1- Semicondutores extrnsecos tipo n e tipo p.

2-O processo de dopagem de semicondutores refere-se adio, ao cristal intrnseco, de pequena quantidade de impureza, com propriedades adequadas, de forma a afetar o comportamento eltrico do semicondutor da maneira desejada. Existem dopantes doadores e receptores, que produzem os semicondutores tipo n e tipo p, respectivamente

3-Diodo semicondutor um dispositivo ou componente eletrnico composto de

cristal semicondutor de silcio ou germnio numa pelcula cristalina cujas faces opostas so dopadas por diferentes gases durante sua formao,usado como retificador de corrente eltrica. 4.

basicamente um diodo de juno com caractersticas construtivas para direcionar a incidncia de luz para a camada P. Esta ltima, por sua vez, bastante delgada e sua espessura tem relao com o comprimento de onda da luz a detectar.
5- Duas 6-P, utiliza-se principalmente o elemento Indio l N, utiliza-se principalmente o elemento Fsforo. 8-Diodo Zener,Diodo tnel,Diodo Schottky,transistor. 9 O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. 10 constitudo por duas junes PN (juno base-emissor e juno base-colector) de
material semicondutor (silcio ou germnio) e por trs terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C).

11chip de silcio 12

13 A Descarga Electrosttica (ESD do ingls Electro Static Discharge) define-se como a transferncia de energia entre dois corpos carregados com potenciais diferentes causada por contacto directo ou induzida por um campo electrosttico. A ESD afecta principalmente os circuitos integrados como componentes ou as placas onde esses componentes esto inseridos. A tendncia para a microminiaturizao e maiores velocidades de processo indicam que o problema da ESD vai continuar a afectar a indstria electrnica de maneira cada vez mais sever 14 Trata-se da relao existente entre a corrente de coletor e a corrente de
base A frmula para calcular o fator beta ser: = Ic/Ib Onde Ic a corrente de coletor e Ib a corrente de base. Isso significa que o Beta de um transistor nos informa quantas vezes ele pode ampliar a corrente que seja forada a circular pela sua base na configurao indicada, num circuito de corrente contnua