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4. 1 Qu es un transistor bipolar (BJT)?

El transistor Bipolar se forma cuando se agrega una segunda regin p o regin n a un diodo comn pn, por lo cual se puede configurar como NPN o PNP dependiendo del tipo de regin que se agreg, consta de 3 Terminales: Colector, Base y Emisor, para el caso de este transistor las corrientes de base y de colector fluyen por 2 trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia de Colector-Emisor en Saturacin. 4.2 Cules son los tipos de (BJT)? NPN (Transistor BJT con dos regiones N y una regin P) PNP (Transistor BJT con dos regiones P y una regin N) 4.3 Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP? La polaridad de la configuracin del transistor, los Transistores NPN reciben un voltaje positivo en el colector al igual que en la base, mientras que los transistores PNP operan con voltaje negativo en el colector y en la base. 4.4 Cules son las caractersticas de entrada de los transistores NPN? corriente de Base Ie = Ic + Ib dondeVce1 > Vce2, donde la corriente de base es la corriente de entrada. 4.5 Cules son las caractersticas de salida de los transistores NPN? Para los transistores NPN las caractersticas de Salida para la curva Voltaje Colector- Emisor contra corriente de Colector son la regin de saturacin, la regin activa y la regin de corte Para los transistores NPN las caractersticas de Entrada para la curva Voltaje Base Emisor contra

delimitada por la curva caracterstica de la corriente de base Ib, donde va desde Ib=0 hasta Ibn.
4.6 Cules son las tres regiones de operacin de los BJT? Regin de Saturacin, regin activa y Regin de corte. 4.7 Qu es la Beta (B) de un BJT? Es la relacin de la corriente de Colector Ic entre la corriente de base Ib, donde beta = Ic / Ib 4.8 Cul es la diferencia entre la Beta (B) y la beta Forzada (Bf) de los BJT? La diferencia es que la Beta Forzada se calcula en base a la corriente de Colector mientras permanece en saturacin el transistor.

4.9 Qu es la transconductancia de los BJT? Se define como la relacin entre el incremento de la corriente del colector a razn del voltaje Base-Emisor del transistor respectivamente bajo condiciones transitorias. 4.10 Qu es el factor de sobre excitacin de los BJT?

4.11 Cul es el modelo de conmutacin de los BJT?

4.12 Cul es la causa del tiempo de retardo de los BJT? Ocurre cuando el voltaje de entrada Vb aumenta de 0 a v1 y la corriente de base aumenta a Ib1 la corriente de colector no responde de inmediato generando un retardo Td. 4.13 Cul es la causa del tiempo de Almacenamiento de los BJT? Es cuando el voltaje de entrada se invierte de B1 a B2 y la corriente de base tambin cambia a Ib2, la corriente del colector no cambia durante un tiempo Ts llamado tiempo de almacenamiento. 4.14 Cul es la causa del tiempo de subida de los BJT? SE genera por la diferencia de tiempo existente entre el tiempo de encendido y el tiempo de activacin del transistor. 4.15 Cul es la causa del tiempo de cada en los BJT? Depende de la constante de tiempo que esta determinada por la capacitancia de la unin BEJ con polarizacin inversa. 4.16 Cul es el modo de saturacin de los BJT? En el transistor la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje Vce sea bajo y el transitorio acte como un interruptor. 4.17 Que es el tiempo de encendido de los BJT? Es la suma del tiempo de retardo mas el tiempo de subida 4.18 Que es el tiempo de apagado de los BJT? Es l suma del tiempo de almacenamiento y el tiempo de cada 4.19 Qu es un FBSOA de los BJT?

Es el rea de operacin segura en polarizacin directa. Durante las condiciones de activacin y de estado activo, la temperatura promedio de la unin y la segunda avalancha limitan la capacidad de manejo de potencia en un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar las curvas FBSOA bajo condiciones especificadas de prueba. FBSOA indica los lmites de

iC  vCE del transistor: para que la operacin del transistor sea fiable, no debe estar sujeta
a mayor disipacin de potencia que la que indique la curva FBSOA. 4.20 Qu es un RBSOA de los BJT? Es el rea de operacin segura en polarizacin inversa. Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran corriente y un alto voltaje, en la mayor parte de los casos con polarizacin inversa de base a emisor. El voltaje de colector a emisor debe mantenerse en un nivel seguro, a un valor especificado de corriente de colector, o menos. Los fabricantes proporcionan, como RBSOA, los lmites de I C  VCE durante el apagado con polarizacin inversa. 4.21 Por qu es necesario invertir la polarizacin de los BJT durante su apagado? 4.22 Qu es la segunda avalancha de los BJT? La segunda avalancha o avalancha secundaria (SB), que es un fenmeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una pequea porcin de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energa de esos puntos calientes es suficiente, el calentamiento localizado excesivo puede daar el transistor. As, la avalancha secundara se debe a una avalancha trmica localizado debido a altas concentraciones de corriente. La SB se presenta con ciertas combinaciones de voltaje, corriente y tiempo. Debido a que interviene el tiempo, la avalancha secundaria es bsicamente un fenmeno dependiente de la energa. 4.23 Cules son las ventajas y las desventajas de los BJT? Ventajas: Interruptor simple, baja cada de estado de encendido, mayor capacidad de voltaje en estado apagado, gran prdida en conmutacin. Desventajas: Dispositivo controlado por corriente y requiere mayor corriente de base para encender y sostener la corriente de estado activado, disipacin de potencia en activacin de base, tiempo de recuperacin de carga y menor velocidad de conmutacin, regin de avalancha secundaria, altas disipaciones de conmutacin, dispositivo de voltaje unipolar. 4.24 Qu es un MOSFET? Son dispositivos controlados por voltaje, requieren muy poca potencia de excitacin de compuerta, y sus parmetros son menos sensibles a la temperatura de la unin. No tienen problema de segunda avalancha, y no necesitan voltaje negativo de compuerta durante el apagado. 4.25 Cules son los tipos de MOSFET? Decremental e incremental.

4.26 Cules son las diferencias entre los MOSFET tipo de incremental y los de tipo decremental? Un MOSFET de tipo decremental permanece activo con cero voltaje en la compuerta, mientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado con cero voltaje en compuerta, en general est ltimo se usa cmo dispositivo de conmutacin en la electrnica de potencia. 4.27 Qu es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET? Es el voltaje de compuerta a fuente VGS cuando se hace suficientemente negativo, el canal n se decrementa hasta desaparecer, se agota , por completo y presenta un valor muy alto de R DS , y no pasa corriente del drenaje a la fuente: I DS ! 0 , cuando esto sucede adquiere este nombre. 4.28 Qu es el voltaje umbral de los MOSFET? Es el voltaje de entrada VT . 4.29 Qu es la transconductancia de los MOSFET? Es la relacin de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define a las caractersticas de transferencia.

gm !

(I D (VGS

V DS !CONSTANTE

4.30 Cul es el modelo de conmutacin de los MOSFET de canal n? PONER IMAGEN!!! 4.31 Cules son las caractersticas de transferencia de los MOSFET? 4.32 Cules son las caractersticas de salida de los MOSFET? 4.33 Cules son las ventajas y las desventajas de los MOSFET? Ventajas: mayor velocidad de conmutacin, baja prdida por conmutacin, circuito simple de control de compuerta, poca potencia de compuerta. Desventajas: alta cada de voltaje, hasta de 10V, menos capacidad de voltaje en estado de apagado, dispositivo de voltaje unipolar. 4.34 Por qu los MOSFET no requieren voltaje negativo de compuerta durante su apagado? 4.35 Por qu es distinto el concepto de saturacin en los BJT y en los MOSFET? 4.36 Cul es el tiempo de encendido de los MOSFET?

4.37 Cul es el tiempo de apagado de los MOSFET? 4.41 Qu es un IGBT? Son dispositivos controlados por voltaje, y tienen un bajo voltaje de estado activo, similar al de los BJT. 4.42 Cules son las caractersticas de transferencia de los IGBT? 4.43 Cules son las caractersticas de salida de los IGBT? 4.44 Cules son las ventajas y desventajas de los IGBT? 4.45 Cules son las diferencias principales entre los MOSFET y los BJT? 4.46 Qu problemas de operacin en paralelo tienen los BJT? 4.47 Qu problemas de operacin en paralelo tienen los MOSFET? 4.48 Qu problemas de operacin en paralelo tienen los IGBT? 4.49 Qu problemas de operacin en serie tienen los BJT? 4.50 Qu problemas de operacin en serie tienen los MOSFET? 4.51 Qu problemas de operacin en serie tienen los IGBT? 4.52 Qu objeto tiene el amortiguador en paralelo con los transistores? 4.53 Qu objeto tiene el amortiguador en serie con los transistores?