UNIVERSIDADE LUSIADA DE V. N.

DE FAMALICO

FACULDADE DE ENGENHARIA







APONTAMENTOS


ELECTRNICA II




ProI. Doutor Carlos Alberto Rego de Oliveira













LICENCIATURA EM ENGENHARIA ELECTRNICA E INFORMTICA

2ano

Ano Lectivo de 2005/2006
1
1. TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FETs)


1.1 INTRODUO

O transistor de efeito de campo (Field Effect Transistor FET) tem esta designao
porque o seu principio de Iuncionamento e determinado, em maior ou menor grau,
pelo campo electrico no seu interior.
A corrente e devida a um so tipo de portadores de carga (electres ou lacunas),
dependendo do tipo de FET (canal n ou canal p), o que da ao FET um outro nome,
transistor unipolar.
Ha varios tipos de transistores de eIeito de campo, dos quais o mais utilizado e, de
longe, o transistor MOS (MOSFET); a designao MOS provem das iniciais de
Metal-Oxido-Semicondutor, e tem a ver com a estrutura do dispositivo. Ha tambem o
transistor de eIeito de juno (JFET) e o MESFET (as trs primeiras letras provm de
MEtal-Semicondutor), que se emprega em circuitos digitais e analogicos para
Irequncias muito elevadas (no o vamos estudar).
Podemos Iazer, desde ja, uma comparao sumaria entre os transistores bipolares e
MOS. Os transistores MOS ocupam menor area, apresentam uma resistncia de
entrada praticamente inIinita, Iuncionam melhor como interruptores e permitem
realizar circuitos digitais com menor consumo. Os transistores bipolares permitem
obter maior ganho, maior largura de banda e preciso mais elevada. Assim, os
transistores MOS so bem adequados a realizao de circuitos digitais, enquanto os
transistores bipolares so especialmente vocacionados para a realizao de circuitos
analogicos. No entanto, esta separao, dos dominios de aplicao dos dois tipos de
transistores ja Ioi muito mais nitida que actualmente. Os transistores MOS,
inicialmente usados em circuitos logicos e memorias, so tambem usados
correntemente na realizao de circuitos analogicos. Os transistores bipolares
continuam a ser usados na realizao de circuitos analogicos e so tambem usados na
realizao de circuitos digitais, principalmente se estes tiverem de ser muito rapidos.
Existem actualmente tecnologias BiCMOS, que combinam, no mesmo circuito
integrado, transistores bipolares e CMOS. Estas tecnologias permitem tirar partido
das vantagens dos dois tipos de transistores e so particularmente adequadas para a
realizao de circuitos integrados mistos analogico-digitais.


1.2 ESTRUTURA E PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO DO MOSFET DE
ENRIQUECIMENTO

1.2.1 A estrutura

O MOSFET de enriquecimento e o transistor de eIeito de campo mais usado.
A Iigura 1.1 mostra a estrutura Iisica do MOSFET de enriquecimento de canal n.


2






























O transistor e Iabricado num substrato do tipo p, que e uma lmina de silicio
cristalino que serve de suporte Iisico para o dispositivo. Neste existem duas regies
Iortemente dopadas do tipo n, indicadas na Iigura como regies da Ionte (source) e do
dreno (drain) n

. Sobre o substrato, entre a Ionte e o dreno, ha uma Iina camada

isolante de xido de alumnio (SiO
2
) e, sobre esta, ha uma camada de metal que
constitui a porta (gate). A estas diIerentes regies esto ligados terminais atraves de
contactos metalicos. Desta Iorma temos quatro terminais: os terminais da porta (G),
da fonte (S), do dreno (D) e do substrato ou corpo (B).
V-se que o substrato Iorma junes pn com as regies da Ionte e do dreno. Em
Iuncionamento normal, estas junes pn so mantidas permanentemente polarizadas
inversamente. Uma vez que o dreno vai estar com uma tenso positiva relativamente
a Ionte, as duas junes pn podem ser colocadas em corte, ligando o terminal do
substrato ao terminal da Ionte. Desta Iorma, o substrato pode ser considerado como
no tendo nenhum eIeito no Iuncionamento do dispositivo, e o MOSFET pode ser
Figura 1.1
3
tratado como um dispositivo de trs terminais, isto e, a porta (G), a fonte (S) e o
dreno (D).
Vamos ver que uma tenso aplicada a porta controla o Iluxo de corrente entre a Ionte
e o dreno. Esta corrente Ilui na direco do dreno para a Ionte na regio designada
por canal.


1.2.2 Princpio de funcionamento

Considere a Iigura 1.2. Quando se aplica uma tenso positiva entre a porta e a Ionte,
v
GS
, as lacunas so repelidas da regio do substrato sob a porta. Essas lacunas so
empurradas para baixo, deixando atras de si uma regio esvaziada de portadores. Esta
regio de depleo contem ies negativos correspondentes aos atomos aceitadores
que perderam as lacunas que Ioram repelidas.
Por outro lado, a tenso positiva da porta atrai electres das regies n

da Ionte e do
dreno para a regio do substrato por debaixo da porta, constituindo-se um canal do
tipo n ligando a Ionte e o dreno, como se mostra na Iigura 1.2.

















JustiIicase assim a designao de transistor MOS de canal n, ou transistor AMOS
para este dispositivo.
Se o numero de electres nesse canal do tipo n criado e suIiciente, ao se aplicar uma
tenso positiva entre o dreno e a Ionte, Ilui corrente nessa regio, transportada pelos
electres moveis.

O valor de v
GS
para o qual um numero suIiciente de electres moveis se acumula na
regio do canal para Iormar um canal de conduo e chamado de tenso limiar
(threshold) e e representada por J
t
. Esta tenso e, obviamente, positiva para um FET
Figura 1.2
4
de canal n. O valor de J
t
e Iixado durante o processo de Iabrico do dispositivo e
toma valores entre 1 e 3 V tipicamente.
Quando v
GS
~ J
t
e se aplica uma tenso v
DS
positiva, circulara corrente pelo canal,
do dreno para a Ionte (Iigura 1.3). Notemos que a corrente que sai do terminal da
Ionte (i
S
) e igual a corrente que entra pelo terminal do dreno (i
D
) e que a corrente da
porta e i
G
0.

















Consideremos, primeiro, o caso em que v
DS
e pequena (0,1 0,2 V).
Quanto maior Ior a diIerena v
GS
- J
t
mais electres so atraidos para o canal.
Podemos visualizar o aumento de portadores de carga como um aumento da
proIundidade do canal. Assim, a condutncia do canal e proporcional a v
GS
- J
t
e,
obviamente, a tenso v
DS
que origina que i
D
Ilua.

A Iigura 1.4 mostra um esboo de i
D
- v
DS
para varios valores de v
GS
.










Figura 1.4



Figura 1.3
5
Vemos que o MOSFET Iunciona como uma resistncia linear cujo valor e controlado
por v
GS
. A resistncia e inIinita para v
GS
J
t
, e o seu valor diminui a medida que v
GS

se torma maior do que J
t
.

A descrio anterior indica que, para o MOSFET conduzir, e necessario induzir um
canal. O aumento de v
GS
acima da tenso limiar J
t
enriquece o canal em electres e
dai as designaes Iuncionamento em modo de enriquecimento e MOSFET de
enriquecimento.

1.2.3 Funcionamento com o aumento de v
DS


Consideremos v
GS
constante e maior que J
t
e vejamos o eIeito de um aumento de
v
DS
. Considerando a Iigura 1.5, observa-se que a tenso entre a porta e pontos ao
longo do canal diminui desde o valor v
GS
, na extremidade da Ionte, ate ao valor
v
GS
v
DS
, na extremidade do dreno. Como a proIundidade do canal depende desta
tenso, concluimos que a sua proIundidade no e uniIorme e diminui da Ionte para o
dreno.







Figura 1.5









Quando v
DS
aumenta, o canal torna-se mais aIunilado e a sua resistncia aumenta.
Assim, a curva i
D
- v
DS
deixa de ser rectilinea, encurvando como se mostra na Iigura
1.6.






6

















Aumentando v
DS
, atingimos um valor para o qual v
GS
- v
DS
J
t
ou
v
DS
v
GS
- J
t
. Para este valor a proIundidade do canal do lado do dreno anula-se,
dizendo-se ento que o canal esta estrangulado (pinched-off).

Aumentando v
DS
para alem deste valor, o eIeito e muito pequeno (teoricamente
nenhum) sob a Iorma do canal, e a corrente atraves do canal permanece constante no
valor atingido para v
DS
v
GS
- J
t
. A corrente de dreno satura assim neste valor,
dizendo-se que o MOSFET entrou na regio de saturao do seu Iuncionamento.

A tenso v
DS
para a qual ocorre saturao e designada por v
DS,sat


v
DS,sat
v
GS
- J
t
(1.1)

Obviamente, para cada valor de v
GS
J
t
, existe um valor correspondente de v
DS,sat
.
O transistor opera na regio de saturao se v
DS
v
DS,sat
.

A regio da caracteristica i
D
- v
DS
obtida para v
DS
v
DS,sat
e chamada de regio de
triodo, uma designao remanescente do tempo das valvulas cuja operao e
semelhante a do FET.


1.2.4 Funcionamento do transstor MOS na regio sublimiar

A anterior descrio do Iuncionamento do MOSFET canal n implica que, para
v
GS
J
t
, no ha corrente e o dispositivo esta em corte. Isto no e totalmente
verdadeiro, visto que, para valores de v
GS
menores, mas proximos de J
t
, circula uma
pequena corrente de dreno. Nessa regio de sublimiar (subthreshold) de operao, a
Figura 1.6
7
corrente de dreno tem uma relao exponencial com v
GS
, semelhante a relao
i
C
- v
BE
de um TBJ.
Embora, na maioria das aplicaes, o transistor MOS opere com v
GS
~ J
t
, ha
aplicaes especiais que Iazem uso da operao de sublimiar.


1.2.5 O MOSFET de canal p

Um MOSFE1 de enriquecimento de canal p (transistor PMOS) e Iabricado num
substrato do tipo n com regies p

para o dreno e a Ionte, e usa lacunas como

portadores de carga. O dispositivo Iunciona da mesma maneira que o de canal n,
excepto que v
GS
e v
DS
so negativas e a tenso limiar J
t
e negativa. A corrente i
D

entra pelo terminal da Ionte e sai pelo terminal do dreno.
Os transistores NMOS so os mais comuns, uma vez que so mais rapidos que os
PMOS (os electres tm uma mobilidade cerca de trs vezes maior do que as
lacunas), ocupam uma area menor e requerem menores tenses de alimentao.
No entanto, no se deve ignorar os PMOS por duas razes: os PMOS continuam a ser
Iabricados para circuitos discretos, e principalmente porque os importantissimos
circuitos CMOS (MOS complementar) utilizam os dois tipos de transistores, NMOS
e PMOS.

1.2.6 MOS complementar ou CMOS

Apesar dos circuitos CMOS serem um pouco mais diIiceis de Iabricar do que os
NMOS, o Iacto de se dispor de dispositivos complementares torna viaveis muitas
possibilidades interessantes de projectos de circuitos, quer analogicos quer digitais.

A Iigura 1.7 mostra uma seco transversal de uma pastilha CMOS ilustrando como
os transistores PMOS e CMOS so Iabricados. Enquanto o transistor NMOS e
implementado directamente no substrato tipo p, o transistor PMOS e Iabricado numa
regio n criada especialmente, conhecida como cavidade ou poo n. Os dois
dispositivos so separados um do outro por uma regio espessa de oxido que Iunciona
como isolante.











Figura 1.7
8
1.3 AS CARACTERISTICAS DE CORRENTE-TENSO DO MOSFET
TIPO ENRIQUECIMENTO

Vamos agora ver as caracteristicas tenso-corrente do transistor MOS de
enriquecimento de canal n. Estas caracteristicas podem ser medidas em corrente
continua ou a baixas Irequncias e, assim, so chamadas caracteristicas estaticas.

1.3.1 Smbolo de circuito

A Iigura 1.8(a) mostra o simbolo de circuito para o MOSFET de enriquecimento de
canal n. O simbolo e bastante descritivo: o trao cheio vertical simboliza o electrodo
da porta (G); o trao interrompido vertical representa o canal - o trao e interrompido
para indicar que o transistor e do tipo de enriquecimento, cujo canal no existe sem a
aplicao de uma tenso de porta adequada; Iinalmente, o espao entre o trao da
porta e o trao do canal representa o Iacto de que o electrodo da porta e isolado do
corpo do dispositivo. A polaridade da juno pn entre o substrato do tipo p e o canal
n e indicado pela seta do trao que representa o substrato. Esta seta indica tambem a
polaridade do transistor, i.e., que se trata de um dispositivo de canal n.
Apesar de o simbolo da Iig. 1.8(a) ser descritivo, ele e relativamente complexo e
torna o desenho de grandes circuitos uma tareIa morosa. Um simbolo simpliIicado
que se utiliza no caso geral do substrato estar ligado a Ionte, e o que se mostra na Iig.
1.8(b). Neste simbolo, a seta do terminal da Ionte aponta no sentido normal da
corrente e cumpre dois objectivos: distingue a Ionte do dreno e indica a polaridade do
transistor (i.e., canal n).



Figura 1.8






1.3.2 Caractersticas i
D
- v
DS


A Iigura 1.9 mostra um MOSFET de enriquecimento de canal n com tenses v
GS
e
v
DS
aplicadas e indicando os sentidos normais das correntes.



Figura 1.9



9
Este circuito conceptual pode ser usado para medir as caracteristicas i
D
- v
DS
, que so
uma Iamilia de curvas, tipicamente como mostra a Iigura 1.10. Estas curvas mostram
que ha trs regies distintas de Iuncionamento do MOSFET: a regio de corte, a
regio de trodo e a regio de saturao.




















A regio de saturao e a regio usada para o Iuncionamento de FET como
ampliIicador. Para Iuncionar como interruptor, utilizam-se as regies de corte e de
triodo. O dispositivo esta em corte quando v
GS
J
t
. Para operar o MOSFET na
regio de triodo, precisamos primeiro de induzir o canal,

v
GS
J
t
(canal induzido) (1.2)

e manter v
DS
suIicientemente pequeno para que o canal permanea continuo,
assegurando que
v
GD
~ J
t
(canal continuo) (1.3)

Esta condio pode ser declarada explicitamente em termos de v
DS
escrevendo-se
v
GD
v
GS
v
SD
v
GS
- v
DS
; logo v
GS
- v
DS
~ J
t
,expresso que pode
rearranjada, obtendo-se

v
DS
v
GS
- J
t
(canal continuo) (1.4)


As equaes 1.2 e 1.4 constituem as duas condies necessarias para assegurar o
Iuncionamento na regio de triodo.

Na regio de triodo, as caracteristicas i
D
- v
DS
podem ser descritas por
Figura 1.10
10
( ) [ ]
2
2
DS DS t GS D
v v J v k i = (1.5)

em que k e um parmetro do transistor dado por


L
W
C k
ox n

2
1
= (1.6)

onde
n
e a mobilidade dos electres, C
ox
e a capacidade por unidade de conduo do
condensador porta-substrato, cujo dielectrico e a camada de oxido, L e o
comprimento do canal e W a sua largura (Iigura 1.1).Valores tipicos:

n
- 580 cm
2
/Vs ; C
ox
- 0,35 1,75 IF/m
2
; W - 2 500 m; L - 1 - 10m.

Se v
DS
Ior suIicientemente pequeno, tal que possamos desprezar o termo v
DS
2
, ento
obtem-se a relao

( )
DS t GS D
v J v k i = 2 (1.7)

o que signiIica que o transistor se comporta como uma resistncia R
DS
(entre o dreno
e a Ionte) comandada pela tenso v
GS


( ) [ ]
1
2

= =
t GS
D
DS
DS
J v k
i
v
r (1.8)

O transistor NMOS situa-se na regio de saturao se

v
DS
v
GS
- J
t
(1.9)

e a corrente passa a ser aproximadamente independente de v
DS
.
Substituindo v
DS
v
GS
- J
t
na equao 1.5 obtem-se

( )
2
t GS D
J v k i = (1.10)

A Iigura 1.11 mostra uma representao tipica da caracteristica i
D
- v
GS
na saturao.






Figura 1.11






11
Note-se que a regio de saturao do transistor MOS, em que i
D
e aproximadamente
independente de v
DS
, e semelhante a zona activa do transistor bipolar (i
C

independente de v
CE
). A regio de triodo, em que v
DS
tem valores mais baixos que na
saturao, tem alguma semelhana com a regio de saturao do transistor bipolar.
Esta designao das zonas de Iuncionamento pode causar alguma conIuso mas e a
que e geralmente adoptada.
Pode dizer-se que o Iuncionamento do transistor MOS e mais simples que o do
transistor bipolar, na medida em que i
G
0, ao passo que i
B
0. No entanto, a
caracteristica exponencial i
C
- v
BE
do transistor bipolar permite a aproximao
v
BE
- 0,7 V, que no tem contrapartida no caso do transistor MOS.


1.3.3 A resistncia de sada finita na saturao

Na verdade, o aumento de v
DS
para alem de v
DS,sat
v
GS
- J
t
aIecta um pouco o
canal. A medida que v
DS
aumenta, o ponto de estrangulamento do canal move-se
ligeiramente do dreno em direco a Ionte. Em consequncia, aumenta a largura da
regio de depleo junto do dreno e diminui o comprimento eIectivo do canal, um
Ienomeno que e designado por modulao do comprimento do canal. Como o
parmetro k, e portanto , i
D
, e inversamente proporcional ao comprimento do canal,
com a diminuio deste, a corrente aumenta.
A caracteristica do transistor na saturao, quando se considera o eIeito de v
DS
, passa
a ser

( ) ( )
DS t GS D
v J v k i 1
2
+ = (1.11)

As curvas caracteristicas esto representadas na Iigura 1.12.
















Figura 1.12
12
O parmetro
-1
J
A
e equivalente a tenso de Early do transistor bipolar e o seu
valor esta normalmente compreendido entre 20 e 200 V.
Uma consequncia obvia da modulao do comprimento do canal e que a resistncia
de saida em saturao e Iinita. DeIinindo a resistncia de saida r
o
como

1
constante

=
(

=
GS
v
DS
D
o
v
i
r (1.12)
resulta

( ) [ ]
1
2

=
t GS o
J v k r (1.13)

que pode ser aproximada por
[ ]
1

D o
I r (1.14)

em que I
D
e a corrente correspondente ao valor particular de v
GS
para o qual r
o
esta a
ser determinada, quando desprezamos o eIeito do Iactor ( )
DS
v 1 + .
A equao 1.14 pode ser escrita na seguinte Iorma alternativa:


D
A
o
I
J
r (1.15)

Portanto, a resistncia de saida e inversamente proporcional a corrente cc de
polarizao i
D
.
Na Iigura 1.13 apresenta-se o modelo equivalente para grandes sinais incorporando r
o
.












1.3.4 As caractersticas do MOSFET de canal p

A Iigura 1.14(a) mostra o simbolo do circuito do MOSFET de enriquecimento de
canal p. Para o caso habitual em que o substrato esta conectado a Ionte, o simbolo
utilizado e o da Iigura 1.14(b).



( )
2
t GS
J v k
Figura1.13
13











As polaridades das tenses e correntes para a operao normal esto indicadas na
Iigura 1.14(c). Recorde-se que, para um MOSFET de canal p, a tenso limiar J
t
e
negativa. Para induzir um canal temos de ter

v
GS
J
t
(canal induzido) (1.16)

e v
DS
0 . A corrente i
D
circula da Ionte para o dreno, conIorme se indica na Iigura.

Para o transistor Iuncionar na regio de triodo, v
DS
deve satisIazer

v
DS
v
GS
- J
t
(canal continuo) (1.17)


isto e, a tenso de dreno deve ser mais alta do que a tenso da porta em pelo menos o
modulo de J
t
. A corrente i
D
e dada pela mesma equao do NMOS,

( ) [ ]
2
2
DS DS t GS D
v v J v k i = (1.17a)

em que v
GS
, v
DS
, J
t
e so grandezas negativas.

Para Iuncionar na regio de saturao, v
DS
deve satisIazer a relao

v
DS
v
GS
- J
t
(canal estrangulado) (1.17b)

isto e, a tenso de dreno deve ser menor do que (tenso da porta , J
t
, ). A corrente
i
D
e dada pela mesma equao do NMOS,

( ) ( )
DS t GS D
v J v k i 1
2
+ = (1.18)

em que v
GS
, v
DS
, J
t
e so grandezas negativas.

1.3.5 A funo do substrato - o efeito de corpo

Em muitas aplicaes, o terminal do substrato (ou corpo) e conectado ao terminal da
Ionte. Em tais casos, o substrato no tem inIluncia no Iuncionamento do circuito e a
sua existncia pode ser ignorada.
Figura 1.14
14
No entanto, nos circuitos integrados o substrato dos NMOS e ligado ao terminal
negativo da alimentao e o substrato dos PMOS e ligado ao terminal positivo. Isto
pode ter um eIeito no Iuncionamento do transistor se a tenso da Ionte em relao ao
substrato, v
SB
, no Ior constante. Trata-se do efeito de corpo (bodv effect), que
consiste no aumento de J
t
quando v
SB
aumenta, dado pela equao

[ ] 2 2
f BS f to t
v J J + + = (1.19)

Em que J
to
e a tenso de limiar com v
SB
0, e um parmetro dependente da
tecnologia (tipicamente 0.5 V
1/2
) e 2
f
- 0,6 V.

1.3.6 O efeito da temperatura

Tanto J
t
como k so dependentes da temperatura. O modulo de J
t
diminui em cerca
de 2 mV para cada 1C de aumento de temperatura, o que da origem a um aumento da
corrente de dreno. O parmetro k tambem diminui com a temperatura o que tem por
eIeito diminuir a corrente de dreno. Este ultimo eIeito e o dominante e, portanto, o
eIeito total observado de um aumento de temperatura e a diminuio na corrente de
dreno. Este resultado e aproveitado nas aplicaes dos MOSFETs em circuitos de
potncia.

1.4 O MOSFET TIPO DEPLEO

A estrutura do MOSFET tipo depleo e semelhante a do MOSFET tipo
enriquecimento, com uma diIerena importante: o MOSFET de depleo tem um
canal implantado Iisicamente. Assim, um MOSFET de depleo de canal n tem uma
regio do tipo n ligando as regies n

da Ionte e do dreno, na parte superior do

substrato do tipo p. Portanto, se Ior aplicada uma tenso v
DS
entre o dreno e a Ionte,
Ilui uma corrente entre o dreno e a Ionte, mesmo com v
GS
0. Por outras palavras,
no e necessario induzir um canal, ao contrario do que acontece com o MOSFET de
enriquecimento.

A proIundidade do canal e, portanto, a sua condutividade, podem ser controladas pela
tenso v
GS
, exactamente do mesmo modo que no dispositivo de enriquecimento. A
aplicao de uma tenso v
GS
positiva, enriquece o canal ao atrair mais electres. No
entanto, neste transistor, podemos tambem aplicar uma tenso v
GS
negativa, cujo
eIeito e repelir electres do canal, diminuindo a sua proIundidade e, assim, a sua
condutividade. Costuma dizer-se que a tenso negativa v
GS
depleta o canal de
portadores de carga e esse modo de operao e chamado de modo de depleo.
Se o valor v
GS
Ior progressivamente aumentado, no sentido negativo, atinge-se um
valor para o qual o canal e completamente esvaziado de portadores de carga,
reduzindo a corrente a zero, mesmo que se continue a aplicar uma tenso v
DS
. Este
valor negativo de v
GS
e a tenso limiar do MOSFET de depleo de canal n.
15
Assim, um MOSFET de depleo Iuncionara em modo de enriquecimento, se
aplicarmos uma tenso v
GS
positiva, e em modo de depleo, se aplicarmos uma
tenso v
GS
negativa. As caracteristicas i
D
- v
DS
so similares as do transistor de
enriquecimento, excepto que J
t
do transistor de depleo de canal n e negativa.

A Iigura 1.15(a) mostra o simbolo de circuito do MOSFET de depleo de canal n.
Este simbolo diIere do simbolo do transistor de enriquecimento num pormenor: o
trao vertical que representa o canal e cheio, querendo dizer que este transistor tem
um canal Iisico implantado. Nas situaes em que o substrato (B) e ligado a Ionte (S),
pode usar-se o simbolo simpliIicado da Iigura 1.15(b). Este diIere do simbolo do
transistor de enriquecimento pelo trao sombreado para representar o canal
implantado.



Figura 1.15




As caracteristicas i
D
- v
DS
dum MOSFET de depleo de canal n, para o qual
J
t
- 4 V e k 2 mA/V
2
esto representadas na Iigura 1.16.


Embora estas caracteristicas no mostrem a dependncia de i
D
com v
DS
na regio de
saturao, essa dependncia existe e e idntica a do transistor de enriquecimento.
Figura 1.16
16
Pelo Iacto de a tenso limiar J
t
ser negativa, o NMOS de depleo opera na regio de
triodo enquanto a tenso de dreno no exceder a tenso da porta por mais de ,J
t
, volts.
Para Iuncionar em saturao, a tenso de dreno deve exceder a da porta, em pelo
menos de ,J
t
, volts.
A Iigura 1.17 mostra as caracteristicas i
D
v
GS
na saturao, indicando os dois modos
de Iuncionamento, depleo e enriquecimento.

As caracteristicas tenso-corrente do MOSFET de depleo so descritas pelas
mesmas equaes apresentadas antes para o transistor de enriquecimento, com a
diIerena que, para um NMOS de depleo, J
t
e negativa.

Outro parmetro do MOSFET de depleo e o valor da corrente de dreno obtido em
saturao para v
GS
0. E designado por I
DSS
e esta indicado na Iig. 1.17. Pode
mostrar-se que

2
t DSS
kJ I = (1.20)





















Podem Iabricar-se MOSFETs de depleo e de enriquecimento na mesma pastilha de
circuito integrado, resultando circuitos com excelentes caracteristicas.

Os transistores PMOS tipo depleo operam de modo semelhante aos de canal n, com
excepo de que todas as polaridades so invertidas (incluindo J
t
). Alem disso, num
PMOS, a corrente i
D
Ilui da Ionte para o dreno.

Figura 1.17
17
1.5 O TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE 1UNO (1FET)

O transistor de eIeito de campo de juno, ou JFET, e talvez o transistor mais simples
de todos. Possui algumas caracteristicas importantes, nomeadamente uma resistncia
de entrada muito elevada, embora seja menor que nos transistores MOS (nestes a
resistncia e praticamente inIinita).
Os JFETs so utilizados para realizar o andar de entrada de um AmpOp integrado em
que o restante circuito e realizado com BJTs. A utilizao do JFET no andar de
entrada tira partido da sua elevada resistncia de entrada, que e muito superior a que e
possivel obter com transistores bipolares. O JFET e tambem utilizado no projecto de
circuitos discretos, quer como ampliIicador, quer como interruptor.
De qualquer modo, a importncia dos JFETs tem vindo a diminuir, sendo substituidos
por transistores MOS.


1.5.1. Estrutura do 1FET

Do mesmo modo que com os outros tipos de FETs, o JFET pode Iabricar-se com
duas polaridades: canal n e canal p.
A Iig. 1.18(a) mostra uma estrutura simpliIicada do JFET de canal n. Esta consiste
num corpo de silicio de tipo n, com duas regies do tipo p, implantadas em dois lados
opostos. Estas duas regies esto ligadas entre si e correspondem ao terminal porta
(G). Os outros dois lados correspondem aos terminais dreno (D) e Ionte (S). A regio
do tipo n entre as regies da porta, que liga a Ionte ao dreno, e o canal.









O Iuncionamento do dispositivo e baseado na polarizao inversa da juno pn
existente entre a porta e o canal. E a polarizao inversa desta juno que e usada
canal n canal p

(b)
(a) Figura 1.18
18
para controlar a largura do canal e, portanto, a corrente que circula do dreno para a
Ionte. O papel essencial que esta juno desempenha no Iuncionamento deste FET
esta na origem do seu nome: FET de juno.

Se dispositivo Ior Iabricado invertendo os tipos de semicondutor, isto e, usando
silicio do tipo p para o canal e do tipo n para as regies da porta, obtem-se um
transistor de canal p.

A Iigura 1.18(b) mostra os simbolos de circuito para os JFETs das duas polaridades.
A polaridade do transistor (canal n ou canal p) e indicada pelo sentido da seta
desenhada na porta, que aponta no sentido de p para n .
Apesar de o JFET ser um dispositivo simetrico, cujos dreno e Ionte podem ser
trocados, e util no projecto de um circuito designar um desses terminais como Ionte e
o outro como dreno. O simbolo de circuito cumpre esse objectivo colocando a porta
mais proxima da Ionte do que do dreno.

1.5.2 Princpio de funcionamento

Consideremos o JFET de canal n representado na Iigura 1.19 (por simplicidade no
se indica a ligao electrica entre os terminais da porta; no entanto, admite-se que os
dois terminais designados por G esto ligados entre si.)
















Com v
GS
0, a aplicao de uma tenso v
DS
(pequena) Iaz com que uma corrente
circule do dreno para a Ionte. Quando se aplica uma tenso v
GS
negativa, a regio de
depleo da juno porta-canal alarga-se, estreitando consequentemente o canal.
Assim, a resistncia do canal aumenta pelo que a corrente i
D
(para um dado v
DS
)
diminui.
Sendo v
DS
pequena, o canal tem uma largura praticamente uniIorme. Desta Iorma, o
JFET Iunciona simplesmente como uma resistncia cujo valor e controlado por v
GS
.
Se Iizermos v
GS
progressivamente mais negativa, atinge-se um valor para o qual a
Figura 1.19
19
regio de depleo ocupa completamente o canal. Para este valor de v
GS
, o canal Iica
inteiramente esvaziado de portadores de carga (neste caso, electres). Esse valor
corresponde a tenso de limiar do transistor, que e obviamente negativa para um
JFET de canal n. Para JFETs, a tenso de limiar costuma chamar-se de tenso de
estrangulamento (pinch-off voltage) e e representada por J
P
.

Consideremos agora a situao representada na Iigura 1.20. Aqui, v
GS
e mantida
constante num valor maior (menos negativo) do que J
P
, enquanto v
DS
e aumentada.
Como v
DS
aparece como uma queda de tenso ao longo do canal, a tenso aumenta a
medida que nos deslocamos Ionte para o dreno. Em consequncia, a tenso inversa
entre a porta e o canal varia ao longo do canal e e mais elevada do lado do dreno.
Assim, o canal adquire a Iorma aIunilada representada na Iigura e a caracteristica
i
D
- v
DS
torna-se no linear.
Quando a tenso inversa na extremidade do dreno, v
GD
, se torna inIerior a J
P
, o
canal estrangula-se do lado do dreno e a corrente de dreno satura. A restante
descrio da operao do JFET segue aproximadamente a descrio dada para o
MOSFET.

















1.5.3 As caractersticas corrente-tenso

As caracteristicas corrente-tenso do JFET so idnticas as do MOSFET tipo
depleo estudadas antes, excepto que o maximo valor permitido de v
GS
para o JFET
e normalmente 0 V. Alem disso, o JFET deve ser especiIicado em termos da tenso
de estrangulamento J
P
e da corrente I
DSS
. Com essas substituies, as caracteristicas
do JFET canal n podem ser descritas por:

Corte: v
GS
J
P
, i
D
0
Figura 1.20
20
Regio de trodo: J
P
v
GS
0 e v
DS
v
GS
- J
P


De (1.5) obtemos ( ) [ ]
2
2
DS DS P GS D
v v J v k i =

Como
2
P DSS
kJ I = , a expresso anterior pode escrever-se


(
(

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
2
1 2
P
DS
P
DS
P
GS
DSS D
J
v
J
v
J
v
I i (1.21)

Regio de saturao: J
P
v
GS
0 e v
DS
v
GS
- J
P


De (1.18) obtemos ( ) ( )
DS P GS D
v J v k i 1
2
+ =

Fazendo
2
P DSS
kJ I = , a expresso anterior pode escrever-se

( )
DS
P
GS
DSS D
v
J
v
I i 1 1
2
+
|
|
.
|

\
|
= (1.22)

Como a juno porta-canal esta sempre inversamente polarizada, apenas uma
corrente de Iuga circula atraves do terminal da porta. Essa corrente e da ordem de
10
-9
A. Embora i
G
seja muito pequena, e suposta como zero na maioria de aplicaes,
deve ser observado que a corrente de porta dum JFET e varias ordens de grandeza
superior a corrente de porta de um MOSFET. O valor extremamente baixo desta
ultima e devido a estrutura isolada da porta. Alem disso, a corrente de Iuga e muito
dependente da temperatura, duplicando aproximadamente por cada 10 C de aumento
da temperatura, como no caso de um diodo polarizado inversamente.

1.5.4 O 1FET de canal p

As caracteristicas de um JFET canal p so descritas pelas mesmas equaes do JFET
de canal n. No entanto, note-se que para um JFET de canal p, J
P
e positiva, deve ser
0 v
GS
J
P
, v
DS
0 e a corrente i
D
sai pelo terminal do dreno. Para o JFET
Iuncionar no modo de saturao, deve ser v
DS
v
GS
- J
P
, o que signiIica que a
tenso do dreno deve ser menor do que a tenso da porta de pelo menos de ,J
P
,. Caso
contrario, com v
DS
v
GS
- J
P
, o JFET de canal p Iuncionara na regio de triodo.

1.6 CIRCUITOS COM FETs EM CORRENTE CONTINUA

Exemplos dados nas aulas