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Eletronica 2 Senai

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Escola SENAI “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini” Campinas – S.P.

2003

Eletrônica II

Eletrônica II

 SENAI-SP, 2001
Trabalho elaborado pela Escola Senai “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini”

Coordenação Geral

Magno Diaz Gomes

Equipe responsável

Coordenação

Luíz Zambon Neto

Elaboração

Edson Carretoni Júnior

Versão Preliminar

SENAI - Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial Escola SENAI “Prof. Dr. Euryclides de Jesus Zerbini” Avenida da Saudade, 125, Bairro Ponte Preta CEP 13041-670 - Campinas, SP senaizer@sp.senai.br

Eletrônica II

Sumário

Osciloscópio Medição de Sinais com Osciloscópio Gerador de Funções Diodo Semicondutor Diodos Especiais Circuitos Retificadores Circuito Retificador com Filtro Transistor Bipolar Ponto de Operação do Transistor Polarização do Transistor Características do Transistor Bipolar Reguladores de Tensão Regulador Monolítico Amplificador Operacional Amplificador Não-Inversor Tiristores SCR TRIAC FET – Transistores de Efeito de Campo Referências Bibliográficas

5 25 49 55 81 97 117 135 159 179 209 223 237 249 279 289 293 311 321 341

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Osciloscópio

Uma das grandes dificuldades que os técnicos enfrentam na reparação de circuitos eletrônicos é esta: os fenômenos que ocorrem nos componentes eletrônicos são abstratos; ou seja, tudo acontece sem que se possa ver. Conseqüentemente, toda a reparação é feita também a partir de raciocínios, de forma abstrata. Daí a importância do osciloscópio para o técnico. É através desse instrumento que variações de tensão em um componente do circuito são transformadas em figuras, ou seja, em formas de ondas mostradas em uma tela. Isso torna possível a análise do comportamento do componente analisado dentro do circuito a ser reparado. Vamos tratar dos controles básicos e da preparação do osciloscópio para o uso. Desse modo, você saberá como utilizar posteriormente esse instrumento nos mais diversos tipos de medições.

Osciloscópio O osciloscópio é um equipamento que permite ao técnico em manutenção observar as variações de tensão elétrica em forma de figura em uma tela. Através do osciloscópio, é possível pesquisar e analisar defeitos em circuitos eletrônicos e elétricos. Na tela de um osciloscópio, as imagens são formadas unicamente pelo movimento rápido de um ponto na horizontal e vertical, como em um aparelho de televisão.

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Quando o movimento do ponto é rápido, a imagem que se observa na tela é uma linha. As imagens se formam na tela do osciloscópio mediante movimentos simultâneos no sentido vertical e horizontal. A figura a seguir mostra um modelo de osciloscópio de traço simples com o painel de controle e entrada de sinal em primeiro plano.

Como se pode observar pela figura, os controles e entradas do painel podem ser divididos em quatro grupos a saber: 1. controles de ajuste do traço ou ponto na tela; 2. controles e entrada de atuação vertical; 3. controles e entrada de atuação horizontal; 4. controles e entradas de sincronismo.

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visto que é comum os osciloscópios terem esse tipo de identificação. • Foco (focus): controle que ajusta a nitidez do ponto ou traço luminoso. Em alguns osciloscópios. Esses controles são enumerados a seguir. SENAI 7 . vem acoplado à chave ligadesliga (on/off) do equipamento. O foco deve ser ajustado de forma a obter um traço fino e nítido na tela.Eletrônica II Controles de ajuste do traço ou ponto na tela A figura a seguir destaca o grupo de controles de ajuste do traço ou ponto. • Brilho ou luminosidade (brightness ou intensity): controle que ajusta a luminosidade do ponto ou traço. pois a tela do osciloscópio pode ser danificada. Observação As designações dos controles aparecem entre parênteses em inglês. Observação Deve-se evitar o uso de brilho excessivo. Observação Os ajustes de brilho e foco são ajustes básicos que sempre devem ser realizados quando se utiliza o osciloscópio.

Eletrônica II • Iluminação da retícula (scale illumination): permite iluminar as divisões traçadas na tela. As variações de tensão aplicadas nesta entrada aparecem sob a forma de figuras na tela do osciloscópio. Controles e entrada de atuação vertical A figura abaixo coloca em destaque o grupo de controles de atuação vertical. Esses controles estão enumerados a seguir. 8 SENAI . • Entrada de sinal vertical ou Y (input): nesta entrada conecta-se a ponta de prova do osciloscópio.

A figura a seguir mostra o que ocorre com a imagem na tela quando se movimenta a chave seletora. a saber: CA – 0 –CC ou CA –GND – CC. • Chave seletora de ganho vertical (volt gain ou volt/div): com essa chave é possível aumentar ou diminuir a amplitude de uma projeção na tela do osciloscópio. Observação Em algumas situações. SENAI 9 . usa-se a posição adicional 0 ou GND para ajustar o osciloscópio.Eletrônica II • Chave de seleção do modo de entrada (CA-CC ou AC-DC): esta chave é selecionada de acordo com o tipo de forma de onda a ser observado. Em alguns osciloscópios. esta chave tem três posições.

Através desse controle. ou seja. • Posição vertical (position): esse controle permite movimentar a projeção mais para cima ou para baixo na tela. A diferença está em que enquanto a chave seletora provoca variações de amplitude em passos (proporções definidas). A movimentação não interfere na forma da imagem projetada na tela. porém. pode-se ampliar ou reduzir horizontalmente uma imagem na tela. sweep ou time/div): é o controle que permite variar o tempo de deslocamento horizontal do ponto na tela. o ajuste fino permite variar linearmente a amplitude. aumentar ou diminuir a amplitude da imagem na tela. Esses controles são os seguintes: • Chave seletora na base de tempo (H. sem escala graduada. 10 SENAI .Eletrônica II • Ajuste fino de ganho vertical (fine-variable ou vernier): sua função é a mesma que a da chave seletora de ganho vertical. Controle de atuação horizontal A figura a seguir coloca em destaque os controles de atuação horizontal.

através de uma entrada específica. • Ajuste fino (variable): este controle permite ajustar com mais precisão o tempo de deslocamento do ponto na tela. Quando a posição EXT é selecionada. esta chave seletora tem uma posição chamada EXT (externa). mas apenas um ponto. Sincronismo da projeção O sincronismo consiste na fixação da imagem na tela para facilitar a observação. A fixação da imagem se faz mediante os controles de sincronismo do osciloscópio. • Posição horizontal (H. o traço se move horizontalmente para a direita ou vice-versa. Atua em conjunto com a chave seletora da base de tempo. SENAI 11 .Eletrônica II Observação Em alguns osciloscópios. não ocorre formação de traço na tela. position): consiste no ajuste que permite centrar horizontalmente a forma de onda na tela. Girando o controle de posição horizontal para a direita. Essa posição permite que o deslocamento horizontal do ponto seja controlado por um circuito externo ao osciloscópio.

12 SENAI . O sinal que controla o sincronismo nessa posição é aplicado à entrada de sincronismo. chave de modo de sincronismo. Na posição rede (line). A chave seletora de fonte de sincronismo (“source”) é uma chave que seleciona o local onde será tomado o sinal de sincronismo necessário para fixar a imagem na tela do osciloscópio. Na posição externo (ext). controle de nível de sincronismo. sinais esse obtidos a partir da rede elétrica. em geral. conforme mostra a figura abaixo. a chave seletora permite o sincronismo com base na frequência da rede de alimentação do osciloscópio (senoidal 60 Hz).Eletrônica II Os controles de sincronismo são os enumerados a seguir: • • • chave seletora de fonte de sincronismo. obtém-se o sincronismo da imagem com o auxílio de outro equipamento externo conectado no osciloscópio. consegue-se facilmente sincronizar na tela sinais aplicados na entrada vertical. quatro posições. Possui. Nessa posição.

SENAI 13 . fazendo com que o primeiro pico a parecer na tela seja o positivo. As posições normal + e normal – permitem que o sincronismo seja ajustado manualmente por meio de controle de nível de sincronismo (level). Na posição normal +. normalmente tem duas ou três posições que são: auto.Eletrônica II A chave de modo (mode) e controle de nível (level) de sincronismo. normal +. o sincronismo é positivo. normal -. com base no sinal selecionado pela chave seletora de fonte de sincronismo. A posição auto permite que o osciloscópio realize o sincronismo da projeção automaticamente.

. chamada também de terra da ponta de prova. O primeiro pico que aparece na tela é o negativo. geralmente do tipo BNC. e a ponta de entrada de sinal. serve para fazer a conexão aos pontos de medição. o sincronismo é negativo. deve ser conectada ao terra do circuito.Eletrônica II Na posição normal . por sua vez. Observação Estes controles serão analisados quando se tratar da utilização do osciloscópio na medição de tensão CA. A extremidade livre. Pontas de prova As pontas de prova são utilizadas para interligar o osciloscópio aos pontos de medição. Uma das extremidades da ponta de prova é conectada a uma das entradas do osciloscópio por meio de um conector. A garra jacaré. por sua vez. É provida de uma garra jacaré e de uma ponta de entrada sinal. conecta-se ao ponto que se deseja medir 14 SENAI .

As pontas de prova 10:1 são usadas para permitir que o osciloscópio seja empregado para medição ou observações de sinais com tensões e amplitudes 10 vezes maiores que o seu limite normal de medição. Assim. A ponta de prova 1:1 permite aplicar à entrada do osciloscópio o mesmo nível de tensão e forma de onda aplicado à ponta de medição. entregando ao osciloscópio a décima parte da tensão aplicada à ponta de medição. um osciloscópio que permita a leitura de SENAI 15 . ponta de prova 10:1.Eletrônica II conector BCN Existem dois tipos de ponta de prova: • • ponta de prova 1:1. A ponta de prova 10:1 é divisora de tensão.

um grupo para o canal B ou canal 2 (Channel 2 ou CH2). Osciloscópio de duplo traço O osciloscópio de duplo traço permite visualizar ao mesmo tempo dois sinais na tela. nos controles e entrada de sincronismo. pode ser utilizado em tensões de até 500V (10 x 50) com uma ponta de prova 10:1. Cada canal vertical controla um dos sinais na tela (amplitude. As diferenças entre o osciloscópio de traço simples e duplo traço aparecem: • • nas entradas e controles do vertical. 16 SENAI . Conseqüentemente. Ele tem alguns controles que são comuns aos dois traços: • • controles básicos (brilho. para observar dois sinais simultaneamente é necessário aplicar duas tensões em duas entradas verticais. posição vertical). Observação Existem pontas de prova que dispõem de um botão através do qual se pode selecionar 10:1 ou 1:1. O osciloscópio de duplo traço dispõe de dois grupos de controles verticais: • • um grupo para o canal A ou canal 1 (Channel 1 ou CH1). A figura a seguir coloca em destaque os grupos de controles do canal 1 (CH1) e canal 2 (CH2). controles do horizontal (base de tempo e posição). Entradas e controles do vertical no osciloscópio duplo traço As imagens na tela do osciloscópio são uma projeção da tensão aplicada à entrada vertical. foco).Eletrônica II tensões até 50V com ponta de prova 1:1.

ajuste fino de ganho vertical (1D e 2D). Alguns osciloscópios dispõem ainda de um inversor (invert).Eletrônica II Os grupos de controles verticais dos dois canais geralmente são iguais. Cada canal dispõe de: • • • • • entrada vertical ou Y (1A e 2A). como se fosse de traço simples. Na posição CH1. Na posição CH2. Modo de operação vertical de duplo traço O osciloscópio de traço duplo dispõe de uma chave seletora que possibilita o uso de apenas um dos traços na tela. que é um controle que permite inverter a imagem do canal 2 obtida na tela. Tanto o canal 1 como o canal 2 podem ser utilizados separadamente. ou seja. SENAI 17 . o sincronismo é controlado pelo sinal aplicado ao canal 2. posição vertical (1E e 2E). chave seletora de ganho vertical (1C e DC). chave seletora CA – 0 – CC (1B e 2B). o sincronismo é controlado pelo sinal aplicado ao canal 1.

Entre os grupos de controles verticais dos canais 1 e 2 existe uma chave seletora que permite determinar quantos e quais canais aparecerão na tela. 18 SENAI . aparecerão na tela dois traços. Esta chave tem pelo menos três posições: CH1. projetando o sinal aplicado à entrada vertical do canal 2. entrada de sincronismo.Eletrônica II Observação Sempre que se usar o osciloscópio de traço duplo como um de traço simples. chave seletora de modo de sincronismo. cada um representando o sinal aplicado nas respectivas entradas verticais. Na posição DUAL (chopper). Controles de sincronismos no osciloscópios duplo traço A função dos controles de sincronismo é fixar a imagem na tela. CH2. projetando o sinal que estiver aplicado à entrada vertical do canal 1. Na posição CH2. DUAL (ou chopper). Em osciloscópios mais sofisticados. esta chave pode ter mais posições permitindo. Na posição CH’ aparecerá apenas um traço na tela. desse modo. controle de nível de sincronismo. outras opções de funcionamento. a chave seletora deve ser posicionada no canal utilizado (CH1 ou CH2). A figura a seguir coloca em destaque o grupo de controles de sincronismo. aparecerá apenas um traço na tela. Os controles de sincronismos são: • • • • chave seletora de fonte de sincronismo.

Em todos os osciloscópios. pode-se medir tensões de até 80 V (8 divisões. selecionando para 10 V/divisão. por exemplo. Quando isso acontece. deve-se mudar a posição da chave seletora de ganho vertical para um valor maior. Se a tensão aplicada à entrada vertical excede o limite de medição. de 1mV a 10V. É importante lembrar que a posição de referência do traço na tela deve ser conferida a cada mudança de posição da chave seletora de ganho vertical e reajustada. reajustar a referência e refazer a medição. a leitura não será correta. Em cada posição da chave seletora. 10 V/div = 80 V). essa chave tem muitas posições. com 8 divisões verticais na tela. o osciloscópio tem um limite de medição. SENAI 19 . antes de executar a medição. se necessário.Eletrônica II Estes controles serão analisados detalhadamente quando tratarmos da medição de tensão CA com osciloscópio. este deve ser calibrado. o traço sofre um deslocamento tal que desaparece da tela. Observação Quando o valor de tensão a medir é parcialmente conhecido. Chave seletora de ganho vertical (VOLT/DIV) A chave seletora de ganho vertical estabelece a quantos volts corresponde cada divisão vertical da tela. a chave seletora de ganho vertical deve ser posicionada adequadamente antes de realizar a medição. Assim. caso contrário. Ajuste fino de ganho vertical Quando o osciloscópio dispõe de um ajuste fino de ganho vertical. de forma que se possa fazer com que cada divisão da tela tenha valores que vão.

o ajuste fino de ganho vertical já tem a posição de calibração indicada por “CAL”. O movimento horizontal do ponto é chamado de varredura. o osciloscópio possui três controles da base de tempo: 20 SENAI . Conecta-se a ponta de prova ao borne e ajusta-se o controle de ajuste fino. Conecta-se a ponta de prova ao borne e posiciona-se o ajuste fino de ganho vertical para que a figura na tela indique 1VPP. Em geral.Eletrônica II Em alguns osciloscópios. Isso deve ser feito de forma que a tensão lida na tela confira com a tensão (CC ou CA PP) indicada ao lado do borne. Assim. controlado pelos circuitos da base de tempo ou varredura horizontal. Através dos controles da base de tempo é possível fazer com que o ponto se desloque mais rápida ou mais lentamente na tela do osciloscópio. os controles da base de tempo do osciloscópio também são conhecidos por controles de varredura. Quando o ajuste fino não tiver posição de calibração indicada. o ajuste é feito utilizando-se uma tensão CC (ou CA quadrada) que está disponível em um borne do painel de osciloscópio. Controles da base de tempo O traço na tela de um osciloscópio é formado pelo movimento de um ponto. ao lado do borne no painel do osciloscópio está colocado 1VPP. Por essa razão.

Nos osciloscópios de duplo traço. vernier). ms/div. 4 traços ou mais).Eletrônica II • • • chave seletora da base de tempo (H. ajuste fino da base de tempo (H. Assim. Esta chave estabelece quanto tempo o ponto leva para percorrer uma divisão da tela no sentido horizontal. SENAI 21 . s/div). sweep ou time/div.). Chave seletora da base de tempo A chave seletora da base de tempo (H sweep ou time/div) é calibrada em valores de tempo por divisão (ms/div. amplificador horizontal. Esses controles são comuns a todos os traços do osciloscópio (duplo traço. os controles da base de tempo são comuns aos dois traços. Esses controles da base de tempo são mostrados a seguir em um modelo de osciloscópio de traço simples. o ponto leva um milissegundo para percorrer uma divisão horizontal da tela. se a chave seletora da base de tempo estiver posicionada em 1 ms/div.

o ajuste fino permite que se ajustem tempos entre estes dois valores (0. Permite que o tempo de deslocamento horizontal do ponto na tela seja ajustado para valores intermediários entre uma posição e outra da base de tempo. 22 SENAI . Desse modo. Ajuste fino da base de tempo Esse botão (variable) atua em conjunto com a chave seletora da base de tempo.Eletrônica II Através da chave seletora é possível expandir ou comprimir horizontalmente a figura na tela.5 ms/div.85 ms/div). 0.6 ms/div. se a chave seletora da base de tempo tem as posições 1 ms/div e 0.

Quando o controle está na posição “calibrado”. o efeito do ajuste fino é de ajustar a largura da figura em qualquer proporção que se deseje. Em geral. o tempo de deslocamento horizontal do ponto em uma divisão horizontal da tela é determinado somente pela posição da chave seletora da base de tempo. os expansores permitem que a figura seja ampliada 5 ou 10 vezes no sentido horizontal. Este controle de ajuste fino tem uma posição denominada “calibrado” ou “cal”. Ampliador horizontal O ampliador (magnifier) é chamado também de expansor e atua na largura da figura na tela. Sempre que for necessário conhecer o tempo de deslocamento horizontal do ponto em uma divisão. de forma que não é possível saber exatamente quanto tempo o ponto leva para deslocar-se numa divisão horizontal. SENAI 23 . Um aspecto importante deve ser considerado: o ajuste fino não tem escala. Observação Nem todos os osciloscópios trazem este controle. o ajuste fino da base de tempo tem que ser posicionado em calibrado.Eletrônica II Na tela.

Eletrônica II Exercícios 1. Relacione a segunda coluna com a primeira: a) b) c) d) Chave seletora de ganho vertical Chave de seleção CA/CC Entrada de sinal vertical Posição vertical ( ) Seleciona o tipo da forma de onda ( ) Conecta a ponta de prova ( ) Varia o tempo de deslocamento ( ) Movimenta a projeção ( ) Aumenta ou diminui a amplitude do sinal 24 SENAI . Responda: a) Para que serve o osciloscópio? b) De que forma as imagens se formam na tela de um osciloscópio? c) Quais são os controles de ajuste de traço ou ponto na tela? d) Qual é a diferença entre as pontas de prova 1:1 e 10:1? e) Qual é a função da chave seletora de ganho vertical? 2.

aparelhos de som.Eletrônica II Medição de Sinais com Osciloscópio Em circuitos de CA e CC. Nesse caso. Medição de tensão contínua com osciloscópio A medição de tensão CC com osciloscópio é utilizada na análise e reparação de circuitos. visualmente. freqüências e defasagens. Ajuste da Referência SENAI 25 . • seleção do modo de entrada. a preparação para a medição de uma tensão CC divide-se em três etapas: • ajuste da referência. você já deverá conhecer gerador de funções. correntes. osciloscópio. através da forma de onda senoidal. Isso faz com que esse instrumento seja largamente utilizado em reparos de circuitos de tv. Neste capítulo. Vamos considerar um osciloscópio já com um traço selecionado e projetado na tela e ajustado em brilho e foco. Para desenvolver os conteúdos e atividades aqui apresentadas. o osciloscópio permite verificar. controles industriais. e outros. Dessa maneira. Você vai aprender como se faz para obter uma projeção na tela e como se determinam valores típicos de tensões. quadrada. triangular ou qualquer outra. vamos tratar da medição de sinais com osciloscópio. você estará habilitado a usar o osciloscópio na manutenção de equipamentos eletrônicos. • conexão da ponta de prova do osciloscópio. tensões contínua e alternada. o comportamento dos componentes eletrônicos.

conforme mostra a figura a seguir.CC) do canal escolhido na posição 0.0 . procede-se da seguinte forma: • coloque a chave seletora de modo de entrada (CA . Deve-se posicionar o traço sobre uma das divisões do reticulado da tela. que servirá de posição de referência. Seleção CA-CC e conexão da ponta de prova Para medições de tensão contínua. procede-se da seguinte maneira: 26 SENAI . Observação Quando se faz o ajuste. utilizando o controle de posição vertical do canal selecionado. é necessário estabelecer uma posição para o traço na tela. o operador deve ficar numa posição frontal à tela do aparelho.Eletrônica II Quando se utiliza o osciloscópio para medição de tensões contínuas. Para fazer o ajuste da posição de referência do traço. • ajuste a posição do traço na tela usando o controle de posição vertical deste canal.

faz-se a interpretação da medida. posicione para CC a chave seletora de modo de entrada (CA .0 . Após a conexão da ponta de prova. a posição do traço antes e depois da conexão da ponta de prova aos pontos de medição. as extremidades da ponta de prova podem ser conectadas nos pontos onde está presente a tensão a ser medida. respectivamente. Isso é feito em duas etapas: 1.CC) do canal escolhido. o traço muda de posição na tela. ou seja. determina-se o valor de tensão aplicada na entrada. SENAI 27 .Eletrônica II • após o ajuste da referência. A figura a seguir mostra. • conecte a ponta de prova na entrada vertical do canal escolhido. Na medição de tensão. temos a observar: • Após a preparação do osciloscópio. Em seguida. procede-se à medição da tensão e à interpretação da medição. • Quando as extremidades livres da ponta de prova são conectadas aos pontos de medição. Verifique primeiramente de quantas divisões foi a mudança de posição do traço na tela (em relação à posição de referência).

Nesse caso. o eixo vertical da tela do osciloscópio é denominado eixo das tensões. a mudança de posição do traço foi de duas divisões. 28 SENAI . Pelo fato de permitir a medição de tensões. uma mudança de posição de duas divisões e a posição da chave seletora de ganho vertical de 5 V/divisão. Ou seja: tensão contínua = 2 divisões . para obter a tensão contínua entre os pontos medidos. conforme mostra a figura que segue.Eletrônica II Na figura a seguir. Vamos supor. 5 V/div = 10 V. por exemplo. basta multiplicar o número de divisões pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical. 2. Multiplique o número de divisões obtidas pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical do canal (que indica o valor de cada divisão).

eixo vertical central. ou negativo. obtém-se tensões contínuas positivas. seja ele positivo. quando se conecta o terra ao pólo negativo.8 V.2 de um inteiro. na conexão ao pólo positivo. obtém-se SENAI 29 . Observação O valor de tensão correspondente a cada divisão da tela é definido pela chave seletora de ganho vertical.Eletrônica II A subdivisão das divisões no eixo vertical principal. basta posicionar a chave seletora de ganho vertical. Na figura a seguir pode-se observar a medição de uma tensão CC de 4. Assim. Para que a medição seja correta.4 divisões . a garra negativa que é o terra da ponta de prova do osciloscópio é ligada ao terra do circuito. ou seja. tensões contínuas negativas. Portanto cada subdivisão corresponde a 0. Um quadro contém 5 subdivisões. 2. permite a leitura de valores que não completam um número inteiro de quadros ou divisões. As tensões contínuas positivas e negativas dependem do pólo da fonte de alimentação em que é conectado o terra. 2 V/div. Tensões negativas e positivas O osciloscópio pode ser utilizado tanto para medição de tensões positivas como negativas. Para que o osciloscópio possa ser utilizado para medições de valores de tensão de milivolts até dezenas de volts.

30 SENAI . Esse é um tipo de medição muito comum no reparo e manutenção de equipamentos eletrônicos. A interpretação dos valores das tensões negativas é feita da mesma forma que a das tensões positivas. Quando a tensão aplicada na entrada vertical é negativa.Eletrônica II Quando a tensão aplicada na entrada vertical é positiva. o traço se desloca da posição de referência para cima. o traço se desloca da posição de referência para baixo. Observe esse deslocamento representado na figura a seguir. conforme mostra a figura que segue. Medição de tensão alternada com osciloscópio Utiliza-se o osciloscópio sobretudo para realizar medições de tensão alternada.

a figura está fora de sincronismo. • sincronismo da projeção. deve-se calibrá-lo antes de executar a medição. mas também a conexão da ponta de prova nos pontos de medição. Nesse caso. a chave “seleção do modo de entrada” pode ser posicionada em CA ou CC. Obtenção da forma de onda CA Vamos tomar um osciloscópio com um traço previamente selecionado (CH1 ou CH2). Quando se conectam as pontas de prova nos pontos de medição. Para medições de tensão CA. ajustado em brilho e foco.Eletrônica II Processo de medição de tensão CA O processo de medição de tensão CA com o osciloscópio divide-se em três etapas: • obtenção da forma de onda CA na tela. • interpretação da medição. para obter a projeção de uma CA na tela. Para medições de CC. Se o osciloscópio possuir ajuste fino de ganho vertical. a tensão CA presente nestes pontos se projeta em forma de figura na tela do osciloscópio. conforme mostra a figura a seguir. Normalmente. A ponta de prova é conectada na entrada vertical do canal selecionado. apenas a posição CC deve ser utilizada. SENAI 31 . é preciso fazer não apenas a seleção do modo de entrada e a conexão da ponta de prova no osciloscópio. Após posicionar os controles. as pontas de prova são conectadas nos pontos de medição.

deve-se passar para normal e sincronizar com auxílio do controle de nível. Se na posição auto não houver sincronismo. é preciso sincronizar a imagem na tela.5 V = Tensão medida 1. Recorre-se também a essa chave quando a imagem na tela é muito pequena e é necessário obter uma imagem com maior amplitude.Eletrônica II Caso a imagem exceda os limites da tela na vertical. Interpretação da medição Para realizar a leitura da tensão. Verifica-se o número de divisões verticais ocupadas pela imagem e multiplica-se pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical. A leitura de tensão alternada aplicada na entrada vertical no osciloscópio é feita pela determinação da tensão de pico a pico da imagem projetada na tela. Em geral. basta posicionar a chave de modo de sincronismo em “auto”.5 VPP Quando o osciloscópio dispõe de um ajuste fino do ganho vertical. Número de divisões 3 Observação x Posição da chave seletora 0. para obter o máximo de amplitude dentro dos limites da tela. este deve ser calibrado antes de executar a medida. 32 SENAI . deve-se recorrer à chave seletora de ganho vertical. para que o osciloscópio fixe automaticamente a imagem na tela.

Pode-se também movimentar horizontalmente a imagem (controle de posição horizontal . SENAI 33 . Isso possibilita colocar o pico da tensão exatamente sobre o eixo vertical principal. position) sem prejuízo para a leitura.H. usando o controle de posição vertical. pode-se movimentar verticalmente a imagem. Esse procedimento permite posicionar um dos picos da CA sobre uma linha de referência sem modificar sua amplitude.Eletrônica II Posicionamento adequado para a leitura Para facilitar a leitura do número de divisões ocupadas na tela. facilitando a leitura.

calcular a sua freqüência. temos: f = número de ciclos completos em 1 segundo. Determinação do período de um sinal O eixo horizontal do osciloscópio é denominado "eixo dos tempos" porque. o período diminui e versa. A freqüência e o período de um fenômeno estão intimamente relacionados. Através da observação dos sinais elétricos na tela do osciloscópio. Relação entre período e freqüência Freqüência (f) é o número de ciclos completos de um fenômeno repetitivo que ocorre na unidade de tempo. Uma vez conhecido o período de um sinal. Período (T) é o tempo necessário para que ocorra um ciclo completo de um fenômeno repetitivo. 34 SENAI .Eletrônica II Medição de período para cálculo de freqüência Pode-se usar o osciloscópio para determinar a freqüência de um sinal elétrico. pode-se determinar o seu período e. temos: T = tempo de ocorrência de 1 ciclo. Isso é possível porque o período de uma CA pode ser determinado através do osciloscópio. Desse modo. através das suas divisões. pode-se determinar o período de formas de ondas alternadas. A relação entre as duas grandezas se expressa pela equação: f = 1 T vice- A equação mostra que à medida que a freqüência aumenta. Desse modo. a equação permite que se determine sua freqüência. portanto.

Uma vez determinado corretamente o período. • O ideal é conseguir projetar apenas um ciclo da CA na tela.Eletrônica II Para determinar com precisão o período de uma CA. obtém-se uma figura adequada à observação e leitura do período. SENAI 35 . o que é feito com auxílio apenas da chave seletora da base de tempo. Com isso. já que o ajuste fino tem de estar calibrado. é possível obter a freqüência desejada. Para isso basta aplicar a CA a um dos canais do osciloscópio e projetá-la e sincronizála na tela. Observações • Quanto menor o número de ciclos projetados na tela. A chave seletora permite fazer o ajuste da base de tempo que possibilita a compressão ou expansão da forma de onda na tela. é preciso que o controle de ajuste fino da base de tempo seja mantido na posição "calibrado". mais precisa poderá ser a determinação do período. Com a CA projetada na tela. deve-se estabelecer um ponto na figura como início do ciclo e posicioná-lo exatamente sobre uma das divisões do eixo horizontal.

A figura a seguir mostra um exemplo de determinação do período de uma CA senoidal. é necessário conhecer: • o tempo de cada divisão. verifica-se o número de divisões do eixo horizontal ocupado pelo ciclo completo. fornecido pela posição da chave seletora da base de tempo. sem prejudicar a leitura. ocupadas por um ciclo e observados na tela do osciloscópio.Eletrônica II Com o ponto de início do ciclo posicionado. 36 SENAI . Assim: T (período) = no de divisões horizontais de um ciclo x tempo de uma divisão. Para determinar o período da CA. Observação Pelos controles de posição. • o número de divisões horizontais. pode-se movimentar a figura no sentido vertical ou horizontal na tela.

005 s Determinado o período. • determinar o período. • projetar a CA na tela e sincronizar. • calcular a freqüência.Eletrônica II Partindo dos dados da figura.0 x 1 T = 5. SENAI 37 . • obter o menor número possível de ciclos na tela. pode-se calcular a freqüência do sinal através da relação: 1 f = T A freqüência da CA da figura é: f = 1 0. para determinar a freqüência procede-se da seguinte maneira: • posicionar o ajuste fino de tempo em calibrada.005 f = 200 Hz Portanto. temos: T = 5.0 ms ou 0.

• a senóide da corrente. sinais de mesma freqüência sinais de freqüências diferentes Para verificar a relação de fase entre uma tensão e uma corrente CA em um componente ou circuito. porque quando as freqüências são diferentes o ângulo de fase está em constante modificação. Para observar a senóide da tensão. emprega-se um dos canais do osciloscópio. torna-se necessário analisar ou determinar a relação de fase entre duas tensões CA ou entre uma tensão e uma corrente CA em um componente. conectando a ponta de prova (sinal e terra) diretamente nos pontos a serem observados. Este processo somente pode ser utilizado para CA de freqüências iguais. Isso pode ser feito através de um osciloscópio duplo traço.Eletrônica II Medição do ângulo de fase Em muitas ocasiões. é necessário observar simultaneamente duas senóides: • a senóide da tensão. 38 SENAI .

Eletrônica II As figuras a seguir mostram as pontas de prova conectadas a um circuito e a projeção na tela que corresponde a senóide de "tensão aplicada". Assim. Observação Para observar as variações de corrente no osciloscópio. queda de tensão proporcional à corrente do circuito SENAI 39 . O resistor é o componente ideal para realizar a conversão de corrente em tensão por duas razões: • a tensão presente entre os terminais de um resistor é proporcional à corrente. A queda de tensão neste resistor será proporcional e estará em fase com a corrente do circuito. • a tensão desenvolvida no resistor está em fase com a corrente. é necessário que elas sejam transformadas em variações de tensão. toda a vez que for necessário observar com o osciloscópio a forma de onda de corrente em um circuito deve-se incluir um resistor em série com este circuito.

Como normalmente se necessita observar simultaneamente as formas de onda de tensão e de corrente.Eletrônica II Conectando o osciloscópio sobre este resistor. utiliza-se um resistor cujo valor seja no máximo 10% da resistência do circuito que se deseja analisar. 40 SENAI . É importante lembrar que ao inserir um resistor em série com um circuito. RT = Rcircuito + R Para evitar que o resistor acrescentado influencie significativamente nos resultados observados. • o outro canal é aplicado diretamente sobre a carga. ou seja. para observação da forma de onda de corrente. provocando uma alteração na corrente circulante. utiliza-se um osciloscópio de duplo traço. a forma de onda apresentada na tela representará a corrente no circuito. Observação Em geral. deve-se utilizar um resistor cujo valor seja pequeno em relação à resistência do circuito que se deseja analisar. de forma que: • um dos canais é colocado sobre o resistor. este resistor interfere na resistência total.

deve-se usar a entrada com inversão do osciloscópio para a medição abaixo da referência.Eletrônica II A figura a seguir mostra como seria conectado o osciloscópio duplo traço para verificar a relação de fase entre corrente e tensão em um resistor. As senóides de corrente e tensão sobre o resistor aparecerão na tela como mostra a figura a seguir. Sempre que o osciloscópio for conectado desta forma. O ato de conectar o terra do osciloscópio no meio dos dois componentes a serem medidos implica no fato de que o canal 1 apresenta uma medida acima da referência e o canal 2 uma medida abaixo da referência. SENAI 41 .

x = 360 . pode-se elaborar uma regra de três: 6 divisões 1 divisão 360 6 → → 360o x 6 . Por exemplo: vamos supor que um ciclo da senóide de tensão ocupe 6 divisões horizontais da tela. Como um ciclo completo de CA corresponde a 360o. As divisões horizontais da tela podem ser usadas para determinar o ângulo de defasagem. a corrente está 60o atrasada com relação à tensão. 1 x= x = 36o A senóide de corrente da figura está atrasada uma divisão. no máximo. neste caso. O valor do resistor deve ser de.Eletrônica II O mesmo processo pode ser usado para determinar a relação de fase entre tensão e corrente em componentes como o capacitor. 10% do valor da reatância capacitiva do capacitor. 42 SENAI . Portanto.

SENAI 43 .4 divisões → 4 . Abaixo estão algumas figuras de Lissajous. 0. desligando a varredura horizontal interna.Eletrônica II A figura a seguir mostra outro exemplo de determinação do ângulo de fase através das divisões horizontais da tela do osciloscópio.4 x= 360 4 x = 90o Medição do ângulo de fase por figuras de Lissajous Figuras de Lissajous é o nome dado às figuras que aparecem na tela do osciloscópio quando se aplicam sinais às entradas vertical e horizontal do osciloscópio. x = 360 . 4 divisões → 360o x 0.

44 SENAI . Para obter a leitura correta do ângulo de fase. o sinal aplicado no vertical deve ocasionar a mesma amplitude de deflexão na tela que o horizontal. e a figura deve estar centrada na tela. ocorre a formação de uma figura de Lissajous na tela. O resistor R no circuito converte as variações de corrente em variações de tensão. Após a colocação dos dois sinais. em número de quadros. mantendo-se a chave de varredura horizontal na posição "externa". os dois sinais de mesma freqüência são aplicados às entradas vertical e horizontal. Conexão do Osciloscópio ao Circuito Para determinar o ângulo de fase.Eletrônica II Através das figuras de Lissajous é possível determinar a relação de fase entre duas CA’s de mesma freqüência usando um osciloscópio de traço simples.

Uma vez concentrada a figura. SENAI 45 .arc sen Yθ . Y0 e Ymax são as leituras da tela. torna-se necessário atuar no controle da amplitude vertical ou horizontal para realizar o ajuste. Ymax Convenção: θ é o ângulo de defasagem. • Y0 é o valor de Y quando o eixo x vale zero. Observação Através das figuras de Lissajous. Observações • Ymax é o valor de pico máximo da figura no eixo Y em relação ao eixo x. e arc sen é a função arco sen θ. determinam-se dois valores: Ymax e Y0 que é a intersecção da figura com o eixo Y. porque isso depende da ordem de ligação dos sinais no osciloscópio. De posse dos dois valores. determina-se o ângulo de fase a partir da equação θ . não é possível determinar qual é o sinal adiantado ou atrasado.Eletrônica II Em geral.

71 50° 0.75 θ ≅ 50° (sen 50° = 0.77 60° 0.77 da tabela).17 20° 0.94 80° 0. Ângulo (θ) Seno (θ) Exemplo: 0° 0 10° 0.5 40° 0. 46 SENAI .1 2.64 45° 0.87 70° 0.34 30° 0.8 θ = arc sen 0.Eletrônica II A seguir está uma tabela de senos e um exemplo de determinação do ângulo de fase por figura de Lissajous.98 90° 1 θ = arc sen θ = arc sen Y0 Ymax 2.

0 3.2 θ = arc sen 0. Responda: a) Quais grandezas elétricas podem ser medidas por um osciloscópio? b) O que define se a medição de tensão é negativa ou positiva? c) Quais as etapas para medição de tensão alternada? d) Qual é a utilização das figuras de Lissajous? SENAI 47 .94 θ = 70° Observação Quando se obtém um círculo perfeito a defasagem é de 90° . Y0 Logo. sen = sen 1 = 90° Ymax Exercícios 1. pois Y0 = Ymax.Eletrônica II θ = arc sen Y0 Ymax θ = arc sen 3.

) Determinar o período. ) Calcular o cosseno do ângulo. ) Usar a chave de seleção do modo de entrada em CC ou CA.Eletrônica II 2. Medição de tensão contínua d. Relacione a segunda coluna com a primeira. Medição do ângulo de fase I/E ( ( ( ( ( ) Usar uma entrada com inversão. Medição de tensão alternada c. a. 48 SENAI . ) Usar a chave de seleção do modo de entrada em CC. Medição da freqüência b.

• faixa de freqüência. É um equipamento que fornece tensões elétricas com diversas formas de onda chamadas de sinais elétricos. é necessário que você conheça corrente alternada e resistência interna. O presente capítulo vai tratar do gerador de funções e mostrar o modo correto de operar esse equipamento. Tipos de sinais fornecidos SENAI 49 . • tensão máxima de pico-a-pico na saída. Gerador de funções O gerador de funções é utilizado para calibrar e reparar circuitos eletrônicos. Características do gerador de funções As características fundamentais dos geradores de funções são: • tipos de sinais fornecidos. utilizado com freqüência na manutenção de equipamentos de som e imagem. • impedância de saída. o técnico de eletroeletrônica enfrenta situações em que é preciso usar equipamentos que o ajudem a descobrir e a corrigir defeitos em aparelhos. com amplitudes e freqüências variáveis. Para desenvolver os conteúdos e atividades desta lição.Eletrônica II Gerador de Funções No trabalho de manutenção. O gerador de funções é um destes equipamentos.

Tensão máxima de pico-a-pico na saída A tensão máxima de pico-a-pico é o valor máximo de amplitude do sinal que o gerador pode fornecer. para circuitos transistorizados. Os manuais dos fabricantes informam a faixa de freqüência que o equipamento pode fornecer. Faixa de freqüência Dependendo da marca e do modelo. Impedância de saída A impedância de saída é a impedância que o gerador apresenta entre os terminais de saída. 50 SENAI . fornecidos pelo gerador. para circuitos a válvula. o gerador de funções fornece sinais em uma freqüência que vai de 1 Hz a vários MHz. Geralmente. sua impedância é de 600 Ω. Dentre os tipos de sinais mais comuns. • média impedância de saída. temos os que se apresentam as formas de ondas senoidal.Eletrônica II Os sinais variam de modelo para modelo. de 1Hz a 20 kHz. Por exemplo. quadrada e triangular. Os geradores podem ser de: • alta impedância de saída.

Dispositivos de controle O painel do gerador de sinal tem uma série de dispositivos de controle que servem para ajustar o equipamento de acordo com o trabalho a realizar.Eletrônica II • baixa impedância de saída. porque isso permite obter a máxima transferência de potência entre gerador e carga. para trabalhos em circuitos digitais. O valor indicado no dial deve ser multiplicado pela faixa de frequência previamente ajustada pela chave seletora de faixa de frequência. com o painel de controles em destaque. chave seletora de faixa de freqüência ou multiplicador. É importante conhecer as características do gerador de funções. presente em geradores que fornecem valores de freqüência em ampla faixa como. chave liga-desliga que serve para ligar e desligar o equipamento. SENAI 51 . 4. por exemplo. de 100 Hz a 1000 Hz. de 10Hz a 100kHz. 3. Observe na figura a seguir um modelo de gerador de funções. chave seletora de sinal ou função que seleciona a forma de onda do sinal de saída. Em geral. por exemplo. 2. permitindo escolher a faixa de freqüência desejada como. Esse seletor possui diversas posições. liga desliga No gerador de funções são comuns os seguintes dispositivos de controle: 1. controle de freqüência fornecida ou DIAL: é um controle acoplado a uma escala que permite estabelecer o ajuste da freqüência do sinal fornecido pelo gerador dentro dos limites definidos pelo seletor da faixa de operação. sua impedância de saída fica em torno de 50 Ω.

quando o gerador fornece corrente ao circuito. O efeito é semelhante à queda de tensão que ocorre em pilhas e baterias devido a suas resistências internas. controle de nível de saída ou amplitude: serve para ajustar a amplitude (pico-apico) do sinal de saída. em série com a saída. 52 SENAI . Tal redução se deve ao fato de que a impedância interna provoca uma queda de tensão. Esta impedância interna produz um efeito semelhante ao de uma resistência elétrica colocada no interior do aparelho. Assim como em pilhas e baterias. a amplitude do sinal sofre uma redução quando a carga é ligada. é preciso consultar o manual do fabricante. Devido a essa resistência. Influência da carga na amplitude do sinal O gerador de funções apresenta uma impedância interna. Existem geradores de funções mais sofisticados que dispõem de outros controles. Observação Para uma correta compreensão dos controles adicionais. essa impedância de saída do gerador pode ser representada com um resistor em série com os bornes de saída.Eletrônica II 5.

haverá uma maior redução na amplitude do sinal de saída. com máxima transferência de potência. Casamento de impedância Para obter a máxima transferência de potência gerador-carga. sempre que se utilizar o gerador de funções. Por essa razão. Portanto. maior será a corrente fornecida pelo gerador e maior será também a queda de tensão interna no gerador. a impedância de saída do gerador deve ser a mais próxima possível da impedância da carga.Eletrônica II Quanto maior for a carga a ser alimentada. SENAI 53 . o nível de saída deve ser ajustado com a carga conectada. Observe na figura que segue uma situação ideal de casamento de impedância.

54 SENAI . 4. 2. 3. Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a utilidade do gerador de funções? b) Cite duas características de um gerador de funções. 5. liga desliga 1.Eletrônica II Exercícios 1. c) Quais tipos de sinais são fornecidos por geradores de funções? 2. Nomeie os dispositivos de controle solicitados.

ou seja. materiais condutores e isolantes. aqueles que transformam CA em CC. o material formado pode se tornar condutor ou isolante.Eletrônica II Diodo Semicondutor A eletrônica se desenvolveu espantosamente nas últimas décadas. SENAI 55 . Materiais semicondutores Materiais semicondutores são aqueles que apresentam características de isolante ou de condutor. cada vez mais sofisticados. visando fornecer os conhecimentos indispensáveis para o entendimento dos circuitos que transformam CA em CC. simplificando o projeto e a construção de novos aparelhos. Dois exemplos bastante conhecidos de materiais formados por átomos de carbono são o diamante e o grafite. O exemplo típico do material semicondutor é o carbono (C). Dependendo da forma como os átomos se interligam. circuitos retificadores. Um dos fatos que contribuiu de forma marcante para esta evolução foi a descoberta e a aplicação dos materiais semicondutores. O primeiro componente fabricado com materiais semicondutores foi o diodo semicondutor que é utilizado até hoje para o entendimento dos circuitos retificadores. dependendo da forma como se apresenta sua estrutura química. Para ter sucesso no desenvolvimento desses conteúdos. A cada dia. Este capítulo tratará do diodo semicondutor. ou seja. novos componentes são colocados no mercado. você já deverá ter conhecimentos relativos a corrente elétrica.

56 SENAI . Nesse tipo de ligação.Eletrônica II O diamante é um material de grande dureza que se forma pelo arranjo de átomos de carbono em forma de estrutura cristalina. Veja na figura a seguir a representação esquemática de dois átomos (silício e germânio) que dão origem a materiais semicondutores. Isso faz com que cada elétron pertença simultaneamente a dois átomos. Estrutura química dos materiais semicondutores Os materiais considerados semicondutores se caracterizam por serem constituídos de átomos que têm quatro elétrons (tetravalentes) na camada de valência. É eletricamente isolante. cada átomo se combina com quatro outros. Átomo de germânio Os átomos que têm quatro elétrons na última camada têm tendência a se agruparem segundo uma formação cristalina. É condutor de eletricidade. O grafite é um material que se forma pelo arranjo de átomos de carbono em forma triangular.

A dopagem. O silício e o germânio puros são materiais semicondutores com características isolantes quando agrupados em forma de cristal. Dos cinco elétrons externos do fósforo. Por isso. SENAI 57 . como o fósforo (P). compostas unicamente por ligações covalentes. As ligações covalentes se caracterizam por manter os elétrons fortemente ligados em dois núcleos associados. na estrutura. por exemplo. O quinto elétron do fósforo não forma ligação covalente porque não encontra. que é realizada em laboratórios. Esses átomos estranhos a estrutura cristalina são denominados impurezas. introduz no interior da estrutura de um cristal uma quantidade controlada de uma determinada impureza para transformar essa estrutura num condutor. adquirem características de isolação elétrica. A forma como o cristal conduzirá a corrente elétrica e a sua condutibilidade dependem do tipo de impureza utilizado e da quantidade de impureza aplicada. um elétron que possibilite essa formação. Isso possibilita a formação covalente. apenas quatro encontram um par no cristal. as estruturas cristalinas puras. Cristal N Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de átomos com mais de quatro elétrons na última camada. Dopagem A dopagem é o processo químico que tem por finalidade introduzir átomos estranhos (impureza) na estrutura cristalina de uma substância pura como o germânio e o silício.Eletrônica II Esse tipo de ligação química é denominado de ligação covalente. forma-se uma nova estrutura cristalina denominada cristal N. que é pentavalente.

embora o material tenha sido dopado. constituindo-se um portador livre de carga elétrica. Nesse cristal. cada átomo de impureza fornece um elétron livre dentro da estrutura. Veja representação esquemática a seguir. Cristal P 58 SENAI . Observe que o cristal N conduz a corrente elétrica independentemente da polaridade da bateria. seu número total de elétrons e prótons é igual. Esse elétron isolado tem a característica de se libertar facilmente do átomo e de vagar livremente dentro da estrutura do cristal. de forma que o material continua eletricamente neutro. a corrente elétrica é conduzida no seu interior por cargas negativas. É importante notar que.Eletrônica II No cristal semicondutor.

Esse movimento pode ser facilmente observado quando se analisa a condução de corrente elétrica passo a passo. e força a criação de outra lacuna atrás de si. Quando se aplica uma diferença de potencial aos extremos de um cristal P. no processo de dopagem. trivalentes. é a ausência de uma carga negativa. As lacunas se movimentam na banda de valência dos átomos e os elétrons livres que as preenchem movimentam-se na banda de condução. O átomo de índio (In) é um exemplo desse tipo de material.Eletrônica II A utilização de átomos com três elétrons na última camada. Observações • A banda de valência é a camada externa da eletrosfera na qual os elétrons estão fracamente ligados ao núcleo do átomo. Quando os átomos de índio são colocados na estrutura do cristal puro. Os cristais dopados com átomos trivalentes são chamados cristais P porque a condução da corrente elétrica no seu interior acontece pela movimentação das lacunas. ou seja. verifica-se a falta de um elétron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma covalente. uma lacuna é ocupada por um elétron que se movimenta. A lacuna é preenchida por outro elétron gerando nova lacuna até que esta seja preenchida por um elétron proveniente da fonte. Veja figura a seguir na qual a lacuna está representada por uma carga positiva. que. na verdade. Essa ausência de elétron é chamada de lacuna. SENAI 59 . dá origem à estrutura chamada de cristal P.

isoladamente. conduzem a corrente elétrica qualquer que seja a polaridade de tensão aplicada às suas extremidades. 60 SENAI . os cristais P e N. In A condução de corrente por lacunas no cristal P independe da polaridade da fonte de tensão.Eletrônica II • Banda de condução é a região da eletrosfera na qual se movimentam os elétrons livres que deixaram a banda de valência quando receberam uma certa quantidade de energia. Eles são: • • a intensidade da dopagem e a temperatura. Os cristais P e N são a matéria prima para a fabricação dos componentes eletrônicos modernos tais como diodos. transistores e circuitos integrados. Condutibilidade dos materiais semicondutores Há dois fatores que influenciam a condutibilidade dos materiais semicondutores. Assim.

Essa faixa está localizada entre as bandas de valência e condução. a energia térmica adicional faz com que algumas ligações covalentes da estrutura se desfaçam. Cada ligação covalente que se desfaz pelo aumento da temperatura permite o aparecimento de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal. Quando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura cristalina é controlada. Assim. o comportamento de qualquer componente eletrônico fabricado com materiais semicondutores depende diretamente de sua temperatura de trabalho. SENAI 61 . permitindo a circulação de correntes maiores no cristal. Temperatura Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta.Eletrônica II Intensidade da dopagem Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentar maior condutibilidade porque sua estrutura apresenta um número maior de portadores livres. A presença de um maior número de portadores aumenta a condutibilidade do material. a banda proibida pode ser reduzida a uma largura desejada. Essa dependência é denominada de dependência térmica e constitui-se de fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos com esse tipo de componente.

nos eliminadores de pilhas ou fonte CC. de acordo com a norma NBR 12526. A seguir estão representadas duas delas: • • o símbolo do diodo impresso sobre o corpo do componente. barra impressa em torno do corpo do componente. O terminal da seta representa um material P e é chamado de anodo e o terminal da barra representa um material N e é chamado de catodo. indicando o catodo. A ilustração a seguir mostra o símbolo do diodo. A identificação dos terminais (anodo e catodo) no componente pode aparecer de diversas formas. Uma das aplicações mais comuns do diodo é na transformação de corrente alternada em corrente contínua como.Eletrônica II Diodo semicondutor O diodo semicondutor é um componente que se comporta como condutor ou isolante elétrico. 62 SENAI . dependendo da forma como a tensão é aplicada aos seus terminais. por exemplo.

Essas pastilhas são unidas através de aquecimento. uma região na qual não existem portadores de carga porque estão todos recombinados. Assim. Por essa razão o diodo semicondutor também é denominado de diodo de junção PN. neutralizando-se.3 V e nos de silício (Si). alguns elétrons livres saem do material N e passam para o material P onde se recombinam com as lacunas das proximidades. Os elétrons que se movimentam do material N para o material P geram um pequeno potencial elétrico negativo. SENAI 63 . O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para a material N e se recombinam com os elétrons livres.7 V. formando uma junção entre elas. forma-se na junção. Nos diodos de germânio (Ge). No funcionamento do diodo. aproximadamente 0. ocorre um processo de acomodação química entre os cristais. A tensão proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo depende do material utilizado na sua fabricação. As lacunas que se movimentam para o material N geram um pequeno potencial elétrico positivo. Esta região é denominada de região de depleção. Como conseqüência da passagem de cargas de um cristal para o outro. Na região da junção. Após a junção das pastilhas que formam o diodo. Esse desequilíbrio elétrico é denominado de barreira de potencial. a barreira tem aproximadamente 0. esta barreira se comporta como uma pequena bateria dentro do componente. cria-se um desequilíbrio elétrico na região da junção.Eletrônica II Junção PN O diodo se constitui da junção de duas pastilhas de material semicondutor: uma de material N e outra de material P.

o pólo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direção ao pólo negativo. Na polarização direta. 64 SENAI . ou seja. A polarização é direta quando a tensão positiva é aplicada ao material P (anodo) e a tensão negativa ao material N (catodo). A tensão pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes. uma vez que não foram acrescentados nem retirados portadores dos cristais. Nesta condição. as forças de atração e repulsão provocadas pela bateria externa permitem aos portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar a região com ausência de portadores. Se a tensão da bateria externa é maior que a tensão da barreira de potencial. existe na junção um fluxo de portadores livres dentro do diodo. Polarização do diodo A aplicação de tensão sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. O diodo continua neutro. enquanto os elétrons livres são repelidos pelo pólo negativo em direção ao pólo positivo.Eletrônica II Observação • • Não é possível medir a tensão da barreira de potencial utilizando um voltímetro nos terminais de um diodo porque essa tensão existe apenas dentro do componente. a barreira de potencial. denominadas tecnicamente de polarização direta e polarização inversa.

Eletrônica II A polarização direta faz com que o diodo permita a circulação de corrente elétrica no circuito através do movimento dos portadores livres. Assim. SENAI 65 . quando o diodo está polarizado diretamente. diz-se que o diodo está em condução. A polarização é inversa quando a tensão positiva é aplicada no material N (catodo) e a negativa no material P (anodo).

Eletrônica II Nesta situação. a polarização inversa faz com que o diodo impeça a circulação de corrente no circuito elétrico. impedindo completamente a passagem da corrente elétrica. Características de condução e bloqueio do diodo semicondutor Nas condições de condução e bloqueio. quando em bloqueio (polarização inversa). Isso provoca um alargamento da região de depleção porque os portadores são afastados da junção. Como não existe fluxo de portadores através da junção. • • quando em condução (polarização direta) conduzisse a corrente elétrica sem apresentar resistência. 66 SENAI . os portadores livres de cada cristal são atraídos pelos potenciais da bateria para as extremidades do diodo. ou um interruptor aberto. isto é. seria ideal que o diodo apresentasse características especiais. diz-se que o diodo está em bloqueio. Nesse caso. ele se comportasse como um isolante perfeito. comportando-se como um interruptor fechado.

Um circuito equivalente do diodo real em condução apresenta os elementos que simbolizam a barreira de potencial e a resistência interna. A barreira de potencial. 1 Ω ). por exemplo. Na condução. devido às imperfeições do processo de purificação dos cristais semicondutores para a fabricação dos componentes. a tensão e a resistência externa ao diodo são tão grandes se comparadas com os valores do diodo. Na maioria dos casos em que o diodo é usado. sem provocar erros significativos. O valor dessa resistência interna é geralmente menor que 1 Ω nos diodos em condução. SENAI 67 .Eletrônica II Todavia. é possível considerar o diodo real igual ao diodo ideal no que diz respeito à condução. essas características de condução e bloqueio ficam distantes das ideais. A resistência interna faz com que o cristal dopado não seja um condutor perfeito. que a diferença entre eles se torna desprezível. Assim. as tensões e resistências externas do circuito são muito maiores que os valores internos do diodo (0. faz com que o diodo entre em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão da bateria atinge um valor maior que a tensão interna da barreira de potencial.7 V. No circuito a seguir. presente na junção dos cristais. dois fatores influenciam nessas características: a barreira de potencial e a resistência interna.

a V 49.53 % (desprezível face à tolerância do resistor). correspondente a 1.0333 . 68 SENAI .0328 A = = 0.3 V 50 I= I= = = 0.0333 A R 1501 R 1500 resistência inversa do diodo pode ser desprezada na análise da grande maioria dos circuitos. devido à presença de portadores minoritários (impurezas) resultantes da purificação imperfeita. o diodo real não é capaz de impedir totalmente a existência de corrente no sentido inverso.0328 = 0.0. Como essa corrente é muito pequena se comparada com a corrente de condução.0005 A. Na condição de bloqueio. Essa corrente inversa é chamada de corrente de fuga e é da ordem de alguns microampères. O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta característica.Eletrônica II Erro = 0.

Devido à existência da barreira de potencial e da resistência interna. SENAI 69 . a corrente do circuito circula no cristal.Eletrônica II Curva característica O comportamento dos componentes eletrônicos é expresso através de uma curva característica que permite determinar a condição de funcionamento do componente em um grande número de situações. Região de condução Durante a condução. aparece um pequeno valor de tensão sobre o diodo. A curva característica do diodo mostra seu comportamento na condução e no bloqueio. A curva característica do diodo em condução mostra o comportamento da queda de tensão em função da corrente que flui no circuito.

7 V (no caso do silício). 70 SENAI . Isso é conseqüência da oposição ao fluxo de cargas feita pela barreira de potencial. o diodo semicondutor não atua como isolante perfeito e permite a circulação de uma corrente de fuga da ordem de microampères. Ela mostra também que enquanto o diodo está abaixo de 0. Região de bloqueio No bloqueio. a região típica de funcionamento dos diodos fica acima da tensão característica de condução. Por isso. a corrente circulante é muito pequena (região C da curva).Eletrônica II A curva característica de condução mostra que a tensão no diodo sofre um pequeno aumento quando a corrente aumenta. Essa corrente aumenta à medida que a tensão inversa sobre o diodo aumenta.

as características de corrente máxima (IF) de dois diodos comerciais. Veja a seguir. do inglês "intensity forward"). O valor característico de VR que cada tipo de diodo suporta sem sofrer ruptura é fornecido pelos fabricantes.0 Quando polarizado inversamente. SENAI 71 . verifica-se que os fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o diodo está conectado são: • • corrente direta nominal (IF. Quando se aplica a um diodo um valor de tensão inversa máxima (VR) maior que o especificado. A corrente direta nominal (IF) de cada tipo de diodo é dada pelo fabricante em folhetos técnicos e representa o valor máximo de corrente que o diodo pode suportar. sem provocar danos em sua estrutura.0 3. tensão inversa máxima (VR. Veja a seguir exemplos de valores característicos de tensão máxima inversa de alguns diodos comerciais. a corrente de fuga aumenta excessivamente e danifica o componente. Analisando o comportamento do diodo em condução e bloqueio. quando polarizado diretamente. toda tensão aplicada ao circuito fica sobre o diodo. do inglês "voltage reverse"). Tipo 1N4001 MR504 IF (A) 1.Eletrônica II Regimes máximos do diodo em CC Os regimes máximos do diodo em CC estabelecem os limites da tensão e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contínua. Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tensão inversa.

Eletrônica II Tipo 1N4001 1N4002 MR504 BY127 VR (V) 50 100 400 800 Reta de carga A reta de carga é uma traçagem sobre a curva característica do diodo com o objetivo de determinar previamente qual será a corrente e tensão no diodo em determinadas condições de trabalho. ou seja. isto é. a tensão da fonte está totalmente sobre o componente. Para traçar a reta de carga de um diodo. 72 SENAI . Desta forma pode-se afirmar que a tensão de corte é igual a tensão da fonte de alimentação do circuito. a corrente que circula pelo diodo quando ele está na região de condução em um determinado circuito. e a corrente de saturação. a que está sobre o diodo quando este estiver na região de bloqueio. deve-se determinar a tensão de corte. Quando o diodo está em corte ou bloqueio.

A corrente de saturação é a corrente do circuito quando o diodo está na região de condução ou saturado. Essa reta é denominada reta de carga. VCC a tensão de alimentação e RL o resistor de carga ou limitador. Desta forma: IS = VCC RL Onde IS é a corrente de saturação. Pode-se determinar a corrente de saturação a partir da lei de Ohm. A partir dos valores de tensão de corte e corrente de saturação.Eletrônica II Logo: VC = VCC Onde VC é tensão de corte e VCC a tensão de alimentação. traça-se uma reta na curva característica do diodo da seguinte forma: a tensão de corte VC é identificada no eixo de tensão VD do gráfico e a corrente de saturação no eixo de corrente ID. SENAI 73 . A corrente que circula no resistor é a corrente de saturação IS e a tensão sobre o resistor é a tensão de alimentação VCC.

Eletrônica II O ponto de encontro entre a reta de carga e a curva do diodo é denominada de ponto de trabalho ou quiescente (Q). 74 SENAI . Projetando este ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico tem-se os valores de corrente e tensão do diodo no circuito.

ID No exemplo a seguir. PD = VD .063 A RL 47 IS = 63 mA SENAI 75 . de corte e corrente de saturação podem ser calculados.Eletrônica II Potência de dissipação A potência de dissipação de um diodo é o valor de potência que ele dissipa em um circuito. VC = VCC VC = 3 V IS = VCC 3 = = 0. serão determinados os valores de tensão corrente e potência no diodo. De acordo com os dados do esquema elétrico os valores da tensão. A partir dos valores de tensão e corrente no diodo é possível determinar a potência de dissipação.

1.Eletrônica II A partir dos valores da tensão de corte e corrente de saturação.100 W ou 100 mW 76 SENAI . PD = ID . Ao projetar o ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico é possível determinar a tensão e a corrente no diodo. ID = 63 mA VD = 1.063 . deve-se traçar a reta de carga. VD PD = 0.6 V A partir desses valores é possível determinar a potência dissipada no diodo.6 PD = 0. O cruzamento da reta de carga com a curva característica do diodo determina o ponto quiescente.

Eletrônica II Exercícios 1. Responda às seguintes perguntas: a) Qual a principal característica de um material semicondutor? b) Quantos átomos de valência deve ter um material semicondutor? c) O que é ligação covalente? d) O que é dopagem? e) Qual a finalidade da impureza em uma estrutura cristalina? 2. Responda: a) O que é barreira de potencial? SENAI 77 .

4. b) Circuito com um diodo polarizado inversamente. Faça o esquema do circuito solicitado: a) Circuito com um diodo polarizado diretamente. 3. Resolva os problemas que seguem: a) Determine os valores de tensão de corte e corrente de saturação em um circuito com diodo. Sabe-se que a tensão de alimentação do circuito é de 12 VCC e o resistor de carga de 220k Ω.Eletrônica II b) É possível medir a tensão da barreira de potencial de um diodo? c) Quais os valores das barreiras de potencial de um diodo de silício e de germânio? d) Cite um exemplo de utilização da curva característica de um diodo. 78 SENAI .

) Cinco elétrons na última camada. Átomo tetravalente ( ( ( ( ( ( ) Quatro elétrons na última camada. a corrente e a potência dissipada no diodo e faça esquema do circuito elétrico. SENAI 79 . Catodo e. ) Três elétrons na camada de valência. determine a tensão. Relacione a segunda coluna com a primeira.Átomo pentavalente d. 5. ) Material tipo N. ) Característica isolante . A fonte que alimenta o circuito é de 2 VCC e o resistor limitador 560 Ω. Átomo trivalente c. ) Três prótons na última camada.Eletrônica II b) De acordo com o gráfico a seguir. Silício ou germânio puro b. a.

80 SENAI . A intensidade da dopagem e a temperatura não influenciam na condutibilidade de um material semicondutor. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O índio é um tipo de material utilizado na dopagem de um cristal P. O cristal N recebe átomos pentavalentes na sua estrutura cristalina.Eletrônica II 6. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. A lacuna é a ausência de elétron na estrutura cristalina. O cristal P conduz somente em um sentido.

O símbolo gráfico do LED é definido pela NBR 12526/92. as lâmpadas de sinalização estão sendo substituídas por esse componente semicondutor capaz de emitir luz. O diodo emissor de luz (LED) é um dos componentes descobertos através dessas pesquisas. muitos estudos têm sido realizados com os materiais semicondutores. em busca de novos componentes. Diodo emissor de luz O diodo emissor de luz ou LED. SENAI 81 . O outro componente foi o diodo zener que veio atender à necessidade de utilização de dispositivos reguladores de tensão surgida com a crescente sofisticação dos equipamentos eletrônicos. na grande maioria dos aparelhos eletrônicos. é um tipo especial de diodo semicondutor que emite luz quando é polarizado diretamente. do inglês light emitting diode.Eletrônica II Diodos Especiais Desde o descobrimento da junção semicondutora PN. e está apresentado a seguir. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades aqui apresentados. O presente capítulo tratará do LED e do diodo zener. curvas características e à polarização dos diodos semicondutores. Atualmente. é necessário ter conhecimentos relativos a diodo semicondutor.

82 SENAI . o gálio (Ga). Há LEDs que emitem luz invisível ao olho humano. que são as mais comuns.Eletrônica II O LED é fabricado com uma combinação de elementos como o arsênio (AS). Outros emitem duas cores diferentes. amarela ou verde. Um dos terminais é comum aos dois LEDs. Dependendo da quantidade de fósforo depositada. Para que o componente irradie a cor desejada. basta polarizar diretamente o LED dessa cor. embora também possam ser encontrados os LEDs que irradiam luz laranja ou azul. que formam o arseneto de gálio e o fósforo (P). São os LEDs bicolores que consistem de dois LEDs de cores diferentes encapsulados dentro de uma mesma cápsula de três terminais. ou seja. eles poderão irradiar luz visível vermelha. a luz infravermelha e a luz ultravioleta.

Funcionamento Quando o LED é polarizado diretamente. alta resistência a vibrações. Isso permite a circulação da corrente que se processa pela liberação dos portadores livres na estrutura dos cristais. SENAI 83 . grande durabilidade. tamanho reduzido. O LED apresenta as seguintes vantagens: • • • • • pequena tensão de alimentação (2 V) e baixo consumo (20 mA). entra em condução. Veja alguns exemplos na ilustração a seguir. O catodo do LED é identificado por um "corte" (ou chanfro) na base do encapsulamento. ou pelo terminal menor.Eletrônica II Os LEDs são encontrados nas mais diversas formas e dimensões. nenhum aquecimento.

é um valor de corrente de condução indicado pelo fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso ótimo e que. IF. corresponde a 20 mA. A corrente direta nominal. emissão de fótons em forma de luz. Esse efeito ocorre principalmente quando o tamanho da banda proibida é igual ao comprimento de onda (λ) da luz emitida. corrente direta nominal (IF). tensão direta nominal (VF). A corrente direta máxima expressa pela notação IFM. normalmente. tensão inversa máxima (VR). ou seja. Observação A banda proibida é a região da ligação covalente entre uma camada de valência e outra. 84 SENAI . Características dos LEDs Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos semicondutores a saber: • • • • corrente direta máxima (IFM). é o parâmetro que define a corrente máxima de condução do LED sem prejuízo para sua estrutura.Eletrônica II O deslocamento de portadores da banda de condução provoca a liberação de energia. na qual não há elétrons livres.

na prática. ela é pequena. A tabela a seguir mostra características de alguns LEDs.4 IFn (mA) 50 60 60 * O valor de VF é obtido com IF = 20 MA. é a especificação que determina o valor de tensão máxima que o LED suporta no sentido inverso sem sofrer ruptura. Portanto. Nos LEDs.4 2. só trabalham com polarização direta. é a especificação que define a queda de tensão típica do diodo no sentido da condução.7 2.Eletrônica II A tensão direta nominal representada por. da ordem de 5 V. VF. SENAI 85 . porque esses componentes não são usados em retificação e sim para emitir luz. A queda da tensão nominal ocorre no componente quando a corrente direta tem valor nominal (IF). Para valores de corrente direta diferentes do valor nominal (IF). a tensão direta de condução sofre pequenas modificações de valor. A tensão inversa máxima. LED FLV 110 LD 37I LD 35I Cor vermelho verde amarelo VF (V)* 1. representada pela notação VR.

VCC é a tensão de saída da fonte. e IF é a corrente nominal de condução do LED Tomando-se como exemplo a fonte retificadora do esquema apresentado e os valores do LED FLV 110 e a tensão da saída da fonte como sendo 10 V. VF é a tensão nominal de condução do LED. A figura a seguir apresenta um circuito retificador de onda completa com um led para indicar a existência de tensão na saída. O valor do resistor limitador é dado por: R= VCC − VF IF Onde. por 86 SENAI .Eletrônica II Utilização do LED em CC A utilização do LED em corrente contínua exige a fixação de sua corrente direta nominal (IF). A limitação da corrente pode ser feita através de um resistor.

Veja os dois tipos de zener nas ilustrações a seguir. A norma NBR 12526/92 define seu símbolo gráfico conforme ilustração a seguir. SENAI 87 .5 W. A potência do resistor seria aproximadamente: PR = VR . A sua capacidade de regulação de tensão é empregada principalmente nas fontes de alimentação de modo a fornecer uma tensão de saída fixa. 0.7). IR = (10 – 1. Os diodos zener de pequena potência podem ser encontrados em encapsulamento de vidro ou de plástico enquanto os de maior potência são geralmente metálicos para facilitar a dissipação de calor.Eletrônica II exemplo. = = 415Ω IF 0. Diodo zener O diodo zener é um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tensão.02 = 166 mW Para trabalhar a frio: PR = 0.02 Ou seja. R = 390 Ω ou 470 Ω (em valores comerciais padronizados). o valor do resistor seria: R= VCC − VF 10 − 1 7 .

Observação Normalmente o diodo zener não é usado com polarização direta nos circuitos eletrônicos. Na polarização inversa. uma pequena corrente de fuga circula no diodo zener. A corrente inversa aumenta rapidamente e a tensão sobre o zener se mantém praticamente constante. até um determinado valor de tensão inversa. ficando em bloqueio. 88 SENAI . o diodo zener entra subitamente em condução. Nesse bloqueio. o diodo zener se comporta da mesma forma que um diodo semicondutor ou retificador. Com polarização direta. entrando em condução e assumindo uma queda de tensão típica. apesar de estar polarizado inversamente.Eletrônica II Comportamento do diodo zener O comportamento do diodo zener depende fundamentalmente da forma como ele é polarizado. Em um determinado valor de tensão inversa. tal como no diodo convencional. o diodo zener se comporta como um diodo comum.

um diodo retificador nunca chega a conduzir intensamente no sentido inverso. a tensão sobre seus terminais se mantém praticamente no valor da tensão zener. Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo zener.Eletrônica II O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é denominado de tensão zener (VZ). É importante observar que no sentido inverso. SENAI 89 . ou seja. Se isso acontecer. o diodo zener difere do diodo semicondutor retificador convencional. o diodo estará em curto e danificado.

pode-se determinar a corrente máxima que o zener pode suportar. IZ Os diodos zener são fabricados para determinados valores de potência de dissipação que determinam a dissipação máxima que o componente pode suportar. o diodo zener fica com o valor de tensão zener sobre seus terminais. esse diodo apresenta a tensão zener em seus terminais e é percorrido por uma corrente inversa. Tensão zener A tensão zener ou tensão de ruptura depende do processo de fabricação e da resistividade da junção semicondutora. Esses valores são fornecidos pelo fabricante. Durante a ruptura. tolerância. potência zener. Na curva de ruptura. Características do diodo zener As características elétricas importantes do diodo zener são: • • • • tensão zener. ou seja: PZ = VZ . ou seja: IZMÁX = PZMÁX VZ 90 SENAI . Potência zener A potência zener é a potência dissipada pelo diodo em condições normais de funcionamento. Utilizando os valores de tensão zener e potência zener máxima. por sua vez. A potência zener é dada pelo produto da tensão e corrente. sem que isso danifique o componente. é levado propositadamente a conduzir no sentido inverso para que uma tensão zener constante seja obtida em seus terminais. coeficiente de temperatura.Eletrônica II O diodo zener. Esses valores são fornecidos pelos fabricantes nos catálogos técnicos.

a tensão zener se modifica com a variação da temperatura do componente. mV/o C. A influência dessa variação é expressa sob a forma de relação entre tensão e temperatura e define em quantos milivolts a tensão se modifica para cada grau centígrado de alteração da temperatura do componente. Por isso. A região de funcionamento do zener é determinada por dois valores de corrente porque sua tensão inversa é constante. Devido a uma diferença no princípio de funcionamento interno. os diodos zener são divididos em dois grupos: • até 5 V: a tensão sobre o zener diminui com o aumento da temperatura (-mV/oC). ou seja: IZ min = IZ max PZ max = 10 10 VZ Coeficiente de temperatura O desempenho dos componentes fabricados com materiais semicondutores sofre influência da temperatura (dependência térmica).Eletrônica II Observação Esse valor de corrente zener máxima não pode ser excedido sob pena de danificar o diodo por excesso de aquecimento. Esses valores são: IZmax e IZmin. ou seja. O valor de IZmax é definido pela potência zener: IZ max = PZ max VZ O valor de IZmin corresponde a 10% do valor de IZmax. acima de 5 V: a tensão sobre o zener aumenta com o aumento da temperatura (+mV/oC). SENAI • 91 .

Tolerância A tolerância do diodo zener refere-se à variação que pode existir entre o valor especificado e o valor real de tensão inversa do diodo zener.5 V. Observação Os valores de tensão zener fornecidos pelos fabricantes são válidos à temperatura de 25oC. de 9. Para especificar a tolerância. mantém a tensão absolutamente constante independentemente da corrente circulante.5 a 10. a designação do diodo vem sem letra no final: 1N4733. em condução inversa. Diodo zener ideal x real A característica fundamental do diodo zener é manter uma tensão constante sobre seus terminais quando colocado em condução no sentido inverso. por exemplo. a designação do diodo vem acompanhada pela letra A: 1N4742 A. os fabricantes utilizam diversos códigos. Por exemplo: • • para tolerância de 5 %.Eletrônica II As curvas características a seguir exemplificam a dependência térmica dos dois grupos de diodos zener. O diodo zener ideal é aquele que. Isso significa que um diodo zener de 10 V ± 5% pode ter uma tensão inversa real. para tolerância de 10%. 92 SENAI .

quando se considera que a variação em VZ é muito pequena. o diodo zener pode ser considerado como ideal na maioria das aplicações. a tensão sobre seus terminais sofrem uma pequena variação quando a corrente inversa se modifica. Assim.Eletrônica II Entretanto. tensão e resistência em um dispositivo: I= V R SENAI 93 . o diodo zener não é um componente ideal. Relação entre corrente e resistência no diodo zener A lei de Ohm define a relação entre corrente. Porém.

Se a corrente no diodo zener aumenta. RZ Na equação acima.Eletrônica II Como no diodo zener a tensão é constante. a corrente e a resistência zener são inversamente proporcionais: quando uma aumenta. c) De que forma é possível a emissão de duas cores por um só LED? 94 SENAI . a outra diminui na mesma proporção. Assim. temos: VZ = IZ . o produto “I . sua resistência diminui na mesma proporção ou vice-versa: IZ . na região de ruptura. Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a principal função de um LED? b) Cite três vantagens na utilização do LED. Exercícios 1. sua resistência aumenta para que o produto (tensão) se mantenha constante: IZ ⋅ RZ = VZ Assim. para que a tensão seja constante no zener. R” deve ser constante. a relação fica resumida à corrente e resistência. se a corrente no diodo . RZ = VZ Da mesma forma.

Dados: IF = 20 mA.Eletrônica II 1. VCC = 20 V VF = 1. Responda a) Qual a principal função do diodo zener? b) Como o diodo zener se comporta na polarização direta? c) O que difere um diodo semicondutor de um diodo zener? d) Cite as características elétricas importantes do diodo zener. Faça os símbolos gráficos dos componentes solicitados. Resolva os seguintes exercícios: a) Faça o esquema elétrico do circuito e especifique o resistor necessário para limitar a corrente de um led de sinalização.7 V 3. 2. a) LED SENAI 95 .

7 V. Um diodo retificador em bom estado conduz intensamente no sentido inverso. ) Valor da queda de tensão admissível. quando em condução. ) Corrente máxima de condução. o diodo pode ser considerado como ideal. 6. quando a tensão VD é superior a 0. Relacione a segunda coluna com a primeira. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é denominado de tensão zener. VFM. VF. 96 SENAI .Eletrônica II b) Diodo zener 4. ) Corrente direta nominal. A característica fundamental do diodo zener é manter uma corrente constante em seus terminais. IF. Quando a variação da tensão zener é de valor considerável. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. a) Corrente direta máxima b) Corrente direta nominal c) Tensão direta nominal d) Tensão inversa máxima ( ( ( ( ( ) Valor de tensão máxima suportada. IFM. VR. A corrente e a resistência zener são inversamente proporcionais. ) Queda de tensão nominal.

Todavia. Para compreendê-lo com mais facilidade. Retificação de meia-onda De todos os circuitos retificadores que existem. Ele permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tensão de entrada de carga e é usado em equipamentos que não exigem tensão contínua pura. Esse circuito é chamado de retificador. a rede elétrica que chega às nossas casas. Assim. Retificação Retificação é o processo de transformação de corrente alternada em corrente contínua. retificação de onda completa. Por seu largo emprego e importância. é necessário conhecer corrente contínua. nos fornece energia elétrica em forma de corrente alternada. como os carregadores de bateria. SENAI 97 . de modo a permitir que equipamentos de corrente contínua sejam alimentados por corrente alternada. para que seja possível alimentar os aparelhos eletrônicos. A retificação ocorre de duas formas: • • retificação de meia onda.Eletrônica II Circuitos Retificadores Todos os aparelhos eletrônicos necessitam de corrente contínua para funcionar. diodo semicondutor e transformadores. os circuitos retificadores serão o assunto deste capítulo. é necessário um circuito que transforme corrente alternada em corrente contínua. o mais simples é o circuito retificador de meia-onda. corrente alternada.

Durante o primeiro semiciclo. O valor do pico de tensão sobre a carga é menor que o valor do pico da tensão de 98 SENAI . Tomemos como exemplo o circuito retificador da figura a seguir. A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada.Eletrônica II Esse circuito utiliza um diodo semicondutor pois suas características de condução e bloqueio são aproveitadas para a obtenção da retificação. Essa polaridade da tensão de entrada coloca o diodo em condução e permite a circulação da corrente. a tensão é positiva no ponto A e negativa em B.

Com o bloqueio do diodo que está funcionando como um interruptor aberto. a tensão de entrada é negativa no ponto A e positiva no ponto B. essa queda de tensão pode ser desprezada porque seu valor é muito pequeno em relação ao valor total do pico de tensão sobre a carga. menores que 10 V. impedindo a circulação da corrente. o diodo está polarizado inversamente. Ela só deve ser considerada quando é aplicado no circuito retificador tensões de baixos valores.2 V em circuitos com diodos de germânio. Isso acontece porque o diodo durante a condução apresenta uma pequena queda de tensão. Na maioria dos casos. a tensão na carga é nula porque não há circulação de corrente SENAI 99 . Observação A queda de tensão (VD) é de 0.7 V em circuitos com diodos de silício e 0. em bloqueio. Durante o segundo semiciclo. Nessa condição.Eletrônica II entrada.

Eletrônica II Os gráficos a seguir ilustram a evolução de um ciclo completo. 100 SENAI .

2 π VCC = ⇒ VCC = SENAI 101 . Quando as tensões de entrada (VCAef) forem superiores a 10 V. é possível observar que a cada ciclo completo da tensão de entrada. ao se conectar um voltímetro de CC na saída de um circuito retificador de meia-onda. pode-se eliminar a queda de tensão do diodo que se torna desprezível. apenas um semiciclo passa para a carga. reescrevendo a equação da seguinte maneira: VP π VCA . Tensão de saída A tensão de saída de uma retificação de meia-onda é contínua. A tensão média na saída é dada pela equação: VCC = VP − VD π Onde: VCC é a tensão contínua média sobre a carga. VP é a tensão de pico da CA aplicada ao circuito (VP = VCA . a tensão indicada pelo instrumento será a média entre os períodos de existência e inexistência de tensão. o valor da tensão CC aplicada sobre a carga fica muito abaixo do valor efetivo da CA aplicada à entrada do circuito. 2 ).7 V). porém pulsante porque nela alternam-se períodos de existência e inexistência de tensão sobre a carga.2 V ou 0. VD é a queda de tensão típica do diodo (0.Eletrônica II Pelos gráficos. Por isso. Assim. enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo.

14 π π ) VCC = 2. ou seja.47 V Corrente de Saída Como na retificação de meia-onda a tensão sobre a carga é pulsante.1. obtém-se 0. 0.47 V 3. a corrente de saída também é pulsante. Logo.45. Assim. 2 − VD (6. Esse valor é determinado a partir dos valores de tensão média e da resistência de carga.41) − 0.45 Exemplo 2 . VCC RL SENAI ICC = 102 .7 = = = 2.Eletrônica II Simplificando os termos VCC = VCA . a corrente de saída é a média entre os períodos de existência e inexistência de corrente. π Dados: VCA = 6 V (menor que 10 V) D1 = diodo retificador de silício VCC = VP − VD (VCA .

SENAI 103 . Inconvenientes A retificação de meia-onda apresenta os seguintes inconvenientes: • • tensão de saída pulsante. • mau aproveitamento da capacidade de transformação nas retificações com transformador porque a corrente circula em apenas um semiciclo. Retificação de onda completa A retificação de onda completa é o processo de conversão de corrente alternada em corrente contínua que aproveita os dois semiciclos da tensão de entrada. baixo rendimento em relação à tensão eficaz de entrada.Eletrônica II Observação O cálculo da corrente média de saída determina os parâmetros para a escolha do diodo que será utilizado no circuito.

Inicialmente. vamos considerar separadamente cada semiciclo da tensão de entrada. considerando-se o terminal central do secundário do transformador como referência. observa-se a formação de duas polaridades opostas nas extremidades das bobinas. as tensões VCD e VED estão defasadas 180º 104 SENAI .Eletrônica II Esse tipo de retificação pode ser realizado de dois modos: • • por meio de um transformador com derivação central (C.) e dois diodos.T. por meio de quatro diodos ligados em ponte. Funcionamento Para explicar o funcionamento desse circuito. Retificação de onda completa com transformador A retificação de onda completa com transformador é o processo de retificação realizado por meio de um circuito com dois diodos e um transformador com derivação central (ou "center tap"). Em relação ao ponto neutro.

Nessa condição. a condição de condução de D1 permite a circulação de corrente através da carga. o diodo D2 está polarizado inversamente e.Eletrônica II Durante o semiciclo positivo de VENT. o ponto C está positivo em relação ao ponto D. há uma inversão da polaridade no secundário do transformador. No ponto A aparece uma tensão positiva de valor máximo igual a VMÁX. Observe que no circuito apresentado. A tensão aplicada à carga é a tensão existente entre o terminal central do secundário e a extremidade superior do transformador (VS1). em corte. em condução. o ponto D está positivo em relação a E. portanto. SENAI 105 . do terminal positivo para o terminal negativo. portanto. Por outro lado. entre os pontos C e E. Nessa condição. o diodo D1 está polarizado diretamente e. No segundo semiciclo.

em corte. o diodo D2 está polarizado diretamente e. o diodo D1 está polarizado inversamente. A corrente que passa por D2 circula pela carga no mesmo sentido que circulou no primeiro semiciclo. portanto. em condução. o ponto D está negativo em relação ao ponto E.Eletrônica II Assim. Por outro lado. o ponto D está positivo em relação a C. portanto. Nessa condição. e. 106 SENAI . Nessa condição.

SENAI 107 . o diodo D2 permanece em condução e a tensão na carga acompanha a tensão da parte inferior do secundário. Durante todo semiciclo analisado.Eletrônica II A tensão aplicada à carga é a tensão da bobina inferior do secundário do transformador (VS2).

Eletrônica II As formas de onda das tensões no circuito são mostradas nos gráficos a seguir. 108 SENAI .

Eletrônica II As formas de onda das correntes são: Analisando um ciclo completo da tensão de entrada. SENAI 109 . um semiciclo da extremidade inferior do secundário através da condução de D2. verifica-se que o circuito retificador entrega dois semiciclos de tensão sobre a carga: • • um semiciclo da extremidade superior do secundário através da condução de D1. Retificação de onda completa em ponte A retificação de onda completa em ponte utiliza quatro diodos e entrega à carga uma onda completa sem que seja necessário utilizar um transformador de derivação central.

verificase que D1 e D3 (em condução) fecham o circuito elétrico. Observe no circuito a seguir. D2 ⇒ catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) .em bloqueio. como a corrente flui no circuito no primeiro ciclo. que não interferem no funcionamento. D3 ⇒ catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) . aplicando a tensão do primeiro semiciclo sobre a carga.em condução. D4 ⇒ anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) .Eletrônica II Funcionamento Considerando a tensão positiva (primeiro semiciclo) no terminal de entrada superior.em condução. Eliminando-se os diodos em bloqueio. 110 SENAI .em bloqueio. teremos as seguintes condições de polarização dos diodos: • • • • D1 ⇒ anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) .

catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) .em condução. D3 . Isso faz a corrente circular na carga no mesmo sentido que no primeiro semiciclo.anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) . SENAI 111 . ocorre uma inversão da polaridade nos terminais de entrada do circuito.em bloqueio.Eletrônica II No segundo semiciclo. obtém-se o circuito elétrico fechado por D2 e D4 que aplica a tensão de entrada sobre a carga. D4 . a polaridade dos diodos apresenta a seguinte configuração: • • • • D1 . Eliminando-se os diodos em bloqueio e substituindo-se os diodos em condução por circuitos equivalentes ideais.em condução.em bloqueio.catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) .anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) . Nessa condição. D2 .

112 SENAI . observa-se a forma como a corrente circula.Recolocando-se os diodos no circuito. Os gráficos a seguir mostram as formas de onda do circuito.

a tensão contínua fornecida por um circuito retificador é pulsante. Ela corresponde a quantas vezes o valor eficaz da componente alternada é maior que a componente contínua sobre a carga.Fator de Ripple Como já vimos. SENAI 113 . ou seja. Isso acontece porque a tensão de saída é resultante da soma de uma componente contínua (VCC) e uma componente alternada (VCA) responsável pela ondulação do sinal. Essa ondulação é denominada de fator de ripple (que significa “ondulação” em inglês). não possui um nível constante no tempo.

Responda às seguintes perguntas: a) O que é retificação? b) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa? c) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa? 114 SENAI . e VCC é o valor da tensão contínua. Exercícios 1. Onde : r é o fator de ripple. o fator de ripple é: r% = 48% Esses dados mostram que a porcentagem de ondulação é muito alta e esse é um dos grandes inconvenientes desse tipo de circuito. Para a retificação de meia-onda. o fator de ripple é: r% = 120% Para a retificação de onda completa.Esse valor é dado por: r= VCAef VCC VCaef é o valor da tensão alternada eficaz.

d) Em um retificador de meia onda o valor da tensão de pico retificada é igual ao valor da tensão de pico da tensão alternada? Justifique a resposta.

e) O que é fator de ripple?

2. Faça os esquemas dos circuitos: a) Circuito retificador de meia onda.

b) Circuito retificador de onda completa com transformador.

c) Circuito retificador de onda completa em ponte.

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3. Resolva os seguintes exercícios: a) Faça o esquema e calcule a tensão VCC na carga, alimentada por um retificador de meia onda. Sabe-se que a tensão alternada VCA é de 9 V.

b) Qual o valor da tensão VCC retificada por um retificador de meia onda. A tensão alternada tem um valor de pico de 4V.

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Circuito Retificador com Filtro

Como já foi visto no capítulo anterior, os circuitos retificadores têm aplicação limitada porque fornecem uma corrente alternada pulsante na saída. Para alimentar equipamentos eletrônicos com tensões contínuas tão puras quanto possível, utilizamse filtros que são acrescentados aos circuitos retificadores. Isso torna a forma de onda na saída da fonte, mais próxima da corrente contínua. A retificação com filtro é o assunto deste capítulo. Nele, serão estudadas as características e funcionamento desse tipo de circuito. Para compreender com facilidade este assunto, é necessário possuir conhecimentos anteriores sobre armazenamento de cargas em capacitores, retificação de meia onda e retificação de onda completa.

Função do filtro As tensões fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda quanto de onda completa são pulsantes. Embora tenham a polaridade definida, essas tensões sofrem constantes variações de valor, pulsando de acordo com a tensão senoidal aplicada ao diodo.

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Nas fontes de alimentação, os filtros têm a função de permitir a obtenção de uma CC mais pura. Isso é obtido colocando-se filtros entre a retificação e a carga. Eles atuam sobre a tensão de saída dos circuitos retificadores aproximando tanto quanto possível a sua forma de onda a uma tensão contínua pura.

A presença de tensão sobre a carga durante todo o tempo, embora com valor variável, proporciona a elevação do valor médio de tensão fornecido.

Capacitor como filtro A capacidade de armazenamento de energia elétrica dos capacitores é utilizada para realizar o processo de filtragem da tensão de saída de circuitos retificadores. O capacitor é conectado diretamente nos terminais de saída do circuito retificador como mostra a figura a seguir.

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Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz, circula corrente através da carga e também no capacitor. Neste período, o capacitor armazena energia.

Nos intervalos de bloqueio do diodo, o capacitor tende a descarregar a energia armazenada nas armaduras. Como não é possível a descarga através da retificação, porque o diodo está em bloqueio, a corrente de descarga se processa pela carga.

A corrente absorvida pela carga é fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo, a tensão do capacitor diminui devido a sua descarga.

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O capacitor permanece descarregado até que o diodo conduza novamente, fazendo uma recarga nas suas armaduras.

Com a colocação do capacitor, a carga passa a receber tensão durante todo o tempo. Isso aumenta o valor da tensão média de saída do circuito retificador.

Retificação de meia onda com filtro a capacitor O circuito a seguir mostra um retificador de meia onda com filtro a capacitor.

Durante o primeiro quarto de ciclo, o capacitor se carrega até o valor máximo da tensão de entrada. Quando a tensão de entrada começa a diminuir, o capacitor deveria se descarregar. Todavia, o diodo não permite a passagem da corrente em sentido contrário. Assim, a carga no capacitor é mantida. Veja gráficos a seguir. 120
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Deve ser observado que o diodo conduz apenas durante o quarto de ciclo inicial. Depois disso, a tensão sobre ele será igual a zero, enquanto que a tensão reversa será o dobro da tensão máxima de entrada. Quando o diodo pára de conduzir, o capacitor se descarrega em R1 de acordo com a constante de tempo R1C. Veja gráfico a seguir.

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td - tempo de descarga do capacitor na carga tc - tempo de carga do capacitor θc - tempo de condução do diodo Observe que td (tempo de carga do capacitor) vai de t2 a t1 quando a tensão no catodo do diodo tende a se tornar menor do que a tensão no anodo. A partir desse instante, o diodo volta a ser diretamente polarizado e, portanto, volta a conduzir, repetindo o processo.

Retificação de onda completa com filtro a capacitor Os circuitos a seguir exemplificam retificadores de onda completa com derivação central e em ponte com filtro a capacitor.

O funcionamento do circuito retificador de onda completa com filtro a capacitor é semelhante ao do retificador de meia onda. A forma de onda obtida é a mostrada no gráfico a seguir.

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Compare nos gráficos a seguir a diferença dos níveis de tensão contínua nos circuitos retificadores já estudados. Os gráficos pertencem a circuitos com a mesma resistência de carga e um mesmo capacitor.

O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação, pois, quanto mais tempo o capacitor levar para descarregar, menor será a tensão em suas armaduras. Por isso, para uma mesma carga e mesmo capacitor de filtro, os circuitos de onda completa têm menor ondulação.

Em onda completa, o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de entrada.

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Tensão de ondulação O capacitor colocado em um circuito retificador está sofrendo sucessivos processos de carga e descarga. Nos períodos de condução do diodo o capacitor sofre carga e sua tensão aumenta, enquanto que, nos períodos de bloqueio se descarrega e a sua tensão diminui, como pode ser observado no gráfico a seguir.

Onde: t1 = Tempo em que o capacitor sofre carga (sua tensão aumenta); t2 = Tempo em que o capacitor se descarrega parcialmente sobre a carga (sua tensão diminui).

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A forma de onda da tensão de saída não chega a ser uma contínua pura, apresentando uma variação entre um valor máximo e um mínimo, essa variação é denominada ondulação ou ripple.

A diferença de tensão entre o valor máximo e mínimo que a ondulação atinge é denominada de tensão de ondulação de pico a pico, representada por VONDPP.

Observação A tensão de ondulação na saída de uma fonte também é denominada de componente alternada. Determinação do capacitor de filtro Devido a grande tolerância de valor dos capacitores eletrolíticos (até 50%), pode-se formular uma equação simplificada para o cálculo do valor do capacitor. A equação é: C = T. IMÁX VONDPP

Onde: C é o capacitor de filtro em F T é o período aproximado de descarga do capacitor, de 16,6 para 60 Hz - meia onda e 8,33ns p/ 60Hz - onda completa; IMÁX é a corrente de carga máxima em mA; VONDPP é a tensão pico a pico de ondulação em volts.
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001245 µF Tensão de isolação Além da capacitância. = C = 1245 F ou 0. Tensão de isolação (capacitor utilizado) 16 V 25 V 40 V 126 SENAI . deve-se determinar também a tensão de isolação do capacitor. Tensão de saída (sobre o capacitor) 12 V 17 V 28 V Outros filtros para retificadores de onda completa A ilustração a seguir mostra um circuito retificador no qual a filtragem é realizada por um capacitor e um indutor. IMÁX VONDPP 16.Eletrônica II Observação Esta equação pode ser usada para cálculo de capacitores de filtros para até 20% de ondulação de pico a pico (fator de ripple).6. Exemplo Determinar um capacitor para ser usado em uma fonte retificadora de meia onda para tensão de saída de 12 V. corrente de 150 mA com ondulação de 2 VPP (ou 17%).150 = 1245 F 2 C = T. Veja exemplo a seguir. Essa tensão deve ser sempre superior ao maior valor de tensão sob a qual o capacitor irá realmente funcionar. sem introduzir um erro significativo.

Se analisar o circuito dado. o capacitor se carrega continuamente até que a tensão sobre ele seja igual ao valor de pico ou VMÁX. mesmo que entre os terminais da indutância apareçam tensões variáveis de grande amplitude. Ao reduzir a resistência. sem a resistência de carga. Observação A corrente de pico nos diodos dos retificadores com filtro que usam indutor é menor que nos diodos dos retificadores que usam filtros a capacitor. Devido ao atraso apresentado pela indutância. Limitação para o valor do indutor SENAI 127 . Isso acontece porque o atraso apresentado pela indutância em relação às variações de corrente faz com que a corrente de saída não sofra variações bruscas. a corrente deixa de fluir. Uma vez alcançado esse valor. o que mantém os diodos sempre em condução.Eletrônica II O indutor L em série com a célula LC garante uma filtragem melhor que a obtida nos circuitos retificadores que usam somente capacitor. No circuito. Veja gráficos a seguir. a corrente IL só pode passar no sentido indicado. ao ligar resistências de carga muito elevadas ao circuito. Assim. essa corrente nunca se anula. a corrente que flui pela indutância aumenta. a tensão de saída será aproximadamente VMÁX.

VMÁX 3 .RC   128 SENAI . fornece uma tensão CC na saída maior do que o retificador com filtro LC. L é dado em Henry e C em F. VMÁX ICC = VCC RL 4. A tensão de saída fornecida é de aproximadamente VMÁX. temos: L CRÍTICO = RL 1113 L ÓTIMO = 2.L CRÍTICO Filtro RLC O retificador com filtro RLC.f.Eletrônica II Num circuito retificador com filtro de indutor e capacitor.2π. o fator de ripple é dado por: r= 0. π   VCC = VMÁX . o valor da tensão contínua na carga é dado por: VCC = 2 . Nesse mesmo tipo de circuito. Assim.1 −  Z.VCC 3 . ou seja.X L IPICO = Na prática há limitações para o valor do indutor. com dois capacitores e um indutor.X L = 2.C Nessa fórmula.83 L. para 60 Hz.

porém na prática isso não acontece. Em termos ideais.R L r= Regulação Regulação é a porcentagem de variação da tensão de saída de uma fonte.L.R. a regulação deve ser de 100%.10 6 C1. o fator de ondulação é calculado por: 2.10 3 C1. Nesse caso. pode-se usar em alguns casos um resistor em lugar de um indutor.R L r= Por economia. o fator de ondulação é bem pequeno: 3.C 2 .Eletrônica II Nesse tipo de circuito.3. o que resultará num filtro CRC ou com resistor.C 2 . Ela é calculada por: SENAI 129 .5. A regulação é representada em um gráfico que relaciona a tensão média (VCC) com os valores de resistência.

Responda às seguintes perguntas: a) Qual a função de um filtro em um circuito retificador? b) Qual é a forma mais comum de filtragem de uma tensão de saída em um circuito retificador? 130 SENAI .Eletrônica II % de regulação = VCC em vazio .VMÁX/π pequeno baixa π ≅ VMÁX muito pequeno grande π com R < VMÁX pequeno grande Exercícios 1. Tipo RC VCC ≅ VMÁX Riplle grande IPICO grande Circuito L ≅ 2.VCC com carga VCC com c arg a Quadro comparativo A seguir está um quadro comparativo entre os vários circuitos retificadores com filtro estudados neste capítulo.

SENAI 131 .Eletrônica II c) Como ocorre a filtragem de uma tensão em um circuito retificador? d) Qual o valor da tensão reversa na diodo quando está em bloqueio. b) Retificador monofásico de onda completa. Faça os esquemas dos circuitos: a) Retificador monofásico de meia onda. em um circuito retificador de meia onda com filtro ? e) O que é tensão de ondulação ou ripple? 2.

para uma tensão de saída de 24 V. corrente 200 mA. 132 SENAI . e) Retificador monofásico de onda completa com filtro LC. 3. e uma ondulação de 4 VPP. d) Retificador monofásico de onda completa com filtro. Resolva os seguintes exercícios: a) Determine o capacitor necessário em um circuito retificador de meia onda.Eletrônica II c) Retificador monofásico de meia onda com filtro.

a tensão VCC tem valor próximo a VMÁX. corrente de pico e ripple de valor alto. Em um circuito retificador de onda completa com filtro. A regulação é o valor da capacitância de um capacitor utilizado como filtro. Em um circuito retificador com filtro LC. A tensão de isolação do capacitor deve ser igual a tensão sob a qual irá trabalhar.Eletrônica II b) Qual o valor do ripple em um circuito retificador de onda completa com filtro LC. onde a indutância utilizada é de 10 mH e o capacitor 2000 µF. 4. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. SENAI 133 . a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação da tensão de saída. o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de entrada.

.

lei de Ohm e leis de Kirchhoff. Para realizar esse trabalho. serão estudadas as características do transistor bipolar e seu funcionamento. movimento de portadores dentro de cristais semicondutores. Por sua característica controladora de corrente.Eletrônica II Transistor Bipolar A descoberta do transistor revolucionou o campo da eletrônica. computadores. calculadoras. Para adquirir esses conhecimentos com mais facilidade. transistor de unijunção (UJT). controles industriais. máquinas. existem alguns tipos de transistores: • • • transistor bipolar (NPN ou PNP). Neste capítulo. transistor de efeito de campo (FET e MOS-FET). Transistor O termo transistor vem da expressão em inglês "transfer resistor" que significa resistor de transferência. SENAI 135 . junções semicondutoras. o transistor pode ser usado como amplificador de sinais ou como "interruptor eletrônico" em aplicações como equipamentos de som. Mesmo com o aparecimento dos circuitos integrados e dos microprocessadores. A partir dessa descoberta. É um componente que apresenta resistência (impedância) variável entre dois terminais. imagem. o transistor ainda tem um lugar de destaque. Essa resistência é controlada por um terceiro terminal. Suas aplicações se estendem a milhares de circuitos com as mais diversas finalidades e utilizações. é necessário ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores. o desenvolvimento da eletrônica se tornou cada vez mais rápido.

Cada terminal recebe uma designação para que se possa distinguir cada uma das pastilhas. Entre essas pastilhas é colocada uma terceira. Uma das pastilhas externas é denominada de coletor e é representada pela letra C. recebe terminal para que o componente possa ser conectado ao circuito eletrônico. 136 SENAI . Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funções diferindo apenas na forma como as fontes de alimentação são ligadas ao circuito eletrônico. a pastilha central é denominada base e representada pela letra B. A configuração da estrutura do transistor bipolar permite que se obtenham dois tipos distintos de transistores bipolares: NPN e PNP.Eletrônica II Transistor bipolar O transistor bipolar é o mais comum e também o mais usado. A figura a seguir apresenta os dois tipos de transistores com a identificação dos terminais. Terminais do transistor bipolar Cada uma das pastilhas que formam o conjunto. formando uma configuração semelhante a um sanduíche. bastante fina. Sua estrutura básica se compõe de duas pastilhas de material semicondutor do mesmo tipo. de material diferente. A outra pastilha externa é denominada emissor e é representada pela letra E. Assim.

A diferença entre os símbolos dos dois transistores esta apenas no sentido da seta do terminal emissor. são dotados de blindagem. dissipa mais potência. as ligações do coletor e do emissor no circuito eletrônico não são intercambiáveis. O coletor possui maior volume e. Símbolos A norma NBR 12526/92 define o símbolo gráfico do transistor. Alguns transistores. fabricados para aplicações específicas. Essa blindagem consiste em um invólucro metálico ao redor das pastilhas semicondutoras. A figura a seguir apresenta os símbolos dos transistores NPN e PNP. existe diferença de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre as pastilhas. por isso. Por esse motivo. indicando a designação dos terminais.Eletrônica II Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor. a intensidade de sua dopagem é intermediária em relação à dopagem das outras duas pastilhas. enquanto que a base é levemente dopada. O emissor é densamente dopado. SENAI 137 . cuja função é evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos elétricos ou magnéticos do ambiente.

A estrutura física do transistor propicia a formação de duas junções entre cristais P e N: • uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do emissor.Eletrônica II Esses transistores apresentam um quarto terminal ligado à blindagem para que possa ser conectada ao terra do circuito eletrônico. O símbolo gráfico desse tipo de transistor é apresentado a seguir. 138 SENAI . Esse movimento está ligado a polaridade da tensão aplicada a cada um desses terminais e é diferente para transistores NPN e PNP. Tensões nos terminais do transistor O funcionamento do transistor baseia-se no movimento dos elétrons livres e das lacunas em seu interior e que são provocados pela aplicação de tensões externas ao coletor. é chamada de junção base-coletor. • uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do coletor. à base e ao emissor. é chamada de junção base-emissor (BE).

porém profundamente na base (dopagem leve). grande. existem duas barreiras de potencial que se formam com a junção do cristal: a barreira de potencial na junção base-emissor e a barreira de potencial na junção base-coletor. A camada de depleção do emissor é pequena e a do coletor. esse processo de difusão dá origem a uma barreira de potencial em cada junção. as camadas de depleção não possuem a mesma largura. Isso significa que a camada de depleção penetra levemente na região do emissor (dopagem densa).Eletrônica II Quando as três pastilhas semicondutoras são unidas. ocorre um processo de difusão dos portadores. a junção base-emissor é polarizada diretamente. SENAI 139 . Quanto mais densamente dopada for a região. Por isso. O mesmo acontece entre base e coletor. Como no diodo. Polarização na junção base-emissor Na condição normal de funcionamento. denominada de funcionamento na região ativa. no transistor. Observação As três regiões do transistor possuem diferentes níveis de dopagem. Portanto. maior será a concentração de íons próximo da junção.

as duas junções devem ser polarizadas ao mesmo tempo. ou seja. Polarização na junção base-coletor Na região ativa de funcionamento. Isso é feito aplicando-se duas tensões externas entre os terminais do transistor. O bloqueio da junção base-coletor é provocado pela aplicação de tensão externa entre base e coletor. a junção base-coletor é polarizada inversamente. Polarização simultânea das duas junções Para que o transistor funcione corretamente. com polaridade adequada. 140 SENAI . polaridade positiva no material N e negativa no material P. ou seja. para um transistor do tipo NPN. para um transistor NPN.Eletrônica II A condução da junção base-emissor é provocada pela aplicação de tensão entre base e emissor com polaridade correta. polaridade positiva no material P e negativa no material N.

a bateria B2 aplica uma tensão positiva ao coletor. A alimentação simultânea das duas junções.Eletrônica II Observações 1. As baterias representam as tensões de polarização. de forma que a junção base-coletor fica polarizada inversamente. basta inverter as polaridades das fontes entre as junções Outra configuração de baterias para a polarização correta das junções também pode ser usada: No diagrama: • • a bateria B1 polariza diretamente a junção base-emissor. 2. através das baterias externas. dá origem a três tensões entre os terminais do transistor: • • • tensão de base a emissor (VBE) tensão de coletor à base (VCB) tensão de coletor a emissor (VCE) SENAI 141 . Essa tensão é maior que a tensão positiva da base. Para que um transistor PNP funcione na região ativa.

Por isso. 142 SENAI . Princípio de funcionamento O movimento dos portadores livres dá origem a três correntes que circulam nos três terminais do transistor: • • • corrente do terminal emissor. chamada de corrente de coletor (IC). corrente do terminal do coletor. estudaremos o princípio de funcionamento de apenas um dos tipos. chamada de corrente de base (IB).Eletrônica II Observação Para o transistor PNP. a regra também é válida com a diferença que a polaridade das baterias de polarização é invertida. Observação O princípio básico de funcionamento que explica a origem das correntes no transistor é o mesmo para os transistores NPN e PNP. O comportamento do outro difere apenas na polaridade das baterias e no sentido das correntes. corrente do terminal base. denominada de corrente de emissor (IE).

não tendo assim elétrons livres suficientes para recombinar com a maior parte das lacunas que provêm do emissor. recombinando-se com os elétrons livres da base. tem potencial negativo pequeno.Eletrônica II Corrente de base A corrente de base é provocada pela tensão aplicada entre a base e o emissor do transistor (VBE). porém. Assim. Se a tensão tiver um valor adequado. Essa recombinação dá origem à corrente de base.3 V para o germânio. Em um transistor PNP. por exemplo. ou seja. ou seja. um grande número de lacunas se desloca em direção à base. 0. A base. as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na junção base-emissor. repelidas pela tensão positiva do emissor e atraídas pela tensão negativa da base. Isso faz com que a corrente de base seja pequena. o potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direção à base. Devido à pequena espessura da base e também ao seu pequeno grau de dopagem. com valores que se situam na faixa de microampères ou miliampères. SENAI 143 . a combinação acontece em pequena escala. poucos portadores que provêm do emissor podem se combinar. um grande número de lacunas atinge a base em grande velocidade e não se recombina por falta de elétrons livres disponíveis.7 V para o silício e 0. Como o emissor é fortemente dopado.

144 SENAI . a grande maioria corresponde à corrente de coletor. Tanto a corrente de base como a corrente de coletor provêm do emissor. de forma que se pode afirmar que: IC + IB = IE Controle da corrente de base sobre a corrente do coletor A principal característica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor. do total de lacunas que entra no emissor de um transistor. As lacunas que atingem o coletor dão origem a corrente de coletor. Esse controle é devido a influência da corrente de base sobre a largura da barreira de potencial da junção base-emissor. Assim. Esse estreitamento permite que um maior número de portadores do emissor atinja a base. atingem a junção basecoletor e passam ao coletor onde existe um alto potencial positivo. se IB aumenta. Verifica-se então um aumento na corrente de coletor. IC aumenta e se IB diminui. Esses portadores são absorvidos pelo coletor.Eletrônica II Corrente de coletor As lacunas provenientes do emissor que não se recombinam. quando VBE aumenta. Em geral. uma vez que a base não tem capacidade para recombiná-los. ou seja. IC diminui. a barreira de potencial torna-se mais estreita.

O outro ganho a ser considerado é o de emissor para coletor (α. Os ganhos β e α estão relacionados entre si através das fórmulas: β= α β eα = 1− α β +1 Circuito do coletor Na grande maioria dos circuitos transistorizados. O SENAI 145 . Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor (β). é possível utilizar uma pequena corrente IB para controlar a circulação de uma corrente de valor muito maior (IC). conclui-se que α é sempre menor que 1.Eletrônica II Ganho de corrente do transistor Através de um transistor. As correntes que circulam no interior do componente são provenientes das fontes de alimentação e o transistor apenas controla sua quantidade. A corrente controlada (IC) e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para determinar quantas vezes uma é maior que a outra. representado pela letra grega β (beta) para corrente contínua ou hfe para corrente alternada. IC =β IB O resultado dessa relação é denominado tecnicamente de ganho de corrente de base para coletor. lê-se alfa): α= IC IE Como a corrente IE é maior que IC. o coletor do transistor é conectado à fonte de alimentação através de um resistor denominado de resistor de coletor (RC). IB. ou seja: IC = β . ou seja. é possível determinar a corrente de coletor a partir da corrente de base. O ganho indica quantas vezes a corrente de coletor é maior que a corrente de base. Observação O fato do transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor não significa que correntes sejam geradas em seu interior.

composto pelos componentes por onde circula a corrente do coletor conforme circuito que segue. a malha de coletor obedece à segunda Lei de Kirchhoff. que estabelece: a soma das quedas de tensão em um circuito é igual à tensão aplicada aos seus extremos. A malha de coletor se compõe de resistor de coletor RC em série com o transistor (coletor-emissor) aos quais é aplicada a tensão VCC. denominada de queda de tensão no resistor de tensão entre coletor e emissor (VCE). e 146 SENAI . a tensão VCC fornecida pela bateria se distribui em duas parcelas: • • tensão sobre o resistor de coletor. Na malha de coletor. coletor (VRC). Sendo um circuito série.Eletrônica II resistor de coletor completa o circuito ou malha de coletor.

Exemplo Um transistor com resistor de coletor de 680 Ω tem uma corrente de coletor de 6 mA. a queda de tensão sobre o resistor de coletor aumenta.006 = 4. segundo a Lei de Ohm. depende de dois fatores: do valor do resistor RC e da corrente que está circulando (IC). VCC é a tensão fornecida pela bateria ao circuito. VCE = VCC . IC = VRC. A partir disso. pode-se admitir que VCC tem um valor constante.VRC. A bateria fornece uma tensão de 12 V à malha do coletor. Qual é a queda de tensão no resistor de coletor e a tensão coletor-emissor no transistor? Queda de tensão no resistor de coletor: VRC = RC .Eletrônica II Aplicando a Lei de Kirchhoff. Se a corrente de coletor se torna maior (IC). desconsiderando-se a influência da resistência interna. 0.08V Tensão de coletor-emissor do transistor: VCE = VCC .08 = 7.VRC VCE = 12 . VRC é a queda de tensão no resistor de coletor. como VCC = VCE + VRC. ou seja. IC VRC = 680 . pode-se determinar a equação da malha de coletor. A queda de tensão no resistor de coletor (VRC) tem como principal característica o fato de ser proporcional à corrente de coletor do transistor. IC. ou seja: VCC = VCE + VRC Nessa igualdade. independente da corrente que o circuito solicitar.92 V A figura a seguir mostra a malha de coletor com os valores de tensão em cada elemento. a soma das quedas de tensão nos componentes da malha de coletor será igual à tensão aplicada à malha. VRC = RC . SENAI 147 . O valor desta queda de tensão. pois RC .4. VCE é a tensão coletor-emissor e depende da tensão de alimentação e da queda de tensão em RC. ou seja.

Logo. IC Como IC = IB. os valores de RC e β são constantes. VRC e VCE. 148 SENAI . tem-se: VRC = RC . Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes. Desenvolvendo a equação da queda de tensão no resistor de coletor. é possível verificar a relação entre os valores de IR. β. pode-se dizer que o valor da queda de tensão no resistor depende diretamente da corrente de base. (IB. afirma-se que VRC também depende de IB. IC. Veja exemplo no circuito a seguir. temos: VRC = RC . β) Nessa equação.Eletrônica II Relação entre parâmetros Ao considerar que a queda de tensão VRC depende de IC.

VRC = 10 . RC = 0. 820 = 5.004 A VRC = IC . Corrente de base (IB) 40 µA 70 µA Corrente de coletor (IC) 4 mA 7 mA Queda de tensão no resistor de coletor (VRC) 3. pode-se incluir mais esse parâmetro no comportamento do transistor: ⇑ VBE ⇓ VBE ⇑ VBE ⇓ VBE ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IC ⇓ IC ⇓ VCE ⇑ VCE A relação entre os parâmetros do transistor é então: SENAI 149 . β = 40 .28 = 6.28 V VCE = VCC .28 V 5.3. Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40 µA.5.74 V Tensão coletor emissor do transistor (VCE) 6. é possível observar o comportamento dos valores de IC.74 V VCE = 10 . VRC e VCE quando a corrente de base é modificada.007 A VRC = 0. 100 = 7000 mA ou 0.72 V Admitindo-se um valor de corrente de base de 70 µA.004 .72 V 4. 100 = 4000 mA ou 0.Eletrônica II Observação O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do transistor. os valores do circuito são: IC = IB . 820 = 3.74 = 4.26 V Colocando os dados do circuito das duas situações em uma tabela. o comportamento do circuito pode ser assim resumido: ⇑ IB ⇓ IB ⇑ IC ⇓ IC ⇓ VCE ⇑ VCE Considerando que a corrente de base IB depende da tensão VBE.007 .26 V Relacionando apenas os dados relativos ao transistor. os valores do circuito são: IC = 70 .

A circulação de corrente elétrica através das junções do transistor. ou seja. Isso acontece também no transistor. dá origem a uma dissipação de potência no interior do componente. a potência dissipada na junção base-emissor é muito pequena comparada com a potência dissipada na junção base-coletor. Ptot ≅ PC A potência dissipada no coletor depende da tensão de coletor à base (VCB) e da corrente de coletor (IC): 150 SENAI .Eletrônica II Dissipação de potência no transistor Todo o componente sujeito a uma diferença de potencial e percorrido por uma corrente elétrica dissipa uma determinada potência (P = V . Essas potências dissipadas são denominadas de potência de coletor (PC) e potência de base (PB). I). Essa dissipação se dá em forma de energia térmica. a potência dissipada na base do transistor é desprezada e considera-se que a potência total dissipada no transistor é a própria potência dissipada no coletor. Assim. Por isso. A potência total dissipada no transistor é. provocada pela aplicação de tensões aos seus terminais. o que resulta em um aquecimento do transistor. então: Ptot = PC + PB Entretanto. quando comparadas com a tensão e a corrente presentes na junção coletor-base (VCB e IC). verifica-se que a tensão e a corrente presentes na junção base-emissor (VBE e IB) são muito pequenas. analisando as tensões e correntes presentes nas duas junções. Dissipação nas junções A dissipação de potência ocorre nas duas junções do transistor.

IC) provoca a elevação da temperatura dos cristais semicondutores. O limite de dissipação de potência é estabelecido em função de dois fatores: • • a resistência térmica do encapsulamento. transmitindo com mais eficiência o calor para o meio ambiente. diz respeito à oposição (imposta pelo encapsulamento) à transmissão do calor gerado internamente para o meio ambiente. Quando se fala em transistor. a temperatura externa ao transistor. o que pode danificar o componente. IC Por questões de praticidade e com o objetivo de resolver circuitos transistorizados através das curvas características. SENAI 151 . a resistência térmica do encapsulamento.Eletrônica II PC = VCB . Esse tipo de encapsulamento se caracteriza por apresentar uma baixa resistência térmica. IC Dissipação máxima de potência no transistor O calor produzido pela dissipação de potência (PC ≅ VCE . Resistência térmica: consiste na oposição apresentada por um material à passagem do fluxo de calor. a potência dissipada é limitada a um valor que permite o funcionamento normal do transistor. cujo erro é desprezível: PC ≅ VCE . representada pela notação (Rthja). Para que isso não aconteça. essa equação é substituída por outra aproximada. Esse valor é chamado de potência de dissipação máxima (PCmáx) e é fornecido pelos manuais dos fabricantes (“data books”) ou fichas técnicas. Os transistores fabricados para capacidades de dissipação mais elevadas (denominados de transistores de potência) são normalmente encapsulados em invólucros metálicos.

porque a quantidade de calor transmitido para o ambiente é menor. torna-se necessário usar transistores em circuitos que funcionarão em temperaturas superiores a 25o C. Quanto mais baixa a temperatura do ambiente. é necessário que haja diferença de temperatura entre eles. Assim. dois transistores trabalhando com as mesmas tensões e correntes e.Eletrônica II Os transistores de baixa dissipação (denominados de transistores de sinal) são encapsulados normalmente em invólucros de plástico. fornecido pelo fabricante. a especificação de potência máxima de dissipação do transistor é dada em função da temperatura. fazendo o transistor dissipar menos potência. O grau de redução da potência nominal varia de transistor 152 SENAI . portanto. com mesma potência dissipada. O transistor que estiver funcionando em um ambiente mais quente sofrerá maior aquecimento. Assim. Por exemplo: Transistor BC547 apresenta potência de dissipação máxima de 500mW a 25o C ou menos. Nesse caso. a quantidade de calor transmitido da junção do transistor para o ambiente depende da diferença de temperatura entre a junção e o ambiente. Observação As potências de dissipação máxima fornecidas pelos fabricantes sempre são referentes à temperatura de 25o C. Esse material é usado porque a quantidade de calor gerado por esses transistores é pequena. é necessário considerar que o valor máximo de potência de dissipação. A quantidade de calor transmitido é maior quando a diferença de temperatura é grande entre os dois pontos e menor quando essa diferença é pequena. não pode ser empregado porque é válido somente até 25o C. Por causa disso. Redução da potência dissipada Em muitos casos. É possível compensar o aumento da temperatura ambiente. Temperatura externa ao transistor: para que haja transmissão de calor entre dois pontos. maior a transmissão de calor do interior do transistor para fora e menor o seu aquecimento. a menos que haja outra especificação de temperatura. sofrerão aquecimentos diferentes se estiverem funcionando em temperaturas diferentes.

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para transistor e é um dado fornecido pelo fabricante na forma de um gráfico (Ptot x Tamb).

Este gráfico indica a potência máxima no transistor para os diversos valores de temperatura ambiente. Veja na ilustração a seguir o emprego do gráfico determinando a potência de dissipação máxima dos transistores BC546, BC547 e BC548 para uma temperatura ambiente de 50ºC. Correntes de fuga no transistor O movimento dos portadores minoritários (elétrons no PNP e lacunas no NPN) na junção inversamente polarizada do transistor origina uma pequena corrente de fuga que varia diretamente com a temperatura. Nas figuras a seguir está ilustrada a representação dessas correntes em um transistor NPN. O raciocínio análogo se aplica ao transistor PNP, bastando inverter as polaridades da fonte de tensão CC e o sentido de percurso da corrente elétrica. 1. ICBO ou ICO é a corrente do coletor para a base, com o emissor em aberto:

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2. ICEO é a corrente do coletor para o emissor, com a base em aberto:

3. IEBO é a corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto:

Observação A terceira condição, corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto, não é muito utilizada na prática.

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Disparo térmico O disparo térmico (ou avalanche térmica) é um fenômeno que ocorre no transistor devido à corrente de fuga ICBO. Isso pode levar o transistor à destruição por aquecimento excessivo. A dissipação de potência em um transistor (PC = VCE ⋅ IC) provoca o aquecimento das junções (BE e BC) que, por sua vez, provoca o aumento de ICBO. Como essa corrente é uma das parcelas de IC, o aumento de ICBO provoca um aumento em IC, aumentando a potência dissipada, causando novo aquecimento das junções. Isso ocorre até que o transistor finalmente seja danificado. A corrente de fuga ICBO dobra a cada 10o C, aproximadamente, nos transistores de silício (Si) e 6o C nos de germânio (Ge). Porém, na mesma temperatura, o transistor de silício apresenta ICBO até 500 vezes menor que o de germânio. Por essa razão, os transistores de silício são muito mais usados que os de germânio. Exercícios 1. Responda às seguintes perguntas: a) Quais as funções básicas de um transistor?

b) Quais os tipos de transistores existentes?

c) Defina ganho de corrente do transistor, da base para o coletor.

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2. Faça o símbolo gráfico dos seguintes componentes: a) Transistor bipolar NPN.

b) Transistor bipolar PNP

3. Resolva os seguintes exercícios: a) Calcule a queda de tensão no resistor de coletor, a tensão VCE e a potência dissipada no transistor, no circuito que segue.

c) Qual é o ganho de corrente de emissor para coletor de um transistor com os seguintes valores de corrente: IB = 10 µA IC = 6 mA

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4. Faça o esquema de um transistor bipolar polarizado (fonte e resistor de coletor), com as notações das correntes e tensões.

5. Relacione a segunda coluna com a primeira. a. Transistores bipolares c. Transistores de silício d. Junção base-emissor e. Transistores de germânio ( ( ( ( ( ) ) ) ) ) ) Polarização direta Tensão da barreira de potencial 0,3 V Tipo NPN ou PNP Tipo FET ou MOS-FET Polarização indireta Tensão da barreira de potencial 0,7 V

b. Transistores de efeito de campo (

6. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) O emissor do transistor bipolar é a pastilha mais dopada. As camadas de depleção de um transistor possuem a mesma largura. A corrente da base controla a corrente do coletor O coletor do transistor bipolar é o de menor volume. O que causa gera o rompimento de ligações covalentes e correntes de fuga

7. Resolva as seguintes questões: a) Um transistor de silício apresenta ICBO = 2,5 µA em temperatura ambiente (25o C), que valor terá essa corrente se a temperatura subir para 45o C?

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b) Um transistor de silício com α = 0,95 possui ICBO = 5 µA em temperatura de 27o C. Qual é o valor de ICEO admitindo-se que não haja variação de α, em temperatura de 35oC?

c) Um transistor de germânio apresenta ICO = 4,2 mA em temperatura de 33o C. Qual é o valor de ICBO se a temperatura cair para 14o C?

d) Um transistor de silício apresenta em um circuito os seguintes valores de corrente: IE = 16,32 mA, IB = 200 µA e ICBO = 4 µA. Calcule o ganho de corrente da base para o coletor desse transistor.

e) Ao medirmos VCb de um transistor de silício polarizado na região ativa, encontramos -12 V. Qual é o tipo de transistor medido? Justifique.

f) Calcule VCE do transistor da questão anterior.

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Através dessas curvas. dois terminais para cada corrente. é expresso através de suas curvas características. como prever as condições de funcionamento de um componente quando forem aplicados determinados valores elétricos em um circuito. Essa versatilidade resulta em uma dificuldade. Em princípio. pode-se determinar com certa exatidão os valores de tensão e corrente que se estabelecerão em um circuito transistorizado no momento em que for alimentado. normalmente fornecidas pelos fabricantes. O presente capítulo apresentará as curvas características do transistor. SENAI 159 . a circulação de duas correntes de valores diferentes em um componente pressupõe a existência de quatro terminais. determinando a corrente de coletor que poderia ser denominada de corrente controlada. Essa é a razão pela qual o comportamento dos componentes eletrônicos. a reta de carga e o ponto de operação para que você utilize corretamente os transistores. você já deverá ter conhecimentos anteriores sobre o princípio de funcionamento do transistor bipolar e a relação entre os parâmetros. Configurações de ligação do transistor No transistor. a corrente de base atua como corrente de controle. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo.Eletrônica II Ponto de Operação do Transistor Os componentes eletrônicos se caracterizam por terem a capacidade de operar com os mais diversos valores de tensão e corrente nos seus terminais. na sua grande maioria.

sua ligação aos circuitos eletrônicos é feita de forma que um dos terminais seja comum ao circuito de entrada e ao de saída. Desta forma pode-se ligar o transistor em três configurações distintas: • • • configuração emissor comum. Configuração de base comum Quando a base é utilizada como terminal comum.Eletrônica II Como o transistor não dispõe de quatro terminais. Configuração de emissor comum Quando o terminal emissor é comum à entrada e à saída. configuração base comum. 160 SENAI . simultaneamente. a forma de ligação do transistor é denominada tecnicamente de configuração de emissor comum. a forma de ligação do transistor é denominada de configuração de base comum. configuração coletor comum.

levando em consideração a forma como o transistor está ligado. As curvas características do transistor têm grande importância nos projetos de circuitos. são necessários apenas dois parâmetros elétricos para expressar o comportamento em gráfico: a tensão entre os dois terminais e a corrente no dispositivo.Eletrônica II Configuração de coletor comum Configuração de coletor comum é a denominação dada à forma de ligação na qual o coletor do transistor é comum a entrada e a saída do circuito. procura-se colocar esse componente sob as mais diversas situações em termos de correntes e tensões. porque expressam o comportamento do componente em uma ampla faixa de condições de funcionamento. SENAI 161 . Parâmetros elétricos nas curvas características Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais como por exemplo. No transistor. sob condições de tensão e corrente controladas. IB: corrente de base. Curvas características de um transistor Quando se analisa o comportamento de um componente eletrônico. pelo fato de obter três terminais. existem 6 valores a considerar: • • • IC: corrente de coletor. IE: corrente de emissor. o diodo semicondutor e o diodo zener. O comportamento do transistor é expresso através de curvas características que são gráficos obtidos a partir de medidas elétricas no transistor em vários circuitos.

as curvas características dos transistores. tais como a temperatura. Os valores de VBE e IB são denominados parâmetros de entrada e os valores VCE e IC. 162 SENAI . A figura que segue ilustra a representação esquemática de um transistor ligado em emissor comum. Veja esses parâmetros na figura a seguir. Curvas características na configuração de emissor comum A configuração de ligação do transistor mais utilizada é a de emissor comum. VCB: tensão de coletor a base. quatro parâmetros são fundamentais: VBE. VCE: tensão de coletor a emissor. Nessa configuração. podem ser levantadas uma série de curvas características que expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condições. fornecidas pelos fabricantes. são relativas a essa forma de ligação. IB. Por essa razão. VCE e IC.Eletrônica II • • • VBE: tensão de base a emissor. Com base nesses valores e em outros.

Entretanto. curva característica de saída. pois expressa os parâmetros de saída do transistor. SENAI 163 . É lida da seguinte maneira: corrente de coletor em função da tensão coletor-emissor para valores fixos de corrente de base. Nos manuais. denominada de denominada de curva característica de entrada. mantendo a corrente de base em um valor constante. e o coletor é negativo em relação ao emissor. essa curva é indicada como IC = f (VCE e IB). as correntes IB e IC saem do transistor. são necessárias duas curvas características: • • uma que expressa o comportamento dos parâmetros de entrada do transistor. A curva característica de saída permite que se relacionem as grandezas IC. Observação Nos transistores PNP. O gráfico que segue mostra a característica de saída do transistor BC547. As curvas mostram a dependência da corrente de coletor (IC) em função da tensão coletor-emissor. os parâmetros nas curvas são negativos: . A curva característica de saída é a curva de maior importância. Portanto.IB e -IC. IC e VCE.Eletrônica II parâmetros de saída da configuração emissor comum. para representar o comportamento do transistor na configuração de emissor comum através de gráficos. ou seja. sabe-se que os valores de VCE e IC dependem do valor de IB. VCE e IB em um único gráfico. outra que expressa o comportamento dos parâmetros de saída.

A intersecção da reta de carga com o valor de IB no circuito é denominado ponto quiescente (Q).IC As curvas características fornecidas pelo fabricante representam o comportamento médio de um grande número de transistores usados. Dispondo dos valores da tensão de alimentação (VCC) e da corrente de coletor (IC). Ela permite que se determine graficamente a tensão entre coletor e emissor (VCE) e a corrente de coletor (IC). Na prática. Aplicação da curva característica A curva característica é aplicada na determinação das condições de funcionamento de um transistor em um circuito. 164 SENAI . isso significa que o comportamento pode apresentar alguma diferença em relação à curva. presente no transistor naquele momento. Essa reta é denominada reta de carga. traça-se uma reta que permitirá determinar graficamente o comportamento do transistor em um circuito. A reta de carga é traçada sobre a curva característica de saída do transistor. o ponto quiescente fornece o valor de IC no circuito e no plano vertical.Eletrônica II . No plano horizontal. o valor de VCE. em função da corrente de base atual.

existe uma reta de carga específica. O ponto de corte é a situação em que o transistor está sem corrente de base. para cada transistor e em cada circuito. Usando as equações do transistor. IC = 0 VRC = 0. VRC = IC . Isso significa que. Então.VRC e VRC = 0 Desta forma temos VCE = VCC.Eletrônica II Traçado da reta de carga O traçado da reta de carga leva em conta dois fatores: • • a tensão de alimentação do circuito. verifica-se seu comportamento nessa situação: IC = IB . VCE = VCC . ponto de saturação. Para traçar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situações do transistor: • • ponto de corte. β. valor do resistor de coletor. RC. Como IB = 0. Como IC = 0. SENAI 165 .

VRC = VCC Como IC = VRC RC e VRC = VCC . IC = VCC RC Na situação de saturação. O ponto de saturação é a situação em que se aplica ao transistor uma corrente de base suficiente para fazer com que a tensão de coletor/emissor caia praticamente a zero. o ponto de corte também será alterado. Considerando a tensão de coletor/emissor como zero. VCE = VCC e IC = 0. Tomando como exemplo o circuito a seguir. a corrente de coletor assume o seu valor máximo como se 166 SENAI . o ponto de corte fica na posição mostrada no gráfico que segue.Eletrônica II Esses dois valores. Esse é o primeiro ponto da reta de carga. temos: VCE = VCC . Como VCE = 0. Observação O ponto de corte depende fundamentalmente da tensão de alimentação. são representados por um ponto na curva característica de saída. Se o valor da tensão for alterado.VRC.

o ponto de saturação tem sua posição alterada na curva característica. a tensão de alimentação é de 30V. a corrente de saturação é: IC = 30 V = 0. O ponto de saturação depende fundamentalmente da tensão de alimentação e do valor do resistor de coletor.Eletrônica II o resistor de coletor estivesse ligado diretamente à fonte de alimentação.0638 A 470Ω IC = 63. por sua vez. tem-se a reta de carga do circuito conforme gráfico que segue. e o resistor de coletor é de 470 Ω. Caso esses valores sejam mudados. Esse valor de corrente de coletor é denominado de corrente de saturação. é aquele no qual: IC = VCC RC e VCE = 0 No circuito tomado como exemplo. Unindo os dois pontos encontrados no gráfico.8 mA Esses valores dão origem ao segundo ponto sobre a curva característica do transistor. Portanto. SENAI 167 . O ponto de saturação.

10 mA. pode-se determinar graficamente os valores da tensão VCE. por exemplo. 0. Aplicação da reta de carga Uma vez traçada a reta de carga. Caso o transistor. 168 SENAI . a alimentação (VCC) ou o valor do resistor de coletor (RC) sejam modificados. deve-se traçar outra reta de carga de acordo com os novos dados. pode-se determinar as tensões e correntes na malha de coletor quando a corrente de base for. Tomando-se o circuito do exemplo. A resposta é obtida através do ponto quiescente (Q) que é o ponto de encontro entre a reta de carga e a curva de corrente de base conforme gráfico a seguir. VCC = 30V e RC = 470 Ω).Eletrônica II Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado (transistor BC547. da tensão sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do transistor para cada valor de corrente de base.

encontra-se o valor de VCE (13V). também. Encontra-se. SENAI 169 .Eletrônica II Projetando o ponto encontrado até o eixo horizontal. o valor da tensão sobre o resistor de coletor do circuito (VRC = 17 V).

encontra-se o valor da corrente de coletor (IC = 36 mA). Veja a seguir dois exemplos de reta de carga e determinação de parâmetros de um circuito através da curva característica de saída. Exemplo 1 170 SENAI .Eletrônica II Projetando o ponto encontrado até o eixo vertical.

VRC = 14V. A figura a seguir mostra um circuito com um transistor no ponto de operação (Q): VCE = 10V.Eletrônica II Ponto de corte: VCE = VCC = 6 V IC = 0 A Ponto de saturação: VCE = 0 V IC = 6V = 50mA 120Ω Exemplo 2 Ponto de operação Ponto de operação ou ponto quiescente. IC = 52 mA. é a denominação dada ao conjunto de valores de tensão e corrente que se estabelecem automaticamente em um circuito a partir de sua alimentação. representado pela letra Q. SENAI 171 .

A escolha correta do ponto de operação é fundamental. 172 SENAI . De acordo com a função que o circuito desempenhará. o ponto de operação está localizado na região central da reta de carga. Logo. se nenhuma modificação for realizada no circuito. Influência do ponto de operação no circuito O ponto de funcionamento determina a condição normal de funcionamento de um circuito que se estabelece a partir da alimentação. Se o ponto de operação for mal posicionado. pode-se afirmar que o ponto de funcionamento depende dos fatores que determinam a reta de carga.Eletrônica II Uma vez estabelecidos os valores do ponto de operação. todo o funcionamento do circuito estará prejudicado. na medida em que todo o funcionamento do circuito será baseado nas condições estabelecidas por este ponto. ou seja: • • • do transistor utilizado. Observação Na maioria dos circuitos eletrônicos. A partir do momento em que o ponto de operação é localizado sobre a reta de carga. da tensão de alimentação (VCC). o ponto de operação pode se situar em qualquer posição sobre a reta de carga do circuito. os valores permanecerão constantes. O ponto de operação (Q) de um circuito com um transistor estará sempre sobre a reta de carga desse circuito. do resistor de coletor (RC).

5 V. Observe que ele se situa na região central da reta de carga. No exemplo usado. VRCQ: queda de tensão no resistor de coletor no ponto de operação. VRCQ = 13. A partir desse ponto de operação obtém-se os seguintes valores: • • • tensão entre coletor e emissor. corrente de coletor.Eletrônica II ficam automaticamente estabelecidos os valores da malha de coletor (saída). queda de tensão ao resistor de coletor. ICQ = 50 mA SENAI 173 . ICQ: corrente de coletor no ponto de operação.5 V. esses valores são: VCEQ = 10. Veja no exemplo a seguir um circuito no ponto de operação. Esses valores são denominados respectivamente: VCEQ: tensão coletor-emissor no ponto de operação.

40 V. tais como: 5 V. O valor dessa corrente é obtida no circuito. No gráfico usado como exemplo. PC = 0. obtêm-se os valores de ICmáx. PC = 300 mW a 25 oC Escolhendo alguns valores para VCE.5 W Ponto 1: VCE = 5 V. VCE PC = 0. pode-se traçar sobre a curva de saída do transistor o limite de dissipação ponto a ponto. Para obter os valores quiescente (VCEQ.5 W. 10 V. temos: PCmáx = ICmáx . Curva de dissipação máxima Utilizando o valor de potência de dissipação máxima do transistor e a expressão PC = VCE . pela malha de base. ICmáx = PC 0. 20 V. que é dado pelo fabricante e escolhendo diversos valores para VCE. o ponto de operação está colocado sobre a curva de IB = 0. Esta é a corrente necessária para obter as condições desejadas.Eletrônica II Observação Pequenas diferenças devido à imprecisão gráfica e espessura dos traços no desenho não são significativas. IC.5 = = 0. Conhecendo-se o valor de PC.1A VCE 5 ou 100 mA Ponto 2: 174 SENAI . é necessário aplicar ao transistor uma determinada corrente de base quiescente (IBQ).2 mA. denominado curva (ou hipérbole) de dissipação de máxima potência. Exemplo Transistor BC547. VRCQ e ICQ).

025 A VCE 20 ICmáx = ou 25 mA Ponto 4: VCE = 40V. PC = 0. tem-se a curva de dissipação máxima no transistor a 25 0C (300 mW). A região da curva característica de saída acima da curva traçada é denominada de região de dissipação excessiva e a região abaixo da curva traçada é a região de SENAI 175 .5 W PC 0.05 A VCE 10 ou 50 mA Ponto 3: VCE = 20 V.5 = = 0. PC = 0.5 = = 0.5 W ICmáx = PC 0.5 W.5 mA Colocando-se os pontos em dois eixos IC e VCE. ICmáx = PC 0.Eletrônica II VCE = 10 V. PC = 0.0125 A VCE 40 ou 12.5 = = 0.

Relação reta de carga X curva de dissipação máxima A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor para um determinado valor de resistor de coletor e de tensão de alimentação. Os resistores de coletor RC e as tensões de alimentação VCC devem ser selecionados de modo a darem origem a retas de carga que se situem sempre abaixo da curva de limite de dissipação. ou pelo menos o ponto Q.Eletrônica II funcionamento. Em seguida. realiza-se o traçado sobre a característica de saída utilizando o valor encontrado. é necessário que a reta de carga. Quando a reta de carga está abaixo da curva-limite de dissipação. 176 SENAI . esteja sempre situada abaixo desta curva. para o funcionamento em temperaturas maiores que 25 0C. usa-se o gráfico Ptot (Tamb). Como a curva de dissipação de potência máxima estabelece o limite da região de funcionamento para um transistor. qualquer ponto de operação escolhido poderá ser utilizado sem o risco de provocar aquecimento excessivo no transistor. Se for necessário determinar a redução da potência de dissipação máxima.

c) Configuração coletor comum.Eletrônica II Exercícios 1. Faça esquema de um transistor ligado nas seguintes configurações: a) Configuração emissor comum. b) Configuração base comum. SENAI 177 . Responda às seguintes perguntas: a) Quais são as configurações em que o transistor pode ser ligado? b) Qual é a principal função de uma curva característica de um transistor? c) O que é ponto quiescente? 2.

utilizando o gráfico do transistor. VRC e a corrente IC do circuito apresentado. através do gráfico. se o transistor utilizado no item anterior (a). está trabalhando abaixo da curva de dissipação excessiva. 0.1 mA b) Determine. Resolva os seguintes exercícios: a) Determine as tensões VCE. 178 SENAI .Eletrônica II 3.

Eletrônica II Polarização do Transistor Uma das condições mais importantes para que um circuito eletrônico transistorizado funcione adequadamente é estabelecer corretamente o ponto de operação. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. Este capítulo tratará dos métodos mais simples de obtenção do ponto de operação em um circuito transistorizado de modo a fornecer. O processo de polarização de base mais simples é o de polarização por corrente constante. ou polarização fixa. e divisor de tensão. Polarização de base por corrente constante Polarização de base é o processo de obtenção da corrente de base necessária para levar o transistor ao ponto de operação. obtém-se o ponto de funcionamento do transistor ou ponto quiescente (Q). por meio da polarização do transistor. com exatidão em um circuito real. você deverá ter conhecimentos anteriores sobre as relações entre parâmetros. SENAI 179 . reta de carga e ponto de operação do transistor. Por meio do traçado da reta de carga e da determinação da corrente de base (IB) na malha de base. as condições previstas através das curvas características. curvas características.

Análise do circuito de base O circuito de base. verifica-se que o “diodo base-emissor” é polarizado diretamente e permite a circulação da corrente através do resistor. em um circuito equivalente. compõe-se do resistor de base (RB) e da junção base-emissor ligados em série e aplicados à tensão de alimentação. 180 SENAI . Essa corrente é a corrente de base. também denominado malha de base. Considerando que a junção base-emissor do transistor se comporta como um diodo. que é ligado entre a base e a tensão de alimentação (VCC). a corrente de base quiescente (IQB) é obtida através de um resistor.Eletrônica II No método de polarização por corrente de base constante. denominado de resistor de base (RB).

Eletrônica II Determinação do resistor de base A corrente quiescente que circula na base do transistor (IB) depende dos seguintes valores: • • • valor do resistor (elemento de controle). VBE é a ddp na junção base-emissor e RB é o resistor de base. tensão de alimentação (já definida). SENAI 181 . obtém-se a fórmula para determinar o resistor de base: VCC − VBE IBQ RB = Um exemplo completo de determinação do resistor de base para a obtenção de um ponto de operação desejado é apresentado a seguir. cuja reta de carga já está traçada na curva. Operando essa expressão. VCC é a tensão de alimentação. do tipo de transistor utilizado (já definido). Do circuito equivalente verifica-se que a corrente circulante na base é dada pela expressão: IBQ = VCC − VBE RB Nessa igualdade. Determinar o valor do resistor de base necessário para obter um VCEQ = -3 V em um circuito com um transistor de silício BC200 (silício).

verifica-se que esse ponto determina um VCEQ de aproximadamente -3.2 V.Eletrônica II Observando o encontro da reta de carga com a curva de IB = 80µA. Para determinar o valor de RB.6 = = 86250Ω IBQ 0. aplica-se a equação: VCC − VBE 7.00008 RB = 182 SENAI .2 V é admissível.5 − 0. o valor de IBQ necessário é -80 µA. Considerando que a diferença de 0.

Estabilidade térmica dos circuitos transistorizados A corrente de coletor dos transistores está sujeita a variações de valor em função da temperatura. 68k.VRC. conseqüentemente . as variações da corrente de coletor.Eletrônica II Observação O resistor de base utilizado para a polarização por corrente de base constante normalmente é de valor elevado (por exemplo. modificam a forma como as tensões se dividem entre o transistor e o resistor de coletor e retiram o transistor de seu ponto de funcionamento. Assim. pode-se fazer também: IC = βIB + ICEO A corrente de coletor é responsável pela tensão no resistor de coletor (VRC = RC ⋅ IC) e. pela tensão VCE pois. devido às correntes de fuga ICBO e ICEO. ocasionadas pelas variações de temperatura. da ordem de micro ou miliampères. 470k) porque as correntes de base dos transistores são baixas. O aumento da temperatura desloca o ponto de funcionamento (Q) para a parte superior da reta de carga. 220k. SENAI 183 . VCE = VCC . a equação que determina IC deve levar em conta essas correntes de fuga: IC = β ⋅ IB + ICBO ⋅ (β + 1) Como ICEO = ICBO (β + 1). Assim.

ou seja: S= ∆IC ∆ICBO Quanto menor for a variação de (∆IC) em função da variação de ICBO (∆ICBO) melhor será a qualidade do estágio transistorizado. Isso significa que quanto menor for o resultado da divisão ∆IC/∆ICBO. A estabilidade térmica admissível depende fundamentalmente da aplicação à qual o circuito se destina. maior será sua instabilidade. Fator de estabilidade (S) O fator de estabilidade (S) é um coeficiente utilizado para avaliar o grau de estabilidade térmica de um estágio transistorizado. Esse tipo de polarização propicia uma estabilidade térmica muito pequena. Com valor de S elevado. Observação Todo o circuito eletrônico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade térmica. mais estável é o circuito. Esse fator corresponde ao quociente entre a variação da corrente de coletor (∆IC) e a variação da corrente de fuga (∆ICBO) responsável pelo fenômeno. O fator de estabilidade térmica dos circuitos polarizados por corrente de base constante é dado pela expressão: S = β + 1. o fator S = β + 1 indica que quanto maior for o β do transistor. Circuitos com polarização por corrente de base constante O método de polarização por corrente de base constante não deve ser empregado em circuitos que estejam sujeitos a grandes variações térmicas. 184 SENAI .Eletrônica II A diminuição da temperatura desloca o ponto de funcionamento para a parte inferior da reta de carga. o circuito tem pouca estabilidade térmica. Por outro lado.

A curva característica de saída. O transistor BC337. variando em uma ampla faixa. Como na polarização por corrente de base constante o ponto de funcionamento depende diretamente do ganho de corrente do transistor. o transistor apresenta um ganho de corrente superior à média resultando em uma modificação do ponto de funcionamento. fornecida pelo fabricante. é comum ocorrer uma diferença entre os valores reais obtidos no circuito e os valores do projeto. os transistores de um mesmo tipo podem apresentar ganhos de correntes diferentes. por exemplo. SENAI 185 . pode apresentar um ganho de corrente (β) situado entre 60 e 630. representa a característica média para um tipo de transistor. No exemplo apresentado.Eletrônica II Correção do ponto de funcionamento Devido a diferenças existentes no processo de fabricação.

Eletrônica II Neste caso. Nesse caso. é necessário corrigir o circuito de forma que o ponto de funcionamento seja o desejado. fornecido pela curva característica. VCEQ do transistor muito abaixo do valor desejado. podem ocorrer três situações: VCEQ do transistor próximo ao valor desejado. não é necessário realizar uma correção. VCEQ próximo ao valor desejado O funcionamento do circuito se situa próximo ao ponto desejado quando o ganho real do transistor é aproximadamente igual ao ganho médio. a correção é feita através do resistor de base. porque as diferenças entre os valores desejados e os valores reais são pequenas. VCEQ do transistor muito acima do valor desejado. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser alterado. Dependendo de como o ganho de corrente real do componente se situa em relação ao ganho médio. 186 SENAI .

Tomando como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva característica (média). o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte superior da reta de carga.Eletrônica II VCEQ muito abaixo do valor desejado Quando o ganho real do transistor é maior que o valor médio. devido ao maior ganho de corrente do transistor. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser modificado. o maior ganho de corrente é compensado reduzindo-se a corrente de base quiescente (IBQ). o mesmo circuito com os mesmos resistores apresenta um resultado muito diferente do desejado. vemos que. Com a SENAI 187 .

o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte inferior da reta de carga. aumenta-se o valor do resistor RB. o ponto de funcionamento do circuito é muito diferente do desejado. Para reduzir a corrente de base IBQ. retornando ao valor desejado. 188 SENAI .Eletrônica II redução da corrente de base (IBQ). VCEQ muito acima do valor desejado Se o transistor apresenta um ganho real menor que o ganho médio. Tomando novamente como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva característica. a corrente de coletor se reduz. e uma correção é necessária.

Região de corte Um transistor está na região de corte quando as junções base-emissor e base-coletor estão polarizadas inversamente. região de saturação. tem-se: IC = β ⋅ IB + b ⋅ ICBO SENAI 189 . Com base na expressão para cálculo de IC e na corrente IB = 0. o valor de RB deve ser reduzido. A polarização inversa na junção BE torna a corrente de base nula.Eletrônica II O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado através de um aumento correspondente na corrente de base quiescente (IBQ). Para aumentar IBQ. diz-se que o transistor está operando em uma destas três regiões: • • • região de corte. De acordo com a posição em que o ponto de operação se situa na reta de carga. região ativa. Regiões de operação de um transistor O ponto de operação de um transistor pode ser localizado em qualquer posição ao longo da reta de carga.

Com corrente de coletor praticamente nula. ou seja. nos transistores de silício. Região de saturação Um transistor está na região de saturação. IC. a corrente de coletor é apenas de fuga (corrente de saturação inversa ICEO) e seu valor é da ordem de microampères. VCE = VCC (na região de corte). IC = β ⋅ ICBO Nos transistores de silício. Veja 190 SENAI .Eletrônica II Como β ⋅ ICBO = ICEO. A reta de carga correspondente apresenta o ponto de corte sobre o eixo horizontal. ou seja. quando a tensão VBE é maior que a tensão VCE. Observação Em geral. temos: IC = β ⋅ 0 + β ⋅ ICBO. VRC = RC . não há queda no resistor de coletor. O circuito transistorizado a seguir apresenta as junções BE e BC polarizadas inversamente (em corte). sendo desnecessário polarizar inversamente a junção BE. basta cortar a corrente de base para levar o transistor ao corte. e o VCE é o próprio valor da tensão de alimentação do circuito. Isso ocorre quando as junções BE e BC estão polarizadas diretamente.

Eletrônica II figura a seguir. Na curva característica de saída. onde os valores de VCE são mínimos e os valores de IC são máximos. O que caracteriza a região de saturação é o fato de que a junção coletor-base também fica diretamente polarizada em virtude de VBE ser maior que VCE. a região de saturação fica próxima ao eixo vertical. Por isso. SENAI 191 . alguns manuais trazem uma segunda curva característica de saída somente para a região de saturação. a região de saturação corresponde a uma faixa muito estreita. Nas curvas características de saída normais.

Eletrônica II Região ativa A região ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga entre as regiões de corte e de saturação. 192 SENAI .

fora das regiões de saturação e corte. a junção BE é polarizada diretamente e a junção BC é polarizada inversamente. Em resumo. O circuito da figura que segue mostra o emprego desse tipo de polarização. Polarização de base por divisor de tensão A polarização de base pode ser feita a partir de um divisor de tensão. ou seja. pode-se dizer que um transistor estará na região ativa sempre que VCE for maior que VBE e menor que VCC.Eletrônica II O transistor quando polarizado na região ativa. O gráfico e o circuito apresentados a seguir mostram a característica de saída e as tensões elétricas de um transistor polarizado na região ativa. funciona como amplificador. através do qual se aplica uma tensão VBE entre a base e emissor do transistor. Nela. SENAI 193 .

Normalmente. Outra característica importante é a menor variação dos valores de polarização quando o transistor é substituído. os circuitos polarizados por divisor de tensão têm ainda um resistor de emissor RE cuja função é melhorar a estabilidade térmica do circuito. 194 SENAI . O valor da corrente IBQ é ajustado aumentando ou diminuindo a tensão VBE. Esse tipo de polarização. Como o emissor está aterrado. provocando a circulação da corrente IBQ. acrescido do resistor de emissor. a tensão de base VB é a própria tensão VBE aplicada ao transistor e também é a própria ddp sobre RB2. que é fornecida pelo divisor. é o mais empregado porque propicia um alto grau de estabilidade térmica ao circuito.Eletrônica II O divisor de tensão aplica uma tensão à base (VB) que polariza diretamente a junção base-emissor. pois VRB2 = VB = VBE.

a soma das tensões eqüivale à tensão de alimentação. transistor. Por isso. As equações do circuito de coletor são: VCC = VRC + VCE + VRE VRC = RC ⋅ IC SENAI 195 . a expressão da queda de tensão no resistor de emissor pode ser reescrita da seguinte maneira: VRE = Re ⋅ IC. A tensão fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor. ou seja: VRC + VCE + VRE = VCC. Assim.Eletrônica II Análise do circuito de coletor Nos circuitos polarizados por divisor de tensão. pois corresponde ao valor de IB (IE = IC + IB). costuma-se considerar IE = IC. resistor de coletor. resistor de emissor. Segundo a Lei de Kirchoff para circuitos série. As quedas de tensão no resistor de coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE) dependem da corrente no circuito de coletor: VRC = RC ⋅ IC e VRE = RE ⋅ IE A diferença entre IC e IE é muito pequena. a malha de coletor se compõe de: • • • • fonte de alimentação.

(4. que corresponde ao divisor de tensão. VRE e VCE no circuito a seguir. a tensão aplicada entre base e emissor (VBE) corresponde à diferença entre a tensão de base e a tensão de emissor. tem a função de polarizar diretamente a junção base-emissor do transistor.004 = 1.92 V O circuito de base O circuito de base. pode-se determinar o VCE do transistor: VCC = VRC + VCE + VRE Portanto.Eletrônica II VRE = RE ⋅ IC Exemplo Determinar os valores de VRC. ou seja. IC = 270 ⋅ 0. A tensão VBE aplicada à junção base-emissor.004 = 4 V VRE = RE .(VRC + VRE) VCE = 10 . provocando a circulação da corrente IBQ.VRE.0 + 1.08 = 4.08 V Dispondo de VCC. VRC e VRE. que se comporta como um diodo em 196 SENAI . Quando o circuito de polarização utiliza um resistor de emissor. VBE = VB .5. VRC = RC . IC = 1000 ⋅ 0. VCE = VCC .08) = 10 .

Determinação analítica dos componentes polarizadores Embora a inclusão do resistor de emissor torne o circuito mais estável termicamente. obtém-se a condição de funcionamento desejada para o circuito. A tensão sobre o resistor de coletor (VRC) e a tensão de alimentação estão relacionadas entre si. Na determinação dos valores dos elementos polarizadores. isso se torna um problema quando se faz a análise gráfica através da reta de carga. dá origem a uma corrente de base. a determinação dos valores dos resistores de polarização é feita matematicamente. Por isso. ou seja. como. Através da aplicação do valor correto de VBE. se comparada com a tolerância dos resistores (5 ou 1%). a pequena diferença existente entre IC e IE (corrente de base) que não representa erro. toma-se como pontos de partida os seguintes valores: • • • tensão alimentação (VCC). IC ≅ IE. adota-se normalmente uma tensão no SENAI 197 .Eletrônica II condução. A própria curva característica da junção base-emissor é. Nesse tipo de estágio. por exemplo. corrente de coletor (ICQ). a curva característica de um diodo em condução. essencialmente. tensão sobre o resistor de coletor (VRCQ). Para simplificar a análise matemática podem ser consideradas algumas aproximações e estimativas que não prejudique os resultados obtidos.

pode-se determinar os valores dos componentes da malha de coletor. ou seja. nos estágios transistorizados polarizados por divisor. VCC e IE ≅ ICQ 0. Para que a junção base-emissor conduza. obtém-se um fator de estabilidade ótimo. valores que variam entre 1 e 10 mA.1. Desta forma.Eletrônica II resistor de coletor igual ou próxima à metade da tensão de alimentação: VRCQ = VCC 2 A corrente de coletor (ICQ) assume. entre10 e 15Ω. a tensão fornecida à base deve ser a tensão de condução de junção mais VRE. aplicada aos valores do transistor. ICQ e VRCQ. 198 SENAI . O resistor de coletor é calculado através da Lei de Ohm. VCC).1 . o resistor de emissor é determinado pela equação: RE = VRE IE Como VRE ≅ 0.1 . Dispondo-se de valores VCC.VCC ICQ RE = O divisor de tensão formado pelos resistores de base tem a função de fornecer a tensão VB à base do transistor. RC = VRCQ ICQ Adotando para o resistor de emissor uma queda de tensão de 10% da tensão de alimentação (VRE = 0.

Para que o circuito tenha um fator de estabilidade ótimo. deve-se escolher um valor para a corrente de funcionamento do divisor. VRB2 = VCC .Eletrônica II A tensão de saída do divisor é a própria queda de tensão no resistor RB2 de forma que: VRB2 = VBE + VRE A tensão sobre RB1 é a tensão de alimentação menos a parcela que cabe a RB2. a corrente do divisor (ID) deve ser suficientemente alta para que pequenas variações na corrente absorvida pela base não alterem significativamente a proporção da tensão sobre os resistores. IBQ Como: IBQ = ICC β e considerando-se que o transistor tenha β mínimo de 100. ID >> IBQ Em função dessa necessidade.VRB1 Dispondo dos dois valores de tensão sobre os resistores. adota-se ID = 10 . podemos dizer: IBQ = ICC β SENAI 199 .

Assim. RB1 e RB2 para que o circuito fique polarizado na região ativa. RC = VRCQ ICQ = 10 = 1724Ω 0.Eletrônica II I D = 10.0058 Cálculo de RE: VREQ = 0. temos: R B1 = VRB1 0. VRB1 e VRB2 e a corrente que circula por eles.1 .1ICC VRB1 = VCC –VRB2 RB2 = VRB2 V = RB 2 ID 0. RE.1ICC VRE + VBE 0. pode-se determinar seus valores pela Lei de 0hm.1 I CC 100 10 Com os valores de tensão dos resistores.1ICC RB2 = Exemplo Determinar os valores de RC. 20 = 2 V 200 SENAI . I BQ = 10 I CC I ⇒ I D = CC ⇒ I D = 0. VCC = 0.1 .

48 kΩ ID 0.0058 Cálculo de RB2 VRB2 = VBE + VREQ = 0.6 = = 4482Ω ou 4. não necessitam de correções em função de variações de temperatura.8 mA = 0.00058 ou 30 kΩ Usando os valores de resistores comerciais com 5% de tolerância.58 mA RB2 = VRB 2 2.00058 Cálculo de RB1 VRB1 = VCC .4 = = 30000Ω ID 0. Modificação do ponto de operação Os estágios transistorizados polarizados por divisor de tensão.6 V ID = 0. SENAI 201 . por possuírem ótima estabilidade térmica.6 + 2 = 2.1 IC = 0.2.6 = 17.Eletrônica II RE = VREQ 2 = = 344Ω ICQ 0.4 V R B1 = VRB1 17.1 ⋅ 5.VRB2 = 20 . o circuito seria montado conforme mostra a figura que segue.

VBE = VB . Portanto. ou seja. é necessário reduzir a queda de tensão nos resistores RE e RC. deve-se reduzir a tensão VBE que corresponde à diferença de tensão entre a base (VB) e o emissor (VRE). por exemplo.VRE. Nesse tipo de polarização. Situação 1: deseja-se aumentar o VCE do transistor. As tensões VRC e VRE dependem da corrente IC (VRC = RC ⋅ IC e VRE ≅ RE ⋅ IC).Eletrônica II A modificação do ponto de funcionamento nestes estágios acontece apenas quando é necessário alterar o ponto de funcionamento. Para isso. para reduzir IC se reduz IB. a corrente IB é determinada pela tensão VBE. Como a corrente IC é diretamente proporcional a IB. Vamos supor como condição inicial. A redução nos valores de VRC e VRE pode ser obtida pela redução de IC. para reduzir IB. 202 SENAI . um estágio polarizado por divisor de tensão com os valores indicados no circuito a seguir.

Para isso. reduz-se VB. deve-se reduzir RB1 ou aumentar RB2. tem-se: Situação 2: Deseja-se reduzir o VCE do transistor.Eletrônica II A tensão VB é fornecida pelo divisor de tensão. SENAI 203 . resistor de base RB1 e resistor de base RB2. utilizando setas para indicar os valores que aumentam (↑) ou diminuem (↓). Resumindo o processo de correção. A seqüência de blocos a seguir mostra o comportamento do circuito. alterando os valores dos resistores que compõem o divisor de tensão. Para reduzir VBE.

ICBO aumenta ICBO diminui IB é reduzida na mesma proporção pelo circuito IB é aumentada na mesma proporção pelo circuito Essa correção automática pode ser facilmente compreendida analisando-se o comportamento de um circuito sujeito a variações térmicas. A polarização por divisor de tensão atua na parcela de IC que é provocada pela corrente de base.R B 2 R B1 + R B 2 Princípio de funcionamento da estabilização térmica As variações de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito (IC). A equação da corrente de coletor mostra a dependência térmica: IC = β . β varia com a temperatura A parcela da corrente de coletor que é provocada pela corrente de fuga ICBO . 204 SENAI . fator de estabilidade S.Eletrônica II Fator de estabilidade Os circuitos polarizados por divisor de tensão se caracterizam por apresentar um ótimo. Este fator é dado pela equação: S= RE + RB  R  RE +  B   β + 1   Nessa igualdade. RE é o valor do resistor de emissor e RB é o valor equivalente de Thévenin dos dois resistores divisores de tensão da base: RB = R B1. Isso faz as variações na corrente de fuga serem compensadas por variações opostas na corrente IB: IC ≅ β (IB + ICBO) Ou seja. ou bom. (β + 1) não pode ser alterada porque se deve a fenômenos internos do transistor. β é o ganho de corrente de base para o coletor do transistor. IB + ICBO .

a corrente de coletor IC tende a aumentar como conseqüência do aumento da corrente de fuga.Eletrônica II A partir do momento em que a temperatura aumenta. IE aumenta também (IE = IC + IB): IC⇑ IE⇑ O aumento em IE provoca a existência de uma queda de tensão maior em RE: VRE = IE .VRE VB é fixo VBE diminui VRE aumenta VRE ⇑ VBE ⇓ Diminuindo o VBE do transistor. Condição inicial T⇑ ICBO⇑ IC⇑ A modificação de IC provoca uma mudança indesejável no ponto de operação. a corrente de base IB diminui. A partir do momento em que IC aumenta. observa-se que o seu valor decresce. SENAI 205 . RE IE ⇑ à VRE ⇓ Como a tensão VBE depende da tensão fornecida pelo divisor de tensão (fixa) e de VRE. VBE = VB .

Eletrônica II VBE⇓ IB⇑ A redução em IB ocorre na proporção correta para reduzir a corrente de coletor ao seu valor original. Responda às seguintes perguntas: a) O que significa polarizar um transistor? b) O que expressa o fator de estabilidade em um circuito? c) O que deve ser feito se a tensão VCEQ estiver muito abaixo do valor desejado ? d) Qual é a principal vantagem na utilização da polarização por divisor de tensão? 206 SENAI . Condição Final IB⇓ à IC⇓ (Volta ao valor original) Com esse processo de correção. o circuito é praticamente insensível às variações de temperatura. Exercícios 1.

VCE = 11. b) Faça o esquema e determine os valores de RC. b) Circuito com um transistor polarizado por divisor de tensão.6 V e IE = 10 mA. sabendose que VB = 3 V. RE. Faça o esquemas solicitados: a) Circuito com um transistor com polarização da base por corrente constante. Resolva os seguintes exercícios: a) Determinar os valores dos resistores de polarização no circuito a seguir.Eletrônica II 2. RB1 e RB2 para que o circuito funcione com um transistor de silício com os seguintes dados • • • • β = 200 ICQ = 12 mA VRCQ = 20 V VCC = 40 V SENAI 207 . 3.

a.Eletrônica II 4. ) Funcionamento dos estágios amplificadores. Polarização fixa e. ) Junção base emissor polarizada inversamente. ) Polarização por corrente de base constante. Região de corte b. Região de saturação ( ( ( ( ( ( ) Tensão VBE maior que a tensão VCE. Resistor de emissor c. Relacione a segunda coluna com a primeira. Região ativa d. ) Região de portadores neutros. 208 SENAI . ) Polarização por divisor de tensão.

também é possível identificar os terminais e o tipo de transistor em perfeito estado de que se dispõe. Neste capítulo serão estudadas algumas dessas características. apresenta diversas características técnicas e construtivas que devem ser conhecidas pelo usuário. A figura a seguir mostra a posição dos terminais de um transistor. Identificação dos Terminais A identificação dos terminais do transistor deve ser feita com o auxílio de um manual ou folheto técnico específico fornecido pelo fabricante ou com o multímetro analógico. SENAI 209 .Eletrônica II Características do Transistor Bipolar O transistor. como é mostrada em um folheto técnico. por ser um componente muito versátil. Com o auxílio do multímetro analógico.

b) Liga-se o terminal + da bateria do aparelho no terminal do transistor que se supõe ser a base e o terminal − nos outros dois terminais do transistor. foram encontrados valores simétricos.Eletrônica II Assim. se ele é NPN ou PNP. isto é. d) Se nas quatro medições feitas anteriormente. duas a duas. outro terminal deverá ser escolhido e nova seqüência de medições deverá ser realizada. o terminal que se supõe ser a base. coloca-se o pólo positivo da bateria do ohmímetro na base (anteriormente identificada) e o pólo negativo em qualquer um dos outros dois terminais. o transistor é NPN. duas medidas simétricas. em relação aos outros (emissor e coletor) fornece duas medidas simétricas: inicialmente duas resistências baixas (ou altas) e. procede-se da seguinte maneira: a) Coloca-se a escala do ohmímetro em R x 10 K. duas resistências altas (baixas). coloca-se o terminal − da bateria do aparelho na suposta base e o terminal + nos outros dois. Se o aparelho indicar resistência baixa. c) Inverte-se os terminais das pontas de prova. Para identificar o coletor e o emissor do transistor. se a resistência for infinita (∞). Dois valores de resistência mais ou menos iguais são obtidos: resistência infinita (∞) ou resistência baixa (aproximadamente 30 Ω). ao inverter as polaridade das pontes de prova. Observação Se não se puder obter. 210 SENAI . deve-se lembrar que ela é aquele terminal que. Caso contrário. nas quatro medições feitas. Para realizar a identificação. Dois valores de resistência mais ou menos iguais serão obtidos: resistência baixa (aproximadamente 30 Ω) ou resistência infinita (∞). para identificar a base do transistor. em seqüência. realmente o é. isso significa que o transistor está danificado. ou seja. o transistor é PNP. de maneira alguma. ou seja. Para identificar o tipo de transistor. procede-se da seguinte maneira: a) Coloca-se a escala do ohmímetro em R x 1. em seqüência. Caso contrário.

no caso de um transistor NPN (ou negativo. e se for encontrado um valor de resistência infinita (∞). após a identificação. se o transistor for NPN. c) Se o transistor for NPN. a resistência lida passar a apresentar um valor baixo. o valor de resistência encontrado for baixo. O teste é realizado da mesma forma utilizada com um diodo. é possível testar o transistor e detectar seus defeitos mais comuns. Se o transistor for PNP e o valor infinito estiver no terminal negativo. se o transistor for PNP) estará ligado ao emissor do componente. Teste do transistor bipolar Existem equipamentos destinados especificamente ao teste de transistores. o terminal positivo da bateria estará conectado no coletor do transistor. o terminal positivo da bateria do ohmímetro. d) Se. Observação Se.Eletrônica II b) Liga-se o terminal + da bateria do ohmímetro no terminal do transistor que se supõe ser o coletor e o terminal − no que se supõe ser o emissor. Faz-se o oposto se o transistor for PNP. após ligar os terminais da bateria conforme o item b. identifica-se o tipo do transistor. Através das leituras é possível detectar se a junção PN está em curto ou aberta. usando-se um multímetro. Porém. o transistor está em boas condições. ou seja: • • primeiro. realiza-se o teste como mostra a figura a seguir. este será o coletor. SENAI 211 . que são: o curto e a abertura na junção PN. ao colocar o dedo entre a base e o coletor do transistor.

Observação A polaridade apresentada nas pontas de prova das próximas figuras corresponde à polaridade real do instrumento.Eletrônica II Ao analisar a estrutura dos transistores. o instrumento deve indicar que existe continuidade entre base-coletor e base-emissor. também para fins de teste. para fins de teste. ponta de prova preta (+) e ponta de prova vermelha (-). 212 SENAI . o transistor pode ser tratado como dois diodos ligados em oposição. Da mesma forma. forma-se outra junção PN que. pode-se afirmar que não existe junção aberta (BC ou BE). Nesta indicação. Os testes apresentados a seguir têm como base um transistor NPN. BE. pode ser tratada como um diodo. ou seja. A partir desse dado. CE). Testes das junções Estes testes indicam se há curto-circuito ou abertura das junções PN entre base-emissor e base-coletor. é possível afirmar que: testar um transistor é verificar se existe curto-circuito ou abertura entre cada par de terminais (BC. entre base e emissor. Teste de Abertura das Junções Com potencial positivo aplicado à base (anodo dos "diodos"). para fins de teste. pode ser tratada como um diodo. Portanto. observa-se que entre a base e o coletor forma-se uma junção PN que.

Se houver uma junção em curto. Se isso ocorrer. pode-se afirmar que não existe curto entre base-coletor e base-emissor. Para testar as condições entre os terminais coletor-emissor procede-se conforme figuras a seguir : SENAI 213 . indicando alta resistência. o instrumento indicará baixa resistência. Teste de curto-circuito nas junções A polaridade aplicada aos "diodos" é tal que deve fazer com que eles bloqueiem.Eletrônica II Se houver uma junção aberta (BC ou BE). o instrumento indicará resistência altíssima ou infinita.

Observação Todos os testes devem ser feitos na escala R x 10 e o transistor deve estar desconectado de qualquer circuito. Assim. quando se invertem as pontas de prova sobre os terminais do transistor. 214 SENAI .Eletrônica II Este teste deve apresentar alta resistência nas duas medições. As partes metálicas das pontas de prova não devem ser tocadas para evitar erros no teste. Defeitos comuns nos transistores As junções base-coletor e base-emissor. nos testes são consideradas como diodos. devem indicar condução em um sentido e bloqueio no outro.

O teste com o multímetro não permite detectar alterações das características no transistor. Encapsulamento Encapsulamento é o nome dado ao invólucro dos materiais semicondutores. pois o cristal semicondutor é muito frágil e apresenta dimensões muito pequenas. há ainda a possibilidade de que existam alterações nas suas características que não podem ser detectadas no teste e que o torna impróprio para funcionar no circuito.Eletrônica II Quando se realiza um teste com multímetro. que apresentam diversos formatos. Todavia. Isso significa que houve rompimento na ligação entre as duas pastilhas semicondutoras. se o transistor não passar no teste com o multímetro. A abertura de uma junção é detectada quando o teste em uma das junções indica bloqueio nos dois sentidos. os defeitos detectados nos transistores são: • • • curto-circuito em uma junção. Porém. se o transistor passar no teste. inclusive para os transistores. o transistor está danificado. é possível garantir que ele está danificado. são fabricados de epoxi ou metal. como mostram as figuras a seguir. curto ou fuga entre coletor e emissor. Os encapsulamentos. Ele tem a função de garantir resistência mecânica ao componente. abertura de uma junção. SENAI 215 . devidamente isolados. O curto-circuito em uma junção é detectado quando o teste de uma das junções mostra condução nos dois sentidos. O curto ou a fuga entre coletor e emissor são detectados quando qualquer uma das medidas entre coletor e emissor provoca um movimento do ponteiro do ohmímetro (em escala R x 10).

Resistência térmica: Rthja 60oC/W. tipo de montagem. função da montagem. Resistência térmica: Rthja 110o C/W. • Encapsulamento TO-126 Características: corpo plástico com uma placa metálica em uma das faces. Exemplo típico: transistor 2N3055. capacidade de dissipar calor. A seguir são mostrados alguns tipos de encapsulamentos com suas características físicas e térmicas. Exemplo típico: transistor AC188. Tipos de encapsulamento Os tipos de encapsulamento (formatos) dos transistores variam de acordo com os seguintes fatores: • • • • fabricante. • Encapsulamento TO-1: Características: corpo cilíndrico.Eletrônica II Para os transistores de potência. • Encapsulamento TO-3 Características: corpo totalmente metálico eletricamente ligado ao coletor. 216 SENAI . o encapsulamento metálico apresenta ainda a função de permitir a transferência de calor do cristal para o exterior. Exemplo típico: transistor BD135. totalmente metálico. Resistência térmica da junção até o ambiente: Rthja = 290o C/W.

potência total. Tabela de especificações As tabelas fornecem uma série de dados sobre os transistores tais como: polaridade. Para interpretar esses dados com mais facilidade. em um único tipo de encapsulamento. A maneira mais simples para se determinar esses terminais é por meio de uma tabela de especificações ou ficha técnica. deve-se conhecer os símbolos mostrados na tabela a seguir. Os códigos usados pelos fabricantes nacionais são baseados em códigos de fabricantes europeus. corrente máxima. SENAI 217 . Significado dos símbolos VCEO: Tensão coletor-emissor (base aberta) IC: Corrente contínua de coletor (emissor aberto) Ptot: Potência dissipada total Tmb: Temperatura da base de montagem hFE: Ganho em corrente contínua fhfe: Freqüência na qual hfe cai de 3dB IDSS: Corrente de dreno VCBO: Tensão base-coletor ICM: Valor de pico da corrente de coletor Tamb: Temperatura ambiente f T: Freqüência de transição hfe ou β: Ganho em corrente alternada VDS: Tensão dreno-fonte Códigos de designação de semicondutores Os diversos tipos de dispositivos semicondutores (dentre eles os transistores) são identificados por meio de códigos compostos por letras e números. tensão máxima entre coletor e emissor. ganho. Os códigos que apresentam três letras e dois algarismos (de 10 a 99) pertencem a dispositivos semicondutores geralmente utilizados em equipamentos industriais e profissionais de alta confiabilidade. Os códigos que apresentam duas letras e três algarismos (de 100 a 999) pertencem a dispositivos semicondutores geralmente empregados em aparelhos eletrônicos domésticos. é possível existir vários posicionamentos dos terminais. Constituem-se de duas ou três letras seguidas por um número de dois ou três algarismos.Eletrônica II É importante observar que. aplicação. freqüência máxima.

transistores para AF (áudio-freqüência).diodos de capacidade variável (VARICAP). P . baixo sinal. Q . N – fotoacopladores.fotodiodos e fototransistores (dispositivos sensíveis à radiação).tiristores para comutação de alta potência. Essa letra indica que este componente apresenta características diferentes daqueles sem a letra ou com letra diferente. R .tiristores para comutação de alta potência. Z . A terceira letra e os algarismos indicam apenas a série de fabricação.materiais para células fotocondutoras. pode aparecer mais uma letra maiúscula.arseneto de gálio (GAAS) ou arseneto de fósforo e gálio (GAASP).diodo-túnel. C .germânio (Ge). 218 SENAI .antimoneto de índio (Inse). F .silício (Si). D .diodos zener. U . B .tiristores para comutação de baixa potência.transistores para RF (rádio-freqüência). E .diodos retificadores. S . C . Dissipador de calor O transistor é sensível à variação de temperatura. Isso torna as especificações de temperatura muito importantes.transistores para RF de potência.LED (dispositivo gerador de radiação).diodos multiplicadores de potência.Eletrônica II A primeira letra do código indica o material semicondutor do qual o componente é fabricado. D . B . T . L . R .diodos detetores de comutação e misturadores. A segunda letra do código indica o tipo de dispositivo e sua aplicação: • • • • • • • • • • • • • • • • • A . Observação Após o código de identificação de um transistor. X . baixo sinal. Y .transistores para AF de potência.tiristores de alta potência. ou seja: • • • • • A .

Em transistores de média e alta potência. Os dissipadores são construídos com materiais que conduzem bem o calor como o alumínio.Eletrônica II No caso específico desse componente. O dissipador de calor é ligado ao encapsulamento do transistor. esse trabalho é realizado por um dispositivo denominado de dissipador de calor. construindo os dissipadores com aletas que permitem uma área maior em espaço reduzido. que permite a troca de calor entre o transistor e o meio ambiente. é preciso considerar as temperaturas do ambiente. para aumentar sua eficiência. diminuindo a temperatura do componente. do invólucro e da junção. o calor produzido na junção deve ser dissipado. é necessário que o dissipador tenha uma área que permita o máximo de transferência de calor com o mínimo de consumo de material. o terminal do coletor é ligado ao invólucro que é SENAI 219 . Isso é obtido. Seu formato pode ser observado nas figuras a seguir. Para evitar que o transistor seja destruído. Isso permite que o calor circule por ele e saia para o ar ambiente. Nos transistores de potência. por exemplo. Além disso.

são usados isoladores entre o transistor e o dissipador. Todavia. Esses parafusos também permitem que neles se fixe o terminal onde está soldado o fio de conexão do coletor. Devido ao coletor apresentar tensão diferente do terra. os parafusos devem ser muito bem apertados para que a transferência de calor seja adequada. Para evitar o contato elétrico. Além da mica. à terra. Esses isoladores são feitos geralmente de mica. Uma possível disposição para essa montagem é ilustrada na figura que segue. são usadas buchas isoladoras para que os parafusos de fixação também não estabeleçam contato elétrico entre o transistor e o dissipador. 220 SENAI . o transistor não deve ter contato elétrico com o dissipador porque este está ligado à carcaça e esta. por mais lisas que as superfícies sejam.Eletrônica II metálico. o contato nunca é perfeito. Quando é executada a montagem do tipo mostrado na ilustração anterior.

Eletrônica II Para maximizar a transferência de calor. não evapora e não se torna fluída quando aquecida. Observação Sempre que uma montagem é terminada. Além disso. a graxa deve ser espalhada uniformemente sobre todas as superfícies a serem postas em contato. é recomendável que se teste a isolação dos terminais do transistor em relação à carcaça e ao dissipador. Exercícios 1. utiliza-se a graxa de silicone (ou pasta térmica) que preenche as irregularidades das superfícies. pode-se afirmar que não existem alterações nas suas características? Justifique sua resposta. d) Qual é a função do encapsulamento em um semicondutor? SENAI 221 . Essa graxa é isolante. é boa condutora de calor. Na aplicação. não reage com o transistor nem com o dissipador. Responda às seguintes perguntas: a) Quais são os defeitos mais comuns em um transistor bipolar? b) Qual é a indicação que comprova que o transistor está com uma junção aberta? c) Após testar um transistor utilizando um multímetro. completamente inerte.

Eletrônica II e) Qual é a função do dissipador de calor? 2. Complete a tabela que segue com os significados das notações apresentadas. hFE IC hfe Ptot VCBO β 222 SENAI .

regulação de tensão com diodo zener e relações entre parâmetros do transistor bipolar. Regulação de tensão em fontes de alimentação A necessidade de projetar e montar fontes reguladas de boa qualidade provém do fato que as fontes não-reguladas nem sempre atendem aos requisitos necessários para todos os usos. SENAI 223 . Paralelamente à substituição das válvulas. você deverá ter conhecimentos relativos a fontes de alimentação com filtro. o transistor popularizou-se muito rapidamente como substituto da válvula e passou a ser empregado na grande maioria dos circuitos eletrônicos. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo.Eletrônica II Reguladores de Tensão A partir de sua descoberta. Este capítulo tratará do princípio de funcionamento das fontes reguladas a transistores e o uso de transistores em configuração darlington. Existem duas razões para isso: • • regulação pobre e estabilização pobre. Uma destas aplicações é a construção de fontes de alimentação reguladas à base de transistores que hoje são utilizadas na maioria dos circuitos eletrônicos. novas aplicações foram descobertas para o transistor.

fornecendo um valor preestabelecido de tensão de saída. independentemente das variações que ocorrem na corrente de carga na tensão da linha de alimentação CA. tem-se uma variação na tensão de saída quando a carga varia. Normalmente. Veja gráficos comparativos a seguir. as variações de tensão de entrada (na rede CA) provocam variações proporcionais na tensão de saída e o resultado é uma estabilização pobre. embora 224 SENAI . Circuitos reguladores de tensão Existem circuitos eletrônicos cuja finalidade é melhorar o desempenho das fontes de alimentação. Nas fontes não-reguladas.Eletrônica II Como resultado de uma regulação pobre. estes circuitos são denominados de reguladores de tensão.

As variações na tensão de entrada sempre provocam pequenas alterações na tensão de saída. esse tipo de circuito só é utilizado quando a corrente SENAI 225 . Um circuito regulador é considerado paralelo quando o elemento regulador é colocado em paralelo com a carga. segundo a posição do elemento regulador em relação à carga: • • regulador paralelo. Classificação dos circuitos reguladores Os circuitos reguladores são classificados em dois grupos. Observação Deve-se sempre considerar que não existe um sistema regulador de tensão perfeito. na realidade. reguladores e estabilizadores de tensão. Um exemplo típico de regulação paralela é aquela que utiliza o diodo zener como elemento regulador. Os sistemas reguladores devem funcionar de tal forma que as variações na tensão de saída sejam as menores possíveis. Na prática. regulador série.Eletrônica II sejam.

permite a obtenção de 226 SENAI . A associação diodo zener-resistor. Na regulação série. Regulação série com transistor Os reguladores de tensão do tipo série com transistor são largamente empregados na alimentação de circuitos eletrônicos devido a sua boa capacidade de regulação. Nesse tipo de circuito. apenas o elemento regulador dissipa potência.Eletrônica II de carga é bastante reduzida. e uma tensão de saída praticamente constante é entregue à carga. ligada à tensão de entrada. Um circuito regulador é classificado como sendo série quando o elemento regulador é colocado em série com a carga. as variações de tensão da entrada são absorvidas pelo elemento regulador.

VBE A diferença entre a tensão de entrada (VENT) e a tensão de carga (VRL) fica entre coletor e emissor do transistor (VCE) que atua como elemento regulador.Eletrônica II uma tensão constante (VZ). A tensão aplicada à base pode ser considerada constante (mantida pelo diodo zener) de forma que a tensão sobre a carga também se mantém constante (0. Análise do circuito No circuito regulador série com transistor pode ser analisado sob dois pontos de vista: o das tensões e o das correntes. a tensão de base do transistor é estabilizada no valor VZ. independentemente das variações da tensão de entrada. VS = VENT . sendo VZ = VB Como a carga está ligada ao emissor do transistor.3 V menor que VZ). é apresentada a análise do comportamento das tensões no regulador com transistor. ou seja. As variações nas tensões de entrada são assimiladas pelo transistor através de uma modificação na tensão entre o coletor e o emissor (VCE). pois a tensão de base do transistor está estabilizada pelo zener. a tensão sobre ela (VRL) será a tensão aplicada à base (VZ) menos a queda na junção base-emissor (VBE): VRL = VB . SENAI 227 . No exemplo a seguir.VCE Observe que qualquer variação da tensão de entrada não é transferida para a saída.VBE ou VS = VZ . A tensão constante do diodo zener é aplicada à base do transistor.7 V ou 0.

Isto é necessário para que a tensão coletor-emissor (VCE) varie sem provocar alteração na saída do circuito. Outra análise que se pode fazer nesse circuito é a análise do comportamento das correntes que mostra a forma como o circuito regulador reage às modificações da corrente de carga. A corrente de base. Tomando como base uma condição inicial. necessária para que o transistor forneça a corrente de carga. com uma carga estabelecida. Em geral. a tensão de entrada deve ser aproximadamente 50% maior do que a tensão regulada necessária na saída. a tensão de entrada sempre é maior que a tensão de saída. pode-se considerar IRL ≅ IE ≅ IC. a corrente de coletor é praticamente igual à corrente de carga.Eletrônica II Nesses circuitos. desde que VCE seja maior do que 3 V. é 228 SENAI . Como IB é desprezível. ou seja. as correntes do circuito são as mostradas na figura a seguir.

IB → → ⇑IB ⇓IB Considerando a corrente do resistor R (IR = IB + IZ) com valor constante.5 A em relação ao valor de referência de 1 A e no qual IZ = 30 mA. De forma que IB + IZ tenha um valor constante. a base passa a absorver outro valor de corrente.Eletrônica II proveniente do circuito resistor-zener (R – DZ). se IB diminui. IRL⇑ IRL⇓ → → ⇑IC Como IC = β . a corrente de coletor se modifica. IB ⇓IC Como IC = β . Com a modificação na corrente de coletor. Na figura a seguir é apresentada a análise das correntes do regulador série com transistor com β = 100. nos casos em que a corrente de carga aumenta e diminui 0. Cabe ao diodo zener absorver o excesso de corrente ou fornecer uma corrente extra à base do transistor. IZ aumenta. verifica-se que: • • se IB aumenta. IZ diminui. Observe que a tensão de entrada do regulador é constante (16 V) SENAI 229 . conforme a situação de carga do circuito. Quando a carga varia (exigindo maior ou menor corrente).

a tensão aplicada à base do transistor passa a ser VB = VZ + VD1. Essa configuração com o diodo de compensação é apresentada na figura que segue. Compensação da tensão VBE A tensão de saída dos circuitos reguladores tipo série é dada pela expressão VS = VZ . Com a colocação do diodo. obtém-se: VS = VZ + VD1 . A tensão zener não deve variar com as modificações da carga ou da tensão de entrada.Eletrônica II Nos circuitos reguladores série.VBE Como VD1 tem o mesmo valor de VBE.VBE VS . a condição fundamental para que a tensão de saída permaneça constante é a regulação de tensão no diodo zener. Para compensar esta perda de tensão na junção base-emissor. pode-se acrescentar um diodo (no sentido da condução) em série com o diodo zener. Utilizando um diodo de mesmo tipo do transistor (germânio ou silício). Isto significa que a tensão de saída sempre é um pouco menor que a tensão do diodo zener.VBE.V Z 230 SENAI . o acréscimo de tensão na base compensará a queda de tensão na junção base-emissor: VS = (VZ + VD1) .

os transistores usados nos circuitos reguladores são de potência. PT = IC .Eletrônica II Dissipação de potência no circuito regulador série Os circuitos reguladores de tensão sempre apresentam componentes que dissipam potências elevadas em forma de calor. ou seja: SENAI 231 . conclui-se que IE1 ≅ IB1⋅ β1. VCE Em geral. o componente sujeito à dissipação elevada é o transistor. o resistor R1 fornece uma corrente de base IB1 ao transistor T1. Essa corrente é amplificada por T1 e gera uma corrente de coletor (IC1) com valor igual a IB1 ⋅ β1. O transistor T2 amplifica esta corrente de base gerando uma corrente na carga que corresponde a IC2 = IB2 ⋅ β2. Nele. Veja circuito a seguir. A potência dissipada no transistor é o produto da corrente de coletor pela diferença de tensão entre a entrada e a saída: PT = IC . (VENT – VS) Como VENT – VS = VCE. Configuração darlington A configuração darlington corresponde a uma forma de ligação entre dois transistores que adquire características singulares. Admitindo-se que IE1 ≅ IC1. dimensionados de forma que a dissipação real não provoque o disparo térmico e a inutilização do componente. Nos circuitos reguladores série. A corrente IE1 é aplicada à base de (IE1 = IB2).

tem-se: IRL = Iβ1β1 . 232 SENAI . dois transistores de β = 50 em configuração darlington.Eletrônica II IC2 = IB2 ⋅ β2 IC2 = IE1 ⋅ β2 IC2 = (IB1⋅ β1) ⋅ β2 Como a corrente de carga (IRL) é a soma das correntes dos coletores: IRL = IC1 + IC2 IRL = IB1 ⋅ β1 + (IB1⋅ β1) ⋅ β2 IRL = IB1β1 (1 + β2) Considerando 1 + β2 ≅ β2.β2 Operando a equação de tal forma a obter IB1. tem-se: IB1 = IRL β1. A seguir são apresentados dois exemplos de acionamento de uma carga de 2 A através de: • • um transistor com β = 50.β 2 Isso significa que uma carga de grande corrente pode ser controlada através de uma corrente centenas ou milhares de vezes menor.

verifica-se que a corrente de base na entrada do regulador é muito menor com a configuração darlington. o que menor dissipação no zener. Como vantagens fundamentais dessa configuração.Eletrônica II Pelos resultados. 233 . A figura a seguir mostra o diagrama de uma fonte regulada simples que usa transistores ligados na configuração darlington com os diodos de compensação VBE. SENAI aumenta a estabilidade da tensão de saída. temos: • • as variações de corrente no zener em função da carga são menores.

O prefixo 78 indica regulador de tensão positiva e o 79 identifica o regulador de tensão negativa.Eletrônica II Deve-se levar em conta que se não houver os diodos de compensação (D1 e D2). O regulador de tensão de saída variável mais popular é o LM 317. Ele possui limitação interna de corrente. Se for usado com dissipador de calor adequado. 234 SENAI . O regulador de tensão com saída fixa mais utilizado é o de três terminais com encapsulamento TO-220 da família 78XX e 79XX. a tensão de saída será: VS = VZ . pode fornecer à carga corrente superior a 1 A. Observação Alguns desses transistores possuem um diodo entre emissor e coletor. área de segurança de compensação de temperatura e proteção contra curto-circuito na saída. e a única forma de identificar transistores com essa configuração é através da consulta ao manual do fabricante. Os dados sobre esses componentes são encontrados nos data books e manuais dos respectivos fabricantes. A configuração darlington também está disponível no mercado em um único encapsulamento de transistor. Esses circuitos integrados reguladores ou estabilizadores de tensão podem fornecer uma tensão de saída fixa ou variável.(VBE1 + VBE2). Reguladores em circuitos integrados Existem circuitos integrados que fazem toda a regulação da tensão de saída de uma fonte de CC de forma simples e muito eficiente.

Responda às seguintes perguntas: a) Cite duas razões pelas quais se deve usar regulação em uma fonte de tensão. e qual é o mais usado? d) Qual é a vantagem da utilização de uma configuração darlington em transistores? 2. Faça os esquemas citados: a) Circuito regulador série.Eletrônica II Exercícios 1. b) Qual é a função de um circuito regulador de tensão? c) Quais são os dois grupos de reguladores usados. SENAI 235 .

Em um circuito regulador a transistor.Eletrônica II b) Configuração darlington. por uma marca no seu encapsulamento. 3. Um transistor darlington difere de outros transistores. A potência dissipada no transistor em um circuito regulador série é o produto da corrente zener pela tensão VCE. Os circuitos integrados reguladores são fabricados para fornecer somente tensões fixas. 236 SENAI . 4. a) ( ) b) ( ) c) ( ) d) ( ) e) ( ) Em um circuito regulador a transistor. as variações na tensão de entrada são assimiladas pelo transistor. Escreva nos parênteses V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas. as variações na corrente de entrada são assimiladas pelo diodo zener. Resolva o seguinte exercício: a) Calcule a corrente de base no circuito apresentado. com os dizeres “dn”.

um terminal terra e um terminal de saída. Além de um par de capacitores de passagem. Este regulador constitui um componente de grande robustez mecânica e elétrica. estes reguladores de três terminais tornaram-se populares por serem baratos e fáceis de serem usados. Apresentado em encapsulamento plástico ou metálico com 3 terminais externos. A pastilha semicondutora interna congrega todos circuitos necessários à regulação da tensão. pois é facilmente ligado ao circuito. SENAI 237 . Os novos dispositivos podem fornecer corrente de carga de 100 mA a mais de 3A.Eletrônica II Regulador Monolítico O regulador de tensão serial monolítico é um componente que veio facilitar muito a implementação de fontes de alimentação. sendo um terminal de entrada. São largamente aplicados na regulação local de tensões de cartões de circuitos eletrônicos. sendo ainda encontrado para várias tensões de regulação. Assim. Disponíveis em embalagens (encapsulamentos) plásticas ou metálicas. os novos reguladores de tensão monolíticos não necessitam de componentes externos. a proteção contra curto e a regulação ficam independentes da fonte principal.

Para melhorar a resposta a transientes (ruídos elétricos) da tensão de saída regulada.Eletrônica II Figura: diagrama de blocos (funcional) de um regulador de tensão em CI com três terminais típico. Figura: LM340-5 ligado com um regulador de tensão fixo. Regulador fixo O LM340-5 tem uma tensão de saída de 5V ± 2 %. é usado.01Ω. uma corrente de carga máxima de 1. uma regulação de carga de 10 mV. Quando o C1 estiver a alguns centímetros de distância do capacitor de filtro da fonte de alimentação não regulada.5 A. Com impedância de saída de aproximadamente 0. uma regulação da fonte de 3 mV. às vezes. um capacitor de passagem C2. É por isso que se vê freqüentemente um capacitor de passagem C1 no pino. 238 SENAI . o LM340-5 é uma fonte de tensão estável para cargas dentro da especificação de corrente. como se vê na figura abaixo. a indutância do cabo condutor pode produzir oscilações no C1.

esta ligado ao topo de R2. Aplicações dos reguladores fixo A figura abaixo mostra componentes externos adicionados a um LM340 para se obter uma tensão de saída ajustável. Isto significa que a saída regulada Vreg se dá através de R1.1µF para o capacitor de saída).Eletrônica II Valores típicos para o capacitor de passagem são de 0. Como no caso anterior. um gerador de corrente (sistema capaz de sustentar uma corrente constante na carga. uma corrente quiescente IQ flui através do pino 3 e através de R2. IQ tem um valor máximo de 8 mA e varia somente 1 mA para todas as variações de linha e da carga). Além disso. O terminal comum do LM340 não é “aterrado” (ligado ao comum). o LM340-5 regula ao longo de uma faixa de entrada de. a equação mostra que Vsaída é regulada e ajustável. a SENAI 239 . Qualquer dispositivo da série LM340 precisa de uma tensão de entrada de pelo menos 2 a 3 V maior que a tensão de saída regulada. A resistência de carga RL assume o lugar de R2. Por exemplo. mas ao contrario. enquanto o LM340-24 regula dentro de uma faixa de 27 a 38 V. A figura a seguir é outra aplicação. escurecimento). até determinado valor limite de carga máxima). a tensão de saída do pino 2 ao comum é: A Corrente em R1 (Ireg) é constante porque o regulador sustenta a queda de tensão Vreg (VR1) sobre o resistor. Como IQ apresenta pouca variação com as variações da linha e da carga (garantida pelo fabricante). ele pára de regular (às vezes chamado de “brownout” – termo parecido com “blackout”. aproximadamente. portanto. caso contrário. aproximadamente 7 a 20 V. desta vez.1 a 1µF (a folha de dados da série LM340 sugere 0. há um limite para a tensão de entrada devido a dissipação excessiva de potência.22µF para o capacitor de entrada e 0. (Para a série LM340.

001%. A regulação da linha é de 0.Eletrônica II corrente quiescente IQ e a corrente de R1 fluem através de RL. Portanto a corrente na carga é: Como exemplo. Reguladores de tensão ajustáveis Um grande número de reguladores em CI como o LM317. Isaída é essencialmente constante e independente de RL. Em outras palavras. Eles têm correntes de carga máxima de 1. A regulação de carga é de 0. suficiente grande para encobrir as pequenas varições em IQ. suponha que Vreg = 5V e R1 = 10Ω então Isaída é de aproximadamente 500 mA. isto significa que a tensão de saída somente varia 0. A figura a seguir mostra uma fonte de alimentação não regulada alimentando um circuito típico de LM317.25 V a 37 V. A folha de dados de um LM317 dá esta fórmula para a tensão de saída: 240 SENAI .1%. LM338 e o LM350 são ajustáveis. Por exemplo o LM317 é um regulador de tensão positiva de faixa ajustável de 1.5 A a 5 A.01% para cada volt de variação da entrada. Isto significa que podemos variar RL e ainda ter uma corrente de saída fixa.

Número Vsaída Imáxima Reg.5 A de corrente de carga. os dispositivos da série LM340 são praticamente indestrutíveis.2 a 32 V Negativo fixo Negativo fixo Ajustável: 1.Saída mV Rej. 6.Ripple dB Desligamento Comentários V +5 -5 -15 +5 +15 - 1 1. 15.1% 3 4 0.1% 4 0. 8.5 Positivo fixo Ajustável: 1. 18 e 24 V. 10.1% 50 30 0.2 a 32 V Positivo fixo Positivo fixo Ajustável: 241 LM 317 LM 320-5 LM320-15 LM 338 LM 340-5 LM340-15 LM 350 . Devido a estabilização térmica e a limitação de corrente.1% SENAI 75 65 65 80 60 80 80 65 2 2. O diagrama em blocos é o mesmo.5 1.Eletrônica II A série LM340 A série LM 340 é típica da linha de reguladores de tensão. A tensão de referência intrínseca (interna) alimenta a entrada não-inversora de um amplificador. A tensão de realimentação negativa provém de um divisor de tensão interno previamente ajustado para fornecer uma determinada tensão de saída como: 5. Por exemplo. A pastilha pode aceitar mais de 1.3 2. em torno de 175 °C. Também estão incluídos um estabilizador térmico e um limitador de corrente.5 1.Linha V LM 309 A mV Reg. o LM340-18 produz uma saída de 18 V.5 5 1.1% 10 12 0. 12.5 2.5 3 15 0. o regulador LM340-5 produz uma tensão de saída regulada de 5 V. A estabilização térmica desliga automaticamente se a temperatura se tornar alta.7 2.5 1.2% 10 5 0. desde que seja usado um dissipador de calor.5 2 2 2.

2% 2 0. Os tipos comuns desta série.Eletrônica II 1.5 A.2% 2 75 70 3 3 Duas vias: 0 a 32 V Duas vias RC 4195 Quadro: alguns reguladores de tensão monolíticos. da ordem de 1 A a 1. Estes componentes que operam com estas correntes algo elevadas. refere-se a corrente máxima que eles podem fornecer em sua saída: 1. Os fabricantes desta família oferecem um gama grande de valores de saída. conforme quadro seguinte da Texas Instruments TM: A letra “C” no final dos tipos. 242 SENAI . conforme a figura a seguir. O sufixo XX corresponde à tensão de saída.5 A normalmente são obtidos em invólucros TO-220 para montagem em dissipador de calor. A figura abaixo apresenta o diagrama de blocos funcional do dispositivo. sendo o 7805.2 a 32 V RC 4194 ±15 0. sem a letra final. A série 78XX Na linha 78XX o terminal central é o massa.15 0. por exemplo. um regulador de 5V. enquanto na linha 79XX o terminal massa é o primeiro da esquerda. são especificados para uma corrente máxima de 1 A.15 0.

mais o circuito tende a aquecer.Eletrônica II Figura: regulador 78XX de 3 terminais em encapsulamento TO-220 Existem. ainda a série MC78M00 para 500 mA e a série 78L00 de 100 mA. a geração de calor no C. Exemplos de aplicações Para que o regulador funcione bem. As características principais desta família são as seguintes: • • • • • Possuem três terminais. Não necessitam de nenhum componente externo. numa aplicação prática. é preciso uma diferença de tensão mínima entre a entrada e a saída de pelo menos 2 V. depende desta diferença de tensão multiplicada pela corrente. quanto maior a diferença de tensão. A tabela abaixo dá a tensão máxima e mínima entre a entrada e a saída para diversos reguladores da série µA 7800 da Texas Instruments. O ideal. Possuem proteção térmica interna em caso de sobrecarga. ambas da Motorola. assim. SENAI 243 . sendo também indicada para equivalentes de outros fabricantes: Outro ponto importante a ser considerado no projeto é o desacoplamento da saída que exige o emprego de um capacitor de valor conveniente (de 10µF a 100µF). Corrente de saída varia entre 100 Ma e 1.5 A conforme série. é trabalhar com uma tensão pouco acima do mínimo necessário. No entanto. Possuem limitação interna de corrente em caso de curto-circuito.I.

O valor do resistor Rx é calculado pela equação: Onde XX é o valor de tensão do regulador.Eletrônica II Este capacitor deve ser ligado o mais próximo possível do terminal de saída. dando-se preferência aos tipos de tântalo nas aplicações críticas. como circuitos digitais de alta velocidade. Alguns exemplos podem ser apreciados nas figuras a seguir: 244 SENAI . então pode ser utilizado para provocar uma queda de tensão que será aplicada no terminal comum (ou ajuste) de modo a aumentar a tensão de saída. Como o fabricante garante que a corrente quiescente (IQ) é praticamente constante. A) . A corrente de saída (I saída) é o resultado da soma da corrente IRx e a corrente quiescente (4 mA) como na equação: I saída = IRx + IQ A carga máxima (RL máxima) será calculada por: B) – Estabilizador de tensão ajustável O valor da tensão de saída pode ser ajustado para valores não programados pelo fabricante com a utilização de artifícios no terminal de ajuste de reguladores fixos.Fonte de corrente constante O gerador de corrente apresentado na figura abaixo é capaz de manter a corrente de saída na carga constante mesmo que a carga varie de valor (de 0 Ω até RL máxima).

SENAI 245 .1 V com a vantagem de obter o led aceso.Eletrônica II Figura: a tensão de saída pode ser ajustada de 5 V á 5+ (IQ × P1).7)= 7.5 mA.1 V Figura: +Vs= 5 V + 2. da ordem de 3. Reguladores negativos de tensão Os mesmos fabricantes dos reguladores de tensão da série 7800 e 78XX também oferecem uma linha de reguladores negativos de tensão denominada família 79XX que seguem as mesmas especificações dos reguladores positivos com a principal diferença na pinagem do encapsulamento.1 V= 7. a corrente quiescente é menor. Além disso. demonstrada no exemplo das figuras abaixo (7805 e 7905 respectivamente). Figura: a saída será de +Vs= 5 V + (3 × 0.

Eletrônica II Exercícios 1) Sabendo-se que o LM 317 é um regulador ajustável de 1.2 V e corrente quiescente de 1 mA. com a ajuda de um resistor e um potenciômetro construa um regulador variável de 1. 3) R1= 830 Ω VSC= 5 V R2= 1k Ω R3= 100 Ω P1= 760 Ω E= 22 V I máxima= 1.2 a 10 V. 2) Desenhe seu circuito do exercício anterior e conecte a ele uma carga de 600 Ohms. Lembre-se: a corrente quiescente flui do terminal comum do CI para o terra. no resistor e no potenciômetro que você adicionou. Determine a corrente na carga.5 A 7805 → I quiescente = 4 mA VES mínimo= 2V VES máximo= 20 V 246 SENAI .

Eletrônica II Calcule: A) o valor da tensão de saída do gerador de tensão (ponto A). B) a faixa de variação (através de P1) da corrente na carga. C) A carga máxima admissível pelo gerador de corrente. SENAI 247 .

.

relação de fase entre sinais. também chamado de AO. Com essas informações. Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo. circuitos aplicativos que utilizam amplificadores operacionais e que são muito usados em equipamentos industriais. você será capaz de utilizar e reparar equipamentos que os empreguem. suas características e modo de utilização. Características do amplificador operacional O amplificador operacional. SENAI 249 .Eletrônica II Amplificador Operacional Os amplificadores operacionais são um exemplo característico de circuito eletrônico fornecido sob a forma de circuito integrado. Neste capítulo. é um CI com características que o aproximam a de um amplificador ideal. além das leis de Ohm e de Kirchoff. Serão apresentados. também. você deverá ter conhecimentos anteriores sobre circuito integrado. você terá informações detalhadas sobre os amplificadores operacionais.

A denominação "amplificador operacional" deve-se ao fato de que estes circuitos foram utilizados inicialmente para realizar operações matemáticas como adição. circuitos industriais. eles são alimentados por duas tensões simétricas (por exemplo: +15 e –15 V). um terminal de entrada inversora.Eletrônica II É um circuito versátil. Terminais de alimentação Os amplificadores operacionais apresentam uma característica singular em relação às tensões de alimentação. Ao triângulo são acrescentados terminais que apresentam os pontos de conexão com o circuito externo. circuitos de áudio. circuitos eletrônicos para cálculo e filtros de sinais. ou seja. subtração e multiplicação. 250 SENAI . Veja a distribuição desses pinos na ilustração a seguir. um terminal de saída. Terminais do amplificador operacional O símbolo utilizado para representar o amplificador operacional é um triângulo que aponta no sentido do fluxo de sinal. Existem fundamentalmente 5 terminais que fazem parte de todos os tipos de amplificadores operacionais: • • • • dois terminais para alimentação. um terminal de entrada não-inversora. aplicável em muitas áreas específicas da eletrônica tais como: instrumentação.

Observe que os amplificadores operacionais não são ligados diretamente ao "terra" ou 0 V da fonte simétrica.Eletrônica II A figura a seguir ilustra a forma comum de alimentação de um amplificador operacional a partir de uma fonte simétrica. SENAI 251 . Isso não significa que os outros componentes ou circuitos que estejam ligados ao amplificador operacional não necessitem de terra. O terra para o circuito externo é fornecido no terminal 0 da fonte simétrica. Veja na ilustração a seguir um exemplo de um circuito onde existem componentes externos ligados ao terra. O próprio circuito interno do componente obtém o terra.

252 SENAI . ou seja. se o sinal aplicado na entrada não-inversora ( .no símbolo do componente. Para os sinais ou tensões aplicadas na entrada inversora ( . Isso acontece de tal forma que a relação de fase depende da maneira como são ligadas as suas entradas. Assim. o amplificador operacional se comporta como um amplificador com relação de fase de 180o entre saída e entrada.) torna-se mais positivo.). indicada pelo sinal . uma entrada não-inversora indicada pelo sinal +. ou seja. o amplificador operacional se comporta como um amplificador com relação de fase de 0o entre a saída e a entrada. se o sinal aplicado na entrada "+" torna-se mais positivo. Para os sinais aplicados à entrada não-inversora ( + ). os amplificadores operacionais possuem duas entradas de sinal: • • uma entrada inversora. o sinal de saída torna-se mais positivo.Eletrônica II Terminais de entrada A finalidade de um amplificador operacional é realizar uma amplificação tanto de tensões contínuas quanto alternadas. o sinal de saída torna-se mais negativo.

ganho de tensão diferencial em malha aberta. Nesse caso. Elas possibilitam ao usuário determinar entre diversos AOs aquele que se aplica a sua necessidade. IEnt = VEnt . as características a seguir serão analisadas segundo uma comparação entre o ideal e o real. tensão offset de saída. É denominada ZEnt . Essas características podem ser analisadas segundo dois pontos de vista: considerando o amplificador operacional como ideal ou considerando-o como real. rejeição de modo comum. Um amplificador operacional ideal deve apresentar impedância de entrada infinita (ZEnt = ∞). operando apenas com tensão. Os parâmetros mais importantes são: • • • • • • impedância de entrada. IEnt = 0 SENAI 253 . o amplificador operacional atua como amplificador diferencial. Por isso. Impedância de entrada A impedância de entrada é aquela que existe entre os terminais de entrada do amplificador operacional. IEnt = VEnt Z Ent Como ZEnt = ∞. impedância de saída. as entradas de sinal não absorvem corrente. Parâmetros do amplificador operacional Os parâmetros de um amplificador operacional são informações fornecidas pelos fabricantes. banda de passagem. amplificando a diferença entre as duas tensões de entrada.Eletrônica II Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e outra.

Devido a esse alto valor de ZEnt . comporta-se como uma fonte de tensão ideal para a carga. Isso permite que a tensão na saída de um AO ideal dependa apenas dos sinais de entrada e da amplificação. a impedância de saída pode ser representada como um resistor em série com o terminal de saída (ZO). ou seja. Essa aproximação do ideal permite que se admita que as entradas de um AO real não absorvem corrente. sem resistência interna. 254 SENAI .Eletrônica II Os amplificadores operacionais reais têm uma impedância de entrada da ordem de vários megaohms (MΩ). Um aplificador operacional ideal deve apresentar impedância de saída nula (zero Ω). sendo independente da corrente solicitada pela carga. Em um circuito equivalente. os amplificadores operacionais reais podem ser considerados como ideais em relação à impedância de entrada. Impedância de saída A impedância de saída é a impedância do estágio de saída do amplificador operacional (ZS).

da corrente solicitada pela carga. os fabricantes fornecem o ganho de tensão diferencial em malha aberta (Ad). entre entrada não-inversora (+) e terra. que é a amplificação fornecida pelo amplificador operacional quando não há ligação externa entre o terminal de saída e entrada (sem SENAI 255 . Nessa condição. Essa impedância atua como uma resistência interna e provoca uma queda na tensão de saída. Nos "databooks" de circuitos lineares. Ganho de tensão diferencial O sinal a ser amplificado por um AO pode ser aplicado de três maneiras: • • • entre entrada inversora (-) e terra. amplificando a diferença entre as duas tensões de entrada. e em alguns casos. pode-se reduzir a impedância de saída para menos de 1 Ω. o ganho obtido entre saída e entrada é denominado de ganho de tensão diferencial e pode ser de dois tipos: em malha aberta ou em malha fechada. entre as duas entradas. o amplificador atua como amplificador diferencial. Observação Através de recursos externos ao amplificador operacional. do ganho do amplificador operacional. Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e a outra.Eletrônica II Em um amplificador operacional real. a impedância de saída existe e pode variar desde poucos ohms (5 Ω. por exemplo) até valores como 1000 Ω. Portanto. a tensão VS na saída de um amplificador operacional real depende: • • • das tensões nas entradas.

No AO real. O ganho de tensão diferencial em malha aberta de um AO ideal deve ser infinito (Ad = ∞). a tensão offset é da ordem de poucos milivolts. este ganho normalmente é expresso em decibéis: db = 20 ⋅ log VS VEnt O ganho fornecido por um AO pode ser diminuído desde o valor Ad (ganho diferencial em malha aberta) até o valor 1. ou seja. Essa redução é obtida pela realimentação fornecida por componentes externos ao AO e que interligam a saída com a entrada. Em um AO ideal. 256 SENAI . Observação Esta é uma das características mais importantes de um AO: o ganho em malha fechada definido somente pelos componentes externos que fazem a realimentação. Tensão offset de saída A tensão offset de saída é qualquer valor de tensão que esteja presente na saída de um AO que tem as entradas aterradas (a zero volts). O ganho de tensão diferencial em malha aberta em um AO real varia entre 103 e 109. a tensão offset de saída é nula. a saída deve estar a "zero volt" se ambas as entradas forem levadas ao potencial de terra. No manuais.Eletrônica II realimentação). Veja a seguir o circuito amplificador com AO e com componentes para realimentação (malha fechada). se necessário.

ajustar a tensão de saída para zero quando as entradas forem levadas ao potencial de terra. Um amplificador operacional real amplifica também as tensões comuns aos dois terminais de entrada. é a capacidade que um amplificador operacional tem de não amplificar tensões que sejam comuns às duas entradas SENAI 257 . Rejeição de modo comum A rejeição de modo comum (CMRR) porque não há diferença a ser amplificada. Veja a seguir símbolo de um AO com dois terminais específicos para esse ajuste. A rejeição de modo comum também é conhecida como ganho de modo comum (AVCM). O gráfico a seguir. amplificando apenas a diferença entre a tensão das duas entradas.Eletrônica II Alguns amplificadores operacionais têm terminais que possibilitam. Este ajuste normalmente é denominado de “offset null”. mas com ganho muito menor (centenas de vezes menor). através de circuitos externos. mostra o ganho de um AO em função da freqüência amplificada. denomina-se banda de passagema faixa de freqüências em que o ganho do circuito se mantém até 70% do ganho máximo (que corresponde a -3db em relação ao máximo). Um amplificador operacional ideal deve ter uma rejeição de modo comum infinita (CMRR = ∞ ). Como o ganho diferencial não é constante ao longo de todas as faixas de freqüências amplificadas.

como a maioria dos AOs é alimentada a partir de fontes de baixa tensão (+15V. o ganho decresce com aumento da freqüência até que em 1Mhz. por exemplo). Característica de transferência de um AO O ganho de um AO em malha aberta (sem realimentação) é altíssimo. o ganho é igual a 1. VS = 0.Eletrônica II Por esse gráfico se observa que até 5Hz. o ganho do AO é constante (106dB = 20000). atingindo valores da ordem de 10 000 ou mais. se uma diferença de 10 milivolts for aplicada entre as duas entradas de um AO com um ganho de 10 000. a tensão de saída será: VS = (VA – VB ) ⋅ Ad Como VA – VB = 10m V. VS = 100 V Entretanto. por exemplo.01 ⋅ 10 000 = 100 V Portanto. a tensão de saída nunca sobe além do valor de alimentação. 258 SENAI . A partir de 5Hz. Assim. Existem configurações de ligação do AO que permitem estender a banda de passagem para até centenas de quilohertz e até mesmo megahertz no caso de alguns amplificadores operacionais especiais.

Característica de transferência do AO Colocando-se o comportamento do AO em um gráfico. diz-se que ele atingiu a saturação. Como um AO é alimentado por tensões simétricas. Essas situações são chamadas de saturação positiva e saturação negativa. SENAI 259 . Quanto maior for o ganho em malha aberta (Ad) de um AO. obtém-se o resultado mostrado a seguir.Eletrônica II Quando a tensão de saída de um AO atinge um valor igual (ou próximo) à tensão de alimentação. a saturação pode ocorrer tanto para a tensão de saída positiva quanto para a negativa. menor será a tensão entre as entradas para levá-lo à saturação.

A figura abaixo mostra a característica de transferência de um AO com as três regiões de funcionamento. a tensão de saída obedece à equação VS = VEnt ⋅ Ad e corresponde a uma versão amplificada do sinal VEnt . essa região é denominada de região linear. 260 SENAI . na qual a tensão VO é uma réplica amplificada da tensão VEnt . Um AO funcionando com amplificador deve trabalhar somente na região linear.Eletrônica II Esse gráfico é denominado gráfico de característica de transferência do AO. Devido à linearidade da tensão de saída em função da tensão de entrada. enquanto a tensão entre as entradas está abaixo de 15mV (positivos ou negativos). Essa equação resulta em um comportamento linear (reta inclinada) na região central da característica de transferência. Nele.

a região linear do amplificador operacional é muito estreita. por exemplo. A realimentação negativa consiste em fazer retornar uma parte do sinal de saída para a entrada inversora. Isso significa. o sinal de entrada teria que estar limitado a poucos milivolts. SENAI 261 . Veja na ilustração a seguir um amplificador operacional com um divisor de tensão externo (R1 e R2) que faz a realimentação negativa. Com a utilização da realimentação negativa. situando-se entre alguns milivolts positivos e negativos. que se um AO em alimentação fosse usado como amplificador de sinais. a região linear de operação de um AO pode ser ampliada através da redução do ganho. através de um circuito externo.Eletrônica II Ampliação da região de operação linear Devido ao alto ganho de malha aberta.

é necessário aplicar + 0.13 V ⋅ 100 = . estabelecido por R1 e R2 e com alimentação de +15 VCC. a ampliação da região linear de alguns milivolts até 13 mV.13 V à sua entrada.0. por exemplo. um circuito com ganho de tensão AV = 100.Eletrônica II Supondo-se. Os gráficos mostram como a redução do ganho permite um aumento da região linear. 0.13 ⋅ 100 = + 13 V VS = VEnt ⋅ AV .13 V Comparando-se as características de transferência de um AO em malha aberta e em malha fechada com ganho 10. no exemplo. A tensão VO está limitada aos valores +13 V aproximadamente. Para que se obtenha +13 V na saída com um circuito com ganho 100. 262 SENAI . verifica-se.

A figura a seguir mostra a configuração de um amplificador inversor com AO. Para que o AO opere na região linear. SENAI 263 . Amplificador inversor O amplificador operacional possui uma entrada inversora de sinal que permite sua utilização como amplificador de sinal com inversão de fase de 180o entre saída e entrada. é necessário acrescentar a malha de realimentação negativa ao circuito. somador. amplificador não-inversor. Como exemplo desse tipo de circuito.Eletrônica II Circuitos lineares Os circuitos que usam AOs na região linear são chamados de circuitos lineares. podemos citar: • • • amplificador inversor.

foram omitidos os terminais de alimentação e offset. vamos considerar a impedância de entrada como ideal (infinita). a queda de tensão na impedância de entrada é nula. V1 = 0 V 264 SENAI . Desse modo. Para isso. Uma vez que não há circulação de corrente na entrada do AO. a entrada do sinal não absorve corrente do circuito externo. Essa dependência pode ser comprovada com base em uma análise do circuito. Ganho do amplificador inversor O ganho (Ad) do amplificador inversor depende apenas dos componentes da malha de realimentação.Eletrônica II Observação Para maior clareza da figura. V2 = 0 V1 = IEnt ⋅ ZEnt Como IEnt = 0.

Como se considera o terra virtual a 0 V. Embora a entrada inversora ( . seu potencial é nulo. I= VEnt R1 VEnt = I ⋅ R1 SENAI 265 . o valor desta corrente é dado pela lei de Ohm. uma corrente circula no resistor R1.Eletrônica II Tanto a entrada não-inversora (aterrada) como a inversora têm potencial de 0 V. Esse ponto é denominado de terra virtual. Quando se aplica uma tensão à entrada do amplificador inversor.) não esteja ligada fisicamente ao terra.

O resistor R2 está ligado entre a saída do circuito e o terra virtual (0 V) de forma que a queda de tensão em R2 é igual à tensão de saída VS essa tensão pode ser calculada pela lei de Ohm. comum ao denominador e ao numerador. tem-se a equação pronta: Ad = R2 R1 A equação mostra que o ganho do circuito depende apenas dos componentes que compõem a malha de realimentação. 266 SENAI . VS = I ⋅ R2 Como dispomos das equações de VS e VEnt. Simplificando o termo I. a mesma corrente que circula no resistor R1 passa através de R2 .Eletrônica II Uma vez que a entrada do amplificador operacional não absorve corrente. pode-se determinar a equação do ganho do circuito amplificador inversor: Ad = VS I ⋅R2 ⇒ Ad = VEnt I ⋅ R1 Observação O sinal negativo (-) na frente da expressão indica a inversão de fase (180o).

R3 = R1 ⋅ R 2 R1 + R 2 Impedância de entrada do amplificador inversor Admitindo-se que o terminal de entrada inversora é um terra virtual. ou seja. O resistor R3 não influencia no ganho e seu valor deve ser igual ao paralelo R1 e R2.Eletrônica II A figura a seguir mostra um amplificador inversor com ganho -10 (10 com inversão de fase). a impedância de entrada do circuito (ZEnt) será o próprio valor de resistor sobre o qual se aplica o sinal. Impedância de saída do amplificador inversor A impedância de saída (ZS) do amplificador inversor é sempre muito menor que a impedância de saída do próprio AO. Os valores típicos de ZS são menores que 1Ω. SENAI 267 . ZEnt = R1.

que não prejudicam o resultado prático. a equação do ganho do amplificador não-inversor é:  R  A d = 1 + 2   R1    Nessa equação dois aspectos são importantes: • • a ausência do sinal negativo.. a equação pode ser simplificada para 268 SENAI . ou seja. utiliza-se a entrada não-inversora do AO. apresentando os seguintes valores: • • • impedância de saída (ZS) = 0 impedância de entrada (ZEnt) = ∞ ganho diferencial (Ad) = ∞ Com essas aproximações. que indica que o sinal de saída está em fase com o sinal de entrada. Ganho do amplificador não-inversor O ganho (AV) do amplificador não-inversor normalmente é determinado considerandose o AO como ideal. o que resulta em VS em fase com VEnt. se R2 for muito maior que R1. A malha de realimentação (R2 e R1) é necessária para manter o AO na sua região linear de funcionamento.Eletrônica II Amplificador não-inversor Para a obtenção de um amplificador não-inversor.

Impedância de saída A impedância de saída ZS do amplificador não-inversor também é sempre menor que a impedância de saída do próprio AO (ZS). pode-se analisar o comportamento do somador. SENAI 269 . a impedância de entrada (ZEnt) é a própria impedância de entrada. Desta forma. Circuito somador O circuito somador é aquele capaz de fornecer na saída uma tensão igual à soma das tensões aplicadas nas entradas. Os valores típicos são menores que 1 Ω. o sinal de entrada é aplicado diretamente à entrada nãoinversora. Circuitos aritméticos com AO Circuitos aritméticos com AO são circuitos capazes de realizar operações aritméticas como soma e subtração.Eletrônica II Ad = R2 R1 Impedância de entrada No amplificador não-inversor. Considerando-se que a entrada inversora não absorve corrente e que o ponto A no circuito é um terra virtual.

circularão as correntes I1 e I2. A tensão de saída é dada pela lei de Ohm: VS = (I1 + I2) R3 ou VS = −(I1 ⋅ R3) + (I2 ⋅ R3) Se os valores de R1.Eletrônica II Aplicando-se duas tensões (V1 e V2) nas entradas. porém o sinal é negativo devido ao uso da entrada inversora. cujos valores são: I1 = V1 V e I2 = 2 R1 R2 As correntes I1 e I2 se somam no nó A e circulam através do resistor R3. 270 SENAI . então: VS = −(V1 + V2) A tensão de saída é numericamente igual à soma de V1 e V2. uma vez que a entrada do AO não absorve corrente. R2 e R3 são iguais. tem-se: VS = −(I1 ⋅ R) + (I2 ⋅ R) Como I1 ⋅ R = V1 e I2 ⋅ R = V2.

O circuito somador pode ser constituído com qualquer número de entradas.Eletrônica II Se for necessário obter as somas de V1 e V2 com o sinal correto. SENAI 271 . pois a corrente desta entrada será diminuída das demais. Deve-se tomar cuidado quando uma das tensões a ser somada for negativa. pode-se usar um amplificador inversor com ganho 1 após o somador.

Resolva as seguintes questões. desenhe os sinais de entrada para que o sinal de saída esteja correto.Eletrônica II Exercícios 1. a) Desenhe o símbolo do amplificador operacional. 272 SENAI . d) Nos amplificadores operacionais representados a seguir. como são alimentados os amplificadores operacionais? c) Identifique a função dos terminais do amplificador operacional representado a seguir. b) Normalmente.

identifique: • região de saturação positiva SENAI 273 . em relação ao amplificador operacional: • Impedância de entrada (ZEnt) • Impedância de saída (ZS): • Ganho de tensão em malha aberta (Ad): f) Considerando a alta impedância de entrada de um amplificador operacional. a) Na curva de transferência mostrada a seguir.Eletrônica II e) Defina. o que se pode afirmar sobre as correntes absorvidas por essas entradas? g) Qual é a função dos terminais de offset null de um AO? 2. Resolva as questões apresentadas a seguir.

.......... 274 SENAI .......... a tensão de saída será ................. Se for aplicada uma tensão de entrada de – 250 mV............................................. qual é o valor máximo de tensão de entrada que pode ser aplicado ao amplificador operacional sem que ele atinja a saturação? c) Como se pode ampliar a região linear de funcionamento de um AO? d) No circuito representado pelo gráfico mostrado a seguir: • • • • A máxima tensão de saída possível é .... a tensão de saída será .......e o ganho será . Se for aplicado um sinal de 0.........................5 VPP (de + 250 mV a – 250 mV) à entrada do circuito..................Eletrônica II • • região de saturação negativa região linear b) Na curva acima............... a tensão de pico a pico será ....... Se for aplicada uma tensão de entrada de + 250 mV.........................

qual é o sinal (pico a pico) de entrada necessário para obter 3 VPP de saída? SENAI 275 .Eletrônica II 3. a) Qual é a característica fundamental de um amplificador inversor? b) Qual é a tensão pico a pico de saída se for aplicado um sinal de 0. Responda às seguintes perguntas.5 VPP na entrada do circuito mostrado a seguir? c) No circuito da questão anterior.

qual deve ser o valor de R3? e) No circuito da questão b. a) Qual é a característica fundamental de um amplificador não-inversor? As próximas questões referem-se ao circuito que se segue: 276 SENAI . quais deveriam ser os valores de R2 e R3 para se obter um ganho de 18? f) Qual é a impedância de entrada do circuito mostrado na questão b? g) Projete um amplificador inversor com amplificador operacional cujo ganho seja 12 e a impedância de entrada seja maior do que 8 kΩ h) Por que as entradas de um AO são consideradas um “terra virtual”? 4. Responda às seguintes questões.Eletrônica II d) No mesmo circuito.

qual é o máximo sinal de entrada que pode ser aplicado ao circuito? SENAI 277 . c) Qual é o ganho do circuito mostrado? d) Admitindo-se que o amplificador operacional do circuito esteja alimentado com ±15V e a saturação ocorra em ±13V.Eletrônica II b) Localize a malha de realimentação do circuito.

f) Mantendo R1 = 1 kΩ.Eletrônica II e) Desenhe o sinal de entrada correspondente. 278 SENAI . Qual deverá ser o valor de R2 para que se obtenha um ganho de 7.8.

o valor de Vin agora é o valor de Offset. Vin Exercícios 1. sem inverter o sinal de saída. Analise o circuito da figura a seguir e responda: SENAI 279 .Eletrônica II Amplificador Não-Inversor Esta configuração permite a multiplicação de um sinal de entrada pelo ganho. Repare que neste circuito o terminal do resistor de entrada é conectado diretamente ao terra. Repare: Vout = (Vref – Vin) . e Vin será aterrado. Entretanto. Rf/Ri+ Vref ou simplesmente Vout = (1+ Rf/Ri) . Lembre-se que poderia ser usada a equação do amplificador com offset.

Ganho menor. Ideal R2=33kΩ +V=+12V R3=20kΩ -V=-12V R4=pot.7V +V=+15V -V=-15V R3=330kΩ R4=12Ω Vbe=0.Eletrônica II Dados: R1=47kΩ A. Resistor de entrada..O.50kΩ R5=100Ω a) Qual a classificação do amplificador? b) Qual a equação de ganho? c) Qual o valor (em Ω) do: • • Ganho maior.. Resistor de realimentação. Analise o circuito da figura abaixo e responda: Dados: R1=1kΩ T1: β=50 A.2V R5=250kΩ a) Qual a função do circuito? b) Qual o valor do ganho do amplificador? 280 SENAI . 2.. Resistor de realimentação.O. Ideal R2=3k3Ω Vcesat=0....7V E1=1. Resistor de entrada.

para o circuito Amplificador abaixo: Dados: R1=220kΩ +Vcc=+10V R2=330kΩ -Vdd=-10V 4. Analise o circuito da figura abaixo e responda: SENAI 281 . Complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico da tensão de entrada.Eletrônica II c) Qual o valor da corrente de saída? 3.

Eletrônica II Dados: E1=13V R5=100Ω E2=13V R6=80Ω R1=1k8Ω P1=50Ω β2=20 R2=1kΩ D1=0. Sempre: ou apenas: Vout = (Vref – Vin) . multiplica a diferença de tensão entre as entradas pela relação dos resistores de realimentação e de entrada. Rf/Ri + Vin Vout = (Vin2 – Vin1) .7V R3=5k6Ω R4=1kΩ Transistores: β1=200 a) Calcule a faixa de variação da corrente de saída Is = de a mA b) Qual a função do resistor R3? Amplificador diferencial O amplificador operacional usado na configuração amplificador diferencial. Rf/Ri 282 SENAI . A exigência é a repetição dos valores de resistências dos pares de resistores.7V Vbe=0.

Determine a Vout para os casos: a) V1=-3Vdc. se e + < e . O comparador diz apenas se um sinal Ei é maior que outro Eref.Eletrônica II Exercícios 1. Rf=12kΩ e Ri=12kΩ Amplificador operacional II Comparadores A função de um comparador é comparar duas grandezas elétricas. e também: Vout = Vsat -. duas tensões. V2=1Vdc. Rf=12kΩ e Ri=6kΩ 2. com realimentação positiva. Vout = Vsat +. Determine a V1 do circuito acima caso: c) Vout=-5Vdc. SENAI 283 . a saída do amplificador estará saturada positiva ou negativamente. V2=1Vdc. Rf=12kΩ e Ri=6kΩ b) V1=4Vdc. V2=1Vdc. tomado como referência. Os amplificadores operacionais usados nos comparadores operam em malha aberta ou fechada.. Comparador simples Um comparador simples tem a função de comparar dois valores de tensão e fornecer uma saída saturada (+Vcc ou –Vcc). mais especificamente. Será positiva se o potencial da entrada não inversora (+) for mais positivo que a entrada inversora (-). Conseqüentemente. se e + > e -. Rf=12kΩ e Ri=24kΩ d) Vout=10Vdc. V2=1Vdc.

dependendo da adaptação do sinal de entrada. Exercícios 1.Eletrônica II Obviamente o valor de saída dependerá da alimentação do CI. 284 SENAI . Explique o funcionamento do circuito abaixo. a) Qual a diferença entre +Vcc e Vsat+ ? b) Desenhe a função de transferência do circuito proposto. 2. Estes comparadores podem ser inversores ou não. Complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico de entrada para o amplificador em malha aberta da figura.

enquanto os valores comparados ali estiverem. Analise o circuito Schimitt Trigger da figura e complete o gráfico da tensão de saída conforme o gráfico da tensão de entrada: Dados: R1=20kΩ +Vcc=+10V R2=10kΩ -Vdd=-10V Vref=2V SENAI 285 . Exercício 1. A A = ganho em malha aberta Comparador regenerativo (Schimitt Trigger) Também chamado de comparador com histerese.Eletrônica II Dados: +Vcc=+10V -Vdd=-10V Vs= (Va – Vb) . pode apresentar também saída saturada em função da comparação dos valores de entrada. nenhuma alteração ocorrerá. para a mudança de estado possui uma faixa na qual. Entretanto.

permitindo a formação da ação integral destes. independente desta função. 286 SENAI . Determine o tempo necessário para que Vout apresente –10Vdc caso em Vin for aplicado 1mVdc.Ri Vin(t) Exercícios 1. Vout(t) = -1/Cf.Eletrônica II Integrador inversor O integrador inversor executa a integral da função de variação da tensão de entrada Vin. Usado nos controladores eletrônicos analógicos.

a) Faça um gráfico relacionando entrada e saída deste circuito aplicando 1mV/s. Vout(t) = d (Vin)/dt. a Vout apresentar –12Vdc. Diferenciador inversor Circuito que executa a derivada da função de variação de tensão de entrada (Vin). SENAI 287 .Eletrônica II 2. Usado também nos controladores eletrônicos analógicos permitindo a composição da ação derivativa. – Ci. Determine Vin (Vdc) para o circuito abaixo.Rf Exercício 1. caso após 20 segundos de Vin conectado. Construa um circuito diferenciador Não Inversor de forma que aplicando 1mV/s possa gerar um sinal de saída de 1 a 10 Vdc.

288 SENAI .

Neste capítulo inicial sobre os tiristores. Essa característica faz com que esses dispositivos sejam utilizados no controle eletrônico de potência e na conversão de energia. DIAC DIAC é um dispositivo semicondutor de dois terminais. O DIAC é um diodo bidirecional constituído por quatro regiões estruturadas como mostra a figura a seguir. Observe também seu símbolo. SENAI 289 . vamos nos deter na constituição. Por isso. é desejável um prévio conhecimento sobre diodos e transistores. Eles recebem o nome genérico de tiristores. a utilização e o funcionamento do DIAC. A principal vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia. conhecido também como diodo de comutação. iniciaremos o estudo dos dispositivos retificadores mais comumente empregados em eletrônica. ou diodo de corrente alternada. Tiristor é qualquer dispositivo semicondutor PNPN de quatro camadas. Esses dispositivos podem pertencer a dois grupos: o do DIAC e o dos SCR e TRIAC.Eletrônica II Tiristores Neste capítulo. Seu nome é uma sigla extraída da expressão em inglês "diodo AC".

URL é a tensão sobre o resistor de carga. para que ele dispare. À medida que a tensão sobre o DIAC aumenta. não há circulação de corrente por ele até que a tensão de disparo seja atingida. Esse efeito cessa quando a corrente que circula no componente (ou a tensão sobre ele) se aproxima de zero. e UD é a tensão do DIAC. ID é a corrente do DIAC. o que permite uma intensa circulação de corrente. que apresentava altíssima impedância. não é necessário saber de que lado a tensão é positiva (em relação ao outro lado). ou seja. Quando isso acontece. O circuito a seguir mostra um DIAC alimentado por uma corrente alternada onde UE é a tensão de alimentação. Funcionamento O DIAC é um componente bidirecional. Utilização O DIAC é utilizado basicamente na eletrônica de potência para disparar SCRs e TRIACs. A tensão de disparo para a maioria dos DIACs pode variar entre 28V (mínimo) e 42V (máximo).Eletrônica II A região P externa é chamada ânodo 2. 290 SENAI . o componente. o DIAC entra em condução. A região N externa é chamada de ânodo 1. Essa corrente é limitada apenas pela resistência do circuito externo. tem essa impedância reduzida ao mínimo. Nesse instante.

ela é crescente (positiva ou negativa). a tensão sobre o DIAC é zero e toda a tensão fica sobre a carga. Curva característica do DIAC A figura a seguir mostra a curva característica de um DIAC. SENAI 291 . A partir da tensão de disparo.Eletrônica II Observe que no gráfico de UD. enquanto a tensão de alimentação não atinge a tensão de disparo.

292 SENAI .

constante RC. com quatro camadas e três terminais: ânodo (A). Para compreender com mais facilidade os mecanismos de seu funcionamento. Neste capítulo. cátodo (K) e gatilho ou "gate" (G).Eletrônica II SCR Como já vimos no capítulo anterior. SENAI 293 . ou retificador controlado de silício. Atualmente. o cátodo (K) e o gate (G). é o tiristor comumente empregado no controle de altas potências. Retificador controlado de silício O SCR (do inglês. unidirecional. É um tiristor unidirecional. junção PN. É através do gate (ou gatilho) que esse tiristor controla os altos níveis de corrente do ânodo e da carga. A figura a seguir mostra o símbolo e a representação esquemática da estrutura de um SCR. dispositivo semicondutor. no entanto. é necessário ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores. como é o caso do SCR. constituído por quatro camadas (PNPN) e por três terminais: o ânodo (A). o termo tiristor foi empregado para denominar qualquer dispositivo semicondutor de quatro camadas. tiristor é mais empregado para designar dispositivos de três terminais. diodos e transistores. "silicon controlled rectifier"). estudaremos as características e o funcionamento deste componente. CA e CC.

Eletrônica II O gatilho ou "gate" (portão. Trata-se de um eletrodo conectado a uma das regiões semicondutoras para controle de corrente. é possível controlar altos níveis de corrente de ânodo. pois também é montado em invólucro metálico para facilitar a dissipação de calor. 294 SENAI . e os de alta corrente que permitem corrente de ânodo de centenas de ampères. O SCR de alta corrente parece-se com o retificador de potência de silício. Com baixos níveis de corrente de gate. em inglês) é o terceiro terminal do SCR. Há SCRs de várias capacidades: os de baixa corrente que fornecem corrente de ânodo menor que 1 A. O SCR de baixa corrente é parecido com um tiristor cujos três terminais estão contidos em um invólucro hermeticamente fechado.

Uma tensão positiva no gate polariza diretamente a junção base-emissor do transistor NPN e satura-o. Isso acontece por meio de um pulso de corrente aplicado ao gate. Porém enquanto o DIAC dispara quando atinge a tensão de disparo. SENAI 295 . O funcionamento do SCR é melhor compreendido a partir da análise do circuito equivalente montado com dois transistores.Eletrônica II Funcionamento O SCR funciona de modo idêntico ao de um diodo de quatro camadas (DIAC). Isto permite a passagem da corrente através do coletor NPN (base do PNP). o SCR permite o disparo no instante em que isso é necessário. esta só cessará a partir do ponto em que a corrente IAK estiver abaixo da corrente mínima de manutenção (próxima de zero) ou a tensão ânodo-cátodo VAK estiver próxima de zero. Uma vez que existe a circulação de corrente ânodo-cátodo. e este ponto não é controlado. como mostra a figura a seguir.

a junção emissor-base PNP será diretamente polarizada e saturará o transistor PNP.Eletrônica II Se o ânodo do SCR for positivo (emissor PNP). 296 SENAI .

citamos alguns índices característicos que comumente aparecem nos textos e catálogos dos fabricantes. k = cátodo G. o SCR estará ainda em condução devido ao ciclo: o NPN supre o PNP com corrente de base e. t = estado de condução ("on-state". por sua vez. o PNP supre o NPN com corrente de base. Isso ocorre em duas situações: • • quando a tensão ânodo-cátodo (VAK) é gerada. Como é constituído por junções semicondutoras.Eletrônica II Depois de ligado. ele necessita de pouco tempo para que a temperatura da junção atinja valores de fusão. "non-trigger") T. g = gate (porta) D. o transistor PNP supre o NPN com corrente de base. ou quando a corrente ânodo-cátodo (IAK) desce a valores inferiores ao da corrente de manutenção (IH). As características dos tiristores são especificadas em catálogos ou manuais fornecidos pelo fabricante. Removidas a tensão e a corrente de gate. d = estado bloqueado ("off-state". h = sustentação do estado ("holding") SENAI 297 . A maioria dos parâmetros é dada em termos de tensão ou de correntes. A. Como exemplo. a = ânodo K. "trigger") H. Regime de Trabalho O SCR é um tiristor extremamente sensível e pode ser facilmente danificado se um de seus limites característicos for ultrapassado. O SCR continua operando até que a corrente anodo-catodo seja interrompida.

298 SENAI . g = bloqueante ("turn-off") (TO) = limiar ("threshold") Curvas características A figura a seguir mostra uma curva característica de um SCR com o gate aberto.Eletrônica II (BO) = mudança de estado. Neste ponto. danificando o SCR. Quando o circuito ânodo-cátodo estiver inversamente polarizado. inicia-se a região de avalanche inversa e a corrente aumenta rapidamente. ocorre uma pequena corrente de fuga denominada corrente inversa de bloqueio (IDR). Essa corrente permanece assim até que a tensão inversa de pico (VRM) seja ultrapassada. ruptura ("breakover") Q.

a avalanche direta. A resistência ânodo-cátodo torna-se pequena e o SCR atua como uma chave interruptora fechada. pois quase toda a tensão da fonte fica sobre a carga sem série com o retificador controlado de silício. Inicia-se. Isso acontece mesmo sem a presença de uma corrente de gate. Nesse ponto. SENAI 299 .Eletrônica II Quando o SCR está diretamente polarizado. a tensão no SCR é muito baixa. então. Na região de condução direta. permanece com baixo valor até que a tensão de ruptura direta (VBO) seja alcançada. a corrente atinge o nível de alta condução. uma pequena corrente direta de fuga (ou corrente direta de bloqueio – ID).

Eletrônica II Observação É a resistência de carga que limita a corrente através do SCR a valores adequados a sua especificação.respeitados os limites máximos especificados pelo fabricante . polarizando diretamente a junção gate-cátodo. E deixará de conduzir quando a tensão sobre o SCR cair para um valor insuficiente para manter esse valor de corrente. Quando a tensão aplicada ao SCR fica abaixo do ponto de ruptura (VBO). é suficiente aplicar um pulso de gate. o SCR se comporta como um retificador simples de silício. Nesta situação.menor será o valor da tensão de ruptura direta. o SCR será acionado. 300 SENAI . Controle de tensão de ruptura direta O SCR pode ser disparado mesmo com uma tensão ânodo-cátodo abaixo da tensão de ruptura. Se a tensão atingir um valor igual ou maior que o ponto de ruptura. Os dois estados de operação do SCR correspondem aos estados ligado e desligado do interruptor. o SCR deve ser disparado por meio de um pulso de gate. ele não conduz. O SCR ficará em condução durante o tempo em que a corrente permanecer acima do valor da corrente de manutenção IH. Quanto maior o valor da corrente do gate . No circuito em que é empregado. Para isso.

quando o circuito ânodo-cátodo estiver inversamente polarizado. Deve-se também utilizar um resistor para limitar o valor da tensão do gate a um valor inferior ao especificado pelo fabricante. Esse circuito permite controlar as tensões de anodo e do gate através das fontes variáveis G1 e G2. SENAI 301 . Para se verificar. Uma variação desse circuito pode ser obtida. a corrente do gate deixa de ter efeito sobre a corrente de anodo. vamos analisar o circuito a seguir. na prática. ele será levado ao corte durante a alternância negativa de cada ciclo. O SCR continua em condução até que a tensão de alimentação de anodo seja removida e se interrompa a corrente de anodo-catodo (IAK). substituindo-se a fonte G2 por um divisor resistivo com potenciômetro.Eletrônica II Quando o SCR é levado ao estado de condução. É possível determinar também o ponto do SCR referentes às várias correntes de gate. as características de controle do SCR. Se o SCR opera com corrente alternada.

Controle do SCR por UJT O SCR disparado a qualquer instante no ciclo com o auxílio do UJT. Isso é possível porque o UJT fornece pulsos de curta duração. mas suficientes para disparar o SCR cujo gate permanece desenergizado o restante do ciclo. O SCR também pode ser disparado por controle de corrente por deslocamento de fase. empregado como oscilador de relaxação é o método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em equipamentos industriais. 302 SENAI . constitui-se na vantagem de se disparar um SCR com um UJT.Eletrônica II Outros métodos de disparo O SCR pode ser disparado a qualquer instante do ciclo da CA com o auxílio de um UJT (ou transistor de unijunção). Os pulsos de tensão gerados pela oscilação do UJT atuam no gate. Este é o método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em equipamentos industriais. empregado como oscilador de relaxação. A baixa dissipação de potência no gate. A figura a seguir mostra um circuito básico do UJT provocando o disparo de um SCR.

Já que é possível controlar os pulsos no tempo. por sua vez. A freqüência de oscilação do circuito é variável através de R4. SENAI 303 . que. no osciloscópio assemelha-se a uma agulha.Eletrônica II Esses pulsos são sincronizados com a tensão de entrada e permitem um perfeito controle do semiciclo positivo variando o ângulo de disparo de zero a 180o. A tensão responsável pelo disparo do gate é gerada pela corrente desenvolvida sobre o resistor R1. Para entender o que ocorre no circuito. conforme mostra a figura a seguir. é proveniente da descarga do capacitor. Ela é formada por um pulso de curtíssima duração que. que é o potenciômetro responsável pela alteração da constante de tempo RC (R3 + R4 e C). basta observar as variações das formas de onda em vários pontos do circuito em função de dois ajustes diferentes do potenciômetro R4. é possível também controlar o instante de disparo do SCR em diferentes pontos da forma de onda que alimenta o ânodo.

Caso contrário.Eletrônica II SCR em CA O SCR. e está funcionando com corrente contínua. quando recebe um pulso no gate. o SCR não poderá receber um pulso e ficar permanentemente conduzindo. a corrente elétrica alternada passa duas vezes pelo ponto zero e o componente é polarizado inversamente em meio ciclo. Na aplicação em corrente alternada. passa a conduzir entre ânodo e cátodo e só deixará de conduzir se IAK = 0 ou VAK = 0. ficará em constante estado de condução. Isto acontece porque a cada ciclo. 304 SENAI .

o gate receba um pulso de disparo. onde é necessário exercer uma variação da tensão média sobre a carga. Como podemos observar na figura a seguir. na mudança para o meio ciclo negativo. caso o SCR esteja conduzindo no meio ciclo positivo. no circuito RC série em CA. Deslocamento de Fase O controle do SCR por deslocamento de fase é um tipo de circuito que emprega uma malha de defasagem com resistor e capacitor (RC). pode-se exercer um controle da forma de onda sobre a carga. a corrente de manutenção IAK fica abaixo do valor mínimo. quando alimentado por CA. o controle por UJT. Esse pulso deve ser fornecido por um circuito de disparo sincronizado com a CA de alimentação.Eletrônica II Observe que. Em função do sincronismo desse pulso. uma rede para deslocamento de fase é constituída por um resistor variável (potenciômetro) e por um capacitor ligados em série. os métodos de disparo mais usados são o controle por deslocamento de fase e. levando o SCR ao corte. SENAI 305 . Nesse caso. Isso permite que essa forma de onda possa variar de zero ao máximo valor. é necessário que a cada meio ciclo positivo. Para que o SCR permaneça sempre conduzindo. como já vimos.

306 SENAI . uma forma de onda está sobreposta em relação à outra. e a defasagem entre ambas é de 0o (zero grau).Eletrônica II A tensão de saída (VS) varia em relação à tensão de entrada (VE) de zero até aproximadamente 90o. o circuito apresentará a configuração mostrada a seguir. Nesse caso. Considerando-se o valor do potenciômetro igual a zero. a tensão de saída (VS) será a mesma tensão de entrada (VE). A figura a seguir mostra a forma de onda do circuito onde VC está em fase e com o mesmo valor de VE. dependendo do valor ajustado para o resistor R. Portanto.

maior a defasagem. Na figura a seguir. teremos uma defasagem da tensão de saída variando de zero até próximo de 90o.Eletrônica II À medida que a resistência do potenciômetro é aumentada. variando o valor do potenciômetro de zero ao máximo. Então. Para concluir. Quanto maior a resistência do potenciômetro. Quando o valor do potenciômetro for 20 vezes maior que a reatância capacitiva (XC). tem-se o circuito elétrico e as formas de onda por ele geradas. Isso provoca uma defasagem na tensão sobre o capacitor. Pode-se observar que a tensão EC está defasada (em atraso) com relação à tensão de entrada. a defasagem será próxima de 90o. Como o valor ôhmico do potenciômetro é maior do que XC. adotamos a tensão do capacitor (VC) como tensão de saída (VS). a tensão total também vai se dividir numa proporção muito maior para o potenciômetro do que para o capacitor. SENAI 307 . insere-se mais resistência em série com o capacitor.

o SCR dispare. há necessidade de uma tensão mínima de ânodo-cátodo para que. a seguinte forma de onda: 308 SENAI .Eletrônica II Controle do SCR por deslocamento de fase Como vimos anteriormente. No momento "t". Sobre a carga obtém-se. então. Mostra também a tensão mínima do gate necessária para dispará-lo. sob uma determinada tensão de gate. provocando com isso o disparo. O gráfico a seguir mostra o gate alimentado com a tensão VGK em fase com a tensão VAK. a tensão de alimentação do gate ultrapassa o valor mínimo de VG.

Além disso. Esse circuito apresenta a desvantagem de controlar apenas até 90o do semiciclo positivo. No circuito a seguir. Nesse caso.Eletrônica II Muitas vezes. utiliza-se um circuito deslocador de fase. SENAI 309 . é possível fazer com que VG se atrase em relação a VAK. temos um controlador de disparo do SCR por deslocamento de fase com um circuito RC. Esse circuito permite um deslocamento da tensão do gate VG em relação à tensão ânodo-cátodo (VAK). cria condições para alterar o momento de disparo do SCR. Com isso. a tensão mínima do gate VGmin será ultrapassada em momentos diferentes dentro dos 180o do semiciclo positivo. é necessária uma faixa maior de controle do ponto de disparo do SCR dentro de todo o semiciclo positivo (0 a 180o). Através do circuito de deslocamento de fase que supre o gate do SCR.

É um circuito retificador de meia onda. haja um atraso da tensão presente no gate com relação à tensão de entrada. por causa dessas características esse controle. é necessária a introdução de um DIAC no circuito. 310 SENAI . só pode ser exercido até 90o. Sua otimização é obtida acrescentando-se ainda mais um resistor e um capacitor que permitem a estabilização do circuito. Para que se controle os 180o do semiciclo positivo. utiliza-se o artifício de retificar a tensão alternada através de uma ponte retificadora e entregar esta corrente contínua ao circuito do SCR e da carga. ao se variar o valor do potenciômetro. Porém. Para uma carga que necessite funcionar com onda completa. Esse circuito permite controlar cargas alimentadas por CC com tensão variável.Eletrônica II A malha RC propicia a tensão de disparo do gate do SCR e permite que.

através do qual se faz o controle da corrente. possui um terceiro terminal. conforme a polaridade positiva ou negativa no gate. A figura a seguir mostra a representação esquemática de um TRIAC e seu respectivo símbolo. DIAC e UJT. tal qual o SCR. TRIAC Assim como o DIAC. A diferença entre um e outro é que o TRIAC. Para estudar esse conteúdo com mais facilidade. estudaremos as características e empregos desse componente. É um comutador de corrente alternada com três eletrodos. é necessário ter conhecimentos anteriores sobre: CA. Neste capítulo. O TRIAC conduz corrente em ambos os sentidos. SCR. SENAI 311 . o TRIAC é um tiristor bidirecional.Eletrônica II TRIAC O TRIAC é um dispositivo semicondutor. cuja denominação provém de uma sigla inglesa que significa triodo de corrente alternada. Sua principal característica é possibilitar um controle mais perfeito e econômico da corrente alternada.

Nesse circuito. tais como controle de velocidade de pequenos motores. inversamente. 312 SENAI . Por isso.Eletrônica II A potência do TRIAC é menor que 100 A e 1kV. desde que receba um pulso em seu gate. o SCR V1 fica diretamente polarizado e V2. quando o terminal T2 é mais positivo que T1. ele é usado para substituir o SCR em situações em que se necessita um aplicação de baixa potência. enquanto V2 permanece em corte. A figura a seguir mostra o circuito equivalente a um TRIAC. montado a partir de dois SCRs. o SCR V1 está em condição de conduzir. controle de iluminação ou de temperatura. Nessa condição.

e V1.Eletrônica II Se a polaridade da tensão aplicada for invertida. estará inversamente polarizado ou em corte. Nesse caso. a situação se inverterá. apesar de o circuito equivalente apresentar dois SCRs. Observação Aos terminais (T) do TRIAC não se aplicam as denominações ânodo e cátodo. à condução. portanto. por sua vez. a construção do TRIAC difere do modelo. O terminal T1 serve como referência para aplicações de pulsos de gate. mas usam-se os coeficientes 1 e 2 (T1 e T2) para designá-los. o SCR passará à condição de polarização direta e. SENAI 313 . Os terminais não podem ser invertidos porque.

A eficiência é menor para a modalidade . vemos que a condução do TRIAC ocorre nos quadrantes I e III. desde que ao seu gate sejam aplicados sinais disparadores. No esquema das curvas características.I e muito pequena para a + III.III . e não conduz.T2 positivo e gate negativo (Quadrante I) + III . A corrente que flui através dele é limitada apenas pela resistência do circuito externo.I .III.Eletrônica II Curvas características do TRIAC As curvas características do TRIAC apresentam um aspecto simétrico. Estes sinais são positivos ou negativos. Para estas modalidades (. Essa propriedade torna-o imune aos transientes elétricos. o TRIAC entra em estado de condução. Funcionamento O TRIAC permanece em bloqueio enquanto não houver sinal no gate.I e + III).T2 positivo e gate positivo (Quadrante I) . dispensando o uso de dispositivos de proteção. o TRIAC não deve ser usado. 314 SENAI .T2 negativo e gate positivo (Quadrante III) . se a tensão entre T1 e T2 não ultrapassar a tensão de ruptura (VBO). o que torna possível as seguintes modalidades de funcionamento: + I .T2 negativo e gate negativo (Quadrante III) Os dispositivos fabricados atualmente são mais eficientes para as modalidades + I e . Quando a tensão de ruptura é ultrapassada.

lâmpadas néon ou diodos de disparo (DIAC). Variações: a) circuito disparado por uma fonte CC em qualquer polaridade. ser feito por termostato.Eletrônica II O disparo do TRIAC ocorre pela aplicação de sinal positivo ou negativo no gate. transistor de unijunção. microrrelês etc. por fontes de pulsos. ele pode ser usado em circuitos: • • • • comutadores estáticos para corrente alternada. O TRIAC pode ser acionado por corrente alternada. Aplicações do TRIAC O TRIAC é utilizado em circuito com aplicações variadas. ou. então. uma vez que a corrente que atravessa os contatos do interruptor é mínima. o que constitui excelente fonte de pulsos. o TRIAC é disparado por um relé reed. SENAI 315 . ou seja. No DIAC. aparece uma resistência negativa que provoca a descarga repentina do capacitor. de controle de temperatura. com duração de microssegundos. Assim. que pode ser substituído por outros elementos de controle. por corrente contínua. interruptor a pressão. ligado a um capacitor carregado. comutador para controle de fase. de comando a distância. O controle do circuito pode. Comutador estático para corrente alternada Nesse circuito.

Assim. a distância equipamentos ou conjuntos de lâmpadas como os usados para evitar choques ou prevenir incêndios. O circuito acima pode ser aperfeiçoado. 316 SENAI . por exemplo. Ele permite ligar. Comando a distância O circuito a seguir pode ser usado em sistemas que necessitem de pouca potência e de baixa tensão no circuito de controle. o circuito pode ser usado em sistemas de controle remoto.Eletrônica II b) circuito disparado por sinal elétrico alternado de qualquer freqüência. se o transformador T1 for sintonizado para responder apenas a determinadas freqüências.

aquecedores. uma baixa impedância é refletida no enrolamento N1. o que provoca um aumento de corrente. É um circuito de baixo custo e de alta precisão.Eletrônica II Esse circuito utiliza um pequeno transformador para isolar magneticamente o circuito de potência do TRIAC do circuito de disparo do gate. fica ligado ao gate do TRIAC. O enrolamento N1. de menor tensão. deve-se ajustar R1 para o valor máximo. depósitos de líquidos. estufas. ao interruptor S1. mantendo o TRIAC em corte S1 aberta. Observação R1 deve ser ajustável. SENAI 317 . e o enrolamento N2. dispara-o e alimenta a carga. Quando S1 é fechado. O aumento de corrente provoca também aumento de tensão sobre R1 que. Circuito de controle de temperatura O circuito a seguir serve para controlar temperatura automaticamente. empregado para regular a temperatura de fornos. Para evitar disparos acidentais. ao atingir o ponto de comutação do TRIAC. de maior tensão.

Ao disparar. qualquer que seja a temperatura desse dispositivo. A tensão sobre o capacitor C1 cai rapidamente até zero. evitando. 318 SENAI . desse modo. No semiciclo seguinte. o capacitor começa a se carregar no sentido contrário para disparar o DIAC e o TRIAC. o controle de fase é realizado pelo resistor R1 com o capacitor C1. é necessário elevar gradativamente o valor de R1 até que a corrente que circula por ele seja suficiente para carregar o capacitor C1 ao ponto de disparo do DIAC. Comutador por controle de fase Outro exemplo de aplicação do TRIAC é em um circuito de um comutador de CA por controle de fase. o DIAC leva o TRIAC à condução. variações contínuas entre as temperatura máxima e mínima. Neste circuito.Eletrônica II O termistor R2 é o elemento sensor de temperatura e deverá apresentar resistência de 5 kM na temperatura de operação. R3 incorpora o circuito como dispositivo de controle de estabilidade. O ajuste de R3 proporciona satisfatória estabilidade. Ao ligar o circuito.

largamente empregado no controle de iluminação ("dimmer") ou no controle de velocidade de pequenos motores (furadeiras. haverá maior queda de tensão sobre a carga. Observe que foi colocado um resistor em série com o DIAC para evitar descarga rápida do capacitor. não permitir a obtenção de níveis baixos de tensão. o disparo do DIAC acontece com um ângulo menor. C2 e R1. Funcionamento . C3 mantémse carregado. C4 descarrega-se rapidamente. Colocou-se também um segundo capacitor.Com o disparo do DIAC. devido a rapidez de comutação do TRIAC. SENAI 319 . C1. como também pelo efeito de histerese do capacitor. R4 e C4 têm a função de diminuir o efeito da histerese. Variações do circuito por controle de fase O circuito a seguir é o chamado circuito com duas constantes de tempo. constituem um filtro que evita as interferências na rede. Isso se deve a assimetria dos disparos do DIAC e do TRIAC. com a descarga rápida do capacitor e a inversão da polaridade da fonte. ventiladores. no momento em que é ligado. pois o resistor R4 dificulta sua descarga instantânea e aumenta a constante de tempo RC. L1. A diminuição dessa tensão só ocorrerá se o valor do resistor R1 for reduzido. liqüidificadores). Esse circuito apresenta o inconveniente de.Eletrônica II A partir do segundo ciclo. colocados à entrada do circuito. Em conseqüência.

carregado com tensão maior que C4 . 320 SENAI . Este. uma lâmpada com luminosidade mínima. O LDR (do inglês "light dependent resistor". Quando o ambiente fica claro.transfere parte de sua carga para C4 e a simetria dos disparos do TRIAC permanece constante em todos os ciclos. Com este circuito é possível ligar. ou seja. por sua vez. regula-se a intensidade luminosa de uma lâmpada conforme a luminosidade do ambiente. a resistência diminui e não permite que o capacitor C se carregue o suficiente para disparar o DIAC. Observação A presença do LDR quase não altera o funcionamento do circuito. o capacitor C3 . que quer dizer resistor que depende da luz). a lâmpada é desligada ou a luminosidade por ele emitida é reduzida. Com uma pequena alteração desse circuito é possível fazer também um controle automático de iluminação. Em conseqüência disso. não aciona o TRIAC. Através dele. por ser um sensor de luz. por exemplo. a resistência é elevada. No escuro. obtém-se níveis baixos de tensão na carga.Eletrônica II Quando o DIAC deixa de conduzir. varia a resistência de acordo com a intensidade da luz do ambiente.

SENAI 321 . O FET é o assunto deste capítulo. IGFET (ou MOS-FET) de porta isolada. que pode ser P ou N. Eles são usados principalmente em estágios iniciais de instrumentos de medição (osciloscópios. voltímetros eletrônicos) onde são necessárias altas impedâncias de entrada. é controlado por tensão e caracteriza-se pela alta impedância de entrada e baixo ruído interno. Observação O JFET e o IGFET podem ser produzidos na forma complementar do mesmo modo que os transistores. Seu princípio de funcionamento e métodos de polarização se assemelham muito aos da válvula.Eletrônica II FET . constituído de material semicondutor.Transistor de Efeito de Campo O transistor de efeito de campo(FET). Para caracterizá-los faz-se referência ao canal. A designação FET se aplica a toda uma família de componentes que funcionam pelo mesmo princípio. Assim temos: • • FET de junção (ou JFET). Transistores de efeito de campo Os transistores de efeito de campo ou FETs (do inglês field effect transistor) são transistores especiais que têm a capacidade de exercer o controle sobre um fluxo de corrente através de tensão aplicada em um terminal de comando.

O canal pode ser do tipo P ou N e o bloco necessariamente será de um material oposto. 322 SENAI . no qual é fundida uma barra de outro tipo de material semicondutor levemente dopada.Eletrônica II FET de junção (JFET) O JFET é constituído por um bloco de material tipo P ou N (também chamado de substrato). Eles são fabricados em invólucros semelhantes aos transistores bipolares e seus símbolos são os mostrados a seguir. formando um canal. fortemente dopado.

designada pela letra S. A outra extremidade do canal é chamada de dreno (em inglês "drain") e é designada pela letra D. pois o material do canal é menos dopado.Eletrônica II Quando os dois materiais são unidos. forma-se uma região de depleção (como nos diodos). SENAI 323 . Nessa camada de óxido de silício são deixadas três janelas a fim de que sejam formados os contatos ôhmicos nas regiões N e P. O substrato em torno do canal é chamado porta (em inglês "gate") e é representado pela letra G. Uma das extremidades do canal é chamada de fonte (em inglês "source"). A região do bloco é eletricamente ligada entre si e uma película de material isolante (óxido de silício) é depositada sobre ele. representadas por G1 e G2. Essa região é maior dentro do canal. Existem alguns FETs que apresentam duas portas.

conectadas internamente e para entendermos o funcionamento do FET. vamos supor que essa é sua condição. Quando VSG = 0. que tem sua condutividade diminuída. na maioria das vezes. aparece a região de depleção.Eletrônica II Funcionamento Para compreender como o JFET opera. há um alargamento dessa região e conseqüente estreitamento do canal. A figura a seguir mostra a conexão em curto entre a fonte e o dreno e um potencial ajustável entre fonte e porta (VSG ajustável). observe a representação esquemática do componente mostrada a seguir. As duas portas são. Se a tensão aumenta em sentido positivo. 324 SENAI .

GSD é igual a 0. alta impedância de entrada. quando VSD = 0.Eletrônica II Observação A corrente da porta será desprezível. que é então anulado. uma vez que temos apenas uma junção PN inversamente polarizada e. Este ponto é chamado de pinch-off ou pinçamento. portanto. O gráfico a seguir mostra um gráfico da condutância do canal fonte-dreno (GSD) em função de VSG. Observe que quando VSG é igual a Vp. Isso quer dizer que o canal apresenta resistência infinita. a camada de depleção ocupará todo o canal. SENAI 325 . Se VSG continuar a aumentar.

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Quando VSG se torna negativa, a condutância do canal aumenta consideravelmente. Todavia, a junção PN da porta fica polarizada diretamente e a impedância de entrada fica relativamente baixa. Região Ôhmica Agora deixaremos VSG = 0 e estudaremos o efeito de VSD sobre ID (corrente de dreno).

À medida que VSD aumenta em sentido negativo, a fim de garantir a polarização inversa na junção da porta, ID começa a aumentar. O aumento de VSD, aumenta a polarização inversa e faz a região de depleção se alargar mais na extremidade do dreno por causa da queda de tensão ao longo do canal. Para entender isso, vamos comparar o JFET com o circuito equivalente a seguir.

Os diodos D1, D2 e D3 representam a junção PN da porta, e a resistência, o canal. Se impusermos uma circulação de corrente pela resistência, haverá uma queda de tensão ao longo dela, de tal forma que D3 terá uma polarização inversa maior que D2 e esta maior que D1. 326
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Apesar do estreitamento do canal, a corrente de dreno é praticamente proporcional à tensão VSD. Essa região de operação é chamada de região ôhmica. Saturação Continuando com o aumento de VSD, a corrente do dreno e a queda de tensão interna também aumentam. A polarização inversa da porta, imposta pela queda de tensão do canal aumenta a camada de depleção até que a condição de pinçamento (pinch-off) seja atingida.

No ponto em que as regiões de depleção quase se tocam, a tensão VSD se iguala ao valor negativo da tensão de pinçamento (VSD = - VP). Nesse ponto, o valor da corrente de dreno é chamado de IDSS (ou ID-ON). Nesse ponto, pode-se dizer também que o JFET atingiu a saturação porque, mesmo se o valor de VSD continuar a ser aumentado, as regiões de depleção continuarão a crescer juntas, mantendo a corrente de dreno quase constante.

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Essa região de corrente de dreno é chamada de região saturada ou de corrente constante. Veja no gráfico a seguir a relação entre corrente de dreno e tensão fonte-dreno.

No gráfico, o ponto BVDSS representa o ponto que é atingido quando há um aumento muito grande de VSD. Ele é determinado pela tensão inversa máxima que a porta pode suportar e que não deve ser ultrapassada, pois isso provocaria uma avalanche e a corrente de dreno aumentaria consideravelmente. Para que isso não ocorra e não haja dano no componente, a corrente deve ser limitada com o auxílio de um resistor. O gráfico a seguir mostra as curvas características de um JFET de canal P para a corrente de dreno em função de VSD com diferentes valores de VSG.

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No gráfico pode-se observar que à medida que o valor de VSG aumenta, diminui o valor do pinçamento (pinch-off). Observação A tensão de pinçamento (pinch-off) é a tensão que deve ser aplicada entre fonte e porta para cortar a corrente de dreno.

Transistor de efeito de campo de porta isolada (MOS-FET) Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (MOS), assim como os FETs de junção, são componentes unipolares cuja operação se baseia no controle da corrente por meio de campos eletrostáticos. Os MOS-FETs, também conhecidos como IG-FET diferem dos J-FETs pelo fato de apresentarem a porta isolada do canal através de um película de óxido de silício. Esses componentes são largamente empregados na construção de circuitos integrados devido a sua facilidade de integração. Como os J-FETs, o MOS-FETs apresentam três terminais: dreno, fonte e porta. A porta é constituída por um eletrodo metálico separado do canal por uma camada isolante de óxido metálico, formando a seqüência que deu origem à designação MOS: Metal - Óxido - Silício.

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Observação O substrato serve como base de montagem para o FET e pode ser usado em algumas aplicações especiais. Um quarto terminal ligado ao substrato pode ser usado como outra porta. A colocação da camada isolante entre porta e canal mantém a porta totalmente isolada. Isso confere aos MOS-FETs sua característica mais importante: a impedância de entrada extremamente alta (da ordem de 1015 Ω) sem a preocupação com a polaridade da porta. Existem dois tipos de MOS-FETs: depleção e enriquecimento.

MOSFET Tipo Depleção O MOSFET tipo depleção é um FET de porta isolada no qual o princípio de controle da corrente é semelhante ao J-FET, ou seja, por meio da depleção no canal. 330
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Esse FET é constituído por um substrato (bloco de sustentação), uma barra de material semicondutor (canal) e uma camada de depósito metálico isolada do canal, usada como elemento de controle (porta ou gate). Os MOS-FETs depleção podem ser de dois tipos: canal P ou canal N.

Seus símbolos diferem apenas no sentido da seta no terminal ligado ao substrato. A situação de isolamento entre porta e canal também está expressa graficamente no símbolo.

Funcionamento O princípio de funcionamento do MOS-FET é o mesmo do J-FET. Quando o terminal de porta não tem polarização, o movimento de portadores é livre no canal, propiciando o aparecimento de uma corrente entre fonte-dreno.

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332 SENAI .Eletrônica II O MOS-FET depleção é. A região de depleção tem comportamento igual à do J-FET: produz uma largura maior na camada de depleção junto ao dreno devido à queda de tensão provocada pela passagem da corrente. Esse aspecto é expresso graficamente no símbolo pela linha cheia que liga dreno e fonte. reduzindo a corrente IDS. portanto. A aplicação de uma tensão positiva à porta do MOS-FET tipo P (negativa no MOS-FET N) provoca o aparecimento de uma região de depleção no canal que reduz a sua área útil. normalmente condutor.

a junção PN formada entre canal e porta não deve ser polarizada diretamente porque isso provocaria o aparecimento de uma corrente de porta. o material isolante e o substrato P formam um capacitor cujo dielétrico é o óxido de silício. a aplicação de um potencial negativo a porta provoca uma aumento de corrente IDS. SENAI 333 . Existe. Nos FETs de porta isolada não ocorre este problema porque o terminal porta é isolado do canal. Nos J-FETs. independentemente da polaridade dos terminais. reduzindo a corrente IDS. Nos MOS-FETs depleção tipo P. O aumento do potencial positivo da porta provoca um estreitamento na área útil do canal. pois o efeito da porta se soma ao de potencial negativo do dreno. através do controle do potencial positivo da porta (MOS-FET P). bem como uma queda acentuada na impedância de entrada. Desta forma. pode-se controlar a corrente no canal. uma diferença singular entre os J-FET e os MOS-FET depleção. porém.Eletrônica II O contato metálico da porta.

Eletrônica II A figura a seguir mostra a curva característica de saída do MOS-FET P na qual se verifica que a porta pode receber tanto potencial positivo quanto negativo. a outra placa. Sobre este conjunto estão depositadas uma camada de óxido isolante e uma camada metálica formadora da porta de controle. vamos comparar esse componente a um capacitor no qual a porta seria uma das placas. 334 SENAI . MOS-FET tipo enriquecimento O MOS-FET tipo enriquecimento é composto por duas pastilhas semicondutoras "isoladas" entre si pelo material semicondutor do substrato. Funcionamento Para facilitar a compreensão do funcionamento desse tipo de FET. Veja representação esquemática e símbolos a seguir. o óxido de silício o isolante e o canal.

receptores e voltímetros? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ b) Quais são os dois tipos de FET? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Desenhe as baterias de polarização nos circuitos com J-FET. haverá um enfraquecimento de campo. Esta carga positiva induzida criará lacunas entre o dreno e a fonte. O gráfico a seguir mostra a característica do dreno de um MOS-FET tipo P.Eletrônica II Se a placa/porta for polarizada com tensão negativa. haverá um enriquecimento do canal e nele será induzida uma carga positiva (como no capacitor). aumentando assim a condução do canal. Observe que o controle da corrente pode ser efetuado em ambas as polaridades de VSG. SENAI 335 . diminuindo a condutividade do canal. Responda às seguintes perguntas: a) Qual é a característica dos FETs que os torna ideais para a aplicação em estágios de entrada de osciloscópio. se a porta for polarizada com tensão negativa. fato que não ocorre com o J-FET Exercícios 1. diminui o valor da corrente do canal até que a condutividade se torne zero (ponto de pinçamento ou pinch-off). Por outro lado. À medida que a tensão positiva é aumentada.

o que acontecerá com os valores de: ID _____________________ VRD ____________________ VDS ____________________ 2.Eletrônica II d) Qual é a condição fundamental de polarização da junção porta-fonte dos J-FETs? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ e) Por que se forma uma região de depleção do canal quando o terminal porta está ligado ao terminal fonte? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ f) Considerando-se o circuito da questão f. se a tensão da bateria B2 for ajustada para – 5 V. Responda: a) Identifique com as notações adequadas a corrente de dreno e tensão dreno-fonte do ponto indicado na curva a seguir. 336 SENAI . se o resistor é de 470 Ω e sua queda de tensão é de 6 V. qual é a corrente ID? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ g) Ainda considerando o circuito da questão f.

Eletrônica II b) Como se comportam a resistência interna do canal e a corrente de dreno do J-FET quando a polarização inversa porta-fonte é aumentada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Identifique as regiões das curvas características mostradas a seguir. também. d) O que é tensão de pinçamento? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ SENAI 337 . a região na qual existe a maior linearidade no comportamento do FET como resistor controlado por tensão. Assinale.

Eletrônica II e) O que é IDSS? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ 3. qual é a diferença fundamental entre os J-FETs e os FETs de porta isolada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ c) Por que os FETs de porta isolada recebem a designação MOS? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ d) O que se pode afirmar sobre a impedância de entrada dos MOS-FET? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ e) O que acontece com a corrente ID no MOS-FET tipo depleção canal N quando a tensão de porta é cada vez mais negativa? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ f) Considerando a corrente ID no mesmo tipo de MOS-FET da questão anterior. Responda às seguintes perguntas: a) Quais são as abreviaturas usadas normalmente para identificar os FETs de porta isolada? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ b) Em termos de estrutura. o que acontece quando a tensão da porta é cada vez mais positiva? ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ 338 SENAI .

________________________________________________________________ ________________________________________________________________ ________________________________________________________________ SENAI 339 .Eletrônica II ________________________________________________________________ g) Um MOS-FET tipo enriquecimento bloqueia ou permite a passagem de corrente (ID) com tensão de porta VGS = 0 V? Justifique sua resposta.

.

________. São Paulo : 1993. SENAI 341 . Rio de Janeiro : 1984.Referências Bibliográficas SENAI-SP. Eletricista de Manutenção Il – Eletrotécnica. SENAI-DN. São Paulo : 1993. Eletricista de Manutenção I – Eletricidade básica. Eletrônica básica.

342 SENAI .

S. Eletrônica l. 1985. Rio de Janeiro : Editora PHB. Não deixe de ler! MARQUES. Dispositivos semicondutores. Angelo. Halkias. Navy. 1994. São Paulo : Editora Hemus. Eletricidade Básica. São Paulo : Editora Makron Books. São Paulo : Editora Érica. Milton. U.Bibliografia Indicada • Estes livros complementam os conteúdos da apostila. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. e outros. Louis. Robert e NASHELSKY. BOYLESTAD. 1985. São Paulo : Editora Makron Books. GUSSOW. Eletricidade Básica. SENAI 343 . 1996. MILLMAN. 1981.

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