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PRCTICA 3. POLARIZACIN DE UN AMPLIFICADOR MONOETAPA EN EMISOR COMN: PUNTO DE FUNCIONAMIENTO, hFE y hfe .

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3.1.- Relacin entre las corrientes de base y colector: hFE y hfe . Previo al estudio de la polarizacin de un amplificador monoetapa en emisor comn, E.C. en lo sucesivo, empezaremos estudiando la relacin entre las corrientes de colector y base, tanto en rgimen esttico (DC), hFE = IC / IB, como en rgimen dinmico, en nuestro caso en alterna, hfe = ic / ib. Para estudiar dicha relacin en continua usaremos el circuito de la figura 1. Para ello se interconectan en la placa de montaje el transistor 2N2222 y las dos resistencias tal como se indica en la figura 1. La vista del transistor que se muestra en la figura 1 es la que se denomina bottom view, estamos viendo el transistor desde abajo y vemos el transistor con los pines apuntando hacia nosotros.

Fig. 1 Usamos una de las fuentes variables de la fuente de alimentacin como pila de 10 V. Esto se har conectando la salida positiva de la fuente al extremo superior de la resistencia de colector (3k3), y conectando la salida negativa de la misma fuente a la tierra del circuito, emisor del transistor. Ajustamos el valor de esta fuente a 10 V, antes de conectarla con dos cables al circuito de la placa. Es importante que el alumno entienda la equivalencia de los dos circuitos de la figura 1, ya que en lo sucesivo para representar la pila que alimenta el circuito de colector-emisor se usar la flecha con VCC , en este caso 10 V, tal como se hace en el circuito que se muestra en el centro de la figura 1. Como pila del circuito base-emisor usaremos la otra fuente variable de la fuente de alimentacin. Para ello conectamos el borne positivo de esta segunda fuente al extremo izquierdo de la resistencia de base (270k), y el borne negativo de la misma fuente a la tierra del circuito, emisor del transistor. Puesto que en las medidas que vamos a realizar Vbb toma como primer valor 3 V, seleccionamos este valor en la fuente antes de conectarla al circuito de la placa mediante dos cables. Tratamos de medir hFE para distintos valores de la corriente de base. La modificacin de la corriente de base se consigue variando Vbb. La medida de las corrientes de base y colector se realizar de forma indirecta para simplificar el mtodo experimental de medida. El clculo de la corriente de base se har a partir de la medida de la caida tensin en la resistencia de base y el clculo de la
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corriente de colector a partir de la medida de la caida de tensin en la resistencia de colector. Realizar las medidas que nos permiten el clculo de IB e IC para los dos valores de Vbb que se indican en la tabla I, calculando hFE para cada uno de estos valores. Medir igualmente la caida de tensin entre base y emisor, y la caida de tensin entre colector y emisor Vbb (V) 3 6 VBEQ (V) VRb (V) IBQ (mA) VCEQ (V) VRc (V) ICQ (mA) hFE

Tabla I El punto de funcionamiento de un transistor queda totalmente definido por: VCEQ , VBEQ , ICQ e IBQ , aunque en forma simplificada se suelen dar solamente: VCEQ e ICQ. El subndice Q que se ha aadido indica que dichos valores son los del punto de funcionamiento en continua. El punto de funcionamiento en continua de un transistor se le denomina punto Q. Tratar de sacar alguna conclusin de los resultados obtenidos. Se recomienda fijarse en la variacin de los valores de ICQ , VCEQ y hFE. Conclusiones:

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Para medir la relacin entre la corriente de colector y de base en rgimen dinmico, hfe , se usarn seales de alterna, y para ello se ha seleccionado el circuito de la figura 2. Este circuito es una sencilla modificacin del circuito de la figura 1. Para montarlo empezaremos por aadir al circuito de la figura 1 la nueva resistencia del circuito de base de 1k, colocndola en la posicin que se indica en la figura 2. La resistencia de colector se cambia por otra de un valor de 470..

Fig. 2 Conectar el polmetro entre el colector y emisor, seleccionado para medir en una escala de voltios en continua. Ajustar el valor de Vbb hasta que la caida de tensin entre colector y emisor sea de aproximadamente 5 V. Medir las corrientes de base y de colector, en continua, por el mtodo explicado previamente, y la caida de tensin entre base y emisor, y rellenar los datos de la tabla II.

VCEQ (V) VBEQ (V) 5

VRc (V)

ICQ (mA)

VRb (V)

IBQ (mA)

hFE

Tabla II

Una vez que hemos ajustado el punto de funcionamiento de continua, completamos el circuito de la figura 2 conectando el condensador de 100 nF y el generador de alterna. En este ltimo se ha de seleccionar seal de tipo sinusoidal, de frecuencia 1 kHz, y amplitud 100 mV. La medida de las corrientes de base y colector en alterna las realizaremos tambin de forma indirecta, calculndolas a partir de la medida de la caida de tensin en alterna en la resistencia de 1k y de 470 respectivamente. Las tensiones en alterna las mediremos usando el voltmetro de alterna, si se dispone de dicho equipo, o el osciloscopio, el polmetro no se debe usar para este tipo de medidas pues por encima de 500 Hz no mide bien en alterna, salvo algn polmetro especial como el HP974A. Dado que una de las bornas de medida del voltmetro de alterna est conectada a tierra, lo mismo ocurre en los canales de entrada al osciloscopio, al medir, y para evitar posibles cortacircuitos, se debe conectar esta borna a la tierra del circuito. La medida de la cada de potencial en alterna en cada resistencia la haremos midiendo la
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tensin en alterna en cada uno de sus extremos y restando ambos valores. Realizar las medidas y anotar los datos en la tabla III. Es importante comprobar que las seales que midamos en alterna son realmente sinusoidales, ya que si estas seales estn distorsionadas nuestras medidas pueden ser muy errneas, por ello se ha de comprobar que la seal que estamos midiendo en alterna es una seal sinusoidal no distorsionada. La comprobacin se har de forma visual con el osciloscopio, conectando el canal 1 del osciloscopio en el colector y el canal 2 en el punto de conexin del condensador y de la resistencia de 1k. En caso de que se observe distorsin en alguna de las seales consultar con el profesor el problema. VCEQ (V) ICQ (mA V1k (mV) 5 1 9 iB (mA) V3k3 (V) iC (mA) hfe

Tabla III

Para realizar las medidas de la segunda y tercera fila: apagar el generador de alterna reajustar Vbb para que VCEQ tome el valor que indica la tabla, midiendo VCEQ con el polmetro medir ICQ volver a conectar el generador de alterna realizar las medidas en alterna

Analizar los resultados obtenidos y sacar conclusiones de los mismos. Conclusiones:

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3.2. Punto de funcionamiento: recta de carga esttica.En este apartado vamos a analizar el punto de funcionamiento de un transistor y lo que denominamos recta esttica. En el apartado anterior hemos utilizado dos fuentes de alimentacin para polarizar un simple transistor, ver figura 1. Una fuente que alimentaba el circuito colector-emisor y otra fuente que alimenta el circuito de base-emisor. Esto es demasiado complejo e incrementa el costo del amplificador, por ello habitualmente polarizaremos el transistor con una sola fuente utilizando para ello un divisor de tensin en la base, tal como se muestra en la figura 3. Vamos a ver como se pueden calcular las resistencias del circuito para que el transistor tenga un determinado punto de funcionamiento. Partimos de una fuente de alimentacin de 10 V y de que queremos como punto de funcionamiento una corriente de colector ICQ de 1mA y una cada de tensin colector-emisor VCEQ de 5V.

Fig. 3 En el circuito de colector emisor se cumple: 10 = ICQ Rc + VCEQ + IEQ Re como: IEQ ICQ = 1 mA y VCEQ = 5 V Rc + Re = 5 k Del punto de funcionamiento hemos obtenido una relacin entre Rc y Re. Para calcular estas resistencias necesitamos otra relacin ms entre ambas, sta la obtenemos de la ganancia de tensin que fijemos para este amplificador ya que la ganancia de tensin de este amplificador es:

AV =

RC R ; C. rd + R E R E

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La aproximacin que se ha realizado en la expresin de la ganancia es debido a que Re va a ser mucho mayor que rd, tal como veremos posteriormente. El criterio que se suele usar para despreciar rd frente a Re es que Re sea ms de diez veces rd Seleccionando como valor del mdulo de la ganancia de tensin 4 obtenemos que: Rc = 4 k y Re = 1 k. Dado que hay que usar en el montaje del circuito resistencias reales, debemos aproximar estos valores calculados por los valores disponibles ms prximos: Rc = 3k9 y Re = 1k. Hemos de realizar ahora el clculo de R1 y R2 . Para llevarlo a cabo solo disponemos de una ecuacin que relaciona ambas resistencias, y dicha relacin se obtiene una vez que transformemos, mediante el teorema de Thevenin, el divisor de tensin de base en una pila con su resistencia en serie. En la figura 4 se puede ver el circuito resultante despus de aplicar el teorema de Thevenin.

Fig. 4 Donde Vbb y Rb se obtienen mediante las expresiones:

Vbb = 10

R2 R1 + R 2

Rb =

R1R2 R1 + R2

A partir del circuito de la figura 4 se puede plantear la ecuacin del circuito baseemisor: Vbb = IBQ Rb + VBEQ + IEQ Re La caida de tensin base-emisor en polarizacin directa se aproxima por 0,7 V y la corriente de emisor ya la sabemos, I EQ ICQ = 1 mA. La corriente de base la calculamos de la corriente de colector mediante el parmetro hFE, que debe de ser conocido, hFE = ICQ /IBQ . El parmetro hFE se puede medir con alguno de los polmetros disponibles en el laboratorio. Supondremos que hFE toma el valor 150. Sustituyendo en la ecuacin anterior, obtenemos una relacin entre R1 y R2 : 1500 R2 = R1 R2 + 150 (0,7 + 1) (R 1 + R2 )

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La segunda ecuacin que necesitamos para calcular R1 y R2 la podramos obtener de diferentes condiciones del diseo: impedancia de entrada del amplificador, relacin entre Rb y Re para una buena estabilidad trmica, pero nosotros vamos a simplificar y dar otra ms sencilla; imponer que la corriente que circula por R1 , sea diez veces la corriente de base del transistor. La razn de esta eleccin se discutir en los ejercicios de problemas, y de hecho se podra tomar que fuera p.e. veinte veces la corriente de base u otra relacin similar. Si llamamos I1 la corriente que circula por R1 se cumplir la relacin: 10 = I1 R1 + VBEQ + IEQ Re 10 = 10 (ICQ /150) R1 + 0,7 + 1 R1 = (10 1,7) 15 103 = 124,5 k Como la corriente que circula por R2 es (I1 IBQ ) = 9 IBQ : 9 IBQ R2 = VBEQ + IEQ Re R2 = (150 / 9) (0,7 + 1) = 28,3 k Los valores estndar ms prximos a los obtenidos son 120 k y 27 k. Una vez que he mos justificado la eleccin de unas resistencias par fijar un punto de funcionamiento, con ciertas condiciones adicionales de diseo, vamos a proceder a analizar el control por estas resistencias de este punto de funcionamiento. Empezamos comprobando una vez montado el circuito si el punto de funcionamiento es el seleccionado y si la ganancia de tensin a frecuencias medias ( 1 kHz), es la prevista. La comprobacin del punto de funcionamiento es muy sencilla, por ello se deja que el alumno explique como lo ha realizado: COMPROBACIN DEL PUNTO DE FUNCIONAMIENTO:

IBQ (uA) VBEQ (V) VCEQ (V) ICQ (mA)

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Para comp robar la ganancia de tensin colocar el generador de alterna entre la entrada y tierra, y aplicar una seal sinusoidal de unos 100mV de amplitud. Medimos con el voltmetro de alterna las tensiones a la entrada y salida del amplificador. Anotar los resultados obtenidos en la tabla adjunta.

Vi (mV)

Vs (mV)

AV

Una vez comprobado el punto de funcionamiento y la ganancia de tensin vamos a comprobar como se puede modificar este punto de funcionamiento. Empezamos por utilizar las curvas de salida del transistor que dan la corriente de colector en funcin de la tensin colector emisor, para diferentes valores de la corriente de base. En la figura 5 vemos estas curvas.

Fig. 5 Vamos a definir ahora cual sera la recta de carga esttica: es aquella que en las curvas de salida de nuestro transistor da la resistencia total serie que hay en el circuito colector emisor. En nuestro caso, circuito de la figura 3, son Rc en serie con Re, por tanto una resistencia total de 5 k. La recta de carga esttica tendr como valor mximo en el eje X (Vce), el valor mximo que puede tomar Vce, y este ser la tensin de alimentacin del circuito colectoremisor, es decir 10 V. El otro extremo de la recta de carga estar sobre el eje de ordenadas (Ic), y ser el valor mximo que puede tomar la corriente de colector: tensin de alimentacin (10V) partido por la resistencia de carga (5k), por tanto 2 mA.
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En la figura 6 podemos ver de nuevo las curvas caractersticas de salida del 2N2222, en que hemos dibujado la recta de carga esttica de nuestro circuito: Rc + Re = 5 k.

Fig. 6 El inters por usar la recta de carga esttica reside en que si modificamos la corriente de colector que pasa por el transistor sin modificar la recta de carga esttica, p.e. manteniendo constantes Vcc, Rc, Re y modificando adecuadamente el divisor de base se modificar la corriente de base y por tanto la corriente de colector. Como en el circuito de colector-emisor se cumple:

10 (Vcc) = ICQ Rc + VCEQ + IEQ Re si la corriente de colector aumenta, recordar que I EQ ICQ, tendr que disminuir VCEQ y al revs. La relacin entre ambas variables viene dada por la resistencia de carga: Rc+Re. Esto quiere decir que el punto de funcionamiento esttico tiene que estar sobre un punto de la recta de carga. Para analizar la recta de carga esttica sustituimos R2 por un potencimetro de valor prximo al doble del valor de R2, tomemos uno de 50 k. Sustituimos R2 por este potencimetro conectando un extremo del potencimetro a la tierra del circuito y el terminal variable, el pin del centro, a la base del transistor. Ajustamos el cursor del potencimetro para que el valor de la resistencia entre los extremos del potencimetro sea de 50 k. Medimos el nuevo punto de funcionamiento. Reajustamos el valor del potencimetro a 10k y medimos nuevamente el punto de funcionamiento. Anotamos las medidas en la tabla adjunta.

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R2 27k 50k 10k

IBQ (uA) VBEQ (V) VCEQ (V) ICQ (mA)

Analizar los resultados obtenidos y comprobar SI dichos puntos pertenecen a la recta de carga esttica prevista.

ANLISIS DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON LOS TRES PUNTOS DE FUNCIONAMIENTO ESTTICO.

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