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Dispositivos unipolares

Unión metal-semiconductor

Polarizacion Inversa
(Disminuye la barrera)

Polarizacion Directa
(Aumenta la barrera)

• Transporte sobre la barrera (Shocttky)


• Efecto Túnel
• Recombinación de carga espacial
• Inyección de huecos del metal al semiconductor
Dispositivos unipolares
Unión metal-semiconductor
• Al cortar el semiconductor se elimina la periodicidad del cristal.
Incrementándose el numero de estados libres en la superficie del
semiconductor
• En el lado del metal apareen cargas reflejadas (efecto espejo).
• Disminuye la barrera de energía.
Dispositivos unipolares
Fenómeno de Transporte de Corrientes

• Modelo Termoiónico
Emisión Termoiónica: Flujo de densidad de corriente en los dos sentidos.
Similar unión pn

Densidad de corriente de Saturación


• Modelo del proceso de difusión: Depende menos de la temperatura,
respecto al termoiónico, depende mas de la polarizacion.

• Modelo Mixto – Termoiónico y Difusión


Dispositivos unipolares
Corriente Túnel

Depende altamente del dopado, mayor


a 10^17. el alto dopado también
disminuye el tiempo de recombinación
Ts, esto hace a la unión
metal-semiconductor muy importante
para aplicaciones en alta frecuencia.
Depende también de la temperatura ya
que la temperatura aumenta
la agitación de la estructura del cristal
Dispositivos unipolares
Inyección de portadores, Corriente de Saturación

Densidad de la corriente de
saturación en función de la
concentración
de dopado de Barreras de Au-Si para
tres diferentes temperaturas.
Dispositivos unipolares
Barrera de potencial
Se puede definir a partir de la pendiente “S”. Aparece la electronegatividad
que afecta a la barrera

La disminución de la barrera es
proporcional al campo externo aplicado
Dispositivos unipolares
Barrera de potencial, Características

Barrera alta en función de la


electronegatividad de
Ubicación del nivel de Fermi metales depositados sobre Si, GaSe,
superficial para algunos metales y y SiO2.
el oxígeno sobre GaAs, GaSb y
InP.
Dispositivos unipolares
Barrera de potencial, Corriente - Voltaje

Densidad de corriente en polarización


directa en función de la tensión
aplicada de diodos W-Si y W-GaAs.
Dispositivos unipolares
Anillo protector

En la superficie del metal hay


irregularidades que hacen que se
llegue mas rápido a ruptura, se
agrega un anillo protector para
evitar este efecto
Dispositivos unipolares
Corriente de Saturación

Corriente de
saturación real
(afectada por efectos
de la unión)

Corriente de
saturación ideal

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