1. En que consiste el efecto termoinico: Efecto termoinico.

En los metales existe cierto nmero de electrones libres, es decir, electrones que pueden pasar fcilmente de un tomo a otro del metal y estn en continuo movimiento. Normalmente estos electrones permanecen dentro del metal de que forman parte y no escapan de su superficie, debido a las fuerzas de atraccin electrosttica de los ncleos atmicos. A temperaturas elevadas, la energa cintica de los electrones libres aumenta y muchos superan la atraccin de los ncleos y atraviesan la superficie del metal pasando al espacio circundante. Este tipo de liberacin de electrones de un metal se conoce con elnombre de "emisin termoinica" o "efecto termoinico".La cantidad de electrones que se des-prende de la superficie de un metal por emisintermoinica, depende de la naturaleza de la superficie emisora y de la temperatura. La mayorparte de los' metales puros emiten electrones slo a temperaturas muy elevadas. Sinembargo, si los metales estn recubiertos con una capa de xido, pueden emitir electronesatemperaturas relativamente baias. El "efecto termoinico" fue descubierto por el norteamericano TomsEdison en1883, mientras experimentaba con su lmpara de incandescencia, por lo que el "efectotermoinico" se llama tambin efecto Edison". Para la poca en que Edison observ elfenmeno, nada se saba acerca de los electrones, por lo que este fsico no pudo darsecuenta de la importancia de su descubrimiento.el primero en investigar y encontrar una aplicacin del "efecto termoinico" fue elcientfico ingls Fleming en 1905, quien construy el diodo o tubo de dos electrodos. 2. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Diodo o tubo de dos electrodos: Consiste en una ampolla de vidrio en la cual se ha practicado el que lleva en suinterior dos electrodos: un ctodo, cuya funcin es emitir electrones por calentamiento(efecto termoinico) y un nodo o placa, cuya funcin-es atraer dichos electrones.el ctodo puede ser de "calentamiento indirecto" o de "calentamiento di-recto". El ctodo de "calentamiento indirecto" consiste en un tubo delgado de nquel, revestido exteriormente con una mezcla de xido de bario y estroncio, que lleva separadamente en su interior un filamento de tungsteno: si el filamento se calienta haciendo pasar a su travs una corriente elctrica, el ctodo tambin se calienta y de sus paredes se desprenden electrones. En los ctodos de "calentamiento di-recto" no existe tubo alrededor del filamento, por consiguiente, es el mismo filamento el que emite electrones al calentarse. el nodo o placa consiste en un cilindro metlico, coaxial con el ctodo, provisto de aletas. Estas ltimas aumentan la superficie del nodo y disipan el calor que se produce por el choque de los electrones contra sus paredes si se aplica una diferencia de potencial entre placa y ctodo mediante una batera, los electrones emitidos por el ctodo pueden ser atrados o repelidos por la placa, segn que sta sea positiva o negativa.

3. explique el proceso de rectificacin de una corriente alterna por un diodo: El diodo como rectificador de la corriente alterna la aplicacin ms importante del dio-do es transformar corriente alterna en corriente continua; es decir, transformar una corriente que vara de sentido peridicamente, en otra que circula en un solo sentido. Este proceso se llama rectificacin de la corriente, y 1.05 diodos utilizados para ello se llaman diodos rectificadores. La conversin de corriente alterna en continua es de gran utilidad para di-versos fines, tales como carga de bateras, galvanizacin, circuitos telefnicos, aparatos de radio y aparatos de tele-visin.

4. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Trodo o tubo de tres electrodos. eltrodo o tubo de tres electrodos es un diodo que lleva un tercer electrodo, llamado rejilla grilla, que permite controlar el paso de electrones entre ctodo y placa. Por lo tanto las variaciones: AVP: 60 Volts y AVR: 1.5 Volts, el factor de amplificacin es, por consiguiente. El factor de amplificacin u, india en qu proporcin el trodo es capa: de amplificarun voltaje aplicado si rejilla, en el ejemplo propuesto el factor de amplificacin es 40, locual significa que la variacin del voltaje de (placaAVP est con la variacin del voltaje derejilla AVR, como 40 es a 1. PO: consiguiente, si se aplica 1 volt de corriente alterna a larejilla, se obtener 40 volts de corriente alterna en el circuito de placa. 5._ Explique como se caracterizan los conductores, aisladores, y semi conductores segnel numero de electrones en su capa perifrica. Los semi conductoresentre los aisladores y los conductores elctricos existe una tercera clase de resistividadintermedia que son los semi conductores, estos no son mas que materiales de estructuracristalina cuya resistencia disminuye rpidamente conforme aumentamos su temperatura. Los semiconductores pueden agruparse en: a) semiconductores del tipo n: los semiconductores ms importantes y ms tiles sonlos que contienen cantidades muy pequeas de impurezas. Ejemplo si agregamos alsilicio o al germanio una cantidad de un elemento que contenga pequeasimpurezas, como el antimonio, este es capaz de proporcionar electrones deconduccin, quedando los electrones en libertad de moverse. Esta mezcla esllamada semi conductores tipo n, que en conclusin se refiere a los electroneslibres. b) semiconductores del tipo P: se llama as a los semi conductores con preponderanciade la conduccin por hueco (falta de un electrn). En un cristal de GE por tomo deB que contiene 3 electrones en su capa ms externa, este tomo de boro tendr sieteelectrones ahora en su capa ms externa con los cuatro electrones prestados a susvecinos tomos de GE. Esta capacidad inestable tratara de capturar un electrn deotro tomo para conformar entonces una capa estable de ocho electrones. La rejilla de control consiste en un alambre muy delgado arrollado en es-piralalrededor del ctodo, de modo que los electrones emitidos por ste puedan pasar a travsdel espacio que queda entre las espiras.Si la rejilla de control se hace positiva respecto al ctodo, el flujo de electrones. Entre ctodo y placa aumenta si la rejilla de control se hace negativa, su tendencia esrechazar los electrones emitidos por el ctodo, por lo que el flujo de electrones entrectodo y placa disminuye.

Si la rejilla-de control es suficiente-mente negativa, puede igualar exacta-mente laatraccin de la placa o nodo sobre los electrones, en cuyo caso no hay paso de electronesentre ctodo y placa el potencial de rejilla que reduce a cero la corriente electrnica se llama potencial de corte. Como la rejilla de control se encuentra muy prxima al ctodo, un pequeopotencial negativo aplicado a ella puede producir el corte o interrupcin de corrienteelectrnica, aun cuando el nodo o placa tenga un alto potencia positivo. El voltaje que mantiene negativa la rejilla de control se llama voltaje dipolarizacin de rejilla polarizar la rejilla es, por consiguiente, el proceso de hacer negativala rejillarespectoal ctodo. 6._ A que se denomina factor de amplificacinfactor de amplificacin Un concepto muy til es el llamado factor de amplificacin, que depende de lospotenciales de placa y de rejilla,se define como la variacin del potencial placa entre la variacin correspondientedel potencial de rejilla que hay que realizar para mantener la corriente de placa constante. La falta de electrones o hueco se traslada ahora otra capa externa y as sucesivamente, contrario al movimiento de los electrones que contemplan la capa se puede por lo tanto decir que los huecos se comportan con cargas positivas mviles. 7._ Define: unin P-N / unin N-P Unin N-P es una unin N-P los iones positivos de n se alejan a los huecos positivos de P y los10nes negativos de p se alejan a los electrones negativos de n. as, en la separacin NPnos encontramos con una acumulacin de 10nes positivos en n y de iones negativosen p, siendo esto una barrera de potencial. UninP-N Hay que recordar que lo tpico de un diodo de vaco esque conduce cuando la seal(vs) que le llega es positivo, y no conduce cuando vs = o. por lo tanto, con la uninP-N setiene el mismo efecto. y si la unin de P-Nse polariza negativamente. esto sucede cuando se conectael terminal positivo de la batera al lado n de la unin, y el negativo de labatera al lado p de la unin, aumentndose la barrera de potencial, pues elcampo exterior creado es del mismo sentido que el campo elctrico propio producindose una corriente prcticamente nula y se denominacorriente inversa de saturacin. si la unin P-N se polariza positivamente. esto se consigue conectando elterminal positivo de la batera al lado p de l unin y el campo creado ser desentido opuesto al EO y se reduce l barrera de potencia, con lo que losportdores mayoritarios p (huecos) y los mayoritarios en n (electrones)cruzaran fcilmente la barrera, de esta manera se establece una corrienteelctrica superficial mente grande.

8. defina transistores y sus partes:

Transistor. el transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones deamplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es lacontraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). actualmente seencuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios,televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras,automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores,calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos x, tomgrafos,ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, entre otros. Tipos de transistor. y transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtenerganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre,sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y elcolector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector,de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos ensu da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe podadesplazar las puntas) y ruidoso, sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda en la actualidad ha desaparecido. y Transistor de unin bipolar

el transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre unmonocristal de germanio, silicio o arseniuro de gallo, que tienen cualidades desemiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantescomo el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controladatres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dosuniones NP.la zona n con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona p deaceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementosaceptadores p al indio (IN), aluminio (AL) o Galio (GA) y donantes n al arsnico (AS) ofsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde laletra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisory al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas por lo general el emisor esta mucho mas contaminado que el colector. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminantes, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin y del comportamiento cuntico de la unin.

c. transistor de unin unipolar o de efecto de campo.

el transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue elprimer transistor de efecto de campo en la prctica. lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo n o p. en los terminales de la barra se establece uncontacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo n de la forma msbsica. si se difunden dos regiones p en una barra de material n y se conectan externamenteentre s, se producir una puerta. a uno de estos contactos le llamaremos surtidor y alotro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando apuerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente dedrenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamostensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. d. El transistor de efecto de campo, que controla lacorriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta seasla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa metal-xido semiconductor,en este caso la compuerta es metlica y est separada del canalsemiconductor por una capa de xido. e. Fototransistor los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanasa la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de laluz incidente. un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sloque puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (lb) (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces decorriente de base. (IP) (Modo de iluminacin). Estructura del transistor.el transistor est formado por la unin de tres capas de material semiconductor, de tipo p ytipo n, dispuestas de forma alternada, segn la disposicin de estascapas, podemos tener dos tipos de transistores: TransistorPNP. TransistorNPN. Los ms utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio deestetipo de dispositivos; Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metlicoque permitir conectarlo a un circuito. Todo el conjunto se recubre con un encapsuladoprotector, que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plstico, metal.)Por tanto, eltransistor es un dispositivo de tres terminales, que recibenlos nombres de emisor, base y colector. Podemos considerar eltransistor constituido por dos diodos:

 Uno formado por la unin emisor-base. Otro por la unin base-colector. Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor, pues elterminal de base controla el paso de corriente elctrica entre el colector y el emisor. se observa que las corrientes de base y de colector entran, el transistor, mientras que lacorriente de emisor sale del dispositivo; en consecuencia podemos establecer la siguienterelacin: IE=IB+IC Si conocemos dos de las corrientes del transistor, la expresin anterior nos permitircalcular la tercera. Asimismo, entre los terminales del transistor segeneran las siguientes cadas de tensin: VCE: tensin colector-emisor VBE: tensin base-emisor.

9._ escriba las ventajas de los transistores sobre los tubos elctricos: Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vaco. en primer lugar, para quefuncione un tubo al vaco su ctodo debe calentarse, y esto se logra pasando una corrientecercana a l. el voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 v. una vezconectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente elctodo. por tanto, cualquier aparato que use tubos al vaco no funciona inmediatamentedespus de haberse conectado. el transistor no requiere este calentamiento, por lo queempieza a funcionar inmediatamente despus de su conexin. En consecuencia, el uso de untransistor en lugar de tubos al vaco ahorra mucha energa, y por tanto, resulta mseconmico. En segundo lugar, la respuesta del transistor a seales de frecuencias muy altas es muyefectiva, lo cual no ocurre con los tubos al vaco.Como el tamao de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vaco, con l se inici la miniaturizacin de los aparatos electrnicos.el invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, ya que se le pudoutilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. en las dcadas de 1950 y1960 se construyeron radios, computadoras electrnicas, aparatos de control industrial, entre otros que gracias a los transistores fueron de tamaos relativamente pequeos, porttiles,con requerimientos de energa muy reducidos y de larga vida.

10._ defina un circuito integrado y explique sus ventajas:

Circuito integrado Un circuito integrado (ci), tambin conocido como chip o microchip, es una pastilla pequeade material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que sefabrican circuitos electrnicos generalmente mediante fotografa y que est protegida dentro de encapsulado de plstico y cermica, el encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin entre la pastilla y un circuito impreso. Ventajas: en electrnica de consumo, los circuitos integrados han hecho posible eldesarrollo de muchos nuevos productos, como computadoras y calculadoraspersonales, relojes digitales y videojuegos. Se han utilizado tambin para mejorar yrebajar el coste de muchos productos existe, como los televisores, los receptoresde radio y los equipos de alta fidelidad. Su uso est muy extendido en la industria, lamedicina, el control de trfico (tanto areo corno terrestre), control medioambiental y comunicaciones.

Republica Bolivariana de Venezuela.

Ministerio del Poder Popular para la Educacin. U.E Colegio Ntra. Sra. del Rosario de Ftima.

Efecto Termoinico

Integrantes: Vsquez Fabiola # 20 Pacheco Emmanuel # 28 Graterol Priscilla # 29 Meza Rubn # 30