Circuitos - Comando Igbt

O Interruptor IGBT 1 _____________________________________________________________________________
CAPTULO 7
CIRCUITOS DE COMANDO PARA IGBTs

7.1 - INTRODUO Como foi explicado anteriormente, o interruptor IGBT um dispositivo que apresenta caracterstica de entrada semelhante ao MOSFET e caracterstica de sada semelhante ao transistor bipolar. Pelo fato de apresentar uma impedncia de entrada elevada, o dispositivo controlado por sinal de tenso adequado aplicado entre gate e emissor (VGE), requerendo baixa potncia da fonte de tenso do circuito de comando de gate. Uma vantagem do IGBT em relao ao MOSFET, para uma mesma capacidade de corrente nominal, a baixa capacitncia de entrada determinando um baixo consumo de potncia [47]. O circuito de comando de gate deve permitir uma operao adequada do interruptor IGBT nos estados de comutao, conduo e bloqueio, proporcionando tambm o isolamento entre o circuito de controle e o circuito de potncia, evitando sua possvel destruio devido aos diferentes potenciais de tenso de emissor e coletor. Um circuito bem projetado deve produzir as mnimas perdas de conduo e comutao com moderados esforos de tenso e corrente, protegendo o dispositivo da destruio. 7.2 - PERDAS E ESFOROS EM RELAO AO CIRCUITO DE COMANDO a ) - Comutao na Entrada em Conduo Para analisar as perdas e esforos e relacionar ao circuito de comando, considerado o circuito de potncia em meia ponte (halfbridge) com carga indutiva, como mostrado na Fig. 54. Este circuito apresenta dois interruptores no brao operando complementarmente com comutao dissipativa. Neste tipo de configurao os dispositivos suportam os maiores esforos de sobretenso e sobrecorrente, cujos fenmenos sero explicados a seguir.
_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC
Aplicando um pulso positivo de tenso entre os terminais gateemissor (VGE) de valor acima do limiar (5V), o IGBT entra em conduo. Para minimizar a perda de comutao na entrada em conduo (turn-on) o tempo de subida (rise time) da corrente de coletor ( iC ) deve ser o menor possvel. Para alcanar esta caracterstica, o tempo de subida da tenso entre os terminais gate-emissor (VGE) deve ser tambm o menor possvel, j que este tempo reflete-se no tempo de subida da corrente de coletor. Isto pode ser conseguido carregando-se rapidamente a capacitncia de entrada Coes do dispositivo (que constitu-se das capacitncias gate-emissor (CGE) e gate-coletor (CGC), ou capacitncia de Miller) atravs de uma fonte de tenso de baixa impedncia durante a aplicao do pulso. Uma elevada tenso de gate ajuda a transferir rapidamente a carga necessria vencendo os efeitos das resistncias e indutncias parasitas do circuito de comando de gate. Por outro lado, diminuindo-se o tempo de subida da corrente de coletor provoca-se um crescimento abrupto da mesma, incrementando a magnitude da corrente de recuperao reversa do diodo em anti-paralelo com o IGBT complementar e, alm disso, provocando elevadas interferncias de rdio freqncia (RFI) e eletromagnticas (EMI), bem como a sobretenso no interruptor complementar devido presena de indutncias parasitas (LS1 e LS2) introduzidas pelo circuito de potncia, o que poderia ser melhorado atravs de um layout apropriado (v=Ls.dic/dt). Aconselha-se portanto, a colocao de uma resistncia RG(on) de baixo valor em srie com o gate do dispositivo, como mostrado na Fig. 54. Deste modo possvel controlar o tempo de subida da corrente de coletor do IGBT e o valor de diC/dt.

Ls1
VG1
0 tm tm = tempo morto
RG(on) RG(off)
IGBT1
D1 E1
VG2
RG(on) RG(off)
0
IGBT2
D2
Carga Indutiva E2
brao
Ls2
Fig. 54 - Circuito em Meia Ponte para a Anlise de Perdas e Esforos.
Observa-se que deve existir um compromisso de otimizao de perdas e esforos de sobretenso, pois ambas grandezas se relacionam. Em caso de persistir a sobretenso, pode-se limita-la num valor dentro da rea RBSOA, com a utilizao de um circuito externo (circuito snubber, circuito grampeador, etc.). A resistncia de gate, portanto, apresenta importncia fundamental no rendimento e custo do conversor. Para o caso de cargas resistivas, quando o sinal de tenso gateemissor sobe rapidamente na entrada em conduo, a tenso coletoremissor (VCE) desce rapidamente. Esta descida rpida provoca uma dvCE/dt que injeta correntes dentro do circuito de comando atravs da capacitncia coletor-gate (CCG). Estas derivadas de tenso podem causar oscilaes de tenso de gate, permitindo o aumento de perdas na entrada em conduo. A pequena resistncia RG(on) indicada anteriormente em srie com o gate do dispositivo, tambm permite reduzir estas derivadas de tenso, embora as indutncias parasitas do circuito de comando possam ser minimizadas colocando o circuito de comando o mais prximo possvel do dispositivo. Quando a comutao finaliza, a tenso sobre o dispositivo, tenso coletor-emissor, encontra-se num valor muito baixo (tenso de saturao) dependendo da tenso gate-emissor VGE. b ) - Em Estado de Conduo O valor da tenso de saturao coletor-emissor VCEsat deve ser o menor possvel, minimizando as perdas, sendo portanto conveniente
aplicar uma tenso gate-emissor elevada (na faixa de 12V a 15V). Na prtica, muitos dos fabricantes de IGBTs recomendam aplicar-se uma tenso de 15V e uma resistncia RG(on) em srie com o gate menor que 50 [48]. O valor da resistncia em srie com o gate normalmente dimensionada conforme as correntes mximas que podem suportar os dispositivos do circuito de comando (transistores de sinal, portas lgicas, etc.) e analisando os efeitos de diC/dt e dvCE/dt. c ) - Comutao no Bloqueio Durante a comutao de bloqueio, os IGBTs no apresentam tempos de retardo (no apresentam tempos de estocagem como normalmente acontece com os transistores bipolares). No IGBT no necessrio um sinal de tenso negativo entre os terminais gate-emissor (VGE), sua aplicao depender do tipo de topologia e dos efeitos que provoca (diC/dt , dvCE/dt) sobre os dispositivos. Uma resistncia de bloqueio RG(off),de baixo valor, entre gate-emissor suficiente para proporcionar um caminho de descarga da capacitncia gate-emissor, permitindo o bloqueio do IGBT. O tempo de descida da corrente de coletor do IGBT compem-se basicamente pelo tempo de descida da corrente de base do transistor bipolar pnp (circuito equivalente da Fig. 3, corrente que flui pelo canal MOS), controlada por meio do gate e pelo tempo de descida da corrente de cauda (devido parcela de corrente de coletor do mesmo transistor). A corrente de cauda provocada pela recombinao de portadores minoritrios no transistor pnp do circuito equivalente, no podendo ser reduzida por meios externos (atravs do circuito de comando). As perdas de comutao de bloqueio em um IGBT com comutao dissipativa no mudam significativamente atravs do circuito de comando de gate variando a resistncia RG(off) , j que a maior perda de potncia devido parcela de corrente de cauda que no pode ser reduzida. Para operar o IGBT em alta freqncia (acima de 10kHz) num brao (half-bridge), um pulso negativo de tenso gate-emissor (VGE) importante durante o bloqueio para reduzir os efeitos de dvCE/dt que injetam correntes atravs do capacitor gate-coletor (CGC) no capacitor
gate-emissor (CGE) provocando picos de tenso gate-emissor acima do valor de limiar. Este picos de tenso podem provocar uma conduo indevida do dispositivo complementar. Com relao ao tempo de subida (rise time) da tenso coletoremissor VCE durante o bloqueio, quanto maior seu valor, maiores sero os valores de dvCE/dt entre os terminais coletor-emissor do dispositivo. Uma das maneiras de reduzir os efeitos devido a elevadas derivadas de tenso, dimensionando adequadamente a resistncia RG(off) em srie com o gate. Um outro problema que pode provocar um elevado dvCE/dt no bloqueio o fenmeno de latch-up - entrada em conduo do tiristor parasita devido ao fluxo de corrente capacitivo interno [47]. d ) Em Estado Bloqueado Durante a comutao de bloqueio e estado bloqueado suficiente manter conectado o terminal de gate ao terminal de emissor atravs de uma resistncia de bloqueio RG(off) de baixo valor. Porm, importante aplicar uma tenso negativa durante todo o intervalo de tempo que se quer manter o IGBT bloqueado, para evitar que esprios de tenso positiva provoquem a entrada em conduo indevida. No caso de um conversor em meia ponte (Fig. 54) os esprios de tenso gate-emissor (ver aquisies obtidas com os circuitos das Figs. 70 e 72) podem provocar um curto-circuito de brao, destruindo os IGBTs. Para obter caractersticas de operao favorveis, possvel aplicar-se uma tenso negativa na faixa de 5V a 15V. Segundo [47] recomendado aplicar-se uma tenso negativa de 5V e uma resistncia RG(off) srie de gate de bloqueio menor que 47. O valor do pulso negativo pode ser maior que 5V, sem restries quanto aos nveis da tenso e potncia do conversor. Em algumas aplicaes, normalmente costuma-se utilizar uma resistncia nica para ambos os estados de operao do dispositivo. Tambm existem critrios de utilizao de resistncias com valores diferentes, sendo um para cada estado de operao, ou combinao em paralelo de ambas utilizando diodos de sinal em srie. Toda escolha depende do critrio do projetista do circuito de comando.
Convm lembrar que durante a operao do dispositivo, podem acontecer transitrios destrutivos de tenso entre os terminais gateemissor. Para proteger o dispositivo de tais condies indesejveis, devem ser utilizados diodos zeners diretamente conectados entre os terminais gate-emissor, tanto para o pulso positivo como para o pulso negativo. 7.3 - REQUERIMENTO DE CIRCUITOS DE COMANDO DE GATE ISOLADOS Em circuitos de potncia em ponte, os IGBTs inferiores tm os emissores conectados a um ponto comum considerado normalmente como n de referncia, onde o potencial de tenso relativo nulo, portanto, para estes interruptores pode no ser necessrio utilizar circuitos de comando de gate isolados. Quando no utilizado isolamento existe o perigo de destruio do circuito de controle devido ao potencial de tenso de coletor do IGBT por destruio de algum dispositivo do circuito de comando conectado ao coletor do IGBT (caso de circuitos com proteo de curto-circuito por deteco de dessaturao). Por este motivo em conversores com circuitos de controle complexos e circuitos de proteo, recomenda-se utilizar circuitos de comando de gate isolados para todos os interruptores de potncia. Os IGBTs superiores, porm, tm seus emissores conectados a diferentes potenciais de tenso em relao ao potencial de referncia, o que torna necessrio utilizar circuitos de comando de gate isolados. Para realizar o isolamento podem ser utilizados transformadores de pulso, optoacopladores e circuitos de comando de gate integrados dedicados. O projeto do circuito de comando de gate isolado deve levar em considerao o custo, imunidade a rudos, complexidade, rapidez de resposta etc. a ) - Transformadores de Pulso O transformador de pulso um dispositivo magntico do circuito de comando de gate que opera em alta freqncia e que proporciona isolamento eltrico entre os circuitos de potncia e controle, atravs dos enrolamentos primrio e secundrio. Este dispositivo pode transmitir
pulsos de tenso do primrio para o secundrio sem distoro e com atrasos quase desprezveis. Quando aplicado um transformador de pulso em um circuito de comando, no se faz necessrio utilizar uma fonte de tenso isolada no lado do secundrio, podendo, ainda, operar favoravelmente em freqncias de comutao elevadas (acima de 100kHz). Outra vantagem de sua aplicao, a imunidade a interferncias por rudo, no apresentando tambm, problemas por elevados valores de dvCE/dt. Para que o transformador apresente um desempenho adequado no circuito de comando, devem ser levados em considerao os seguintes tpicos: * Tenso de isolamento do transformador ( > que 4kV ); * Mnima indutncia de disperso; * Freqncia de operao; * Dimensionamento adequado do ncleo e nmero de espiras do primrio e secundrio; * Capacidade de transferncia de energia para dispensar o uso de fonte auxiliar no lado secundrio; * Limitao da variao da razo cclica saturao do ncleo (desmagnetizao do ncleo). prevenindo a
Normalmente quando aplicado o mtodo comum de transmisso de pulsos, ao primrio no devem ser aplicados pulsos com razo cclica acima de 50% por motivo de saturao do ncleo. Neste mtodo, a razo cclica dos pulsos podem variar desde valores prximos a zero at 0,5. Para conseguir a transmisso de pulsos com razo cclica acima de 50%, tcnicas convenientes de desmagnetizao do ncleo devem ser utilizadas, onde a razo cclica dos pulsos podem variar de 0 a 100%. Os mtodos de transmisso de pulsos normalmente utilizados em inversores com modulao PWM senoidal so mostrados adiante nas Figs. 62, 64, 66, 68, 70 e 72. b ) - Optoacopladores
Os optoacopladores so dispositivos do circuito de comando de gate que proporcionam isolamento eltrico entre os circuitos de controle e potncia. Possuem a vantagem de transmitir pulsos com freqncia varivel e com qualquer razo cclica, sem apresentar problemas de saturao como no caso do transformador de pulso Porm apresentam desvantagens quando comparados a estes: necessitam uma fonte auxiliar isolada na sua sada, circuitos para amplificar a capacidade de corrente de sada (que da ordem de 20mA), apresentam pouca imunidade a interferncias por rudos, bem como problemas devido elevados dvCE/dt (estes problemas esto sendo superados com as ultimas geraes de optoacopladores). Relativo freqncia de operao, os mesmos limitam-se em no mximo 100 kHz. Alguns detalhes devem ser observados para otimizar o uso de optoacopladores: * Devem apresentar imunidades a rudos e derivadas de tenso; * Os sensores de sinal devem ser fotodiodos ( os fototransistores so lentos ); * As capacitncias entre a entrada e a sada devem ser pequenas; * Aplicar aproximadamente a corrente nominal na entrada para a polarizao do fotodiodo; * Optar por dispositivos com elevada tenso de isolamento entre a entrada-sada (>que 4kV); * Levar em considerao possveis recomendaes adicionais do fabricante indicadas no catlogo, como por exemplo: capacitores de desacoplamento, distncia das trilhas de circuito impresso, etc. c ) - Circuitos de Comando de Gate Integrados Dedicados Atualmente muitos fabricantes de IGBTs tem desenvolvido circuitos de comando de gate integrados dedicados para seus dispositivos. Existem circuitos com isolamento e sem isolamento. Todos estes circuitos necessitam de uma fonte de tenso isolada na sada. Os circuitos com isolamento utilizam fotosensores de sinal para transmitir os pulsos da entrada para a sada e os circuitos sem isolamento utilizam a
tcnica do Bootstrap (circuitos da International Rectifier) que normalmente so utilizados em conversores de baixa potncia ( < que 2 kW ) e baixa tenso (< que 600V). Alguns circuitos ainda podem apresentar proteo contra curto-circuito. Mais adiante sero mostrados alguns deles. 7.4 - EXEMPLOS DE CIRCUITOS DE COMANDO DE GATE ISOLADOS O circuito de potncia (chopper) mostrado na Fig. 55 foi utilizado para testar os circuitos de comando das Figs. 58, 60, 62, 64, 66 e 68. O tiristor neste circuito utilizado para simular um curto-circuito na carga. Por outro lado, o circuito de potncia em meia ponte mostrado na Fig. 56 foi utilizado para testar os circuitos de comando integrados das Figs. 70 e 72. Os valores e especificaes dos dispositivos dos circuitos so dados junto s figuras.
Tiristor para simular curto-circuito R3 C3 C2 C G E IGBT1 C1 D2 R2 SCR R1 E2 D1 E1 C1 :1uF;250V C2 : 2200uF; 350V C3 : 22nF; 250V D1 :MUR840 D2 :MUR440 E1 : 100V E2 : 15V IGBT1 : IRGPC40F R1 : 10 (Carga) R2 : 1,2k ; 5W R3 :820 ; 1/4W SCR : TIC126D
Fig. 55 - Circuito a IGBT para Teste dos Circuitos de Comando de Gate.
C1 G1 R1 E1 C2 G2 E2 D1 R2
C1
C1 : 2200uF; 350V C2 : 2200uF; 350V C3 : 1uF; 250V E1 D1 : MUR440 E1 : 100V
C2
MDULO : CM15TF - 12E

R1 : 10 (Carga) R2 : 120 ; 5W
C3
MDULO
Fig. 56 - Circuito em Meia Ponte para Teste dos Circuitos de Comando de Gate.
Um circuito de comando de gate (isolado ou no) considerado adequado para acionar um IGBT, quando tm as seguintes caractersticas: mantm aproximadamente igual a razo cclica do pulso da tenso de entrada ao circuito (Vcon) no pulso da tenso positiva na sada do circuito VGE; o pulso da tenso de sada no sofre distoro em relao ao pulso da tenso de entrada; capaz de aplicar nveis adequados de tenso gate-emissor e corrente de gate. Os pulsos de tenso podem apresentar atrasos na subida e na descida como mostrado na Fig. 57, porm, as magnitudes de tais atrasos devem ser aproximadamente iguais {td(on) td(off) }, para manter quase inalterado o valor da razo cclica. vcon
50% 50% 50% 50% 0 50% 0
vGE
t
t d(on) t d(off)
Fig. 57 - Pulsos de Tenso de Entrada e Sada do Circuito de Comando.
A seguir so mostrados alguns circuitos de comando de gate isolados utilizando transformadores de pulso, optoacopladores e circuitos de comando integrados. Todos eles foram testados em laboratrio.
A ) - CIRCUITOS DE COMANDO ISOLADOS POR TRANSFORMADORES DE PULSO
Nas Figs. 58, 60, 62 e 64 so apresentados os circuitos de comando isolados por transformadores de pulso para acionar interruptores IGBTs. Estes circuitos so capazes de aplicar pulsos de tenso gate-emissor positivos de 15V e negativos de 5V. Outro detalhe a salientar : os circuitos das Figs. 58 e 62 no realizam proteo de curto-circuito do IGBT e os circuitos das Figs. 60 e 64 realizam proteo de curto-circuito do IGBT por deteco de dessaturao atravs da tenso coletor-emissor (VCE). Todos os dispositivos dos circuitos so dimensionados segundo os requerimentos de potncia para entrada em conduo e bloqueio do IGBT.
CIRCUITO A1 :
Vcc1 Z1 R1 Tr vcon
15V
D1 R5
R6 Z5 R7
IGpk
R2 C1 t vcon R3 Q1
Z2 R4
Q2 Z3
D3 C2
V GE D2 Z4 E
Fig. 58 - Circuito de Comando de Gate Isolado com Transformador de Pulso e sem Proteo de Curto-circuito para 0 < D 0,5.
A seguir dada uma metodologia para determinar algumas grandezas importantes para o dimensionamento do circuito de comando, como ser: corrente de pico de gate para entrada em conduo do IGBT, energia necessria para garantir a polarizao do IGBT, etc [49]. A corrente de pico ( Igpk ) fornecida pelo circuito de comando para carregar a capacitncia de entrada (Coes) do IGBT durante a entrada em conduo, que limitada pela resistncia de gate, pode ser calculada de maneira aproximada utilizando-se a seguinte equao:
IGpk
VGE( on ) VGE( off ) RG
(44)
Onde: VGE(on) : tenso positiva gate-emissor; VGE(off) : tenso negativa gate-emissor; RG : resistncia de gate. No circuito de comando da Fig. 58, a resistncia R6 a resistncia de gate (RG). Tomando os seguintes valores de tenses de gate-emissor e a resistncia de gate: VGE(on) = 15V VGE(off) = -5V RG = R6 = 27 e substituindo na equao (44), temos o valor da corrente de pico.
IGpk 15 (5) = 0,74A 27
A energia absorvida pelo IGBT do circuito de comando para a entrada em conduo, pode ser determinada atravs da seguinte equao:
EIGBT( on ) = Q V
(45)
Onde:
Q : Variao de carga da capacitncia de entrada [C]; V : Variao da tenso gate-emissor [V].
Estas grandezas podem ser obtidas a partir da caracterstica de carga de gate mostrada no catlogo do dispositivo (IGBT). Para ter maiores detalhes ver a literatura [49].
No circuito da Fig. 55 utilizou-se o IGBT da International Rectifier ( IRGPC40F ) como dispositivo de teste. Da caracterstica de carga de gate mostrada no catlogo foram obtidos os seguintes dados.
Q [50 - (-10)] = 60 nC V [15-(-5)] = 20 V
importante esclarecer que na figura de caracterstica de carga de gate deste dispositivo, no mostrada a curva de carga para a tenso negativa gate-emissor que necessria para o clculo da energia. Para solucionar esta situao foi realizada uma interpolao aproximada e determinada a carga para tenso negativa. Substituindo os valores obtidos da curva em (45), a energia igual a: EIGBT(on) = 1,2 J A potncia absorvida pelo IGBT da fonte de tenso do circuito de comando durante a entrada em conduo, que dissipada no resistor de gate (R6), pode ser determinada com a seguinte equao:
PIGBT( on ) = EIGBT( on ) fS
(46)
Onde: fS : Freqncia de comutao do IGBT Para as freqncias de comutao de 10kHz e 50kHz as potncias so iguais a 12mW e 60mW. A energia necessria para bloquear o IGBT (energia para descarregar a capacitncia de entrada) igual energia necessria para a entrada em conduo (energia para carregar a capacitncia de entrada). Portanto, EIGBT(on) = EIGBT(off). Em um perodo de comutao, a potncia fornecida pela fonte de tenso (VCC1) do circuito de comando ao IGBT, potncia que dissipada no resistor de gate sem considerar as perdas devido aos outros componentes do circuito de comando, determinada pela seguinte equao:
PVcc1 = 2 EIGBT( on ) fS
(47)
As perdas provocadas pelos outros componentes do circuito de comando, podem ser determinadas com simplicidade. Por exemplo, nos resistores so conhecidos o valor da resistncia e a tenso sobre eles e nos zeners a corrente de polarizao e a tenso de operao indicadas no catlogo. A seguir so explicados alguns detalhes para dimensionar os componentes do circuito da Fig. 58. Toda a formulao dada pode ser aplicada a outros circuitos de comando.
Capacitor C1 : um capacitor cermico que permite uma rpida entrada em conduo e bloqueio do transistor Q1, que opera na regio de saturao. O valor de sua capacitncia pode ser escolhida entre 3,3nF para uma freqncia de comutao de 10kHz a 680pF para uma freqncia de comutao de 50kHz. Este capacitor no deve provocar uma distoro do sinal de comando gerado pelo circuito de controle, portanto, conforme este critrio deve ser escolhido o valor. Capacitor C2: um capacitor eletroltico que armazena energia durante a transmisso do pulso de tenso atravs do transformador de pulso. A tenso sobre ele grampeada no valor da tenso de operao do zener Z3. Sua energia deve ser suficiente para garantir a descarga da capacitncia de entrada do IGBT. Este capacitor comporta-se como uma fonte de tenso negativa durante todo o bloqueio do dispositivo (IGBT). O valor de sua capacitncia pode ser determinada utilizando-se a seguinte equao:
C2 > 2 EIGBT( on ) VZ32
(48)
Para evitar sua descarga pela presena de outros dispositivos no circuito de comando e garantir o bloqueio do IGBT, deve ser escolhido um capacitor com capacitncia maior a 10F / 25V.
Diodo D1: um diodo de sinal utilizado simplesmente para polarizar o transistor de sinal Q2. A operao do transistor como segue:
quando o diodo conduz o transistor bloqueado e quando o diodo bloqueado o transistor conduz.
Diodos D2 e D3 : so diodos de sinal colocados em srie com as resistncias R5 e R7 para evitar perdas e descarga da energia do capacitor C2 durante o estado bloqueado do IGBT. Resistor R1: utilizado para limitar a corrente de curto-circuito da fonte de tenso VCC1 no caso de eventual destruio do transistor Q1. O valor no deve ser elevado, pois, pode provocar limitao do pulso de corrente de gate durante a entrada em conduo do IGBT. Na prtica recomenda-se escolher entre 10 a 27 . Resistor R2 : utilizado para desmagnetizar o ncleo do transformador de pulso e amortecer oscilaes. O valor pode ser escolhido de 1 k a 2 k. Resitor R3: limita a corrente de base do transistor de sinal Q1. Ele deve ser dimensionado para permitir a operao do transistor na regio de saturao. O valor de sua resistncia pode ser determinada com o conhecimento da corrente de pico ( IGpk ) que circula atravs da resistncia de gate (R6), que aproximadamente a mesma corrente que circula atravs do coletor do transistor Q1 quando a relao de transformao do trafo de pulso unitria.
R3 Vcon 0,03 I Gpk
(49)
Resistor R4 : limita a corrente de base do transistor de sinal Q2. O valor pode ser escolhido entre 1k a 2k. Resistor R5 : o valor de sua resistncia pode ser determinada com o conhecimento da corrente de polarizao do zener Z3 e a energia no capacitor C2 . Resistor R6 : o resistor de gate (RG) que utilizado para controlar dic/dt e dvCE/dt sobre o IGBT. Por outro lado, limita a corrente atravs dos dispositivos do circuito de comando de gate. O valor de sua resistncia deve ser escolhido analisando os esforos de tenso e corrente sobre o IGBT. Para o circuito da Fig. 55 foi escolhido uma resistncia de
gate de 27 para o estado de conduo, que a mesma utilizada para o estado de bloqueio [RG(on) = RG(off)].
Resistor R7 : permite a descarga da capacitncia gate-emissor (CGE) do IGBT quando na ausncia do sinal de comando e/ou destruio do transistor Q2, aplicada abruptamente uma tenso entre coletoremissor (VCE). O sbito crescimento da tenso provoca uma derivada que induz corrente na capacitncia gate-emissor (CGE) atravs da capacitncia coletor-gate e, como conseqncia a tenso gate-emissor pode superar o valor de limiar permitindo a entrada em conduo do IGBT. Por este motivo, seu aplicao recomendada principalmente em um brao, para evitar problemas de curto-circuito. O zener conectado de gate a emissor, somente protege tenses gate-emissor acima de seu valor de operao. O valor desta resistncia pode ser escolhida de 470 a 2k. Transistores Q1 e Q2 : devem ser dimensionados com o prvio conhecimento da corrente de pico de coletor e mxima tenso coletoremissor. Transformador de pulso Tr : o transformador pode ser projetado utilizando-se as equaes dadas a seguir [50]:
ief IGpk Dmax [A] 3
(50)
V D i 104 A e A w cc1 max ef Kp Kw J B fs

Np Dmax Vcc1 104 [espiras] A e B fs
[cm4]
(51)
(52) (53)
i Sf ef J
[cm2]
Onde: Ae : rea da seo transversal do ncleo [cm2]; Aw : rea da janela do ncleo [cm2];
B : Excurso do fluxo magntico [T];
Dmax : Razo cclica mxima; fs : Freqncia de comutao [Hz]; ief : Corrente eficaz no primrio do trafo [A]; J : Densidade de corrente [A/cm2]; Kp : Fator de utilizao do primrio; Kw : Fator de utilizao da janela; NP : Nmero de espiras do primrio; Sf : Seo do fio [cm2].
Nota: estas equaes so vlidas para um ncleo de ferrite do tipo
EE.
Zeners Z1 e Z2 : so utilizados para desmagnetizar o transformador de pulso. O zener Z1 limita a tenso coletor-emissor reversa do transistor Q1 em seu valor de operao (quando a relao de transformao unitria). Este zener pode ser dimensionado com uma tenso de operao de 1,5 vezes a tenso no secundrio do transformao de pulso. Quanto maior a tenso de operao de Z1, maior poder ser a razo cclica do pulso de tenso. Por outro lado, o zener Z2 pode ser dimensionado com valor de tenso igual tenso do secundrio do transformador de pulso. O zener Z2, tambm pode ser substitudo por um diodo de sinal rpido. Zeners Z4 e Z5 : so utilizados para evitar a destruio do IGBT pela presena de sobretenses entre gate e emissor, tanto para pulsos de tenso positivos e negativos. Os valores de tenso de operao devem ser menores tenso de destruio gate-emissor recomendadas pelos fabricantes ( 20V).
Os circuitos das Figs. 58, 60, 62 e 64 foram dimensionados para operar em uma freqncia de comutao (fs ) de 10kHz. Para operar o circuito em freqncias superiores acima de 10kHz, devem ser reduzidos: o valor da capacitncia do capacitor C1, nmero de espiras do primrio e
secundrio do transformador de pulso e o ncleo do transformador de pulso. Para obter as aquisies das formas de onda mostradas na Fig. 59 foi utilizado o circuito de potncia da Fig. 55, cujo interruptor IGBT foi acionado com o circuito de comando de gate da Fig. 58. Todas as aquisies foram obtidas para uma freqncia de operao do interruptor de 25kHz. A seguir so dados os valores e especificaes dos componentes para o circuito da Fig. 58.
Tabela de Valores para o Circuito da Fig. 58
No 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Dispositivo C1 C2 D1 Q1 Q2 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 Tr
Descrio cap. cermico cap. eletroltico diodo de sinal trans. de sinal trans. de sinal resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor transf. de pulso
14 15 16 17 18 19
Vcc1 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5
fonte de tenso zener zener zener zener zener
Valor 1,5 nF 22 F /25V 1N4148 BC637 2N2907 15 ; 2W 1,5 k ; 1/4W 680 ; 1/8W 1,8k ; 1/4W 2,2k ; 1/8W 27 ; 1/4W 1,5k ; 1/4W EE-30/7; =26AWG Np=Ns=125esp.; 24V-CC 32V; 1W 24V; 1W 5V; 1W 15V; 1W 10V; 1W

V GE Vcon
V GE V con
(a) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.]

V GE
(b) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.]

VCE IC
IG
(c) VGE [10V/div.; 5s/div.] iG [200mA/div.; 5s/div.]

V CE IC
(d) VCE [20V/div.; 5s/div.] IC [2A/div.; 5s/div.]

IC V CE
(e) VCE [20V/div.; 250ns/div.] (f) VCE [20V/div.; 250ns/div.] IC [2A/div.; 250ns/div.] IC [2A/div.; 250ns/div.] Fig. 59 - Formas de Onda Obtidas dos Circuitos das Figs. 55 e 58.
Nas aquisies das Figs. 59.(a) e (b) so mostradas as formas de onda dos sinais da tenso de entrada do circuito de comando (Vcon) e da tenso de sada gate-emissor (VGE) para as razes cclicas de 0,5 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada (Vcon), na Fig. 59.(a) o sinal de sada
(VGE) apresenta um atraso na subida de 100ns e um atraso na descida de 200ns. Por outro lado, na Fig. 59.(b) o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 100ns e um atraso na descida de 400ns. Os atrasos na descida so maiores em relao subida e aumentam com a diminuio da razo cclica, por causa da demora no bloqueio do transistor bipolar Q1 do circuito da (Fig. 58). Este problema pode ser superado utilizandose um transistor FET de sinal. Na aquisio da Fig. 59.(c) so mostradas as formas de onda dos pulsos da tenso gate-emissor (VGE) e da corrente de gate (IG), durante a carga e a descarga da capacitncia de entrada do IGBT. Na Fig. 59.(d) so mostradas as formas de onda da tenso coletoremissor (VCE) e da corrente de coletor (IC). Os testes do circuito de comando foram realizadas com estes nveis de tenso e de corrente. As formas de onda das Figs. 59.(e) e (f), mostram os detalhes da comutao do interruptor do conversor da Fig. 55. Como pode-se perseber, o IGBT entra em conduo sob condies de corrente nula devido s caractersticas indutivas da carga e bloqueia sob condies de tenso e corrente no nulas. Observando a ultima figura, a derivada da corrente de coletor provoca uma sobretenso sobre o IGBT devido presena de indutncias parasitas no circuito de potncia. Por este motivo, recomendado desenvolver o circuito de potncia com um timo layout.
CIRCUITO A2 :
O circuito da Fig. 60 possui uma proteo de sobrecorrente, devido sobrecarga ou curto-circuito, baseado na observao da tenso entre coletor e emissor. Sabe-se que, para uma determinada tenso de gate, se ocorrer um aumento da corrente de coletor, aumenta tambm a tenso VCE . Deste modo, observando-se VCE pode-se detectar a existncia de sobrecorrente, devido a sobrecargas ou curto-circuito. A seguir so descritos os componentes que foram introduzidas para a proteo de sobrecorrente.

R5 Vcc1 R1 Tr vcon
15V
D2 D1 Q2
R6 R8
Z6
D3 C
Z1
G R7 Q3 R4 D4 Z3 C2 C3 D5 R9 Z5 Z4 E VGE
R2 C1 t Q1 R3
Z2
vcon
Fig. 60 - Circuito de Comando de Gate Isolado com Transformador de Pulso e com Proteo de Curto-circuito para 0 < D 0,5.
Capacitor C3 : permite a polarizao do transistor bipolar Q2 para que o sinal de comando transmitido pelo transformador de pulso chegue ao gate do IGBT. O IGBT, que inicialmente encontra-se com tenso coletor-emissor (VCE) igual ou maior ao valor da fonte de tenso do circuito de potncia, deve alcanar a tenso coletor-emissor de saturao (VCEsat) antes que a tenso sobre o capacitor C3 alcance o valor de VGE(on) . O valor de C3 determinado considerando a corrente de coletor do transistor Q2 igual corrente de pico de gate (IGpk) e de valor constante durante a comutao. Para este nvel de corrente, observando a curva de caracterstica de sada de transistor Q2 (catlogo) determinada a corrente de base ( IBQ2), que tambm aproximadamente constante. Portanto, com estas consideraes, o capacitor C3 carrega-se com corrente aproximadamente constante. O circuito equivalente mostrado na Fig. 60.a.
R6
I BQ2
C3
vC3
Fig. 60.a - Circuito Equivalente Durante a Carga do Capacitor C3 que Ocorre na Entrada em Conduo do IGBT.
A tenso inicial sobre o capacitor C3 antes da entrada em conduo do IGBT igual a:

v C3(0) = VZ6 + VD3
(54)
Onde: VZ6 = 6,8 V : Tenso de operao do zener Z6; VD3 = 0,7 V : Queda de tenso sobre o diodo D3 durante a conduo. A variao linear de tenso sobre o capacitor dada pela seguinte equao:
v C3( t ) = v C3( 0) + ( 1 IBQ 2 ) t C3
(55)
Considerando a tenso final sobre o capacitor C3 de 0,8VGE(on) para um tempo de durao do pulso de corrente de gate (tcom) de 400ns e substituindo na equao (55), obtm-se o valor da capacitncia C3. Com esta considerao, a tenso coletor-emissor (VCE) deve cair do valor elevado ao valor de saturao VCEsat antes do trmino da carga de C3. Quando no chega a tenso coletor-emissor ao valor de saturao durante este tempo previsto, o sinal de comando inibido e como conseqncia o IGBT bloqueado novamente. No caso da ocorrncia desta situao o valor da capacitncia deve ser incrementada experimentalmente. Utilizando a equao (56), obtida a partir de equao (55), pode ser determinado o valor de C3:
C3 IBQ2 tcom [0,8 VGE(on ) ] v C3(0)
(56)
Das curvas de caracterstica de sada do transistor Q2 (2N2907) para a corrente de coletor ICQ2 = Igpk , a corrente de base aproximadamente igual a : IBQ2 = 20 mA. Substituindo valores na equao (56), o valor da capacitncia igual a:
C3 1,8 nF Quando ocorre o curto-circuito de carga em estado de conduo do IGBT, a tenso coletor emissor (VCE) cresce e o diodo D3 bloqueado. A tenso sobre o capacitor C3 comea a crescer desde o valor inicial
(VC3(0)) devido corrente de base do transistor Q2 . Quando a tenso sobre ele atinge o valor do potencial da base do transistor Q2, este transistor bloqueado inibindo o sinal de comando de gate. A corrente de base que carrega o capacitor C3 depende da corrente de coletor. Portanto, para diminuir o tempo de bloqueio ajustado o resistor R9 com um baixo valor entre gate-emissor. A corrente de base determinada a partir das curvas de caracterstica de sada do transistor Q2 (catlogo) como uma funo da corrente de coletor no instante do curto-circuito. O tempo que demora para atuar a proteo pode ser estimado com a seguinte equao:
t blo = C3 VGE( on ) v C3( 0) IBQ 2( curto)
(57)
A corrente de coletor (ICQ2) durante o curto-circuito igual corrente que flu pelos resistores R4, R7 e R9, (IGpk 0), e seu valor igual a ICQ2 = 100 mA. Uma vez conhecida a corrente de coletor, das curvas de caracterstica de sada do transistor Q2 (2N2907) a corrente de base aproximadamente igual a : IBQ2(curto) = 2,5 mA. Logo, substituindo valores na equao (57), o tempo de bloqueio, aps ocorrido o curto-circuito, aproximadamente igual a:
t blo 5,4 s
Ou seja, o IGBT poder suportar correntes superiores a 6 vezes a corrente nominal at atuar a proteo, pois este tempo ser inferior a 10s. Diodo D3 : detecta a dessaturao da tenso coletor-emissor do IGBT. Este diodo deve ser ultra-rpido e com tenso reversa de operao maior que a mxima tenso coletor-emissor do IGBT. Sua corrente mdia muito pequena, menor que 100mA. Zener Z6: Permite detectar o curto-circuito com baixos valores da tenso coletor-emissor (VCE). Tambm evita a descarga do capacitor C3 .
A seguir so dados os valores e especificaes dos componentes do circuito da Fig. 60:

No 1 2 3 4 5 6
Dispositivo C1 C2 C3 D1 D2 D3
7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
D4 D5 Q1 Q2 Q3 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 Tr Vcc1 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5
Descrio cap. cermico cap. eletroltico cap. cermico diodo de sinal diodo de sinal diodo ultrarpido diodo de sinal diodo de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor transf. de pulso
Valor 1,5nF 22F ; 25V 1,8nF 1N4148 1N4148 11DF
fonte de tenso zener zener zener zener zener
1N4148 1N4148 BC637 2N2907 2N2907 15 ; 2W 1,5k ; 1/4W 680 ; 1/8W 1,8k ; 1/4W 680 ; 1/8W 330 ; 1/4W 2,2k ; 1/8W 27 ; 1/4W 820 ; 1/4W EE-30/7; Np=125esp.; Ns=135esp.; =26AWG 24V-CC 32V; 1W 24V; 1W 5V; 1W 15V; 1W 10V; 0,5W
28
Z6
zener
6,8V; 1W
Para obter as aquisies das formas de onda mostradas na Fig. 61 foi utilizado o circuito de potncia da Fig. 55, cujo interruptor IGBT foi acionado com o circuito de comando de gate da Fig. 60. Todas as aquisies foram obtidas para uma freqncia de operao do interruptor de 25kHz.
VGE
VGE V con
Vcon
(a) Vcon e VGE [5Vdiv.; 5s/div.]
(b) Vcon e VGE [5Vdiv.; 5s/div.]
V GE
IC
(c) VGE [10V/div.; 10s/div.]; IC [100A/div.; 10s/div.] Fig. 61 - Formas de Onda Obtidas dos Circuitos das Figs. 55 e 60.
Nas aquisies das Figs. 61.(a) e (b) so mostradas as formas de onda dos sinais da tenso de entrada do circuito de comando (Vcon) e da tenso de sada, gate-emissor (VGE), para as razes cclicas de 0,5 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada Vcon, na Fig. 61.(a) o sinal de sada (VGE) apresenta um atraso na subida de 125ns e um atraso na descida de 225ns. Por outro lado, na Fig. 61.(b), o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 125ns e um atraso na descida de 430ns. Do mesmo modo que
no caso anterior, os atrasos na descida so maiores em relao subida e aumentam com a diminuio da razo cclica e isto ocorre por causa da demora do bloqueio do transistor bipolar Q1. Na aquisio da Fig. 61.(c) so mostradas as formas de onda da tenso gate-emissor (VGE) e da corrente de coletor durante o teste de curto-circuito do IGBT. Observando a figura, o circuito de comando garante a proteo em aproximadamente 8s aps detectado a falha. O tempo de durao do curto-circuito est abaixo do valor permitido, que de 10s. Como o IGBT sob teste de tecnologia PT, a corrente de curtocircuito de aproximadamente 10 vezes o valor nominal (27A). CIRCUITO A3 : Os circuitos das Figs. 62 e 64 permitem operar os interruptores de potncia com razo cclica e freqncias variveis, dentro de uma faixa no muito elevada. Estes circuitos normalmente so aplicados em conversores com modulao PWM senoidal [51].
Vcc1 Q3
vcon 15V t
C3 C2 Tr D1
D2 R5
R6 Z3 R7 D4 Z1 Z2
R1 R3
R2 C5 Q2 Q1 Q4
Q5 R4
D3 C4
VGE E
vcon C1
Fig. 62 - Circuito de Comando de Gate Isolado com Transformador de Pulso e sem Proteo de Curto-circuito para 0 < D < 1
Capacitores C2 e C3 : permitem uma corrente mdia nula nos enrolamentos primrio e secundrio para evitar a saturao do transformador de pulso. Os valores das capacitncias podem ser obtidas realizando a medio da indutncia magnetizante do transformador e considerando a freqncia de ressonncia ( fr ) igual a 1/10 da freqncia de comutao ( fs ). A seguir so dadas as equaes para determinar os valores de suas capacitncias:
1 10 C2 Lm 2 fs N C3 = 1 C2 N2 Onde:
2
(58)
(59)
Lm : Indutncia magnetizante do primrio do transformador; fs : Freqncia de comutao do IGBT; N1 : Nmero de espiras do primrio do transformador; N2 : Nmero de espiras do secundrio do transformador. Capacitor C5 : permite um rpido bloqueio do transistor de sinal Q2 evitando o atraso na subida do sinal de comando. Seu valor deve ser maior ou igual a 5,6nF. Transformador de Pulso Tr : deve ser projetado de maneira similar ao do circuito da Fig. 58. Dispositivos R1 , R2 , C5 , Q1 e Q2 : so utilizados para polarizar os transistores de sinal Q3 e Q4. Se o nvel de tenso dos pulsos do circuito de controle (vcon) for maior ou igual ao valor de VCC1 , estes dispositivos no so necessrios. A seguir so dados os valores e especificaes dos dispositivos para o circuito da Fig. 62.
Tabela de Valores para o Circuito da Fig. 62 No 1 2 3 4 Dispositivo C1 C2 C3 C4 Descrio cap. cermico cap. eletroltico cap. eletroltico cap. eletroltico Valor 1nF 10 F; 25V 10F; 25V 22F; 25V
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26
C5 D1 D2 D3 D4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 Tr Vcc1 Z1 Z2 Z3
cap. cermico diodo de sinal diodo rpido diodo de sinal diodo de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor transf. de pulso fonte de tenso zener zener zener
8,2nF 11DF 1N4148 1N4148 1N4148 BC546 BC546 BC337 BC327 2N2907 6,8k; 1/8W 820; 1/4W 12k; 1/8W 1,8k; 1/4W 2,2k; 1/8W 27; 1/4W 1,5k; 1/4W EE-30/7; =26AWG NP=NS=125esp.; 24V-CC 5V; 1W 15V; 1W 10V; 0,5W
Para obter as aquisies das formas de onda mostradas na Fig. 63 foi utilizado o circuito de potncia da Fig. 55, onde o interruptor IGBT foi acionado com o circuito de comando de gate da Fig. 62. Todas as aquisies foram obtidas para uma freqncia de operao do interruptor de 25kHz.

V GE V con
V GE V con
(a) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.] (b) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.]
Fig. 63 - Formas de Onda Obtidas dos Circuitos das Figs. 55 e 62.
Nas aquisies das Figs. 63.(a) e (b) so mostradas as formas de onda dos sinais da tenso de entrada ao circuito de comando (Vcon) e da tenso de sada gate-emissor (VGE) para as razes cclicas de 0,9 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada Vcon, na Fig. 63.(a) o sinal de sada (VGE) apresenta um atraso na subida de 350ns e um atraso na descida de 170ns. Por outro lado, na Fig. 63.(b) o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 80ns e um atraso na descida de 150ns. O sinal de sada gateemissor tem um atraso na subida maior, em comparao com o atraso na descida, por causa do bloqueio lento do transistor bipolar Q2 do circuito da Fig. 62. O capacitor C5 que cumpre a funo de permitir um bloqueio rpido deste transistor tem menor energia quando aumenta a razo cclica. Portanto, o atraso na subida diminu quando diminu a razo cclica devido a uma maior saturao do transistor Q4. Esta concluso confirmada com os resultados dos valores dos atrasos para a razo cclica de 0,1. Estes atrasos podem ser alterados modificando as correntes de base de Q3 e Q4 ou adicionando-se circuitos de anti-saturao. CIRCUITO A4 O circuito da Fig. 64 possui caracterstica de proteo de sobrecorrente, alm das caractersticas do circuito anteriormente apresentado na Fig. 62.

R5 C3 C2 Q2 Q1 C1 Q4 Tr D1 R4 Q6 Q5 D3 D2 R6 D5 Z1 C6 R7 R8 G R9 D6 C4 Z2 E Z3 VGE Z4 D4 C
Vcc1 Q3
vcon 15V
R1 R3
t
R2 C5
vcon
Fig. 64 - Circuito de Comando de Gate Isolado com Transformador de Pulso e com Proteo de Curto-circuito para 0 < D < 1.
Os dispositivos deste circuito podem ser dimensionados segundo os critrios indicados para os circuitos de comando das Figs 58, 60 e 62. Com tais critrios, obteve-se os valores e especificaes dos dispositivos, listados na tabela a seguir.
N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Dispositivo C1 C2 C3 C4 C5 C6 D1 D2 D3 D4 D5 D6 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 R1
Descrio cap. cermico cap. eletroltico cap. eletroltico cap. eletroltico cap. cermico cap. cermico diodo rpido diodo de sinal diodo de sinal diodo ultra-rpido diodo de sinal diodo de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal resistor
Valor 1nF 10F; 25V 10F; 25V 22F; 25V 8,2nF 1,8nF 11DF 1N4148 1N4148 11DF 1N4148 1N4148 BC546 BC546 BC337 BC327 2N2907 2N2907 6,8k; 1/8W
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 Tr Vcc1 Z1 Z2 Z3 Z4
resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor transf. de pulso fonte de tenso zener zener zener zener
820; 1/4W 12k; 1/8W 1,8k; 1/4W 680; 1/8W 2,2k; 1/8W 330; 1/4W 27; 1/4W 820; 1/4W EE-30/7, =26AWG NP=NS=125esp.; 24V-CC 5V; 1W 15V; 1W 10V; 0,5W 6,8V; 1W
Vcon VGE
VGE Vcon
(a) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.] (b) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.]
VGE
V CE
IC
IC
(c) VGE [10V/div.; 10s/div.] IC [100A/div.; 10s/div.]
Fig. 65 - Formas de onda Obtidas dos Circuitos das Figs. 55 e 64.
Nas aquisies das Figs. 65.(a) e (b) so mostradas as formas de onda dos sinais da tenso de entrada ao circuito de comando (Vcon) e da tenso de sada gate-emissor (VGE) para as razes cclicas de 0,9 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada, na Fig. 65.(a), o sinal de sada (VGE) apresenta um atraso na subida de 380ns e um atraso na descida de 180ns. Por outro lado, na Fig. 65.(b), o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 80ns e um atraso na descida de 170ns. Neste circuito, as diferenas dos tempos de atrasos ocorrem da mesma maneira que no circuito da Fig. 62. Na aquisio da Fig. 65.(c) so mostradas as formas de onda da tenso gate-emissor (VGE) e da corrente de coletor durante o teste de curto-circuito do IGBT. Observando a figura, o circuito de comando de gate garante a proteo do IGBT em aproximadamente 5,5s aps detectada a falha. O tempo de durao do curto-circuito menor que o valor permitido, que normalmente de 10s no mximo. Na aquisio da Fig. 65.(d) so mostradas as formas de onda da tenso coletor-emissor (VCE) e da corrente de coletor durante a ocorrncia do curto-circuito do IGBT. Observando a figura, verifica-se que a rpida descida da corrente de curto-circuito provoca uma sobretenso entre o coletor e o emissor do IGBT. Esta sobretenso em alguns casos pode provocar a destruio do dispositivo. Esta derivada de corrente de coletor pode ser diminuida aumentando o valor da resistncia de gate. Em caso de no ser aumentado o valor da resistncia de gate, a
sobretenso pode ser limitada colocando-se um grampeador de tenso entre coletor e emissor projetado segundo a rea de operao segura de bloqueio (RBSOA). Observa-se que a sobretenso tem como origem as indutncias parasitas na malha formada por C2, D1 e IGBT1 da Fig. 55.
B ) - CIRCUITOS DE COMANDO ISOLADOS POR OPTOACOPLADOR
Nas Figs. 66 e 68 so apresentados os circuitos de comando isolados por optoacoplador para acionar interruptores IGBTs. Estes circuitos permitem aplicar pulsos de tenso gate-emissor positivos de 15V e negativos de 7,5V. A diferena entre os dois circuitos a seguinte : o circuito da Fig. 66 no realiza proteo de curto-circuito e o circuito da Fig. 68 realiza proteo de curto-circuito por deteco de saturao da tenso coletor-emissor do IGBT. Todos os dispositivos destes circuitos so dimensionados de acordo com as limitaes de tenso e corrente do optoacoplador da Hewlett Packard (HCPL 2200) e exigncias de corrente de gate para entrada em conduo e bloqueio do IGBT.
CIRCUITO B1:
Vcc2
R5 R3 R4 Vcc1 C4 1 CI1
vcon 15V
R6 Q3 Q2
Q4 Q5
R7 Z3 R8 VGE D1 Z2 E G
8 7 6
HCPL2200
C3
2 R2 R2
t
3 4 Q1
C5
5 Z1 C2
vcon C1
Fig. 66 - Circuito de Comando de Gate Isolado com Optoacoplador e sem Proteo de Curto-circuito.
A seguir so dados os valores e especificaes dos dispositivos para o circuito da Fig. 66.
No 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
Dispositivo C1 C2 C3 C4 C5 CI1 D1 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 Vcc1 Vcc2 Z1 Z2 Z3
Descrio cap. cermico cap. eletroltico cap. cermico cap. cermico cap. cermico optoacoplador diodo de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor fonte de tenso fonte de tenso zener zener zener
valor 1nF 33F; 25V 680pF 120pF 47pF HCPL2200 1N4148 BC546 BC546 BC546 BC337 BC327 1k; 1/4W 10k; 1/8W 2,2k; 1/8W 5,6k; 1/8W 6,8k; 1/8W 820; 1/4W 27; 1/4W 1,5k; 1/8W 15V-CC 24V-CC 7,5V; 1W 15V; 1W 10V; 0,5W

VGE V con
Vcon VGE
(b) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.] (a) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.] Fig. 67 - Formas de Onda Obtidas dos Circuitos das Figs. 55 e 66.
Nas aquisies das Figs. 67.(a) e (b) so mostradas a formas de ondas dos sinais da tenso de entrada do circuito de comando (Vcon) e da tenso de sada gate-emissor (VGE) para as razes cclicas de 0,9 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada, na Fig. 67.(a), o sinal de sada (VGE) apresenta um atraso na subida de 450ns e um atraso na descida de 400ns Por outro lado, na Fig. 67.(b) o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 425ns e um atraso na descida de 400ns. Neste circuito os tempos de atraso na subida e na descida e em toda a faixa de variao da razo cclica so aproximadamente iguais. Observa-se que com este circuito possvel se obter uma ampla faixa de variao de freqncias dos pulsos de comando que s limitada nas altas freqncias por estes atrasos acima citados. Estes atrasos ainda poderiam ser diminuidos melhorando-se os tempos de bloqueio dos transistores Q2 a Q5.
CIRCUITO B2:

Vcc2 R7 R5 R3 R4 Vcc1 C4 1 2
vcon 15V t
D2
R9
Z4
D3 C
R6 Q3
Q4 Q5
Q6
R8 R10 Z3 C6
8 CI1 7 6
C3
Q2
D1
VGE D4 Z2
R1 R2
C5
4 HCPL2200 5 Q1 C1 Z1 C2
vcon
Fig. 68 - Circuito de Comando de Gate Isolado com Optoacoplador e com Proteo de Curto-circuito.
A seguir so dados os valores e especificaes dos dispositivos para o circuito da Fig. 68.
Tabela de Valores para o Circuito da Fig. 68 No 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Dispositivo C1 C2 C3 C4 C5 C6 CI1 D1 D2 D3 D4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Descrio cap. carmico cap. eletroltico cap. cermico cap. cermico cap. cermico cap. cermico optoacoplador diodo de sinal diodo de sinal diodo ulta-rpido diodo de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal trans. de sinal Valor 1nF 33F; 25V 680pF 120pF 47pF 1,8nF HCPL2200 1N4148 1N4148 11DF 1N4148 BC546 BC546 BC546 BC337 BC327 2N2907
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 R10 Vcc1 Vcc2 Z1 Z2 Z3 Z4
resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor fonte de tenso fonte de tenso zener zener zener zener
1k; 1/4W 15k; 1/8W 2,2k; 1/8W 5,6k; 1/8W 6,8k; 1/8W 820k; 1/4W 680; 1/8W 27; 1/4W 330; 1/4W 820; 1/4W 15V-CC 24V-CC 7,5V; 1W 15V; 1W 10V; 0,5W 6,8V; 1W
Vcon
Vcon
VGE
VGE
VGE
VCE
IC
IC
(c) VGE [10V/div.; 10s/div.] IC [100A/div.; 10s/div.]
Nas aquisies das Figs. 69.(a) e (b) so mostradas as formas de onda dos sinais de tenso de entrada do circuito de comando (Vcon) e da tenso de sada gate-emissor (VGE) para as razes cclicas de 0,9 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada, na Fig. 69.(a), o sinal de sada (VGE) apresenta um atraso na subida de 500ns e um atraso na descida de 450ns, por outro lado, na Fig. 69.(b) o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 450ns e um atraso na descida de 425ns. Neste circuito as diferenas dos tempos de atrasos na subida e na descida do sinal da tenso de sada, para toda a faixa de variao de razo cclica, so aproximadamente iguais. Na aquisio da Fig. 69.(c) so mostradas as formas de onda da tenso gate-emissor (VGE) e da corrente de coletor durante o teste de curto-circuito do IGBT. Observando a figura, observa-se que o circuito de comando de gate garante a proteo do IGBT em aproximadamente 5,5s aps detectada a falha. Na aquisio da Fig. 69.(d) so mostradas as formas de onda da tenso coletor-emissor (VCE) e da corrente de coletor durante a ocorrncia de curto-circuito do IGBT. Nesta aquisio mostrado o detalhe do efeito da descida da corrente de curto-circuito que provoca uma sobretenso entre coletor e emissor devido s indutncias parasitas do circuito de potncia, sendo que em muitos casos, esta sobretenso pode ser destrutiva para o dispositivo.
C ) - CIRCUITOS DE COMANDO INTEGRADOS
Nas Figs. 70 e 72 so mostrados os circuitos de comando integrados com isolamento para acionar interruptores IGBTs. Estes circuitos permitem aplicar pulsos de tenso gate-emissor positivos de 15V e negativos de 7,5V. CIRCUITO C1 :
Vcc1
6
R3
2 vcon1 15V t 7
G1 C2 Z3 R2 R4 Vcc2 Z2 VGE1 E1
C1
1
Q1 R1
vcon1
CI1
16
Z1
C3
12 vcon2 15V t
R3 C1
11 17
G2 z3 R4 VGE2 Z2 E2
C2
15 18
R2 Vcc2
Q1 R1
vcon2
M57919L
26
Z1
C3
R3
27 22 25
G3 C2 R2 Vcc2 R4 Z4 Z1 C3 E3 Z3
C1
21 28
Q1 R1
Fig. 70 - Trs circuitos de Comando de Gate Isolados independentes sem Proteo de Curto-circuito.
O circuito integrado (CI1) da Fig. 70 um circuito da Powerex/Mitsubishi que contm internamente trs circuitos de comando isolados por optoacopladores, independentes, capazes de acionar trs IGBTs com diferentes nveis de potencial de emissor. importante mencionar que os circuitos no realizam nenhuma proteo de curto_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC
circuito do IGBT. Na aplicao do integrado no acionamento de IGBTs com diferentes potenciais de emissor, cada circuito de comando deve possuir uma fonte de tenso isolada na sada. Agora, no caso de ter-se IGBTs com seus emissores conectados a um n comum, necessrio somente uma fonte de tenso na sada para todos os circuitos de comando que acionam estes dispositivos. Para transmitir os pulsos de tenso da entrada para a sada, os circuitos requerem uma fonte de tenso na entrada com valor no maior que 5V (VCC1) como mostra a figura. Uma outra caracterstica do circuito a seguinte: para limitar as correntes de polarizao de entrada, drenadas da fonte de 5V, no so necessrios resistores externos, pois possuem internamente seus resistores. A seguir so dados os valores e especificaes para os componentes do circuito da Fig. 70.
Tabela de Valores para o Circuito da Fig. 70 N 1 2 3 4
o
Dispositivo C1 C2 C3 CI1
Descrio cap. cermico cap. eletroltico cap. eletroltico circuito de comando integrado
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
Q1 R1 R2 R3 R4 Vcc1 Vcc2 Z1 Z2 Z3
trans. de sinal resistor resistor resistor resistor fonte de tenso fonte de tenso zener zener zener
Valor 1,5nF 47F; 25V 47F; 25V M57919L ( da Powerex/Mitsubishi) BC546 15k; 1/8W 2,7k; 1/4W 27; 1/4W 1,5k; 1/4W 5V-CC 24V-CC 7,5V; 1W 15V; 1W 10V; 0,5W
Para obter as aquisies das formas de onda mostradas na Fig. 71 foi utilizado o circuito de potncia da Fig. 56, onde os interruptores IGBTs foram acionados com os circuitos de comando de gate da Fig. 70.
Todas as aquisies foram obtidas para uma freqncia de operao do interruptor de 25kHz.
Vcon
Vcon VGE
VGE
Nas aquisies das Figs. 71.(a) e (b) so mostradas as formas de onda dos sinais da tenso de entrada do circuito de comando (Vcon) e da tenso de sada gate-emissor (VGE) para as razes cclicas de 0,9 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada, na Fig. 71.(a), o sinal de sada (VGE) apresenta um atraso na subida de 650ns e um atraso na descida de 550ns Por outro lado, na Fig. 71.(b) o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 600ns e um atraso na descida de 550ns. Neste circuito as diferenas dos tempos de atrasos na subida e na descida so pequenos (esta afirmao vlida para freqncias menores que 40 kHz) e esto dentro das especificaes dadas no catlogo do componente (M57919L). CIRCUITO C2

Vcc3 8
CI2
R9 Q3 Q2 R10 R7 C4 5 R8 7 6
2 3
R5 D1 C1 8
6N136
Vcc3 Pino Shutdown R12 SCR1 P1 R11 t vcon1 15V C5 C1 Vcc1 R6
1 R3 5 G1 Z4 C2 R2 Z1 Z2 R4 Vcc2 Z3
CI1
14 4 13 Q1
VGE1
vcon1
R1 Vcc3
M57962L
6
C3
E1 8
CI4
R9 Q3 Q2 C4 R10 R7 R8 7 6
R5 D1
C1 8
6N136 4
Vcc1 vcon2 15V t C1 R6
1 R3 5 Z4 C2 R2 Z2 C3 Z1 R4 Vcc2 Z3 G2
CI3
14
4 13 Q1
VGE2
vcon2
R1
M57962L
6
E2 : Fig. 72 - Circuito de Comando para Brao Utilizando dois CircuitosIntegrados (CI1 e CI3) Isolados com Proteo de Curto-circuito.
O circuito da Fig. 72 foi desenvolvido para acionar dois IGBTs em uma configurao meia ponte. Neste circuito, os circuitos de comando esto dados pelos circuitos integrados CI1 e CI3 da Powerex/Mitsibishi, ambos isolados por optoacoplador. O circuito de comando da figura funciona da seguinte maneira: o circuito integrado CI1 aciona o interruptor superior e o circuito integrado CI3 aciona o interruptor inferior. Estes circuitos integrados no realizam ajuste do tempo morto dos sinais de comando - o que previne curto-circuito de brao. Portanto, o tempo morto deve ser ajustado no circuito de controle. Na ocorrncia de curto-circuito em qualquer interruptor do brao, os circuitos integrados CI1 e CI3 detectam atravs da dessaturao da tenso coletoremissor (VCE) por meio do diodo conectado ao coletor (D1) e inibem o
sinal de comando de gate em aproximadamente 6,5s. Este valor de tempo menor do que o tempo permitido para no destruir o IGBT. Os integrados tambm so capazes de gerar sinais de ocorrncia de curtocircuito que podem ser transmitidos ao circuito de controle atravs de optoacopladores. No circuito da Fig. 72, o sinal de ocorrncia de curto circuito transmitido para o circuito de controle por meio dos optoacopladores CI2 e CI4. Neste circuito, o sinal de ocorrncia permite a entrada em conduo ao tiristor de sinal SCR1 e coloca o pino 10 ( pino shutdown ) do circuito integrado CI-3524 (que no exemplo utilizado para gerar os pulso de comando) no potencial de tenso de VCC3, desta maneira inibindo completamente os sinais de sada do circuito integrado. No caso de no serem inibidos os sinais gerados pelo CI-3524, os circuitos integrados CI1 e CI3 inibem os sinais de comando de gate por 1,2ms aps detectada a falha e, logo aps este intervalo de tempo, liberam novamente o sinal de comando de gate e assim sucessivamente. Por apresentar o tempo de reset os integrados CI1 e CI3, os optoacopladores CI2 e CI4 podem ser lentos. A seguir so dados os valores e especificaes dos componentes para o circuito da Fig. 72. Tabela de Valores para o Circuito da Fig. 72
No 1 2 3 4 5 6 Dispositivo C1 C2 C3 C4 C5 CI1 Descrio cap. cermico cap. eletriltico cap. eletroltico cap. cermico cap. cermico circuito de comando integrado optoacoplador circuito de comando integrado optoacoplador diodo ultra- rpido potencimetro de preciso trans. de sinal trans. de sinal Valor 1,5nF 47F; 25V 47F; 25V 100nF 22nF M57962L (da Mitsubishi) 6N136 M57962L (da Mitsubishi) 6N136 11DF 10k
7 8 9 10 11 12 13
CI2 CI3 CI4 D1 P1 Q1 Q2
BC546 BC546
14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34
Q3 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 R10 R11 R12 SCR1 Vcc1 Vcc2 Vcc3 Z1 Z2 Z3 Z4
trans. de sinal resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor resistor tiristor de sinal fonte de tenso fonte de tenso fonte de tenso zener zener zener zener
BC546 15k; 1/8W 2,7k; 1/4W 27; 1/4W 1,5k. 1/8W 1,8k; 1/4W 330; 1/8W 82k; 1/8W 8.2k; 1/8W 2,2k; 1/8W 3,3k; 1/8W 1,5k; 1/8W 2,2k; 1/4W 2N5064 5V-CC 24V-CC 15V-CC 7,5V; 1W 20V; 1W 15V; 1W 10V; 0,5W
Para obter as aquisies das formas de onda mostradas na Fig. 73 foi utilizado o circuito de potncia da Fig. 56, onde os interruptores IGBTs foram acionados com o circuito de comando para brao da Fig. 72. Todas as aquisies foram obtidas para uma freqncia de operao do interruptor de 25kHz.
Vcon
V GE V con
VGE
Vcon
V GE
VGE
IC
(c) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.]
(d) VGE [10V/div.; 10s/div.] IC [100A/div.; 10s/div.]
Fig. 73 - Formas de Onda Obtidos dos Circuitos das Figs. 56 e 72.
Na aquisio da Fig. 73.(a), so mostradas as formas de onda dos sinais da tenso de entrada (Vcon) e da tenso gate-emissor (VGE). Esta figura foi adquirida para explicar o ajuste da desigualdade dos tempos de atraso do sinal de tenso gate-emissor (VGE) em relao ao sinal de tenso de entrada (Vcon) na subida e na descida. Neste caso, o tempo de atraso na subida de 650ns e na descida de 1,2s. Esta desigualdade foi solucionada colocando-se um resistor de 270 em srie com o fotodiodo na entrada do CI1 e CI2 (resistor R6 do circuito da Fig. 72). O excesso de corrente no fotodiodo faz com que o fototransistor fique excessivamente saturado aumentando o seu tempo de estocagem no bloqueio. Nas aquisies das Figs. 73.(b) e (c) so mostradas as formas de onda dos sinais da tenso de entrada do circuito de comando (Vcon) e da
tenso de sada gate-emissor (VGE) com os ajustes necessrios, para as razes cclicas de 0,9 e 0,1. Em relao ao sinal de entrada, na Fig. 73.(b), o sinal de sada (VGE) apresenta um atraso na subida de 700ns e um atraso na descida de 700ns. Por outro lado, na Fig. 73.(c) o sinal de sada (VGE) tem um atraso na subida de 650ns e um atraso na descida de 700ns. Com a modificao introduzida, neste circuito, as diferenas dos tempos de atrasos na subida e na descida para toda a faixa de variao de razo cclica esto dentro das especificaes indicadas no catlogo do componente (M57962L). Na aquisio da Fig. 73.(d) so mostradas as formas de onda da tenso gate-emissor (VGE) e da corrente de coletor durante o teste de curto-circuito do IGBT. Observando a figura, o primeiro curto-circuito ocorre quase ao finalizar o sinal de tenso positiva gate-emissor. Este primeiro curto-circuito no foi detectado pelo circuito de comando. Posteriormente, o IGBT entra em conduo curto-circuitado e ocorre o segundo curto-circuito sucessivo que agora detectado pelo circuito de comando de gate. Este caso a situao mas crtica para o dispositivo.
Concluso
Os transformadores de pulso dos circuitos de comando de gate das Figs. 58, 60, 62 e 64 foram projetados para operar em uma freqncia de comutao de 10kHz. Eles projetados para esta freqncia, funcionam sem problema at freqncias de aproximadamente 40kHz. Porm, quanto maior a freqncia mas difcil de desmagnetizar o ncleo devido ao excesso de espiras (maior corrente magnetizante), aumentando os atrasos entre os pulsos de entrada ao circuito de comando e os de gate. Por este motivo, recomenda-se projetar os transformadores de pulso, exatamente para a freqncia de operao do conversor utilizando-se as equaes sugeridas anteriormente. Em quase todos os circuitos de comando de gate projetados, os dispositivos que provocam um maior atraso so os transistores bipolares de sinal. Pois, o tempo de bloqueio destes transistores bastante lento. Eles, para serem rpidos, necessitam da aplicao de uma corrente de base negativa (transistores npn). Por este motivo, para poder diminuir os tempos de atraso na subida e na descida dos circuitos de comando de gate, recomenda-se, se for possvel, a utilizao de FETs de sinal.
Os circuitos de comando de gate apresentados neste trabalho, foram testados com uma tenso de barramento de 100V e uma resistncia de carga de 10. Mantendo fixos estes valores foi variada a razo cclica D. Na prtica todos os circuitos de coamando de gate testados podem ser utilizados, pois eles apresentam boas caractersticas de operao e confiabilidade. A escolha depender do critrio do projetista do conversor, pois ele deve analisar o custo dos componentes, volume e peso. As caractersticas de custos e confiabilidade no foram analisadas neste trabalho.
11 - REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
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O Interruptor IGBT 1 _____________________________________________________________________________

CIRCUITOS DE COMANDO PARA IGBTs

_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC

O Interruptor IGBT 2 _____________________________________________________________________________

_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC

O Interruptor IGBT 3 _____________________________________________________________________________

Fig. 54 - Circuito em Meia Ponte para a Anlise de Perdas e Esforos.

O Interruptor IGBT 4 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 5 _____________________________________________________________________________

_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC

O Interruptor IGBT 6 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 7 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 8 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 9 _____________________________________________________________________________

Fig. 55 - Circuito a IGBT para Teste dos Circuitos de Comando de Gate.

_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC

O Interruptor IGBT 10 _____________________________________________________________________________

C1 : 2200uF; 350V C2 : 2200uF; 350V C3 : 1uF; 250V E1 D1 : MUR440 E1 : 100V

MDULO : CM15TF - 12E

Fig. 57 - Pulsos de Tenso de Entrada e Sada do Circuito de Comando.

O Interruptor IGBT 11 _____________________________________________________________________________

A ) - CIRCUITOS DE COMANDO ISOLADOS POR TRANSFORMADORES DE PULSO

_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC

O Interruptor IGBT 12 _____________________________________________________________________________

VGE( on ) VGE( off ) RG

_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC

O Interruptor IGBT 13 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 14 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 15 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 16 _____________________________________________________________________________

V D i 104 A e A w cc1 max ef Kp Kw J B fs

O Interruptor IGBT 17 _____________________________________________________________________________

B : Excurso do fluxo magntico [T];

O Interruptor IGBT 18 _____________________________________________________________________________

fonte de tenso zener zener zener zener zener

_____________________________________________________________________________ INEP - Instituto de Eletrnica de Potncia - EEL - CTC - UFSC

O Interruptor IGBT 19 _____________________________________________________________________________

(a) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.]

(b) Vcon e VGE [5V/div.; 5s/div.]

(c) VGE [10V/div.; 5s/div.] iG [200mA/div.; 5s/div.]

(d) VCE [20V/div.; 5s/div.] IC [2A/div.; 5s/div.]

O Interruptor IGBT 20 _____________________________________________________________________________

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O Interruptor IGBT 21 _____________________________________________________________________________

A tenso inicial sobre o capacitor C3 antes da entrada em conduo do IGBT igual a:

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O Interruptor IGBT 22 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 23 _____________________________________________________________________________

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O Interruptor IGBT 24 _____________________________________________________________________________

A seguir so dados os valores e especificaes dos componentes do circuito da Fig. 60:

Valor 1,5nF 22F ; 25V 1,8nF 1N4148 1N4148 11DF

fonte de tenso zener zener zener zener zener

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O Interruptor IGBT 25 _____________________________________________________________________________

(a) Vcon e VGE [5Vdiv.; 5s/div.]

(b) Vcon e VGE [5Vdiv.; 5s/div.]

O Interruptor IGBT 26 _____________________________________________________________________________

O Interruptor IGBT 27 _____________________________________________________________________________

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O Interruptor IGBT 28 _____________________________________________________________________________

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