Nucleao e Crescimento de Cristais

Matria: Estrutura e Propriedade dos Materiais

Prof.Dr.: Alberto Arnaldo Raslan Aluno: Erasto J.Santos

Universidade Federal de Uberlndia 1

Roteiro
Conceitos e Tipos de nucleao. Equaes e grficos que explicam o comportamento de cada tipo de nucleao.

Inoculantes para refino de gro (otimizao da nucleao). Mecanismo de crescimento do ncleo.

Tcnicas para crescimento de Monocristais.
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O que nucleao?
Em que condies pode-se processar a nucleao?

Nucleao Homognea
Formao de slido sem interveno ou contribuio energtica de agentes externos.

Nucleao Homognea
necessrio o resfriamento do metal lquido abaixo do ponto de fuso do mesmo.

Onde: G a energia livre; Tf a temperatura de fuso; T a temperatura na qual a reao de solidificao acontece.
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Nucleao Homognea
Analisando o sistema de nucleao energeticamente: G=H-T.S
(1)

Pode-se analisar a estabilidade do embrio atravs da G em funo do raio do embrio. G= Gv+ Gs (2)
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Nucleao Homognea
A forma esfrica a forma geomtrica do embrio.
G hom= Gv + Gs

(3)
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(3)

Onde: Lv o calor latente de fuso; a tenso superficial entre fase slida e lquida.

Nucleao Homognea
Derivando a equao (3) em funo do raio e igualando a zero o resultado :
(4)

(raio crtico) (5)

Substituindo a equao (5) na equao (3) :

(energia livre crtica) (6)
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Observando as equaes (5) e (6) vemos a influncia do resfriamento sobre o raio crtico e a energia livre crtica:

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Elementos

Tf (C) 30 233 271 328 630 660

T (C ou K) 76 105 90 80 135 195

g
(10-7 cal/cm2)
13,3 14,0 13,0 7,9 24 28,8

Lv (cal/cm3) 113 106 123 71 254 547

Glio Estanho Bismuto Chumbo Antimnio Alumnio

Prata Ouro
Cobre Mangans Nquel Cobalto Ferro Platina

959 1063
1080 1220 1452 1490 1530 1770

227 230
236 308 319 330 295 370

30 31,4
42,1 49 60,7 55,7 48,6 57,1

262 311
459 474 657 509 475 577
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Da tabela anterior mostrado que para os metais, de modo geral, tem-se:

20%

Onde verificado que o resfriamento trmico so da ordem de 20% da temperatura liquidus dos metais.

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Quantidade de ncleos slidos em meio a fase lquida determinada por:

(7)

Onde: N= nmero de tomos por ncleo; K= constante de Boltzmann; T= temperatura de nucleao Tf-T; Q= energia de ativao do processo.
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No caso da nucleao, a energia de ativao pode ser vista como a energia livre crtica que corresponde ao raio crtico do ncleo:

(8)

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Nucleao Heterognea
Formao de slido pela interferncia ou contribuio energtica de agentes estranhos ao sistema, denominados substratos.

A maior ou menor interferncia do substrato na nucleao traduzida pelo ngulo de 15 molhamento q.

Nucleao Heterognea
Casos limites de molhamento:

No caso de equilbrio, a relao entre as tenses superficiais dada por:

(9)

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Nucleao Heterognea
Calculo da energia livre para a nucleao heterogenia:
G het= Gv + Gs (10)

(11)
Volume do ncleo

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Nucleao Heterognea
Derivando-se G het em funo do raio e igualando a zero:
(raio crtico) (12)

Combinando-se equaes anteriores:

(13)

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Nucleao Heterognea
Onde a relao entre a energia crtica da nucleao heterognia e homognia :
(14)

Onde: Analisando a equao (14) verificamos que a nucleao heterognea mais favorvel que a nucleao homognea. A energia crtica tanto menor quanto maior for o ngulo de molhamento.

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Nucleao Heterognea
O ngulo de molhamento tambm influi na intensidade de nucleao heterognea, combinando as equaes (13) e (7) :

Para o caso de metais temos uma aproximao para intensidade de nucleao:

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Nucleao Heterognea
Representao grfica da intensidade de nucleao :

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Inoculantes para refino de gro

O desempenho de uma pea fundida tanto maior, quanto menor for o tamanho mdio dos gros que a constituem. Nos casos de alta molhabilidade entre substrato e o metal, um fator cristalogrfico ir intervir positivamente no aumento da eficincia da nucleao heterognea. Trata-se da epitaxia:

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Inoculantes para refino de gro

Toda vez que o ndice de epitaxia for menor que 0,15 o substrato apresentar uma potncia de nucleao alta.
A quantidade necessria de inoculante para um eficiente refino de gro geralmente pequena, no ultrapassando 0,5% do peso da pea fundida.

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Metais e Ligas Ligas de magnsio

Alumnio e suas ligas

Titnio e suas ligas

Zinco Estanho Chumbo Ligas de Cobre

Inoculantes Cloreto de ferro Carbono Zircnio Titnio Boro Nibio Terras raras Nquel Cobalto Alumnio Germnio ndio Telrio Ferro Nibio Vandio Cobalto xido de Cobalto Terras raras Nibio Titnio Cianeto de Clcio

Eficincia Relativa Alta Alta Moderada Alta Alta Moderada Moderada Baixa Baixa Moderada Moderada Baixa Moderada Moderada Baixa Baixa Moderada Alta Moderada Moderada Moderada Moderada

Ligas de Nquel Ferro Fundido Ao comum Ao Hedfield (13%Mn)

Ao Inoxidvel
Ao-ferramenta

xido de Nquel
xido de Ferro

Moderada
Baixa
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Inoculantes para refino de gro

Imagens da seo transversal de amostra de Al-3%Si (a) Sem inoculante e (b) com inoculante, da liga Al-7%Si (c) sem inoculante e (d) com inoculante e da liga Al-11%Si (e) sem inoculante e (f ) com inoculante. 0,05%Ti. Ataque Keller concentrado.

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Inoculantes para refino de gro

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Mecanismo de crescimento
A maneira pela qual o ncleo slido cresce durante a solidificao vai depender da estrutura atmica da interface slido/lquido, que podem ser de dois tipos: Interface difusa: Separao entre slido e lquido por meio de uma faixa mista de regies ordenadas e desordenadas com uma espessura de aproximadamente 50 tomos.

~50 tomos

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Mecanismo de crescimento

Interface facetada: Se caracteriza pela separao entre a fase slida e a fase lquida por meio de uma faixa abrupta e ntida com no mais que 5 tomos.

~5 tomos
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Mecanismo de crescimento
Do ponto de vista termodinmico, os dois tipos de interface de crescimento podem ser explicados pela equao que relaciona a variao de sua energia livre com a proporo de tomos:

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Mecanismo de crescimento
A constante a um parmetro que define o tipo de material, sendo seu valor dado por:

Onde:
Sendo que para os metais a < 2; para os semicondutores 2 < a < 4; para os cermicos a < 4.
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Mecanismo de crescimento
Os metais crescem difusivamente, no qual a relao matemtica que descreve seu crescimento :

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Tcnicas de crescimento de monocristais

Os diversos procedimentos adotados no crescimento de monocristais podem ser colocados em trs grupos de tcnicas: 1- Tcnica de Bridgmann:

utilizado para metais com baixo ponto de fuso (chumbo, estanho, glio)

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Tcnicas de crescimento de monocristais

2- Tcnica de Czochralski:

utilizada no crescimento de cristais de semicondutores (silcio, germnio, arsenato de glio)

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Tcnicas de crescimento de monocristais

3 Tcnica de crescimento por zona:

Consiste em fundir apenas uma pequena poro do metal de partida (policristal) e mover lentamente a fonte de aquecimento ao longo do cristal com forma cilndrica.

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Tcnicas de crescimento de monocristais

Aplicaes em engenharia:
ps de turbina

Monocristais de diamante (abrasivos)

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Tcnicas de crescimento de monocristais

Uso de placas monocristralinas extremamente finas e com alta perfeio qumica e cristalogrfica, onde so depositados microcircuitos de preciso para calculadoras, computadores e equipamentos eletrnicos.

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Tcnicas de crescimento de monocristais

Aplicaes em tecnologia eletrnica:

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FIM

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