Cap.

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2.2.3 Movimentao das discordncias O conceito de discordncia foi introduzido na primeira metade do sculo XX para explicar a falha dos modelos de previso da resistncia mecnica dos metais, vide tabela 2.2. A movimentao de uma discordncia produz o deslocamento (ou alongamento) do valor do mdulo do vetor de Burges no cristal, ou seja, produz um deslocamento igual a um plano atmico (vide figura 2.16). O movimento desta discordncia e a conseqente deformao de um plano atmico requerem um nvel de tenso menor do que a tenso terica (conforme calculada pela equao 17) para cisalhar todo o cristal. Acima e abaixo da linha da discordncia, os tomos esto em posies estveis, de mnima energia. Porm, a aplicao de uma tenso de cisalhamento poder causar um ligeiro aumento na energia dos tomos, que no suficiente para causar o deslizamento de todos os tomos do cristal, mas que pode produzir o deslocamento localizado dos tomos na linha da discordncia, de um valor pequeno. A figura 2.23 ilustra as mudanas de energia que ocorrem ao redor da discordncia. Como a movimentao da discordncia tende a diminuir a energia do sistema que ir de deslocar at a superfcie do cristal, caso no exista nenhuma barreira no seu caminho, tal como ilustra a figura 2.24.

(a)

(b)

Figura 2.23 (a) representao de uma discordncia em cunha e a regio ao seu redor; (b) representao dos nveis de energia dos tomos no entorno de uma discordncia em cunha como a mostrada a esquerda, Dieter (1988).

Figura 2.24 Representao da movimentao de uma discordncia em cunha positiva, Shakelford (1996).

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bvio que quanto menor for a energia para movimentar os tomos na linha da discordncia (E, da figura 2.23), mais fcil ser a movimentao deste defeito. Para minimizar esta energia de transio esperado que a distncia W da regio interfacial (figura 2.23) seja a menor possvel. Assim, a largura da discordncia uma caracterstica importante porque ela determina a fora necessria para mover uma discordncia ao longo da rede cristalina. Esta fora conhecida como fora de Peierls-Nabarro, calculada pela seguinte equao (Dieter, 1988):

2G 2w e b 1

(18)

ou
2G (1 )b (19) P e 1 onde: G o mdulo de elasticidade (rigidez) em cisalhamento; o coeficiente de Poisson; w a largura da discordncia; a a distncia entre os planos de escorregamento; b a distncia entre os tomos na direo de escorregamento.
2a

A tenso de deslizamento da discordncia depende exponencialmente da largura da discordncia (w) e da distncia entre os tomos (b). A equao apresenta limitaes prticas para a sua aplicao, porm suficientemente clara para demonstrar que necessrio um nvel de tenso muito menor do que a tenso de terica de cisalhamento do reticulado cristalino perfeito (equao 17). Alm disso, observando-se a equao pode-se perceber que quanto maior for o valor da largura da discordncia (w), menor ser a tenso necessria para a sua movimentao. Discordncias largas distribuem melhor o nvel de tenses causado pela presena do plano atmico extra (discordncias em cunha) ou deslocado (discordncias em parafuso) e por isso que requerem menores valores de tenso para se deslocarem. Na rede cristalina dos metais, a largura tpica das discordncias da ordem de 10 espaamentos interatmicos e apresentam grande mobilidade. Por outro lado, nos materiais cermicos (tipicamente inicos), a energia interfacial alta (E, da figura 2.23) e a largura das discordncias pequena. Estas duas condies limitam em muito a movimentao das discordncias nestes materiais com claros reflexos nas suas propriedades mecnicas macroscpicas. Nestes casos, o aumento de temperatura destes materiais fornece energia para a transposio da energia interfacial (E), viabilizando a movimentao de discordncias e produzindo o respectivo efeito associado a esta movimentao a um nvel macroscpico.

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Desta forma pode-se concluir que a movimentao das discordncias na rede cristalina dos metais vai depender da associao de condies que miniminizem a energia (ou tenso) necessria para o deslocamento destes defeitos. Observando a equao de Peierls-Nabarro, pode-se notar que as discordncias se deslocam melhor nas direes e planos mais compactos (menores valores de b). J foi discutido, no item 1.3.3, que existem certas direes e planos mais densos ou mesmo compactos (com a maior densidade de tomos possvel), conforme descrito na tabela 1.3, de acordo com o tipo de rede cristalina considerada, dentre as 14 de Bravais (figura 1.21). A tabela 2.3 apresenta a combinao das direes e planos mais compactos para ocorrer o deslizamento das discordncias. A conjuno de uma direo e de um plano mais denso (ou compactos) mais favorveis para o deslizamento das discordncias chamado de sistema de deslizamento. Para cada sistema de deslizamento est associada uma tenso para o deslocamento de discordncias neste sistema (tenso teoricamente fornecida pela equao 19) conhecida como tenso crtica de cisalhamento, tambm apresentada pela tabela 2.3.
Tabela 2.3 Sistemas de deslizamento para a rede cristalina de vrios metais temperatura ambiente, Dieter (1988).

Como se sabe, nem todos os sistemas cristalinos possuem planos compactos. No caso do sistema cbico de corpo centrado do ferro, existem vrios sistemas possveis, onde j se observou movimentao de discordncias. A tabela 2.4 apresenta os 48 possveis sistemas de deslizamento da rede CCC do ferro. A facilidade de uma discordncia se movimentar depende do quo denso o sistema. Sistemas compactos apresentam uma facilidade de movimentao das discordncias muito superior a um sistema no compacto.

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Da mesma forma, sistemas mais densos so caminhos mais provveis de deslizamento de discordncias do que sistemas menos compactos.
Tabela 2.4 Os 48 sistemas de deslizamento da rede cbica de corpo centrado do ferro, Meyers e Chawla (1999).

2.2.4 Deformao plstica e discordncias A movimentao das discordncias o fenmeno principal responsvel pela ductilidade ou capacidade de deformao plstica dos metais. Apesar de possuir uma estrutura que permita a mobilidade dos tomos (vide item 1.2), j que cada tomo metlico est em equilbrio indiferente2, a deformao plstica da rede iria requerer um nvel de tenso muito maior (vide equao 17) do que a necessria para mover uma discordncia (vide equao 19). J foi visto que as discordncias podem ser mover em sistemas de deslizamento (listados pela tabela 2.3) e que vrias discordncias podem se mover ao mesmo tempo (vide figura 2.19 e 2.19). Considerando que os metais geralmente so constitudos de vrios cristais ou gros (vide item 2.3), ento razovel supor que alguns destes iro estar na posio mais adequada para que muitas de suas discordncias, especialmente as discordncias em parafuso, entrem em movimento (segundo previsto pela equao 22). Uma nica discordncia produz uma deformao irreversvel muito pequena na rede cristalina de um metal, da ordem do mdulo do seu vetor de Burges (ou um plano atmico). Porm, a deformao final irreversvel obtida pela movimentao das discordncias muito maior, pois existem um nmero muito grande destes defeitos em linha e sua movimentao ocorre em conjunto, de maneira acumulada (vide figura 2.19 e 2.25). Assim sendo a deformao plstica de um metal que apresente vrios sistemas de

Cada tomo de metal dentro da rede cristalina metlica est em uma posio que pode ser trocada com uma outra qualquer sem prejuzo energtico do sistema (a no ser pela energia desprendida pela movimentao deste tomo). Neste caso no existe uma posio definida na rede que o tomo deveria ocupar, sendo todas as posies permissveis e possveis, ao contrrio dos slidos inicos.

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deslizamento (metais de estrutura CFC), tem a sua deformao plstica praticamente devida movimentao das discordncias. A movimentao de uma discordncia ao longo de um cristal metlico de comprimento L e altura h produz um deslocamento localizado deste cristal igual ao mdulo do seu vetor de Burges (b), conforme ilustrado na figura 2.27.

Figura 2.27 Deformao cisalhante associada com a passagem de uma discordncia em um cristal de largura L e altura h, Dieter (1988).

Considerando que esta discordncia esta em uma posio intermediria (dentro do cristal) igual xi e que o valor de b muito pequeno, pode-se escrever que a deformao normal infinitesinal (i) experimentada pelo cristal vale:

i =

xi b L

(23)

Considerando um nmero N de discordncia se deslocando da mesma forma, pode-se fazer um somatrio da equao (23), expressando-se o total de alongamento que houve na direo da movimentao destas discordncias:
= i =
1 1

xi b b N = xi L L 1

(24)

A deformao cisalhante macroscpica () vale:

b N = xi h hL 1

(25)

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Considerando a distncia mdia que estas discordncias deslizaram, pode-se reescrever a equao anterior (25), como:

x=

x
1

(26) (27)

N bNx = hL

conveniente expressar a deformao em termos da densidade de discordncias no metal ():

= bx

(28)

onde a densidade de discordncias () foi determinada como sendo o nmero total de linhas de discordncias atravessando o plano do cristal ou =N/hL. Os argumentos utilizados na obteno da equao (28) so vlidos para as discordncias em cunha e em parafuso, porm a movimentao segundo direes paralelas geralmente no razovel j que os sistemas de deslizamento no esto, necessariamente, na direo da fora cisalhante externa, como esquematizado na figura 2.27. Assim um fator de correo () pode ser utilizado para acertar esta diferena, reescrevendo-se (28) como:

= bx

(29)

Em todos os casos, as equaes derivadas permitem o clculo da densidade de discordncias em um metal. Este valor expresso em cm-2 ou mm-2 e significa o nmero total de linhas de discordncia que interceptam uma rea unitria (em cm2 ou mm2). Utilizando argumentos estatsticos tambm se pode afirmar que este o comprimento presente de linhas de discordncias a cada unidade cbica do metal (cm de linhas de discordncia por cm3 de metal). Esta densidade pode variar entre 108 cm-2 a at 1012 cm-2, isto equivale a dizer que existem em torno de mil a 10 milhes de quilmetros de linhas de discordncias em apenas 1cm3 de metal ! Considerando que a densidade das discordncias no varie em funo da taxa de deformao, a equao (29) pode ser rearranjada de modo a oferecer a equao de Orowan:

& =

d dx = b = bv dt dt

(30)

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Onde v a velocidade media das discordncias. Reed-Hill (1994) cita que o trabalho de dois pesquisadores, Johnston e Gilman, com cristais de LiF permitiu observar que a velocidade das discordncias em cunha maior do que a das discordncias em parafuso da ordem de 50 vezes. Estes tambm verificaram que o logaritmo da velocidade das discordncias e o logaritmo da tenso aplicada esto linearmente correlacionados: ln(v) ln() (ou v=Am), para velocidades abaixo de 0,1cm/s. A velocidade encontrada em nveis de tenses normais e temperaturas ambientes foi de ordem de 10-5 cm/s. O grfico da figura 2.28 ilustra a importncia das discordncias na capacidade de deformao plstica e na resistncia mecnica dos metais. Neste grfico esto mostrados os valores de resistncia mecnica de vrios tipos de ligas de ferro. Os arames finos e os Whiskers3 so praticamente compostos de ferro puro, mesmo assim a resistncia mecnica destes bem superior a do ao mais resistente (Maraging). Isto ocorre, pois o nmero de discordncias presentes nestes casos muito pequeno para produzir deformao plstica aprecivel e consequente reduo da resistncia mecnica. Da o nvel de resistncia mecnica se aproxima, em muito, do nvel de resistncia terica, calculvel pela equao (17).

Figura 2.28 Variao nas propriedades mecnicas de algumas ligas de ferro, Dowling (1993).

Adicionalmente, as discordncias se deslocam pela ao de uma fora externa e esta fora no est, necessariamente, na direo mais adequada para o deslocamento da discordncia no sistema mais adequado. Nestes casos deve-se calcular a resultante da tenso externa, traduzindo-a na
3

whisker uma palavra que, neste caso, significa um monocristal muito fino cujo dimetro da ordem de apenas 1m. No caso dos arames finos, o dimetro pode ser to pequeno quanto 25m (Morais, 1999).

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componente de cisalhamento no plano e direo de deslizamento mais denso da discordncia. Observando a figura 2.25, tem-se que a fora F deve ser decomposta na componente de cisalhamento atuando na face definida pelo sistema de deslizamento. Considerando que o ngulo entre a fora F e a direo de deslizamento vale ento a componente da fora de cisalhamento vale: (20) Fcis = F cos

Figura 2.25 esquerda: esquema para o clculo da tenso de cisalhamento resolvida em um cristal metlico, Shackelford (1996). direita: um monocristal de nibio comprimido (Viana e Paula, 2001).

Considerando que o ngulo entre a normal ao plano de deslizamento e a fora , ento a rea de atuao da componente Fcis vale: Acis = A/cos (21)

A tenso de cisalhamento resolvida neste sistema de deslizamento, pela aplicao da fora F ser de:

R =

P cos P = cos cos = cos cos A / cos A

(22)

Pode-se notar que o valor do produto entre os cossenos de e determina a intensidade da resultante da tenso aplicada sobre o cristal que servir para a movimentao das discordncias. Esta funo, conhecida como

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fator de Schmid (m=cos cos), possui um mximo quando = = 45, ou R = . Este resultado j conhecido mesmo antes do advento da teoria das discordncias, j que linhas de deslocamento, onde vrias discordncias alcanam a superfcie do metal (vide figura 2.19), so sempre observadas a 45 da direo da aplicao dos esforos de trao, conforme ilustrado na figura 2.25. A ocorrncia de deslizamento a 45 dos esforos de trao, depende da coincidncia de sistemas de deslizamento nesta direo. Entretanto materiais policristalinos (vide item 2.3) vo apresentar, estatisticamente, sistemas de deslizamento em todas as direes, devido s diferentes orientaes dos gros que o constituem. queles que estiverem a 45 devero apresentar movimentao de discordncias. Isto particularmente verdadeiro para metais do sistema cbico de faces centradas (CFC), que possui 12 sistemas de deslizamento bem distribudos no espao (vide tabela 2.3). O sistema hexagonal compacto apresenta menos sistemas de deslizamento, portanto podem ser esperadas maiores dificuldades para o deslizamento de discordncias neste sistema, mesmo a foras resolvidas (R) elevadas.

2.3 Defeitos planares ou superficiais

Slidos cristalinos metlicos geralmente no so constitudos de um nico cristal, devido s condies termodinmicas encontradas na fabricao dos metais que no oferecem tempo e taxas de resfriamento para a criao de um nico cristal, tal com mostrado na figura 2.43. Assim, os metais so constitudos de inmeros cristais, conhecidos pelo nome de gros que possui uma interface com os demais que constitui um defeito planar ou superficial.

Figura 2.43 Seqncia de solidificao de um material metlico (da esquerda para a direita e de cima para baixo) mostrando como cristais formandos na fase lquida tornamse gros na fase slida, Callister (1997).

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Existem trs tipos principais de defeitos superficiais na estrutura cristalina dos metais: as falhas de empilhamento, as maclas e os contornos de gro, listadas em grau crescente de desordenao. As falhas de empilhamento so nada menos do que regies cristalinas relativamente perfeitas delimitadas por discordncias parciais de Shockley, tal como mostrado na figura 2.44.

Figura 2.44 Falhas de empilhamento formadas pela dissociao de discordncias, direita uma falha de empilhamento segundo vista pela MET de alta resoluo no silcio.

As maclas so regies de um mesmo cristal, mas que possuem orientao cristalina diferente do restante do cristal. Neste caso, a orientao cristalina segue regras de simetria bem determinadas e a interface plana ou bem prxima disto conforme ilustrado pela figura 2.45. Existem dois tipos de maclas: quelas formadas por deformao e quelas formadas por recozimento.

Figura 2.45 esquerda: esquema ilustrando a disposio dos tomos em torno da linha de uma macla. direita: microestrutura de um lato (70%Cu e 30%Zn) cujos gros apresentam inmeras maclas formadas pelo recozimento, Downling (1993).

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Os contornos de gro so as regies interfaciais que delimitam os diferentes cristais dos quais so compostos os slidos metlicos. Cada cristal pode ter uma orientao qualquer ou apresentar uma orientao preferencial de seus planos cristalinos (textura cristalina). A variao da orientao de cristais vizinhos pode ser pequena, formando um contorno de gro de baixo ngulo, ou grande, formando um contorno de gro de alto ngulo. A geometria destes contornos depende de uma srie de fatores de fabricao do metal e possuem grande influncia sobre as propriedades mecnicas do metal. A figura 2.46 apresenta exemplos de contornos de gro.

Figura 2.46 Contornos de gro, em cima: contornos de baixo ngulo; em baixo: contornos de alto ngulo; esquerda: esquemas das posies atmicas e dos planos; direita: imagens de MET de alta resoluo (Meyers e Chawla, 1999 e Kestenbach e Botta filho, 1994).

Slidos cristalinos geralmente so constitudos de um grande nmero de gros separados por contornos de gro. Cada cristal ir apresentar uma orientao no espao que diferente do cristal vizinho, conforme

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representado na figura 2.50, e esta diferena pode ser maior ou menor de acordo com as condies de formao deste cristal e com a estatstica. Assim os contornos de gro podem ser de dois tipos: de baixo ngulo ( baixo), quando a diferena de orientao dos gros pequena, e de alto ngulo ( alto), quando a diferena de orientao grande, conforme j mostrado na figura 2.46. Quando o contorno de gro de baixo ngulo, este pode ser descrito por uma configurao simples de discordncias em cunha ao longo de sua linha, formando uma parede (vide figura 2.46).

Figura 2.50 Diferentes orientaes de cristais constituindo um slido cristalino, Meyers e Chawla (1999).

2.4 Defeitos volumtricos

Vazios e incluses so os principais defeitos volumtricos nos metais e esto diretamente correlacionados com o processo de produo destes materiais. As incluses podem estar presentes devido a reaes de formao entre os elementos que compem a liga metlica ou podem ser incorporados acidentalmente, especialmente pela queda de pedaos dos refratrios que revestem os vasos que manipulam o metal lquido ou pela incorporao de escrias e fluxos protetivos utilizados ao longo do processo de fabricao. Nestes casos, as incluses presentes no possuem relao com a liga metlica e podem ser consideradas como corpos estranhos. No existe um processo de fabricao, em escala industrial, que no esteja sujeita a este tipo de problema em maior ou menor grau. Podem ser empregadas prticas que reduzem a incorporao destes defeitos, tais como: utilizao de panelas novas e limpas, adio de fluxos em quantidades acertadas, agitao do banho metlico com a vazo de gs e o tempo certo de borbulhamento na panela de metal lquido. Paralelamente, podem ser utilizadas tcnicas que reduzam a solidificao destas impurezas junto com o metal, tais como: mquinas de lingotamento de veio vertical, uso de massalotes na fundio ou de cabeas quentes no lingotamento. A figura

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2.54 ilustra a utilizao de um massalote para a minimizao de incluses no metlicas em uma pea fundida. No caso de incluses formadas pela reao de elementos dentro do metal, deve-se garantir que a composio qumica e as condies termodinmicas para esta formao no ocorrero. Geralmente esto sendo empregadas operaes de metalurgia secundria (forno panela, desgasseificao, etc.) para melhor controlar a composio qumica dos metais (especialmente o ao) para se garantir um nmero mnimo destes defeitos na estrutura final do metal. A figura 2.55 ilustra trs tipos de incluses encontradas em aos produzidos industrialmente.

Figura 2.54 Utilizao de um massalote para a reduo da incorporao de incluses no metlicas em uma pea fundida (figura prpria dos autor). Os vazios internos podem ser originados da solidificao dos metais ou do processo de sinterizao de metais (metalurgia do p) similarmente aos materiais cermicos. Cuidados devem ser tomados durante a solidificao dos metais para que as placas obtidas por lingotamento contnuo no apresentem uma grande quantidade de microporosidades devido ao tipo de processo de solidificao (a ser visto no captulo 3). A figura 2.56 ilustra o mecanismo de produo de vazios no lingotamento de dois aos que apresentam distintos intervalos de temperatura de solidificao (alto e baixo carbono). Neste caso o acerto do processo depender do gradiente de temperaturas e da velocidade de solidificao. J a figura 2.57 ilustra as microestruturas de uma liga sinterizada NC100.24, com os seus respectivos vazios que permanecem aps o processamento via metalurgia do p.

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(a)

(b)

Figura 2.55 Metalografias ilustrando trs tipos de incluses formadas no interior da estrutura de aos produzidos em escala industrial: (a) incluses alongadas de MnS (tipo II); (b) incluses de TiN em um ao microligado e (c) incluso de aluminato de clcio em um ao para conformao mecnica (figura dos autor).

(c)

(a)

(b)
Figura 2.56 Dois mecanismos de solidificao que podem ocorrer no lingotamento de metais: (a) metais com intervalo de solidificao pequeno e (b) intervalo de solidificao grande, ocasionando inmeras microporosidades (figura dos autor).

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Figura 2.57 Microestrutura de uma liga NC100.24 compactada com 690MPa e sinterizada a 1120 C por 30minutos (densidade 7,03), Hgans (1997).