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Transistores
Generalidades Desde os mais simples eletrodomsticos s mais complexas aparelhagens industriais, os fracos sinais, gerados ou recebidos, para poderem ser utilizados, devem ser amplificados e sofrer oportunas elaboraes. O dispositivo a semicondutor capaz de efetuar esta operao O TRANSISTOR

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A funo principal do transistor amplificar, isto , fornecer aos terminais de sada um sinal com a mesma forma daquele aplicado aos terminais de entrada, mas fortemente amplificado, em corrente, em tenso e, portanto, em potncia.

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Introduo aos Transistores Bipolares (B J T) O transistor de juno constitudo por duas junes P-N, ligadas entre si de modo alterno. PN N P + + N P P N = = P N P N P N

Tm-se portanto dois tipos de transistores que so chamados complementares ou inversos. A diferena fundamental apenas a polaridade da tenso que diferente. Observando como so dispostas as junes, se nota que como se houvessem dois diodos, ligados entre si pela camada central. Porm, o funcionamento eltrico do transistor completamente diverso e complexo, e NO SE PODE OBTER UM TRANSISTOR LIGANDO ENTRE SI DOIS DIODOS Os eletrodos do transistor so ligados s trs camadas e se chamam: EMISSOR COLETOR BASE (Emitter) (Collector) (Base ou Gate) E C B

Os smbolos dos dois tipos de transistor bipolar so:

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O transistor BIPOLAR , fundamentalmente, um amplificador ou controlador de corrente, pois o sinal age como comando, a corrente que passa na base: NOTAR A DIVERSIDADE EM RELAO AOS TUBOS ELETRNICOS NOS QUAIS O SINAL DE COMANDO UMA TENSO (Vgk) De modo bastante esquemtico, se pode lembrar que no transistor BIPOLAR A BAIXA CORRENTE QUE PASSA ENTRE A BASE E O EMISSOR (Ib) CONTROLA A CORRENTE (muito maior) QUE PASSA ENTRE O EMISSOR E O COLETOR (Ic).

Considerando, pelo momento, um dispositivo ideal: se Ib = 0 ento Ic = 0

se aumenta a Ib, aumenta proporcionalmente a Ic, pelo que: Ic Ib

O nmero exprime a capacidade de amplificao em corrente do transistor. Nos transistores modernos o mesmo varia aproximadamente de 20 a 200. Efeito Transistor O fenmeno fsico que se d no interior das junes, e que determina o funcionamento como amplificador de corrente, chamado efeito transistor.

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Para que se manifeste, necessrio que se realizam as seguintes condies: Dopagem assimtrica das zonas A concentrao das impurezas maior na zona do Emissor, menor na zona da Base, ainda menor na zona do Coletor. Dimenso: A espessura da zona de base deve ser muito pequena em relao s duas zonas externas. Polarizao A juno BASE EMISSOR polariza-se DIRETAMENTE. A juno BASE COLETOR polariza-se INVERSAMENTE.

O efeito transistor , portanto, o fenmeno pelo qual, mediante polarizaes apropriadas, junes oportunamente dopadas, comprimento das vrias zonas particularmente calculados, possvel mediante o efeito de uma pequena corrente (Ib), controlar uma corrente (Ic) muito maior. A polarizao direta do diodo base-emissor, d origem ao movimento das cargas mveis que, pelo emissor (muito dopado) so atiradas na zona da base, de tal maneira exguo, e a dopagem de tal maneira baixa, que a maior parte destas cargas pelo potencial base-coletor, e acaba na camada do coletor, determinando assim a corrente Ic. Poucas cargas se recombinam base, dando origem pequena corrente da base. Regulando a polarizao B-E, e portanto a corrente Ib, determina-se a emissodas cargas do emissor e, portanto, regula-se a corrente do coletor.

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Do ponto de vista das tenses, considere-se que para obter a Ib, a E l deve, necessariamente ser pequena (tenso de polarizao direta do diodo E-B) enquanto que no circuito do coletor, a E 2 pode ser tambm suficientemente grande dado que a juno polarizada no sentido inverso (naturalmente sem ultrapassar a tenso de Zener da juno). No conjunto, o transistor BIPOLAR tambm um amplificador de tenso que apresenta portanto um valor de ganho de potncia muito elevado. Correntes de perda do transistor Na anlise realizada at agora, consideramos o dispositivo como se fosse ideal. Na realidade, se observamos a polarizao base-coletor, que deve ser inversa, necessrio considerar que nesta juno passa uma corrente inversa. Esta corrente inversa, como em todas as junes P-N, depende do tipo de material semi-condutor (Ge, Si, etc.), e da temperatura da juno. identificada com o smbolo Icbo A circulao das correntes no transistor torna-se, portanto:

Ie = corrente no emissor Ieb = parte pequena da corrente de emissor, que se recombina na base; em prtica, a corrente de comando; Iec = parte grande da corrente de emissor, que influi no coletor; em prtica, a corrente amplificada; Icbo = a corrente inversa de saturao da juno; Ib = Ieb - Icbo = a corrente de base total; Ic = Iec + Icbo = a corrente de coletor total.

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Testes de Verificao 1) A estrutura do transistor :

2) Os smbolos dos transistores bipolares so:

3) O transistor comandado na corrente: __atravs de Ic __atravs de Ib __atravs de Ie

4) O coeficiente do transistor representa:

__o valor da mxima corrente __a amplificao em corrente do transistor __a mxima temperatura de funcionamento

5) Para que o transistor funcione devidamente, necessrio: __polarizar o diodo B-E diretamente e o diodo B-C inversamente __polarizar o diodo B-C diretamente e o diodo B-E inversamente __polarizar diretamente ambos os diodos
6) A Icbo :

__a corrente Base-Coletor __a corrente inversa Base-Coletor __a corrente inversa Base-Emissor
8) A Icbo depende:

7) Os eletrodos do transistor so: __anodo - catodo - base __coletor - base - emissor __coletor - grelha - emissor

__da temperatura e do tipo de material que constitui o transistor __da corrente de coletor e da temperatura
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__da

Parmetros fundamentais do transistor bipolar

Parmetros fundamentais em corrente contnua. A ligao que existe entre a Ie gerada no emissor e a Iec que aflui no coletor um dado caracterstico do transistor bipolar. Iec = Ie O coeficiente definido fator de transferncia transistor, entre o emissor e o coletor, com base em comum. Dado que uma parte da Ie se recombina na base, a Iec menor da Ie e, portanto, o coeficiente ser sempre menor que l. Nos modernos transistores o valor tpico de varia de 0,95 a cerca de 0,995.

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tenso de alimentao Base-Coletor

Se por exemplo: = 0,95, significa que 95% da Ie torna-se Iec e, portanto, Ic; alm disso (100 95) = 5% correspondente Ieb. Se observamos o esquema precedente, podem-se escrever, aplicando os princpios de Kirkoff, as expresses fundamentais, que representam um sistema de equaes com vrias incgnitas: 1) Ie = Ic + Ib 2) Iec = Ie 3) Ieb = Ie - Iec = Ie - Ie = (l - ) Ie 4) Ic = Iec + Icbo = Ie + Icbo 5) Ib = Ieb - Icbo = (l - ) Ie - Icbo Se resolvemos este sistema, podemos chegar s seguintes concluses: Ic = 1- . Ib + ( + 1) 1 - Icbo .

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definindo: obtm 6) 1- Ic = Ib + ( + 1) Icbo = ; pelo que se

Dado que < 1, o nmero tanto maior, quanto mais se aproxima da unidade. Para valores de de 0,95 a 0,995, varia de 20 a cerca 200. O coeficiente representa a amplificao ou ganho de corrente entre a base e o coletor. CONSIDEREMOS A EXPRESSO N. 6: esta fundamental para definir o funcionamento do transistor, dado que representa a influncia que tm a Ib e a Icbo na corrente do coletor. Observe-se que praticamente:
a) A Ib que a corrente de comando, resulta amplificada vezes; b) A Icbo, que no possvel controlar, (e que sensvel s variaes de

temperatura), resulta amplificada de ( + l) vezes. RESUMINDO: comandando o transistor da base, o mesmo sensvel corrente de base (Ib) e temperatura da juno (Icbo T). Correntes de perda do transistor Analisemos as frmulas 1 e 6:
1)Ie = Ic + Ib

6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo Se por qualquer motivo a Ib se torna igual a 0, podemos concluir que: 1 a) Ie = Ic + 0 = Ic 6 a) Ic = . 0 + ( + 1) Icbo = ( + 1) Icbo. Observa-se que a diferena das consideraes realizadas no incio do estudo do transistor, se a corrente de base se anula, no se anula perfeitamente a Ic, mas corre ainda uma pequena corrente devida influncia da Icbo, tal como indicado na seguinte figura:

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Tal muito pequena e, portanto, tambm esta corrente de perda entre EMISSOR E COLETOR COM BASE ABERTA, muito baixa e normalmente desprezvel.

CENTRO TECNOLGICO DOjRN precedentemente, nos transistores modernos, a Icbo como foi visto

Nestas condies considera-se o transistor praticamente INTERDITO OU ABERTO, ou seja, apresenta entre coletor e emissor uma elevada resistncia. Esta corrente de perda chamada: 6 a) Ic = ( + 1) Icbo = Iceo Exemplo prtico Transistor de silcio NPM tipo 2N1613: Vcb = 60 V Vcb = 60 V Icbo = 0,3 nA T = 25C Icbo = 0,4 A T = 150C varia de cerca 35 a cerca 80, a sua Iceo nas piores condies torna-se

Dado que o seu coeficiente cerca:

Iceo (150C) = (80 + l) 0,4 . 10-6 = 32 A Iceo (25C) = (80 + l) 0,3 . 10-9 = 25 A Concluses gerais Se examinamos ainda a expresso n. 6: 6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo Podemos tambm escrev-la: 7) Ic = Ib + Iceo da qual possvel calcular o coeficiente : 8) = Ic Iceo Ib Dado que, como se notou, nos modernos transistores a silcio, o valor Iceo, no campo das temperaturas de uso, normalmente desprezvel, os construtores fornecem geralmente um parmetro simplificado, desprezando a corrente de perda, o qual chamado hFE; este parmetro tambm usado para indicar o ganho em sinal alternado, que diferente de beta, que o ganho em corrente contnua ou no ponto quiescente. 9) hFE = Ic . Ib

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10) Ic 11) Ib

CENTRO TECNOLGICO = hFE . Ib DOhFE = Ic / RN

O funcionamento de qualquer dispositivo, eltrico ou mecnico, pode ser eficazmente representado, utilizando os diagramas Cartesianos. No caso do transistor, os grficos relacionam entre si, as grandezas de coletor, de base, de emissor, para estabelecer o respectivo andamento recproco. Inserindo o transistor em um circuito amplificador, necessrio que um dos seus eletrodos seja em comum entre a entrada e a sada:

Podem-se por isso obter trs esquemas de insero e, portanto, trs tipos fundamentais de curvas.
1) Nos esquemas at agora considerados, de modo ainda elementar, o eletrodo em comum foi

normalmente a BASE:

2) Pode-se tambm usar a conexo com emissor comum:

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3)

CENTRO TECNOLGICO DO RN a conexo com Coletor comum Tambm usada

A conexo mais utilizada no campo industrial aquela com EMISSOR COMUM. Por este motivo os construtores fornecem as caractersticas dos transistores, normalmente nesta configurao. possvel convert-las nas outras configuraes. Curvas caractersticas do B.J.T. com emissor comum Para obter em modo experimental as curvas caractersticas realiza-se o seguinte circuito:

Consideram-se os voltmetros a elevada resistncia interna para no carregar o circuito e falsar a medida. Caracterstica de coletor ou de sada Ic = funo de Vce com Ib constante

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Esta caracterstica, como todas as seguintes, em prtica, representada por uma famlia de curvas, cada uma diferente ao variar de Ib; a curva fundamental do transistor. Considere-se:
a) O clculo do hFE do transistor no ponto P

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hFE = Ic Ib

lido no eixo Y lido na curva interessada

b) Para fortes variaes de Vce, a corrente Ic varia de pouco;

Ic varia se varia Ib. Demonstra-se a validade na expresso terica: Ic = BIb + Ice 0, onde no aparece o valor da Vce. Caracterstica transferncia ou amplificao direta de corrente Ic = f (Ib) com Vce constante.

esta curva confirma quanto j foi considerado

Caracterstica V I de entrada Ib = f (Vbe) com Vce constante

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Em prtica, a curva do diodo base-emissor, polarizado diretamente. Observa-se que no entanto a Vce influencia a Ib, embora muito ligeiramente. 1) Caracterstica de reao ou de amplificao inversa Vbe = f (Vce) com Ib constante

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A curva, juntamente quela precedente, nos faz notar um comportamento particular de TR, que at agora no tnhamos considerado, isto , que a variao da Vce, faz variar no sentido inverso a corrente de base. Para manter Ib constante, necessrio aumentar a Vbe, se aumenta a Vce. Isto significa que o transistor amplifica, embora pouqussimo, no sentido inverso, ou seja, da sada para a entrada. Trans-caracterstica ou caracterstica de transferncia I sada V entrada Ic = f (Vbe) com Vce constante

Esta curva representa o comportamento do TR. no caso seja comandado atravs da Vbe. Conclui-se portanto que existe pouca proporcionalidade entre a Vbe e a Ic controlada e que, portanto, o TR. Funciona melhor se considerarmos a corrente (Ib). Consideramos a ligao fundamental do transistor BJT:

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O uso de dois geradores desaconselhvel por motivos de custo e de volume; procuremos portanto polarizar devidamente o transistor, utilizando apenas um. Observa-se que os esquemas da fig. 2 so equivalentes e que: A Vbe MENOR QUE Vce E POSSUI O MESMO SINAL

Portanto, possvel eliminar a bateria Vbe

Inserindo uma resistncia de queda em srie na base, ou um partidor.

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Se o transistor considerado um PNP, lembramos que valem todas as consideraes feitas para o tipo NPN, mas que: AS POLARIDADES DA ALIMENTAO DEVEM SER INVERTIDAS

Naturalmente, para utilizar o sinal de sada, necessrio disparar a carga ou o utilizador (resistncia de carga Rc).

NA CONEXO COM EMISSOR COMUM A CARGA INSERIDA SOBRE O COLETOR Reta de carga esttica e ponto quiescente Para determinar graficamente o funcionamento do circuito com transistores, convm traar a:

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Reta de carga esttica

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Que a representao grfica de resistncia de carga, traada sobre as caractersticas de coletor do transistor.

Para traar a reta de carga deve-se proceder no seguinte modo:

1) Identifica-se no eixo das abscissas (Vce), um valor equivalente tenso de alimentao (E).

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2) Identifica-se no eixo das ordenadas (Ic), um valor de corrente chamado:

Corrente de Curto-circuito ( Ic

C ).

Calculado imaginando de encerrar em curto-circuito entre eles o emissor e o coletor do transistor; no nosso caso a expresso vale:

3) Unem-se os dois pontos precedentemente identificados e obtm-se a reta de carga esttica.

A reta de carga interseca as caractersticas de coletor para cada valor de Ib, pode-se determinar o ponto de funcionamento do transistor dito: Ponto quiescente ou ponto de trabalho
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A projeo do ponto quiescente (Po) sobre os eixos, permite identificar o valor da Vce (Vceo) e da Ic (Ico) ao qual o transistor vai funcionar. Se modificamos o valor da Ib (ex. de Ibo para Ibo ) desloca-se o ponto quiescente determinado: Po, Vceo, Ico A escolha do ponto quiescente depende do tipo de curto-circuito em que se deseja fazer funcionar o transistor, (como se vera mais adiante).

Estabilidade Trnica A variao da temperatura das junes de um transistor determina uma correspondente variao da Ic ( Ic) e portanto um deslocamento do ponto quiescente. A Ic POR CAUSA TRMICA DEVIDA A TRES FATORES:
1) AUMENTO DE Icbo

um efeito desprezvel nos modernos transistores de SILCIO porque nos mesmos a Icbo parte de valores muito baixos; a Icbo dobre o seu valor para cada T de 9 a 11 C.
2) DIMINUIO DA Vbe

A variao de Vbe quase linear e vale cerca 2,4 V por grau centgrado. A variao da Vbe interessa quer os transistores a GERAMNIO, quer aqueles a SILCIO. 3) VARIAO DO ( ) O do transistor no tem uma precisa lei de variao, em geral o se aumentam a temperatura ou a Ic. Em geral pode-se considerar os TRANSISTORES SILCIO TERMICAMENTE BASTANTE ESTVEIS, isso no obstante para precauo contra a interveno dos termos mais perigosos ( - Vbe) estudam-se particularmente esquemas de polarizao que intervm automaticamente para compensar as eventuais variaes do ponto quiescente.
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Esquemas de Polarizao 1)

Equaes fundamentais E = Rb . Ib + Vbeo ; Rb = E = E - Vbeo Ib Rc Ic + Vceo ; ; ; pelo que pelo que

Rc = E - Vceo Ic Ib = Ic HFF

Este circuito termicamente pouco estvel, porque nada se ope s variaes de Icbo, Vbe, , e portanto de Ic. 2)

o esquema mais usado, porque compensado contra a variao de Icbo, Vbeo e sobretudo de . Para que isto se verifique necessrio calcular Ip de modo que a Ib seja desprezvel a seu respeito:
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CENTROIbTECNOLGICO Ip 10 DO RN
Deste modo, ao variar de e portanto de Ib praticamente a Vb no varia mantendo firme a expresso. Vb = Vbeo + Ve A resistncia Re, intervm contra as variaes de Ic, qualquer que seja a causam, dado que a sua c.d.t. Ve ope-se corrente de base. Se por exemplo Ic aumenta, m aumenta Ve que faz diminuir a Vbeo (dado que Vb constante) e portanto Ib, que tende a reduzir Ic, contrastando o aumento inicial. Na falta de dados melhores, a Ve calcula-se geralmente: Ve = Equaes Fundamentais E = Rc Ic + Vceo + Re Ic (desprezando Ib) E = Rb.1 Ip + Rb2 Ip = Rb1 Ip + Pelo que: Rb = E Ip Vb.... Vb (desprezando Ib) 1 5 1 10 Vceo

Vb = Vbeo = Ve = Vbeo = Re Ic (desprezando Ib) Ip = 10 Ib Ib = Ic hFE Vb Ip

Rb2 =

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Outros processos de polarizao usados so:

Querendo melhorar a compensao podem-se introduzir elementos no lineares:

A NTC diminui a sua R se aumenta a temperatura.

A c.d.t. do diodo diminui com o aumento de temperatura compensando o Vbe

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Os dois transistores devem ser idnticos e compensa-se perfeitamente a Vbe. Conexes Darlington Definem-se conexes Darlington dois transistores bipolares quando a corrente de emissor do primeiro tambm a corrente de base do segundo. Este tipo de ligao pode ser utilizado para a realizao de um amplificador e emissor comum, tendo um ganho em corrente muito elevado. Podemos, portanto, dizer que o circuito equivalente comparvel a apenas um transistor que possui as seguintes caractersticas:

Maior impedncia de entrada Maior ganho em corrente

Normalmente este tipo de conexo efetuado com transistores da mesma espcie; porm possvel executar tal ligao com transistores complementares.

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Normalmente a conexo executada aproveitando como transistor T1 um transistor de pequena potncia e com beta alto, enquanto como transistor final T2 usa-se um transistor de potncia com beta baixo. Com a introduo das modernas tecnologias, j no indispensvel executar a conexo com componentes discretos; mas possvel usufruir de circuitos integrados onde j foi preconstrudo um darlington.

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Transistores de efeito de campo (FET)

O transitor FET (field effect transistor = transistor com efeito de campo), um particular dispositivo no estado slido que pertence famlia dos componentes chamados unipolares, isto , tm uma s juno e funcionam como monojuno, utilizando a condutibilidade de uma zona chamada canal. O mesmo possui trs eletrodos chamados: GATE DRAIN SOURCE = = = PORTA DRENO FONTE porta - (nodo) - (catodo)

Princpio de funcionamento: controle da corrente do canal atrvs de um campo eltrico.

Como se pode observar na figura, o FET (com canal N) constitudo por uma zona com semicondutor dopado N, com duas ligaes s extremidades e por uma parte dopada P que envolve o percurso do canal N. Pode-se tambm construir o transistor completamente com canal P, invertindo as dopagens das duas zonas entre si. Os eletrodos ligados s extremidades do canal so o SURCE e o DRAIN; o GATE est ligado camada lateral. Entre o source e o drain existe condutibilidade hmica, cujo valor em funo da dopagem e das sees do canal, enquanto que i gate e o canal formam uma juno P-N. A corrente de sada do dispositivo, feita passar entre S e D, enquanto que para comandar esta corrente se polariza inversamente o diodo G-S. Lembrando como se comporta a zona de juno de um diodo polarizado inversamente, se explica o funcionamento do transistor FET; de fato, polasrizando inversamente o diodo G-S,
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se faz variar a largura da zona de esvaziamento por cima d juno P-N; como se sabe, esta zona de transio, devido presena de apenas cacrgas fixas, comporta-se como um isolador eltrico; a largura desta zona ser tanto maior, quanto maior ser a tenso inversa aplicada entre o gate e o source. Observe-se a seguinte figura:

VGS = 0: canal muito aberto; Elevada condutibilidade

Tenso inversa de polarizao de Gate: canal apertado, baixa condutibilidade

Pode-se dizer que ao variar da tenso inversa de gate, se apertamais ou menos o canal de conduo entre source e drain, (pense-se por analogia a um tubo de plstico no qual se pode regular a passagem de um lquido, apertando mais ou menos o prprio tubo, variando portanto a seo til passagem do fluxo). importante observar que neste dispositivo, o controle realiza-se atravs de uma tenso inversa, sobre um circuito de entrada com grande resistncia e, portanto, com corrente de entrada desprezvel. Na ausncia de polarizao inversa no gate, o FET conduz a max corrente de drain. O mesmo funciona, sob o ponto de vista da polarizao , como os tubos de vcuo (trodo e pntodo a vcuo). Os smbolos grficos so os seguintes:

FET a canal N FET a canal P Para ter um elevado controle por parte da tenso de gate, sobre a corrente de drain-source, preciso que para pequenas variaes de tenso, varie muito o aperto do canal; para obter este resultado a dopagem do
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canal efetuada com concentrao muito menor que na zona de gate, neste modo o diodo que resulta ser constitudo por uma juno assimtrica. Dados fundamentais e caractersticas do FET A mais importante caracterstica do FET aquela equivalente caracterstica andica dos tubos ou caracterstica de coletor dos transistores BJT, que chamada caracterstica de drain.

Nesta curva que exprime a funo: Ids = f (Vds) com Vgs constante pode-se distinguir trs zonas de comportamento do transistor FET: 1) zona chamada hmica na qual o FET se comporta aproximadamente como resistncia varivel ao variar da tenso drain source (esta uma aplicao importante deste transistor). 2) zona chamada hipercrtica ou de Pinch Off (concentrao total), a partir do ponto no qual inicia o aperto no qual inicia o aperto do canal. O inicio do fenmeno segue a curva chamada dos pontos crticos, at ao valor Vp quando a tenso de gate nula. 3) zona chamada de rupturaquando a tenso entre gate e canal atinge a tenso de zener da juno. A tenso de ruptura mxima quando Vgs nula ( indicada com BVdss); progressivamente diminui ao aumentar a tenso inversa de gate ( indicada com BVdsx cada valor de tenso entre drain e source que determina a ruptura com os vrios valores de tenso drain-source). Como se pode observar, a curva semelhante famlia de caractersticas andicas do pntodo; o percurso utilizado no funcionamento como amplificador a zona hipercrtica. Os dados e parmetros fundamentais fornecidos pelos construtores so:

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g max = transcondutncia total mxima uma espcie de coeficiente hbrido de amplificao; de fato, define a variao da corrente Ids determinada pela variao da tenso Vgs de controle). Ids Vgs mA V

g max

Com Vds constante

A transcondutncia se exprime em

Ou mili-Siemens (mS)

Vp = tenso de concentrao total (pinch off voltage) define o inicio do regime hipercrtico, com tenso de gate nula. BV dss = tenso de ruptura com Vgs nula. BVdsx = tenso de ruptura com uma det. Vgs. Estas tenses definem na prtica os limites da tenso de alimentao. Ids max = corrente mxima entre drain e source Igss = corrente inversa gate-source Define a convivncia do FET em relao sua resistncia de entrada, que como vimos, muito alta. Valores tpicos da resistncia de entrada so de 106 hm a 109 hm.

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Polarizao dos FETs

Com os transistores com efeito de campo, o problema da polarizao mais complex do que com os transistores BJT; de fato, o FET precisa de uma tenso de gate que no da mesma polaridade da tenso de drain e, portanto, no possvel utilizar a soluo com partidor como nos BJT;

FET a canal N

FET a canal P

Observemos a figura e recapitulemos quais devem ser as tenses de alimentao. FET canal N: tenso de drain positiva em relao ao source; tenso de gate negativa em relao ao source , para polarizar inversamente a juno G-S. FET canal P: tenso de drain negativa em relao ao source; tenso de gate positiva em relao ao source, para polarizar inversamente o diodo G-S. Um circuito de polarizao normal assume, portanto, a seguinte forma:

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FET a canal N

FET a canal P

Observe-se a necessidade de recorrer duas tenses de alimentao. Se se desejar usar apenas uma tenso de alimentao, deve-se utilizar um artifcio eltrico visvel na figura:

O artifcio, semelhante quele utilizado para a polarizao automtica dos tubos a vcuo, consiste em dispor uma resistncia em srie no source, que com a sua cdt, leva o source a um potencial mais positivo
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da que o

CENTRO como solicitado pelo transistor FET. source, exatamente TECNOLGICO DO RN no caso de FET com canal P todas as polaridades Naturalmente,

massa; ligando deste modo o gate referncia, resulta mais negativo do

resultam invertidas. Dado que a resistncia de source provoca durante o funcionamento como amplificador, uma diminuio do ganho, analogicamente aos circuitos BJT, desejando eliminar o problema, convm dispor em paralelo um capacitor de by-pass. A ligao do gate referncia deve ser efetuada atravs de uma resistncia g de valor grande, de modo a no diminuir demais a elevada resistncia de entrada que apresenta o FET; no que diz respeito polarizao, este elevado valor no provoca inconvenientes dado que o gate praticamente no absorve corrente e, portanto noexiste cdt na Rg. A Rg se fixa normalmente entre 2 Mhm e 50 Mhm. Querendo utilizar a ligao source follower semelhante anloga miter follwer para os transistores BJT, deve-se proceder tal como indicado no seguinte esquema:

possvel aumentar a impedncia de entrada do circuito realizando a ligao do seguinte esquema no qual se utliza a contra-reao dada pela R1.

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Aplicaes e esquema com transistores FETs Emiter follower com transistores BJT e FET Amplificador diferencial com FET

Multivibrador bi-estvel com FET

Multivibrador mono-estvel com FET

Os transistores FET so aplicados em todos os circuitos nos quais til explorar a elevada resistncia de entrada entre gate e source. Os FET so usados, por exemplo, nos temporizadores, onde possvel obter tempos longos sem utilizar capacitores grandes demais, nos amplificadores para instrumentos de medida, (nos modernos osciloscpios a fase de entrada dos amplificadores Y em feral com freqncia nos quais a elevada impedncia de entrada no FET permite no carregar os circuitos oscilantes L-C, obtendo resultados de sensibilidade, amplificao e rumor muito melhores que com os transistores BJT.
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Circuito temporizador FET

Observe-se por exemplo, o seguinte timer com FET com final BJT:

Uma oportuna configurao de transistores FET permite obter dispositivos chamados FETRON, equivalentes s caractersticas de alguns tubos a vcuo, (trodos ou pntodos), com possibilidade de perfeita intermutao e, naturalmente, funcionamento sem filamento.

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Transistores MOSFETs
Do ponto de vista equivalente simplificado, o trasistore MOS-FET representado pela seguinte figura:

O MOS-FET equivalente a um FET com o circuito de gate constitudo por um capacitor com baixa capacidade em srie na juno gate spource. O smbolo MOS significa metal oxide semicondutor; de fato , o circuito de gate construdo isolando o prprio gate, pelo canal atravs de uma camada de silcio, que se comporta como perfeito dieltrico. O efeito de campo manifesta-se ainda por induo eletrosttica atrdsavs da capacidade quea se forma entre gate-xido-canal. A ligao de gate constituda po uma metalizao sobre o xido de silcio que a separa do canal. O transitor MOS FET, apresenta em rela o ao FET, um ulterior aumento de resistncia de entrada, deviso ao isolamento do circuito de entrada sobre o gate; a mesma pode atingir valores de at 1015 hm. MOSFET DEPLETION (a esvaziamento) o tipo de MOSFET que mais se parece com o FET; observe-se a sua estrutura tecnolgica:

No caso do canal N como indicado na figura, efutua-se a dopagem N que constitui o canal, sobre uma camada de silcio com dopagem P; duas metalizaes nos bordos do canal, constituem os eletrodos source e drain; uma camada de bixido de silcio separa o canal da metalizao de gate.
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atrai

CENTRO TECNOLGICO e se repete o por induo cargas positivas na zona de canal funcionamento do FET, isto , se aperta o canal devido ao esvaziamento. DO RN

Aplicando potencial negativo a G em relao a S, a capacidade G canal

No caso de MOSFET DEPLETION com canal P, o funcionamento idntico, com polaridades invertidas. Smbolo dos MOSFET DEPLETION:

Com substrato acessvel CANAL N

Sem substrato acessvel

Com substrato acessvel CANAL P

Sem substrato acessvel

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Polarizao dos MOSFET DEPLETION A tenso de gate dos MOSFET DEPLETION tem polaridade contrria tenso de drain, portanto, para a polarizao automtica, preciso recorrer ao artifcio utilizado com o FET:

Polarizao com duas baterias MOSFET ENHANCEMENT (com enchimento)

Polarizao automtica

Obtm-se um transistor MOSFET tambm com uma disposio tecnlogica como referido na seguinte figura:

Esta disposio chamada nhacement, isto , com enchimento.

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No entre

CENTRO TECNOLGICO source so duas camadas N sobre o substrato P, completamente isolados si, aplicando tenso D-S (positiva sobre o drain), no passa DO RN

caso indicado na figura, com CANAL N, observe-se que o drain e o

corrente at quando no se aplica um potencial positivo ao gate, e, superado um valor LIMITE, inicia a conduo entre S e D, porque o potencial de gate chama por induo das cargas negativas na zona P que separa D e S, constituindo assim um canal N artificial. Disto deriva o nome enhancement. No caso de canal P as polaridades e as camadas sero, obviamente, complementares. Smbolo dos transistores MOSFET ENHANCEMENT

Com substrato acessvel CANAL N

Sem substrato acessvel

Com substrato acessvel CANAL P

Sem substrato acessvel

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Polarizao dos MOSFET ENHANCEMENT Nos MOSFET ENHANCEMENT preciso assinalar o gate para que conduzam, ao contrrio dos FET e dos depletion, nos quais se deve dar em gate uma tenso inversa que regula a interdio; a Vgs nos enhancement tem o mesmo sinal da Vds, portanto, suficiente um normal partidor de tenso como nos BJT. O uso de eventuais resistncias de queda em srie no gate, no possvel porque no circula cirrente entre gate e source. Portanto, o esquema o seguinte:

Uso dos MOSFET DEPETION COMO ENHANCEMENT A estrutura tecnolgica do MOSFET DEPLETION tal que, aplicando tenso de gate contrria ao normal funcionamento (por exemplo, positiva no canal N), a mesma faz aumentar a condutabilidade do canal alargando-lhe a seo til como se fosse um enhancement. Os MOSFET com estrutura depletion podem funcionar quer como depletion, quer como enhacement, dependendo do sistema de polarizao utilizado

Com aestrutura MOS possvel construir dispositivos com vrios gate; So disponveis transistores chamados Dual Gate Mosfet, isto , mosfet com duplo gate. A sua estrutura tecnolgica a seguinte:
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DUAL GATE MOSFET DEPLETION

Como se nota, o dual gate mosfet, constitudo por dois canais em srie, m e cada um dos canais tem o seu gate independente. Em prtica, a corrente principal depende da combinao dos dois sinais de gate. utilizado principalmente nos misturadores de frequncia para sintonizadores rdio-tv, nos demoduladores para tv a cores, raramente para aplicaes de oficina. O seu smbolo o seguinte:

Dual gate mosfet depletion Canal N

Dual gate mosfet depletion Canal P

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Diodo controlado de silcio (SCR)

Generalidades TIRISTORES A) Definio: Dispositivo semicondutor biestvel, com 3 ou mais junes, que pode ser comutado do estado de conduo para o estado de bloqueio, ou vice e versa. B) Estrutura bsica Na figura abaixo ilustramos a famlia de tiristores com a sua respectiva simbologia tcnica.

Desejando alimentar e interromper uma carga em contnua, por exemplo uma embreagem, um freio, etc., a soluo tradicional aquela de introduzir um diodo e um contato.

A durao do contato no caso de freqentes acionamentos ou de elevada corrente pouca. A eletrnica nos oferece um componente com semi-condutor capaz de controlar grandes potncias e capaz de realizar a funo de estabilizador e interruptor sem um particular desgaste excessivo:
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Diodo controlado de silcio ~pppo[oipoiupooiupoiupoi (SCR)

O gate (porta) o eletrodo de controle. Princpio de funcionamento em corrente contnua Aplicando tenso positiva em direo do nodo e negativa em direo do catodo o SCR polarizado diretamente.

Nestas condies, portanto, o gate positivo relativamente ao catodo, circula uma corrente IG, o diodo controlado entra em funo e conduz entre o nodo e o catodo. Aps a entrada em funo o gate no controla mais o SCR. O desacionamento pode-se realizar apenas quando se interrompe do exterior a corrente andica Ia.

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Aplicando tenso inversa no diodo controlado, isto , negativo o nodo e positivo o catodo, o SCR no conduz. Princpio de funcionamento em corrente alternada Se o gate no est polarizado o SCR no entra em funo.

Com gate positivo, o SCR entra em funo apenas durante o semi-ciclo positivo. No final do semi-ciclo positivo, o diodo controlado obrigado a entrar em corte, dado que a corrente passa para zero.

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O SCR dispara. O SCR entra em corte.

Testes de verificao 1) A representao exata

2) Num SCR o gate serve para:

__comandar o disparo e o corte __comandar o corte __comandar o disparo 3) No circuito da figura, na carga:

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CENTRO( TECNOLGICO ) passa corrente fechando o interruptor ( ) no pode passar corrente DO RN

) passa corrente

4) O SCR quando est disparado, desdispara:

__se a corrente andica reduzida a zero __espontaneamente __se aplicamos uma tenso positiva no gate.
5) Um diodo controlado e alimentado em c.a.:

__dispara pelo comando do gate e permanece disparado __dispara e corta em cada ciclo se o gate positivo __conduz o semi-ciclo se o gate negativo relativamente ao catodo

6) indicar se os circuitos representados podem funcionar:

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O controle com SCRs

Generalidades Deve-se alimentar uma carga de grande potncia que requer uma regulao de corrente, por exemplo, um banho galvnico para cromagem. Para variar a corrente pode-se utilizar um reostato que dissipa uma grande potncia.

Para reduzir a potncia perdida e o volume de regulao (reostato), usa-se um diodo controlado aproveitando um diverso sistema de regulao.

Suponhamos que o encerramento do boto se realize no tempo t1: A corrente de gate circula e o SCR se insere. A tenso e a corrente na carga no tero mais a forma e o valor do semi-ciclo senoidal, mas apenas uma parte do mesmo. A conduo parcial devida ao disparo atrasado chamada: CONTROLE DO GATILHO encerrando o boto em pontos diferentes do semi-ciclo positivo, variam na forma e no valor a VR e a Ia, com uma mnima potncia perdida no SCR.

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O valor mdio no controle do gatilho Lembrando que o valor mdio dado pela mdia aritmtica de todos os valores instantneos assumidos pela grandeza.

Variando o ponto de incio conduo (ngulo ), de 0 a 180 graus possvel variar o valor mdio respectivamente do mximo at o zero.

O disparo atrasado do SCr se realiza para cada semi-ciclo, em tal modo a corrente na carga constituda por uma sucesso de impulsos iguais.

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A potncia no controle do gatilho O controle da potncia com sistema tradicional provoca um q.d.t. no reostato que, sendo percorrido pela mesma corrente de carga dissipa em calor uma potncia.

O controle de controle do gatilho determina uma potncia perdida no SCR muito baixa:
1) com SCR cortado a corrente no circula e no existe potncia perdida. 2) com SCR disparado a q.d.t. nas suas extremidades de cerca 1 V.

Na controle do gatilho, a regulao do momento de disparo, determina a variao do valor da tenso, da corrente e, portanto, da potncia mdia dissipada pela carga.

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Circuito de disparo

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Testes de verificao
1) A controle do gatilho :

( ( (

) o disparo parcial devido ao acionamento do boto ) a conduo parcial no semi-ciclo devida ao disparo atrasado ) a regulao parcial do banho de cromagem

2) O valor mdio de uma tenso senoidal relativamente a uma tenso de controle do gatilho : ( ( ( ) maior ) menor ) igual

3) Atrasando o ponto de disparo de um SCR em c.a., o valor mdio da corrente:

( ( (

) aumenta ) diminui ) permanece constante de 0 a 180 graus

4) A potncia perdida num SCR mnima porque:

( ( (

) a corrente andica de cerca 1 V ) durante a conduo a c.d.t. nas suas extremidades muito ) durante a conduo a corrente andica muito baixa

5) Para variar a potncia dissipada por uma carga em c.a. controlada por um SCR, se age:

( ( (

) sobre o momento de disparo do SCR ) sobre a tenso de alimentao ) sobre o ponto de desdisparo do SCR

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Sistemas de disparo para SCRs

Caractersticas de disparo do SCR Para disparar um SCR que deve trabalhar no sistema de disparo, necessrio um circuito de disparo adequado.

O circuito de disparo deve fornecer ao gate uma tenso positiva quando o nodo positivo. O ponto de disparo depende dos valores de IG e VG conforme uma curva caracterstica dada pelo construtor.

A caracterstica do disparo, VG = f (IG), aquela do diodo gate-catodo. Dada a dificuldade em realizar junes iguais, os construtores fornecem duas curvas limite, entre as quais certamente situada aquela do SCR. Alimentando o gate do diodo controlado com uma VG e uma IG que se encontram na zona tracejada do grfico, o SCR certamente se insere; valores tpicos para um SCR de mdia potncia, (BTY 87) so: VG > 3,5 V; IG > 65 mA; PG mdia dissipvel 0,5 W, ( PG = VG . IG)

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Disparo com IG em contnua A IG de disparo pode ser fornecida, por um gerador de corrente contnua ; atravs de um potencimetro possvel regular o seu valor de zero ao mximo ( 0 + max ).

Dado que para cada valor de tenso andica existe um diverso valor de IG de disparo, agindo sobre o potencimetro possvel regular o momento de disparo do SCR. Com potencimetro a 0, VG = 0 IG = 0, o SCR no se insere. Desviando o cursor para o alto, IG aumenta at que o SCR se insere no valor mximo da V. Continuando a aumentar IG, o SCR insere-se com uma tenso andica ainda menor Aumentando a IG, o SCR se insere a uma tenso a uma tenso andica mais baixa.

Variando o valor de IG possvel regular o momento de disparo do SCR, desde a metade do semi-perodo (90 graus) ao incio (0 grau). No possvel disparar o SCR para ngulos superiores a 90 porque a tenso senoidal repete os valores instantneos precedentes.

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Disparo com IG de meia onda Para o disparo do SCR, a corrente IG pode ser derivada diretamente da tenso de alimentao, atravs de uma rede de estabilizao e regulao.

No circuito diodo providencia a fazer circular a IG apenas no semi-perodo positivo, a resistncia R1 a limita quando RV completamente excludo; o reostato regula a corrente de gate e, portanto, o momento de disparo do SCR. Com um baixo valor de RV a IG grande, portanto, o disparo se realiza para baixos valores de tenso andica.

Com o reostato completamente includo (RV grande) , a IG pequena pelo que o disparo realiza-se para altos valores de tenso andica.

O sistema permite o controle de alguns graus, at 90.

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Dispa A fim

CENTRO TECNOLGICO de controlar o disparo de 0 a 180, utiliza-se um circuito que atrasa a DO VG em relao aV. tenso RN

ro com rede defasadora de 0 a 180

Examinemos agora o circuito de atraso, que constitudo pela RV, c, d2, referindo-nos ao grfico. No espao de 180 a 270 D2 polarizado diretamente (VC = Va ). De 270 ao ponto x, D2 no conduz, pelo que o capacitor descarrega-se e carrega-se atravs de RV. De x a 270 o diodo torna a conduzir, porque a tenso do capacitor se torna maior do que a Va. O circuito no se desfasa quando RV completamente excludo, (Va = Vc); aumentado o valor da resistncia, aumenta o tempo de carga do capacitor e, portanto, o tempo empregado pela Vc para atingir para atingir o nvel positivo necessrio para disparar o SCR.

No esquema em exame, o circuito de disparo alimenta-se atravs da carga.

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Quando o diodo

controlado conduz, a tenso nas suas extremidades de cerca um volt. O circuito de disparo, que absorve atravs da carga uma corrrente desprezvel, resulta, portanto, alimentado apenas quando o SCR cortado. Com este sistema, tem-se a vantagem de reduzir a IG a valores desprezveis assim que o SCR disparado, tambm se a tenso de alimentao contnua a aumentar. No caso da rede desfasadora, o andamento da VG descresce exponencialmente para a descarga do capacitor sobre o gate.

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Disparo por impulsos Nos sistemas precedentes a corrente de gate era ou contnua por semi-ciclo. Existe um terceiro mtodo de disparo no qual a IG de tipo impulsivo.

O gerador por impulsos um circuito capaz de fornecer a corrente de gate para um momento (impulso), de valor suficiente para disparar o SCR. Atrasando o impulso em relao ao inicio do semi-perodo possvel disparar o SCR em todos os pontos da semi-onda positiva. ( regulvel de 0 a 180)

Durao suficiente para o disparo

Para que o ngulo de atraso seja constante e preciso necessrio que o circuito gerador de impulsos inicie o ciclo cada vez que inicia um novo semi-ciclo positivo. O gerador de impulsos deve ser sincronizado com a tenso de alimentao.

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O ao

CENTRO do SCR; caso contrrio, o disparo no acontece. tempo de turn on TECNOLGICO DO RN

impulso fornecido pelo gerador deve ter uma durao mnima superior

No caso do SCR BTY 87 o turn on de 2,5 s. A fim de obter um disparo seguro do SCR, usa-se um impulso de amplitude suficiente para dispar-lo com baixos valores de Va. O impulso no deve Ter, porm, uma durao excessiva, de outro modo, a potncia mdia dissipada sobre o gate tomaria valores perigosos para a juno.

Em alguns caso, de modo particular com cargas muito indutivas, para garantir um disparo seguro do diodo controlado, envia-se sobre o gate uma sucesso de impulsos iguais entre si, o chamado trem de pulsos

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Testes de Verificao
1) Os construtores de SCR fornecem as duas curvas limite VG = (f) IG porque:

( ( (

) ) )

as junes de um SCR so trs as junes G K de diversos SCR do mesmo tipo so diferentes entre si os SCR disparam-se apenas sobre as curvas limite

2) No circuito da pg. 2/10, o potencimetro serve para: ( ( ( ) ) ) regular a tenso gate-catodo disparar o SCR de 90 a 180 regular a corrente do alimentador

3) Nos sistemas de disparo com IG em contnua, o controle do SCR pode ser: ( ( ( ) ) ) de 0 a 90 de 90 a 180 de 0 a 180

4) No circuito da pg. 4/10, o defasamento varia de 0 a 180 porque:

( ( (

) ) )

um circuito R-C o diodo D2 carrega C mxima tenso negativa o reostato regula a corrente do capacitor

5) Nos circuitos de disparo a sincronizao serve para: ( ( ( ) ) ) manter o sincronismo da Ia com a tenso de alimentao variar o atraso na corrente de gate fornecer um atraso constante corrente de gate

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EXERCCIO Em uma sala cinematogrfica, se deve instalar um sistema de regulao de intensidade luminosa para 20 lmpadas que absorvem 0,6 A cada uma ; examinando-se duas solues de igual custo.
1) Introduo de um reostato de 20 .

2) Introduo de um controle com SCR.

Circuito de disparo

Determinar a economia de potncia sobre o sistema mais vantajoso.

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TRIAC, DIAC, SCS, LASCR, GTO

Generalidades No que se diz respeito ao controle de potncia em alternada, pelo estudo feito at agora, parece evidente que a nica soluo possvel seja usufruir da ligao paralela inversa dos SCR.

Dada porm, a particular configurao do circuito, so necessrias duas fontes de impulsos desfasados entre si de 180. Para isso, as causas construtoras tentaram simplificar tal circuito realizando um componente de pequenas dimenses com uma nica entrada de comando mediante impulsos, boas prestaes e baixo custo. Este componente se chama TRIAC.

TRIAC O TRIAC um componente tipo semicondutor (silcio) dotado de trs eletrodos denominados: ANODO 1, ANODO 2 e GATE. Pertence famlia dos THYRYSTOR. Caracterstica andica:

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A figura ilustra a caracterstica tenso corrente de um TRIAC. Ia = corrente andica Va = tenso andica VBO = tenso de Break-over Ih = corrente de holding

Analisando a caracterstica, nota-se que o triac um dispositivo bidirecional capaz de controlar toda a sinuside. O sinal de disparo (G-A1) deve ser enviado a cada semi-perodo pois o cmponente se desinsere espontaneamente quando a Ia passa pelo zero. O sinal de disparo deve sert sincronizado com a tenso de alimentao; com o anodo 2 positivo em relao ao anodo 1, a tenso G-A1 deve ser positiva; com o anodo 2 negativo em relao ao anodo 1, a tenso G-A1 deve ser negativa. Nos triac mais modernos o sinal de disparo tambm pode estar em oposio tenso do anodo 2, mesmo se neste caso, geralmente deve ser de intensidade maior que no precedente.

O TRIAC empregado em circuitos de pequena e mdia potncias. DIAC O DIAC, o interruptor bi-direcional de silcio, um dispositivo com quatro camadas que possuem a peculiaridade de funcionar em corrente alternada e de possuir um limite bi-direcional.

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usado normalmente nos circuitos de disparo dos TRIAC.

A caracterstica do diac simtrica e tem dois valores tpicos de tenso de bloqueio (VBR).

Se aplicarmos uma tenso crescente no trecho da OV at VBR, a corrente quase nula; quando a tenso supera o valor VBR a corrente aumenta bruscamente e a tenso nas extremidades diminui (resistncia diferencial negativa). Circuito de aplicao

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Funcionamento: O circuito R1 P C constitui a rede defasadora pela regulao do ngulo de disparo. Quando a tenso de carga de C supera o valor da tenso de bloqueio do diac (VBR), o capacitor se descarrega parcialmente atravs do diac no gate do triac, disparando-o. Para obter o corte necessrio que a corrente andica desa abaixo do valor de sustentao (Ih). O circuito R3-C1 constitui a rede de proteo do triac. Analisemos as formas de onda do circuito em questo:

Componentes especiais da famlia dos Thyristores S.C.S. (silicon controlled switch) Os S.C.S. so componentes com quatro camadas, trs junes P-N-P-N como os S.C.S., porm, dotados de quatro terminais.

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So constitudas por pequenas potncias (alguns watt). Tm a vantagem de suportar um alto v/ t em relao aos S.C.S., ligando o GA tenso positiva atravs de uma apropriada resistncia (de fato, polarizada em sentido inverso a base do transistor P-N-P). So tipicamente empregados em aparelhagem de Contagem digital. L.A.S.C.R. (light activated silicon controlled rectifer). Na verdade, estes componentes so S.C.R. controlados pela luz onde em lugar do eletrodo de gate para o disparo eletrnico possui uma lente focalizadora da radiao luminosa.

Tambm neste caso, a resposta espectral estende-se banda visvel e ao infra-vermelho. GTO (Gate turn off) O G.T.O. um interruptor esttico a semicondutor (silco), indicado para usos industriais que mais aproxima como funcionamento a um perfeito interruptor. De fato, possui as vantagendos tiristores e dos transitores de comutao a alta tenso. um dispositvo em quatro camadas, trs junes PNPN com tr6es terminais: anodo, catodo e gate.

smbolo G.T.O.

circuito equivalente

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Este pode um

CENTRO TECNOLGICO ser levado em conduo por um impulso positivo aplicado ao gate, mas tambm semelhante ao transitor j que pode ser levado interdio por DO RN aplicado ao mesmo gate. impulso negativo

dispositivo estruturalmente semelhante a um tiristor normal visto que

As vantagens do G.T.O. so: possibilidade de suportar altas tenses de bloqueio facilidade de controle e comutao rpida; baixa corrente rpida; interdio rpida; boa caracteristca dV /dT

O dispositivo G.T.O. moderno disponvel nas verses: 1000 V, 1300 V; 1500 V e correntes de 5A. O seu cdigo comercial BTW58 (PHILIPS). Funcionamento O G.T.O. formado por dois transitores complementares interconexos entre si e , portanto, o seu funcionamento quase idntico ao S.C.R. Aplicando base do transistor NPN um sinal positivo, este instaura um fenomeno regenerativo tendente a levar edm breve tempo, ambos os transitores ao mximo da conduo. Se a corrente de saturao ser suficientemente intensa, o dispositvo poder manter-se permanentemente no seu estado de conduo. A diferena do S.C.R, e o G.T.O. estruturado em modo tal que, querendo interdir o seu funcionamento, basta aplicar uma tenso negativa ao gate.

Estrutura interna do G.T.O. Quanto controle deste dispositivo, podemos afirmar que com uma corrente de cerca 100 mA, que pode ser anulada logo que o G.T.O.alcana a corrente de manuteno, este pode comutar correntes de 5

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tem

CENTRO imagazinamento. um baixo tempo de TECNOLGICO DO RN

Graas sua paricular estrutura interna e ao processo de dopagem ouro,

O seu turn-off inferior ao micro segundo, de fato, aplicando uma tenso negativa de 5V ao gate, o G.T.O. passa zona de no conduo em menos de 0,5 micro segundos. Circuito de controle Para obter a caracterstica de nterruptor eletrnico perfeito, como de fato o G.T.O. dado que pode passar do estado de conduo aquele de interdio em um tempo inferior a 0,5 micro segundo, necessrio mun-lo de um correto circuito de controle. Exemplo de circuito de controle e relativa potncia:

Ig de insero = cerca 100 mA Ig de deseinsero = cerca mA Va = 25 V F max = 10 KHZ Exemplos de aplicao do G.T.O.

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controle da velocidade do motor C.C.

CENTRO TECNOLGICO DO RN o Circuito para

Circuito para o controle simtrico em alternada.

Aplicaes Como j visto precedentemente, o G.T.O.sendo quase idntico a um perfeito interruptor, capaz de comutar rapidamente com tenso de at 1500 Volts e corrente de 5A, pode ser empregado em um grande nmero de aplicaes, tais como: Campo industrial alimedntadores; acenso eletrnica para vedculos; inversores para controle de motores c.a. controle velocidade motores para eletrodomsticos controle potncia nos fornos a micro-ondas; invertiddores para lmpadas fdluorescentes alimentadores fases finais de faixa

Eletromsticos

Campo rdio/TV

Resumo dados tcnicos do G.T.O. (BTW58) Valores mximos: pico repetitivo em condies de bloqueio corrente de pico direta de trabalho corrente em condio de conduo c.c. corrente anodica controlvel I t para o fusvel t = 10 ms Dissipao conjunta fino a tdmb = 25 Temperatura juno em condies de trabalho Resistncia trmica da juno base de montagem VDRM max 1500; 1300; 1000 V ITWM max 6,5 A IT max 5 A ITCM max 25 A I t max 12,5 As P tot max 65W Tj Rth max 120C jmb 1,5C

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CENTRO TECNOLGICO DO RN

Desenho extrado de SEMICONDUTORES part.2 September 1982 PHILIPS por gentil concesso.

SCRs

TRIACs

SRIE TIC

SRIE TIC 106 SCRs

5 A CC 30 V a 400 V Corrente de pico de 30 A IGT mximo de 200 A

- Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperaturas de encapsulamento TIC 106 A tenso de pico repetitiva, c/ SCR desativado VDRM (nota 1) Tenso reversa de pico, repetitiva VRRM corrente contnua, c/ SCR operado, a 80C (ou abaixo) no encapsulamento (nota 2) 100 100 TIC 106 B 200 200 5 TIC 106 C 300 300 TIC 106 D 400 400 UNIDADE V V A

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corrente mdia, c/ SCR (ngulo de conduo 180) a 80C (ou abaixo) no encapsulamento (nota 3) corrente de pico, c/ SCR operado (nota 4) corrente de pico positivo de gate (largura de pulso 300s) pico de dissipao de potncia de gate (largura de pulso 300s) dissipao mdia de potncia de gate (nota 5)

CENTRO TECNOLGICO DO RN 3,2 operado,

30 0,2 1,3 0,3

A A W W

faixa de temperatura de -40 a 110 C encapsulamento, c/ SCR operado faixa de temperatura de -40 a 125 C armazenagem temperatura dos terminais, a 1,5 mm 230 C do encapsulamento, por 10 s NOTAS: 1. Esses valores so vlidos quando a resistncia catodo-gate for RGK = 1k 2. Esses valores so vlidos para operao contnua em CC,C / carga resistiva 3. Este valor pode ser aplicado continuamente sob uma meia onda de 60 Hz, c/ carga resistiva 4. Este valor vlido para uma meia onda senoidal de 60 Hz, quando o dispositvo estiver operando c/ os valores (ou abaixo deles) dados de tenso reversa de pico e corrente de operao 5. Este valor vlido para um tempo mximo de 16,6 ms. Caractersticas eltricas a 25C (temperatura do encapsulamento) MIN IDRM corrente de pico repetitiva, c/SCR desativado IRRM corrente reversa de pico, repetitiva IGT corrente de gatilhamento de gate VGT tenso de gatilhamento de gate IH corrente de reteno VTM tenso de pico, em operao dv/dt taxa crtica de subida de tenso (SCR desativado) Caractersticas trmicas RQJC - resistncia trmica juno-encapsulamento RQJA resistncia trmica juno-ambiente MX. 3,5 6,25 UNIDADE C/W C/W 60 TPICO MAX 400 1 200 1,2 8 1,7 10 UNID A mA A V mA V V/ s

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TIC 126

CENTRO TECNOLGICO SRIES 116, TIC DO RN SCRs

8 A 12 A CC 50 V A 600 V Corrente de pico de 80 A e 100 A IGT mximo de 20 mA Valores mximos absolutos ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento TIC 116 TIC 126 50 100 200 300 400 500 600 50 100 200 300 400 500 600 12 UNID

tenso de pico repetiva, c/ SCR desativado SUFIXO F VDRM (nota 1) SUFIXO A SUFIXO B SUFIXO C SUFIXO D SUFIXO E SUFIXO M tenso reversa de pico, repetitiva VRRM SUFIXO F SUFIXO A SUFIXO B SUFIXO C SUFIXO D SUFIXO E SUFIXO M corrente contnua, c/ SCR operado, a 70C (ou abaixo) no encapsulamento (nota 2)

50 100 200 300 400 500 600 50 100 200 300 400 500 600 8

SRIE TIC 226B, 226D TRIACS 8 A RMS 200 V A 400 V aplicaes em alta temperatura, alta corrente e alta tenso dv/dt tpico de 500 V/ s a 25C Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento UNIDADE TIC 226B 200 tenso de pico repetitiva, com o TRIAC desativado (nota 1) V TIC 226D 400 corrente RMS de onda completa, em operao a (ou abaixo 8 A de) 85C no encapsulamento (nota 2) IT (RMS) corrente de pico, senide onda completa ITSM (nota 3) 70 A corrente de pico em operao, senide meia onda ITSM (nota 80 A 4) corrente de pico de gate - IGM 1 A pico de dissipao em potncia de gate PGM, a (ou abaixo de) 2,2 W 85C no encapsulamento (larg. de pulso 200s) dissipao em potncia, mdia , de gate, PG (av), a (ou abaixo 0,9 W de) C no encapsulamento (nota 5)

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faixa

faixa armazenagem Temperatura dos terminais a 1,5 mm do encapsulamento, por 10 s

CENTRO TECNOLGICO encapsulamento, em -40 a 110 operao DO RN de temperatura de -40 a 125

230

de

temperatura

do

C C C

NOTAS: 1. Esses valores so vlidos bidirecionalmente para todo valor de resistncia entre o gate e o terminal principal 1. 2. Este valor vlido para senide onda completa, 50 a 60 Hz, com carga resistiva. 3. Este valor vlido para uma senide de 60 Hz, onda completa, quando dispositivo estiver operando no (ou abaixo do) valor dado de corrente em operao. 4. O mesmo que a nota 3, porm com senide meia onda. 5. Este valor vlido para um tempo mximo de 16,6 ms. Caractersticas eltricas a 25C de temperatura do encapsulamento MIN. TPICO IDRM corrente de pico repetitiva, com o TRIAC desativado IGTM corrente de pico de gatilhamento de gate VGTM tenso de pico de gatilhamento de gate VTM tenso de pico, em operao IH corrente de reteno IL corrente de Iatching dv/dt taxa crtica de subida da tenso, com TRIAC desativado dv/dt taxa crtica de subida da tenso de comutao 20 -30 30 -40 500 5 15 -25 0,9 -1,2 MAX. 2 50 -50 2,5 -2,5 2,1 60 -60 70 -70 UNID. mA mA V V mA mA V/ s V/ s

Caractersticas trmicas RQJC resistncia trmica juno-encapsulamento RQJA resistncia trmica juno-ambiente SRIE TIC 236 TRIAC S

MAX. 1,8 62,5

UNID. C/W C/W

12 A e 16 A 200 V e 400 V

Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento UNIDADE tenso de pico repetiva, com o TRIAC desativado (nota 1) corrente de RMS de onda completa, em operao a (ou abaixo de) 70C no encapsulamento (nota 2 ) IT (RMS) corrente de pico, senide onda completa ITSM (nota 3) corrente de pico de gate - IGM
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B D 12 100 1

200 400

V A A A

faixa

faixa armazenagem temperatura dos terminais a 1,5 mm do encapsulamento.

CENTRO TECNOLGICO encapsulamento, em -40 a 110 operao DO RN de temperaturas de -40 a 125

230

de

temperaturas

do

C C C

NOTAS: 1. Esses valores so vlidos bidirecionalmente para todo valor de resistncia entre o gate e o terminal principal 1. 2. Este valor vlido para senide onda completa, 50 a 60 Hz, com carga resistiva. 3. Este valor vlido para uma senide de 60 Hz, onda completa, quando o dispositivo estiver operando no (ou abaixo do) valor dado de corrente em operao. Caractersticas eltricas a 25 C de temperatura do encapsulamento MIN. IIDRM corrente de pico repetiva, com o TRIAC desativado IGTM corrente de pico de gatilhamento de gate VGTM tenso de pico de gatilhamento de gate VTM tenso de pico, em operao IH - corrente de reteno IL corrente de Iatching Caractersticas trmicas MX. RQJC resistncia trmica junoencapsulamento RQJA resistncia trmica juno-ambiente 2 62,5 UNID. C/W C/W 20 -20 2,1 50 -50 TPICO 15 -25 1,2 -1,2 MAX. 2 50 -50 2,5 -2,5 UNID. mA mA V V mA mA

Definio e aplicaes dos tiristores componentes gatilhados TIRISTOR: Mecanismo semi-condutor biestvel, que pode chavear entre estado aberto ou fechado. Este pode encontrar em 03 ou mais junes, e so unidirecionais, bidirecionais ou condio reversa. FLD: Tiristor de bloqueio reverso de comutao de 02 terminais, 04 camadas, com caracterstica de baixa tenso no estado de saturao. Seus usos incluem aplicaes em triggering, limitador de tenso, circuitos temporizados e pulsos. DAC: DIAC TIRISTOR DE COMUTAO, 02 terminais, 03 camadas, bidirecional com caractersticas de resistncia negativa, abrange sobre a maioria das completas faixas de operao de corrente acima da corrente de comutao (IS); suas aplicaes so em triggering, controle de fase e circuito limitador de tenso. PUT: TRANSISTOR DE UNIJUNO PROGRAMVEL, a 03 terminais, 04 camadas, tiristor de bloqueio reverso, com gate no anodo o qual controla o nvel de tenso do equipamento. Sua principal aplicao de substituir o unijuno em longo intervalo de tempo, controle de fase e osciladores de relaxao.

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SAS:

discriminador de pulsos.

CENTRO TECNOLGICO de comutao bidirecional tiristor integrado com caractersticas assimtrica determinada por um gate controlador (Indutor) de nvel. Suas DO RN aplicaes incluem, controle de iluminao, triggering e circuitos

COMUTADOR ASSIMTRICO DE SILCIO,

a 03 terminais,

SAT: TRIGGER ASSIMTRICO DE SILCIO, a 02 terminais, bidirecionais integrado no circuito, tiristor de caracterstica de comutao assimtrica. usado incluindo aplicaes em redutores de luz e outros circuitos onde importante a iluminao dos efeitos de histerese. SBS: COMUTADOR DE SILCIO BILATERAL, com 03 terminais, bidirecional, tiristor de circuito integrado com caracterstica de comutao simtrica determinadas por um gate controlador de nvel. Suas aplicaes incluem detetor de limites triggering, e limitado de tenso em circuitos A.C. SUS: COMUTADOR UNILATERAL DE SILCIO, a 03 terminais, multicamadas, tiristor de gatilho com bloqueio reverso. O terminal gate anodo determina o nvel de tenso na comutao direta. Suas aplicaes incluem temporizados, triggering e circuito detetor de limite. COMPONENTES DE POTNCIA GTO: TIRISTOR DE DESLIGAMENTO PELO GATE, 03 terminais, 04 camadas, bloqueio de reverso do tiristor no qual pode ser ligado com a tenso positiva no gate e desligado com tenso negativa no gate. Suas aplicaes incluem como inversor gerador de pulsos, tosador e circuito comutador em C.C. LAS: COMUTADOR ATIVADO LUZ, 04 camadas, 03 terminais. Tiristor com bloqueio de reverso, pode ser ligado por um excesso de luz, que tem um nvel mnimo determinado pela corrente de gate. Suas aplicaes incluem comando fotoeletivo, monitorador de posies, acoplamento de luz e circuitos triggering. NGT: TIRISTOR DE GATE NEGATIVO, 03 terminais, multicamadas, engatilhamento com tenso negativa. So incluidos na categoria de gates de distribuio amplificada. Por que seu gate requer tenso negativa. Suas aplicaes incluem inversor de alta frequncia, tosador, circuito controlador de potncia. RCT: TIRISTOR DE CONDUO REVERSA, 03 terminais, multicamadas, tiristor de conduo reversa com tenso positiva do gate e larga conduo de corrente com sentido reverso. Seus usos incluem aplicaes em comando eletroluminescente e circuitos de comutao bidirecional A.C. SCR: RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO, 03 terminais, 04 camadas, tiristor de bloqueio reverso, tenso positiva no gate. Seus usos incluem aplicaes em controle de fase, inversor, tosador, modulador de pulso e circuito de comutao esttica. SCA: UNIDADE CONTROLADA DE SILCIO, Multiterminais, classificador de unidades que incluem um condicionamento completo (ligao, refrigerao) para sistemas que requerem controle de alta potncia. SCB: PONTE CONTROLADA DE SILCIO, Multiterminais, classificados como mecanismo de ponte que incluem os SCR que so as unidades controladoras mais importantes. A ponte bsica inclui arranjos simples e componentes trifsicos com diferentes controles de arranjos. Seus usos incluem simples retificao e multifases e controlador de motores, carregadores de bateria e inversores de potncia.

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SCS:

gate anodo (N-gate). Suas aplicaes incluem controlador de iluminao, contadores, alarmes, e circuitos contrladores.

CENTRO CONTROLADO DE SILCIO, 04 terminais, 04 COMUTADOR TECNOLGICO camadas, tiristor de bloqueio reverso que pode ser gatilhado com tenso DO RN ao gate catodo (P-gate) ou tenso negativa aplicada ao positiva aplicado

TAC: TRIAC: 03 terminais, multicamadas, tiristor bidirecional com capacidade de ligao com 04 quadrantes no gate (a tenso negativa ou positiva do gate relativa ao terminal principal). Suas aplicaes incluem em comutao e controlador de fase de circuitos de potncia A.C.

EXPLICAES DAS CARACTERSTICAS E CATEGORIAS As caractersticas e classificaes mostram estas no geral para os casos de piores condies. Esta abordagem permite ao leitor comparar e selecionar os componentes cujas caractersticas so expostas seguir para uma mxima condio de operao. A nica exceo VDRM (mxima tenso repetitiva em off-state) que dado sobre uma faixa de operao de temperatura. di/dt (classificao): Crtica taxa de conduo de corrente em on-state (AMP/SEC). Mximo aumento da taxa de corrente que o tiristor pode resistir sem ser danificado. dv/dt (comutao): Taxa crtica de comutao de tenso. A menor taxa do aumento da tenso principal do tiristor que garante que o tiristor ir desligar quando a tenso principal polarizada resersamente seguindo a condio ON-STATE, normalmente medida a 20 graus. dv/dt (fixo): Taxa crtica de aumento de tenso para a condio de OFF-STATE. A menor taxa de aumento da tenso principal que ir comutar o tiristor ligado, geralmente medida a 25C. VT @ IT: TENSO DE INTERRUPO (Volts). A diferena entre a tenso de comutao e tenso de on-state medida para especificada corrente, geralmente 25C. Os Diacs so geralmente especificados neste caminho desde que estes valores representem a tenso capaz de acionar este componente numa regio de resistncia negativa.

Et: GATILHO DE ILUMINAO (DENSIDADE LUMINOSA OU LUX) o fluxo de luz por unidade de rea insidente requerida do gatilho do tiristor. Os valores dados so tpicos desde que a sensibilidade do gatilho seja influenciada da tenso de anodo para catodo (VAK) o gate do resistor (RGK) e a temperatura de operao. Het: IRRADIAO EFETIVA DO GATILHO, (Watts/cm2 ou Watts/ft2) a irradiao (poder de irradiao por unidade incidente de rea) requerida de um gatilho LAS. Os valores dados so tpicos desde que a sensibilidade do gatilho seja influenciada pela tenso anodo catodo (VAK), o gate do resistor (RGK) e a temperatura de operao. IcT: GATILHO DE CORRENTE N-GATE (AMP): A corrente negativa do comutador de silcio controlado requerida para comutao do tiristor para ON-STATE, geralmente medida a 25C. ID @ Tref: CORRENTE OFF-STATE (AMP): A corrente principal conduzida atravs do tiristor quando a condio de OFF-STATE est especificada referente a temperatura, normalmente medida a VDRM.
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IGO:

CENTRO TECNOLGICOA corrente de gate CORRENTE TURN-OFF DE GATE (AMP): negativa requerida para comutao de TURN-OFF a gate TURN-OFF, DO RN medida especificada na corrente principal geralmente a 25C.

IGT: CORRENTE DE GATILHAMENTO DO GATE. (AMP). A mxima corrente de gate requerida para comutar o tiristor no estado ON, geralmente medida a 25C. Seus valores positivos para tiristores P-Gate e negativo para tiristor N-Gate.

IH: CORRENTE DE RETENO (AMP): A corrente requerida para manter o tiristor em ON-STATE normalmente medida a 25C. IL: CORRENTE DE ENGATAMENTO (AMP): Corrente requerida para sustentar a condio de ONSTATE imediatamente aps o componente ter sido comutado para a condio ON-STATE, e a tenso de gate removida, geralmente medida a 25C. Ip: PONTO DE PICO DA CORRENTE (AMP); A mxima corrente andica (No PUT) at o ponto de pico onde dVAK/dt = O IR: CORRENTE REVERSA (AMP Tref Vrrm): A principal corrente conduzida atravs do tiristor de bloqueio reverso at uma especfica temperatura requerida, geralmente medida a 25C. Is @ Vs: CORRENTE DE COMUTAO (AMP): A corrente principal conduzida atravs do gatilho do tiristor, medida na tenso de comutao, medida a 25C. IT @ Tref: CORRENTE ESTTICA EM ON-STATE: A mxima corrente contnua em ON-STATE que o tiristor poder operar, especificada a uma temperatura especfica referida. It (AV) @ Tref: CORRENTE MDIA DE MEIA ONDA EM ON-STATE (AMP): A mxima corrente mdia em ON-STATE a que o tiristor poder operar a uma temperatura referente especificada. Para bloqueio reverso e na conduo dos tiristores estes valores so especificados para um ngulo de conduo de 180C; para tiristores bidirecionais a corrente mdia raramente especificada. ITRM: MXIMA CORRENTE REPETITIVA EM ON-STATE (AMP): A corrente caracterstica do tiristor, medida a uma temperatura referente especificada, veloz pulso retangular e taxa de repetio. Este determina a capacidade de comando do componente a baixo do estado de conduo seguro.

IT (RMS) @ Tref: CORRENTE RMS ON-STATE: A mxima corrente RMS (ON-STATE) que o tiristor ir operar especificadamente a uma temperatura especfica referente. Para bloqueio reverso ou conduo dos tiristores estes valores so especificados para conduo de um ngulo de 180C. Para tiristores bidirecionais, estes valores so especificados para 360C. ISTM: SOBRE CORRENTE (AMP): Uma corrente caracterstica no repetitiva do tiristor geralmente medida a 25C. Para bloqueio reverso e tiristor em conduo estes valores so geralmente medidos em meio ciclo aplicando uma tenso de meia onda atravs dos terminais principais do componente. Para tiristores de potncia bidirecional estes valores so geralmente medidos em onda completa aplicando tenso de meia onda atravs do componente.

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IV:

Put) no ponto de vale onde dvak/dt = O

CENTRO TECNOLGICO pulso retangular veloz especificado. DO RN NO PONTO DE VALE (AMP): A corrente andica (no CORRENTE

Para o gatilho dos tiristores estes valores so medidos em um

tgt: TEMPO DE LIGAO DO GATILHO CONTROLADOR Tempo requerido para ligao do tiristor de potncia, medida a uma corrente especificada do ponto de pulso frontal no gate, para apontar a corrente principal ou pulso de frente da tenso, durante o intervalo que o tiristor est ligado, geralmente medido a 25, porque os testes necessitariam de condies extensidade durante a medio, os valores tpicos so geralmente especificados. TON: TEMPO DE CHAVEAMENTO P/ ON (SEC). O tempo requerido para ligao do gatilho do tiristor medido a um ponto de inicializao principal do pulso de tenso frontal a um ponto de pulso de corrente frontal de sada, normalmente medida a 25C. Porque os testes necessitaram de condies extensivas durante a medio, os valores tpicos so geralmente especificados. tq: TEMPO PARA O CIRCUITO CHAVEAR PARA OFF. Tempo requerido para desligamento do tiristor medido uma corrente especificada, de um tempo de reduo da tenso a zero para o tempo em que o tiristor capaz de suportar a tenso principal sem disparar-se, geralmente medida a 25C. porque os testes necessitam de condies extensivas durante a medio, os valores tpicos so geralmente especificados. VcT: TENSO DE GATILHO N-GATE. a tenso negativa que o comutador de silcio controlado (SCS) necessita para o disparo do tiristor, geralmente medida a 25C esta tenso referenciada no anodo. VD: TENSO CONTNUA DE BLOQUEIO. a mxima tenso contnua que o tiristor ir operar. VDRM: TENSO DE PICO REPETITIVA EM OFF-STATE (Volt): Determina acima da faixa de temperatura. A mxima tenso instatnea repetitiva que o tiristor ir operar por quadrante de comutao. Especificado para equipamentos com disparo-gate. A menos que notado pelo smbolo, o valor especificado cm o gate aberto. VGQ: TENSO DE GATE PARA TURN-OFF: A tenso negativa do gate, referenciada no catodo requerida de Turn-off do gate para Turn-off comutao, medida especificada por uma corrente principal; geralmente a 25C. VGT: TENSO DE ENGATILHAMENTO DO GATE A tenso requerida para comutar o tiristor em ON-STATE. Geralmente medida a 25C. Estes valores so positivos (referenciados no catodo) para tiristores com P-GATE, e negativos (referenciados no catodo) para tiristores NGATE. Para tiristores triodos bidirecionais estes valores podem ser ambos positivos ou negativos. VP-VR: TENSO DE OFFSET: A diferena da mnima tenso (no P.U.T.) entre o ponto de pico da tenso de comutao e a tenso de referncia entre gate-catodo. VRRM: MXIMA TENSO REVERSA REPETITIVA: A mxima tenso repetitiva que o tiristor de bloqueio reverso poder operar em sentido reverso. VS: TENSO DE COMUTAO: a tenso atravs do gatilho tiristor no ponto em que a resistncia diferencial zero. Geralmente medida a 25C. tambm chamada VBO.

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VT

com valores de picos indicados.

CENTROcorrente especfica, normalmente a 25C, a menos que tiristor medida a TECNOLGICO messa em outra temperatura. Para equipamentos de potncia estas DO RN geralmente determinadas com corrente de meia-onda, e medies so

@ IT: TENSO DE ON-STATE: o princpio de tenso atravs do

Para equipamentos trigger de disparo estas medies so especificadas com tenso pulsativa a menos que se faa de outra maneira.

Circuitos Integrados
Notas tecnolgicas Um circuito integrado constitudo por uma chapa, chamada chip, de cristal de silcio, com cerca 1mm2 de seo, que comtm elementos ativos e passivos e respectivas ligaes. Estes circuitos so realizados mediante os mesmos processos utilizados para produzir dodos e transistores. Isso permite uma excelente repetio e se adapta produo de um grande nmero de peas a baixo custo. As principais vantagens que derivam desta tecnologia so o enorme grau de confiabilidade, a reduo das dimenses e o baixo custo, comparvel ao preo que custaria o circuito se tivesse sido realizado mediante elementos discretos interligados segundo as tcnicas tradicionais.

Na figura representado um simples circuito integrado, o qual contm os componentes tpicos: um resistor, um dodo e um transistor.

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capacidade, utilizando a capacidade apresentada pela juno quando polarizada inversamente.

CENTRO TECNOLGICO do suporte contm Observa-se na figura que a pequena chapa de silcio diversas zonas dopadas N eP, portanto, muitas junes NP. Utilizando as DO RN junes se obtm diodos, transistores e capacitores de pequena

Para as resistncias utiliza-se a condutabilidade extrnseca do semi-condutor (que varia com a dopagem), como ilustrado na figura.

Resistor Monoltico O isolamento entre os vrios componentes se obtm polarizando inversamente a juno constituda pelo suporte (P) e pelo material (N) do componente. A tcnica dos circuitos integrados permite realizar mais convenientemente os transistores do que as resistncias ou capacitores, e por este motivo que os circuitos eletrnicos integrados so projetados com critrios diferentes daqueles adotados para os componentes discretos. Tipos e famlias No comrcio existe uma grande variedade de circuitos integrados; na tabela seguinte indicada a subdiviso dos componentes mais frequentemente empregados:

Como para os circuitos tradicionais, possvel distinguir os integrados em digitais e lineares. Os digitais so circuitos lgicos que trabalham com apenas dois nveis de sinal, um alto e um baixo.

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Os de

Os componentes integrados que contm

CENTRO entre o sinal de entrada e o de sada. proporcionalidades TECNOLGICO DO RN integrados so subdivididos em funo do nmero dos circuitos digitais

lineares ou analgicos so aqueles nos quais existe em geral uma relao

Os SSI (Short Scale Integration pequena escala de integrao) contm algumas dezenas de portas lgicas equivalentes. Os MSI (Medium Scale Integration) contm algumas centenas de portas lgicas equivalentes. Os LSI (Large Ecale Integration laga escala de integrao) contm milhares de portas lgicas equivalentes e, portanto, inteiros circuitos complexos, por exemplo: um micro-processador. Os circuitos integrados digitais so ainda subdividos em famlias, em relao aos componentes que utilizam e s particularidades que distingue: os determinados grupos. As famlias mais importantes dos circuitos lgicos so; RTL - Resistor transistor logic DL - Diod logic DTL - Diode transistor logic TTL - Transistor transistor logic ECL - emiter coupled logic MOS - Circuitos integrados com tecnoloa MOS CMOS - Circuitos integrados com tecnologia complementar MOS I2L - Integrated injection logic Nos circuitos integrados lineares encontramos o grupo dos amplificadores, que podem ser de tipo operacional ou estudados para baixas frequncias e tambm pr-amplificadores e finais de potncia (at algumas dezenas de W). Ainda entre os lineares, existe uma gama de circuitos integrados especiais que so mdulos com funes muito variadas: mdulos para alimentadores estabilizados com tenso fixa e varivel mdulos para partidas de SCRouTRIAC mdulos para televisores, etc.

O circuito integrado visto como mdulo Observe-se a verso integrada de um j-k flip-flop da famlia RTL; pelo exame do modo bastante difcil reconhecer os componentes.

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CENTRO TECNOLGICO DO RN

No esuema abaixo indicado se representa o circuito correspondente e ao lado respectivo esquema lgico:

O estudo deste circuito relativamente simples (SSI), resulta j em dificuldade, pois mais evidente a interpretao do esquema lgico; o mesmo esquema simplificado pelo smbolo do J-K flip-flop.

Normalmente, para interpretar esquemas realizados com os circuitos; o mesmo vem a ser assim

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 Invl

CENTRO TECNOLGICO importante reconhecer os terminais e as respectivas funes. DO RN ucros

considerado como um MDULO (caixa fechada com funo definida) e

Para os circuitos integrados usam-se invlucros em resina, de cermica ou metlicos, geralmente com muitos contatos. Invlucro tipo DUAL IN-LINE PACKAGE (DIP). Existem muitas verses com diverso nmero de ligaes. Exemplo: 6 8-4-16-24-2840. Com mens de 14 ligaes cahamado mini DIP. O DIP atualmente o mais usado.

Invlucro tipo METAL CAN pode ser tambm de 10 ou 12 contatos. particularmente utilizado nos amplificadores operacionais Invlucro tipo FLATPACK com 24 ligaes placadas em ouro (profissional)

Invlucro tipo CERPAK com 16 ligaes placadas em ouro (profissional)

Invlucro tipo POWER PACKAGE; so utilizados para amplificadores de potncia, tm alheta de resfriamento

N.B As dimenses so em polegadas

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CENTRO TECNOLGICO DO RN
Testes de verificao 1) uma das principais vantagens dos circuitos integrados : ( ( ( ( ) ) ) ) Individualizao dos componentes no chip Boa dissipao de potncia Elevada confiabilidade Simplicidade dos processos tecnolgicos

2) com a tecnologia utilizada para realizar os circuitos integrados mais fcil obter: ( ( ( ( ) ) ) ) Transistores Resistncias Capacitores Bobinas

3) Os circuitos integrados muito complexos so de tipo: ( ( ( ( ) ) ) ) TTL SSI MSI LSI

4) Os amplificadores operacionais so circuitos: ( ( ( ( ) ) ) ) Da famlia TTL Da famlia MOS Digitais Lineares

5) O invlucro METAL CAN particularmente usadp para: ( ( ( ( ) ) ) ) Amplificadores de potncia Amplificadores operacionais Mdulos para TV Circuitos lgicos

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