Clase 5-6

EES.
Luis A Ramírez
P
17.811.609
Nº 29
 Propiedades de los
Semiconductores
Propiedades Ópticas
Cuando 2 masas interactúan entre si,
pueden generar luz, es decir generan
fonones. En las siguientes graficas se
observan, los espectros de fonones
medidos en Ge, Si GaAs.
por ejemplo en la primera grafica
observamos que se generan fonones
trasversales y longitudinales a nivel
óptico, y en las demás graficas también se
observan generación de fonones, pero son
diferentes, porque se trata de estructuras
diferente. Para observar las transiciones
ópticas observemos el siguiente grafico:

Transiciones ópticas: a-y b-Transición

Esta grafica es irregular, porque
muestra direcciones diferentes, los
procesos de transición son de la B.v
a la B.c en esta grafica se está
absorbiendo energía, es decir se
absorben fonones. La Efonon =H.M
donde M es la frecuencia.
 Propiedades Térmicas
En la siguiente grafica vemos que la
energía del fonon juega un papel
importante, ya que la absorción de
energía, no depende solo del
material, también depende del
fonon. de absorción
Coeficientes
medidos cerca y por encima
del borde de absorción
fundamental para Ge, Si y
GaAs puros
veamos las siguientes ecuaciones:

De esta ecuación podemos inferir

que la densidad de corriente
depende del campo eléctrico, pero
también depende de la temperatura,
y esta T rompe los enlaces.

y de la ec anterior podemos decir

que el coeficiente de absorción
depende de la estructura, pero
también depende de la temperatura.
La siguiente grafica representa la
Conductividad térmica en función de la
temperatura medida para Ge, Si, GaAs,
Cu, Diamante tipo II y SiO2.

observamos que al aumentar la T,

mejora la conductividad térmica, a T
ambiente, la conductividad en los
semiconductores no es muy alta.
 Campos de Alta intensidad

En algunas de estas expresiones, podemos ver

que la velocidad de arrastre depende
directamente del campo E aplicado, y a medida
que aumentamos el campo, aumenta la
velocidad.
 Ecuaciones básicas de
operación de los componentes
semiconductores.
ecuaciones de Maxwell para un medio
isótropo homogéneo
Las ecuaciones de Maxwell en
medios isótropos, quiere decir q la
matriz del producto vectorial, se ha
podido diagonal izar, y por tanto es
equivalente a una función:
 Las Ec de Maxwell serian las
siguientes:

de las ecuaciones se dice: el rotacional

de E aparece cuando flujos de campo
magnético varían en el tiempo, un
material dieléctrico, intensifica el
campo eléctrico, el campo magnético
también lo intensifica el material.
 Ecuaciones de densidad de corriente
La densidad de corriente, es una magnitud
vectorial que tiene unidades de corriente
eléctrica por unidad de superficie.

hay 2 tipos de corriente en semiconductores, I

arrastre si se aplica un campo eléctrico, e I
difusión porque se ejerce mediante un gradiente.
 Ecuaciones de continuidad
Estas ecuaciones expresan la ley de
la conservación de la magnitud, se
puede expresar de forma integral o
diferencial. Estas ecuaciones vienen
derivadas de las ecuaciones de
Maxwell.
 Dispositivos Semiconductores
Bipolares. La unión pn
Técnicas de fabricación
Existen varios métodos de fabricación:
 Unión de aleación: Es un proceso
mediante el cual se parte de un material
semiconductor sobre el que se coloca un
material dopante y se calienta el
conjunto hasta que reaccionan los dos
materiales. Ejemplo.

se coloca una porción de Al sobre una

 Unión tipo mesa difundida:

 Unión de plana difundida sobre

sustrato epitaxial
consiste en hacer crecer un
material semiconductor en estado
de cristal sobre otro material
semiconductor que, a su vez, se
halla también en estado de cristal
4) Implantación Iónica:

Es una técnica de modificación

superficial que consiste en la
introducción de átomos de un
elemento escogido, dentro de las
primeras capas superficiales de un
material
 Región de vaciamiento y
capacitancía de la unión

De la figura, se puede decir que

existe una unión abrupta, y hay
discontinuidad cuando se unen
N-P.
para calcular la región de
vaciamiento y la capacitancia de
unión utilizamos las siguientes
ecuaciones:
De la siguiente figura podemos ver
que el material esta altamente
dopado, porque el nivel de Fermi
esta desplazado 10 exp. 20 y lo
normal seria 10 exp. 15, y esto
sucede solo en semiconductores
degenerados.
 Unión lineal
Veamos los siguientes gráficos:
a) Las cargas varias gradualmente en
forma lineal.eléctrico esta
b) El campo
distribuido uniformemente en
ambos
c) lados.
Se tiene una barrera de
potencial y hay que romperla.
d) El nivel de energía esta en
equilibrio porque el nivel de Fermi
es constante.

Esta es la ecuación de Poisson e

indica que en W no hay portadores
libres.
en la siguiente grafica vemos el
gradiente de impurezas, hay un alto
dopado y hay una generación de
campo intenso.
El siguiente grafico es el resultado de
la anchura de W, si incrementamos
las impurezas disminuye la anchura
de W.
Curva característica. corriente
tensión.

lo anterior es la condición de la curva I-V ideal y la relación

de Boltzmann en equilibrio térmico.
con las siguientes expresiones calculamos pseudónimos de
Fermi para los electrones y los huecos respectivamente.
 asumimos baja inyección.

luego simplificamos la ecuación analizando la región

neutral, y obtenemos:

para calcular la densidad de corriente usamos la ecuación de

Shockley:
En las siguientes figuras se ven las curvas características
para las 2 polarizaciones de una unión.

Podemos ver en la figura a los seudo potenciales en la

región p y n. y también podemos ver que el nivel de los
mayoritarios (Pp) en a es mas alto. Y el nivel de los
minoritarios esta en equilibrio. En b cambian de sentido las
graficas por ser polarización inversa.
La siguiente grafica es la curva característica
ideal corriente tensión.

y vemos que con polarizacion directa la I se incrementa

exponencialmente. Y la siguiente grafica es la
representación semilogaritmica de la 1era.
Proceso de generación y Recombinación

en estas expresiones se muestra la generación que es cuando los

e- pasan de Bv a Bc esto ocurre en W, y también aparece la
recombinación que es cuando el portador esta libremente en la
estructura y pasa y llena un hueco. Pasa de Bc a Bv.
La siguiente grafica
es la curva
característica de un
diodo de Si practico.
Vemos que la tensión
inversa llega a
saturación, pero no
directamente sino
que hay un leve
incremento. Y en
directo si vemos que
se incrementa la
corriente con la
tensión.
 Condición de alta inyección
en la figura a se observa la
polarizacion directa, y en la b se
muestra que si incrementamos la
corriente, se observa un cambio.
 Capacitancia de difusión
la capacidad de difusión es de baja
frecuencia, y depende del material,
pero con la tensión es posible variar
esta capacidad.

en la siguiente grafica se ve la
conductancia y capacidad de difusión
normada en función de WT
se observa que la capacitancia de difusión decrece al
incrementar la frecuencia, para altas frecuencias Cd es
aproximadamente W ^-1/2.
este tipo de uniones no responde a altas frecuencias
porque pone en corto las uniones.
 Ruptura de la unión.
Efecto Túnel
En esta grafica
observamos que
hay una mayor
resistencia para
mayor
resistencia.
 Multiplicación por avalancha

Tensión de avalancha de ruptura en función de la

concentración de impurezas para una unión abrupta
unilateral de Ge, Si, GaAs y GaP con orientación (100). la
línea ínter cortada indica el dopado máximo mas allá de la
cual el mecanismo túnel domina la respuesta característica
de la ruptura de tensión.

El mecanismo tune domina si se cumple el criterio (6.eg)/q.

La siguiente figura,
representa la
dependencia que
muestra la orientación
de la tensión de ruptura
de avalancha en una
unión abrupta unilateral
de la unión GaAs.
se compara Vb en la
orientación <111> y
<110> con respecto a
<100>. Para Nb =
la tensión de ruptura es
independiente de la
orientación. La
La siguiente representa la función de
tensión de ruptura por avalancha en
función del gradiente de impurezas
para uniones ordenadas linealmente.

vemos la tensión
de ruptura para
diferentes
materiales, si se
incrementa la
tensión, la
ruptura se genera
en un nivel mas
bajo.
En la grafica se
puede observar
que la capa se
incrementa porque
esta en inverso,
hay un incremento
del campo al lado
derecho. Si el
material esta
altamente dopado,
la anchura de W es
muy pequeña en
directo.
En la siguiente grafica vemos que si aumenta el gradiente
disminuye W, y el campo se intensifica.

En la siguiente figura, podemos observar el

comportamiento de W ante la concentración
de impurezas.
En la siguiente figura, vemos la tensión de ruptura con
respecto a la temperatura, y esta tensión se incrementa si
la temperatura se incrementa.

En la siguiente figura, podemos ver la dependencia de la

temperatura con la curva característica inversa I-V de
un diodo de Si.

y podemos observar que esta

curva se incrementa con
la tensión y la temperatura.
 Semiconductores Bipolares.
Respuesta transitoria y Ruido.
De las figuras
podemos decir que
en la figura a,
aparece la corriente
de polarización
directa If que es el
flujo en la unión, para
t=0 se conmuta S a
la derecha, y fluye
una corriente inicial
inversa. De la figura
C se dice que
inicialmente se
mantiene, y cae
lentamente porque
se puede decir que
el promedio
cuadrado de la
corriente de ruido
es proporcional a la
corriente de
saturación. Se
puede hablar
también de ruido
Iónico, que es
generado por el
movimiento
aleatorio de la
corriente de
portadores, el ruido