Classe B Alimentao subdividida Com as alimentaes iguais e opostas cada transistor tem VCEQ = VCC, logo a tenso de sada zero e a carga pode ser acoplada diretamente. Tambm a tenso entre os diodos compensadores zero podendo-se acoplar a entrada diretamente,
Figura 36 Figura 37
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Figura 41 Figura 43
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Figura 46
Corrente de coletor
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Tenso no coletor
Figura 45
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Figura 49
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Amplificadores de Potncia Amplificador Classe C Parmetros Ciclo de trabalho Mxima excurso pico a pico de sada Potncia na carga Potncia mxima na carga Dissipao de potncia no transistor Corrente da fonte Potncia da fonte Rendimento
Figura 50
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Amplificadores de Potncia Especificao de potncia do transistor Introduo A temperatura na juno do coletor impe um limite na dissipao de potncia do transistor.
Dependendo do tipo de transistor, uma temperatura da juno na faixa de 150 a 200C destruir o transistor. O calor produzido na juno na juno passa atravs do invlucro do transistor e irradia para do ambiente que geralmente por volta de 25 C, mais que pode aumentar dependendo do clima e a onde o transistor opera.
Figura 51
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Amplificadores de Potncia Especificao de potncia do transistor Fator de reduo (D) A potncia mxima que o transistor pode dissipar especificada temperatura ambiente (25 C). Caso o transistor opere em temperaturas mais elevadas, necessrio usar a curva ou o fator de reduo de potncia do transistor.
P = D ( TA 25 C )
Amplificadores de Potncia Especificao de potncia do transistor Dissipadores de calor Fator de reduo (D)
P = D ( TC 25 C ) TC = TA + PD ( CS + SA )
Figura 52
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P - diminuio da especificao de potncia D - fator de reduo TC - temperatura da carcaa Figura 53 TA - temperatura do ambiente PD - dissipao de potncia no transistor CS - resistncia trmica entre a carcaa e o dissipador SA - resistncia trmica entre o dissipador e o ar ambiente
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Amplificadores de Potncia Especificao de potncia do transistor Dissipadores de calor Dissipadores de calor so utilizados para aumentar a especificao de potncia de um transistor. O dissipador permite que o calor escape mais facilmente para o meio ambiente porque ele aumenta a rea da superfcie do invlucro do transistor. Ao fluir para fora do transistor, o calor passa atravs da carcaa do transistor e vai para o dissipador de calor, que ento irradia o calor para o ar circundante. A temperatura da carcaa do transistor TC mais alta que a temperatura do dissipador de calor TS, que mais alta que a temperatura do ambiente TA.
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