ns MARRON Books Capitulo 8 Transistores de Poténcia 8.1 INTRODUGAO Os transistores de poténcia tém caracteristicas de entrada em condugio e de corte controladas, Os transistores, utilizados como elementos de chaveamento, sio operados na regio de saturacSo, resultando em uma baixa queda de tensio em estado de condu- ¢gio, A velocidade de chaveamento dos transistores modernos & muito maior que a dos liristores,¢ eles sio extensivamente empregados em conversores CC-CC e CC-CA, com diodos conectados em antiparalelo para fornecer fluxo bidirecional de corrente. Entre- tanto, suas especificacées de corrente e tensio so menores que as dos tiristores, e os transistores 30 normalmente utilizados em aplicagDes de baixa para média poténcia. Os transistores de poténcia geralmente podem ser classificados em quatro categorias 1. transistores bipolares de jungdo (do inglés bipolar junction transistors ~ ByTsy; 2. transistores de efeito de campo de éxido metélico semicondutor (do ingles tmetal-oxide-semiconductor field-effect transistors ~ MOSFETs); 3. _transistores de indugdo estitica (do inglés static induction transistors ~ SIT); 4. transistores bipolares de porta isolada (do inglés insulated-gate bipolar tran sistor ~ IGBTS) Os BJTs ou MOSFETs, SITs ou IGBTs podem ser considerados chaves ideais para explicar as técnicas de conversso de poténcia. Uma chave com transistor & muito ‘mais simples que aquela construida com tiristor em comutacio forcada. Entretanto, a escolha entze um BJT e um MOSFET em circuitos conversores no 6 bvia, mas ambos 321322 Eletninica de Poténcia ~ Circuito, Dispositivos e Aplcages cop.8 podem substituir um tiristor, contanto que suas especificacdes de corrente e tensio atendam aos requisitos de saida do conversor. Os transistores praticos diferem dos dispositivos ideais. Os transistores tém certas limitagSes e sio restritos a algumas aplica- bes, As caracteristicas e especificagses de cada tipo devem ser examinadas para deter- ‘minar sua adequac3o a uma aplicagéo particular, 8.2 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNCAO. Um transistor bipolar é formado pela adigo de uma segunda regio p ou n a um diodo de juncio pn. Com duas regiges n e uma regio p sio formadas duas jungdes e essa estrutura é conhecida como transistor NPN, como mostrado na Figura 8.1a. Com duas regides p e uma regio n, a estrutura é chamada transistor PNP, como mostrado na Figura 8.1b. Os trOs terminais sdo designados por coletor, emissor e base. Um transistor bipolar tem duas jungGes, a jungdo coletor-base (CB) ¢ a base-emissor (BE). Na Figura 8.2 sio mostrados transistores bipolates de virios tamanhos, colt cer om es ‘ Tansisoes . ° Dipolares. Bage_|— — b ee le] ot z {Ss . ° 1 : fe Tensor emiseor (aro tree Figuas2 ‘Transistores NPN (cortesia da Powerey, In)Cap. 8 Thansistores de poténcie 323 8.2.1 Curvas Caracteristicas de Regime Permanente [Apesar de haver trés configuracies possiveis ~ coletor comum, base comum e emissor comum, a configuragio emissor comum, que é mostrada na Figura 8 3a para um trans tor NPN, geralmente ¢ utilizada em aplicagées de chaveamento. As curvas caracteristicas tipicas de entrada da corrente de base Ix, em fungio da tensio base-emissor Vp, 830 mostradas na Figura 8.36. A Figura 8.3c mostra as curvas caracteristicastipicas de saida da corrente de coletor Ic, em fungao da tensio coletor-emissor Vcr. Para um transistor PNP, as polaridades de todas as correntes etensies so invertidas, Hi tes regides de operacio de um transistor: de corte, ativa e de saturagio. Na regido de corte, 0 transistor esté desligado ou a corrente de base no & suficente para ligé-lo © ambas as jungGes estio reversamente polarizadas, Na regifo ativa,o transistor age como um amplifcados, no qual acorrente de coletoré amplificada por um ganho ea tensio coletor-emissor diminui com a corrente de base. A jungio coletor-base (CB) esté reversamente polarizada e a jungio base-emissor (BE) esta diretamente polarizada, Na regido de saturacio, a corrente de base é suficientemente elevada para que a tensSo coletor-emissor seja baixae o transistor aja como uma chave. Ambas as jungoes (CB e BE) esido diretamente polarizadas. A curva caracteristca de transferéncia, que é uma plota- gem de Vcrem fungio de Ig, € mostrada na Figura 84. Yous Figura 83 Carvas caracteristicas de transistores NPN. oe — Vee (@)Dagramadoceeuto Cura caratorisieas de eta ego (©) Cura carecteristeas de slda