TRANSPORTE DE MATERIAL POR MOVIMENTOS ATMICOS

2. Mecanismos de movimento atmico

DIFUSO
- Mecanismo da difuso - Fatores que influem na difuso - Difuso no estado estacionrio - Difuso no estado no-estacionrio

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DIFUSO
EXEMPLOS PRTICOS DE PROCESSOS BASEADOS EM DIFUSO
Dopagem em materiais semicondutores para controlar a condutividade Cementao e nitretao dos aos para endurecimento superficial Outros tratamentos trmicos como recristalizao, alvio de tenses, normalizao,... Sinterizao Alguns processos de soldagem 2

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DIFUSO
CONSIDERAES GERAIS

O movimento atmico em lquidos , em geral, mais lento que em gases, O movimento atmico em slidos bastante restrito, pois as foras de ligao atmicas so elevadas e tambm, devido existncia de posies de equilbrio bem definidas
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DIFUSO
CONSIDERAES GERAIS
Os tomos em um cristal s ficam estticos no zero absoluto Com o aumento da temperatura as vibraes trmicas dispersam ao acaso os tomos para posies de menor energia Movimentos atmicos podem ocorrer pela ao de campos eltrico e magntico, se as cargas dos tomos interagirem com o campo. Nem todos os tomos tem a mesma energia, poucos tem energia suficiente para difundirem 4

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Demonstrao do Fenmeno da DIFUSO

Antes do aquecimento Cu Ni Depois do aquecimento Cu Cu+Ni Ni

Soluo slida

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TIPOS DE DIFUSO
Interdifuso ou difuso de impurezas ( o mais comum) ocorre quando tomos de um metal difunde em outro. Nesse caso h variao na concentrao Autodifuso ocorre em cristais puros. Nesse caso no h variao na concentrao
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MECANISMOS DE DIFUSO
Vacncias
( o mais comum, um t. da rede move-se p/ uma vacncia)

Intersticiais (ocorre com tomos pequenos e promovem distoro na rede)

A difuso dos intersticiais ocorre mais rapidamente que a difuso de vacncias, pois os tomos intersticiais maior mobilidade porque so menores. Alm disso, h mais posies intersticiais que vacncias na rede, logo, a probabilidade de movimento intersticial maior que a difuso de vacncias.
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MECANISMOS DE DIFUSO
Contorno de gro (importante para crescimento de gros) Discordncias (o movimento das discordncias produz deformao e a recuperao do material) Fenmenos superficiais (importante para sinterizao)

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A DIFUSO S OCORRE SE
HOUVER GRADIENTES DE: Concentrao Potencial Presso

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DIFUSO E ENERGIA
Os tomos dentro de um material, em uma determinada temperatura, apresentam diferentes nveis de energia, sendo esta uma distribuio estatstica Boltzmann estudou o efeito da temperatura na energia das molculas em um gs.
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ENERGIA DE ATIVAO
O interesse est nos tomos com energia suficiente para se mover Boltzmann n = f (e -Q/KT) Ntotal n= nmero de com energia suficiente para difundir N= Nmero total de tomos Q= energia de ativao (erg/t) K= Constante de Boltzmann= 1,38x10-6 erg/t11

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ENERGIA DE ATIVAO
Vacncias e intersticiais Contorno de gro Superfcie

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VELOCIDADE DE DIFUSO
EQUAO DE ARRHENIUS
V = c (e -Q/RT)
proporcional ao nmero de stios disponveis para o movimento atmico

c= constante Q= energia de ativao (cal/mol)

R= Constante dos Gases= 1,987 cal/mol.k T= Temp. em Kelvin

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VELOCIDADE DE DIFUSO
EQUAO DE ARRHENIUS logV = logc- Q/2,3R.(1/T) Y= b + mx
Equao da reta

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VELOCIDADE DE DIFUSO EM TERMOS DE FLUXO DE DIFUSO

J= M/A.t
em kg/m2.s ou at/m2.s

M= massa (ou nmero de tomos) A= rea t= tempo

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DIFUSO NO ESTADO ESTACIONRIO

Fonte: Prof. Sidnei Paciornik do Departamento de Cincia dos Materiais 16 e Metalurgia da PUC-Rio

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DIFUSO NO ESTADO ESTACIONRIO

PRIMEIRA LEI DE FICK expressa a velocidade de difuso em funo da diferena da concentrao (Independente do tempo) J= -D dC dx
J= at/m2.s=M/A.t D= coef. De difuso cm2/s dC/dx= gradiente de concentrao em funo da distncia at/cm3 17

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COEFICIENTE DE DIFUSO (D)

D indicao da velocidade de difuso Depende:


da natureza dos tomos em questo do tipo de estrutura cristalina da temperatura

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COEFICIENTE DE DIFUSO (D)

O Coef. De difuso pode ser calculado a partir da equao:
D = Do (e -Q/RT) onde Do uma constante calculada para um determinado sistema (tomos e estrutura)

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COEFICIENTE DE DIFUSO (D)

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COEFICIENTE DE DIFUSO (D)

Fonte: Prof. Sidnei Paciornik do Departamento de Cincia dos Materiais e Metalurgia da PUC-Rio

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EFEITOS DA ESTRUTURA NA DIFUSO

FATORES QUE FAVORECEM A DIFUSO FATORES QUE DIFICULTAM A DIFUSO

Baixo empacotamento atmico Baixo ponto de fuso Ligaes fracas (Van der Walls) Baixa densidade Raio atmico pequeno Presena de imperfeies

Alto empacotamento atmico Alto ponto de fuso Ligaes fortes (inica e covalentes Alta densidade Raio atmico grande Alta qualidade 22 cristalina

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EFEITOS DA ESTRUTURA NA DIFUSO

Caso do Ferro (ALOTROPIA) O coeficiente de difuso dos tomos de Carbono no Fe ccc maior que no cfc, pois o sistema ccc tem um fator de empacotamento menor (F.E. ccc= 0,68 e F.E. cfc= 0,74)

cfc

ccc

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EXEMPLO DE APLICAO DA PRIMEIRA LEI

20- O Carbono difundido atravs de uma lmina de ao de 15 mm de espessura. A concentrao de carbono nas duas faces so 0,65 e 0,30 Kg/m3 de Fe, os quais so mantidas constantes. Se Do e a energia de ativao so 6,2x10-7 m2/s e 80.000 J/mol, respectivamente, calcule a temperatura na qual o fluxo de difuso ser 1,43x10-9 Kg/m2.s. k= 8,31 J/mol.k R= 1044K
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SEGUNDA LEI DE FICK

(dependente do tempo e unidimensional)

xC= x D x C xt xx xx

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SEGUNDA LEI DE FICK

(dependente do tempo e unidimensional) x C= -D x 2C xt x x2

Suposies (condies de contorno)

Antes da difuso todos os tomos do soluto esto uniformemente distribudos O coeficiente de difuso permanece constante (no muda com a concentrao) O valor de x na superfcie zero e aumenta a medida que avana-se em profundidade no slido t=o imediatamente antes da difuso
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SEGUNDA LEI DE FICK

(dependente do tempo e unidimensional)

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SEGUNDA LEI DE FICK

uma possvel soluo para difuso planar
Cx-Co= 1 - f err x Cs-Co 2 (D.t)1/2 f err x 2 (Dt)1/2

a funo de erro gaussiana

Cs= Concentrao dos tomos se difundindo na superfcie Co= Concentrao inicial Cx= Concentrao numa distncia x D= Coeficiente de difuso t= tempo

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DIFUSO

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DIFUSO

Fonte: Prof. Sidnei Paciornik do Departamento de Cincia dos Materiais e Metalurgia da PUC-Rio

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CONSIDERAES GERAIS
Os estgios finais de homogeneizao so lentos A velocidade de difuso diminui com a diminuio do gradiente de concentrao O gradiente de difuso varia com o tempo, gerando acmulo ou esgotamento de soluto
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EXEMPLO DE APLICAO DA SEGUNDA LEI : Cementao

Para algumas aplicaes necessrio endurecer a superfcie dos aos para conferir maior resistncia ao desgaste. Um maneira de fazer isso atravs do processo de cementao gasosa, na qual h um aumento da concentrao de carbono na superfcie atravs da introduo de tomos de carbono (proveniente de um gs, como o metano) por difuso elevadas temperaturas. Considerando um ao cuja concentrao inicial de carbono 0,25% que seja submetido cementao 900rC e que a concentrao de carbono na superfcie seja aumentada e mantida a 1,2%, calcule quanto tempo necessrio para tingir uma concentrao de 0,8% de Carbono a 5mm abaixo da superfcie. D= 1,6x10-11 m2/s. R= 7,1 h 32