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Materiais semicondutores

Tipos de condutores
Os materiais so classificados em trs classes de acordo com a sua capacidade de conduo de carga eltrica: Condutores Semicondutores Isolantes Um material que no conduz carga chamado isolante, enquanto que um material que seja um excelente condutor de carga denominado condutor; um material cuja condutividade eltrica seja intermediria entre um isolante e um condutor chamado semicondutor. A diferena entre eles pode ser explicada em termos da estrutura de bandas de energia eletrnica, mostrado na Fig. 1. Para um isolante, a banda de energia dos eltrons da camada de valncia est separada da banda de energia dos eltrons da camada de conduo por uma lacuna (gap) de energia, denominada banda proibida (Fig. 1a). Assim, para um isolante, a energia que deve ser fornecida a um eltron da camada de valncia por um campo eltrico muito inferior ao gap de energia para levar o eltron de uma camada ocupada para uma camada livre. O semicondutor tambm apresenta uma lacuna de energia devido banda proibida, porm, o gap de energia bastante inferior ao do isolante (Fig. 1b). Para um condutor, a ligao atmica sendo do tipo metlica, na qual os eltrons das camadas mais externas esto fracamente ligados aos ncleos atmicos, faz com que as bandas de energia de valncia e de conduo se superponham (Fig. 1c), permitindo a existncia de eltrons livres, que so os responsveis pela alta condutividade eltrica destes materiais.

Banda de conduo
Eltrons livres

Banda de conduo

EG

6 eV

Banda proibida

EG

1 eV
Banda de valncia

Buracos

Banda de valncia

(a)

(b)

(c)

Fig. 1 Estrutura de banda de energias para (a) um isolante, (b) um semicondutor e (c) um condutor.

Materiais semicondutores

Semicondutor intrnseco
Um material semicondutor apresenta um gap de energia reduzido em comparao aos isolantes. Para os principais elementos semicondutores, o germnio e o silcio, a lacuna de energia EG tem valores de 0,785 e 1,21 eV, respectivamente, a 0 K. Estas energias no podem ser alcanadas pela aplicao de campos eltricos ordinrios, de modo que a banda de valncia permanece cheia e estes materiais so isolantes a baixas temperaturas. A Tabela 1 mostra a configurao eletrnica de elementos do grupo 14 da Tabela Peridica, inclundo alguns elementos no-metlicos, semimetlicos e metlicos. Todos eles apresentam quatro eltrons na ltima camada, que constituda pelos orbitais s e p. A Fig. 2 apresenta a estrutura eletrnica do silcio, de acordo com o modelo atmico de Bohr. Nele vemos que a representao somente da ltima camada (Fig. 2b) seria representativa dos outros elementos do grupo 14.

TABELA 1 Configurao eletrnica de elementos do grupo 14 (IVA). Elemento Tipo Nmero atmico Configurao C no-metal 6 1s22s22p2 Si semimetal 14 1s22s22p63s23p2 Ge semimetal 32 1s22s22p63s23p63d104s24p2 Sn metal 50 1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p2

(a)
+ N N N N N + N N + + N N

K L

Si

Camadas eletrnicas

(b)

Fig. 2 Estrutura eletrnica (a) de todas as camadas e (b) da ltima camada do tomo de silcio. Na Fig. 3 mostrada a estrutura eletrnica da camada de valncia de um cristal de silcio, no qual so estabelecidas ligaes covalentes entre os tomos de Si, com neutralidade de cargas por causa do compartilhamento dos quatro eltrons da camada de valncia de cada tomo, totalizando oito eltrons para cada tomo do cristal. O Si puro comporta-se como isolante, ainda que seja classificado como semicondutor, pois numa situao de equilbrio de cargas como a mostrada na Fig. 3, os eltrons da camada de valncia no sofrem nenhuma influncia de campos eltricos aplicados. Materiais semicondutores 2

Ligao covalente

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Fig. 3 Estrutura eletrnica da camada de ligao de um cristal de silcio. Uma das formas de tornar o Si semicondutor atravs do aumento de temperatura, que tende a reduzir o gap de energia da banda proibida. A Fig. 4 mostra o esquema pelo qual atravs da adio de calor, produz-se portadores de carga. Os portadores de carga tanto podem ser os eltrons livres como os buracos deixados por eles na camada de valncia. Neste caso, como a ausncia de uma carga negativa cria um desbalanceamento de cargas na camada de valncia, o buraco tratado como uma carga positiva.
Si

Si

Si

Si

Eltron livre Buraco

Energia trmica
Si

Ligao covalente rompida

Fig. 4 Mecanismo por ativao trmica de criao de portadores de carga em um material semicondutor.

Materiais semicondutores

Assim, temos para os materiais semicondutores dois tipos de portadores de carga: eltrons livres (com carga negativa) e buracos (ou lacunas, com carga positiva). A condutividade eltrica aumenta com a temperatura, por causa da criao de pares eltrons livres/lacunas e estes materiais so chamados semicondutores intrnsecos. O mecanismo de ativao trmica para criao de portadores de carga pode ser explicado da seguinte forma: medida que a temperatura aumenta, alguns eltrons de valncia adquirem energia trmica maior do que o gap de energia EG e assim, movemse para a banda de conduo. Eles agora so eltrons livres pelo fato de se moverem livremente sob a ao de um campo eltrico aplicado, mesmo que de pequena intensidade. Esses eltrons livres so indicados como pontos pretos no diagrama da Fig. 1b. A ausncia de um eltron na banda de valncia representada por um crculo aberto na Fig. 1b, denominado anteriormente como buraco. A importncia do buraco vem do fato que ele serve como portador de carga comparvel em efetividade ao eltron livre. Como o gap de energia da banda proibida uma funo do espaamento interatmico, tambm no surpreendente que EG dependa da temperatura, pois o aumento de temperatura faz com que o espaamento interatmico aumente. A relao de EG com a temperatura para o Si pode ser descrita pela expresso (Millman, 1967): E G = 1,21 3,60.10 4 T (1)

de modo que na temperatura ambiente (T = 300 K), EG = 1,1 eV. Da equao (1) pode-se observar que o coeficiente de temperatura do silcio negativo (material NTC negative temperature coefficient), sendo que este efeito utilizado para medio de temperatura.

Condutividade eltrica do semicondutor


Num semicondutor puro (intrnseco), o nmero de eltrons livres igual ao nmero de buracos. A agitao trmica tende a produzir novos pares eltrons livres/lacunas, enquanto que outros pares desaparecem como resultado de recombinao. Para cada par eltron/lacuna criado, duas partculas portadoras de carga so formadas: uma, negativa, de mobilidade n; a outra, positiva, de mobilidade p. Estas partculas movem-se em direes opostas sob campo eltrico aplicado, mas como elas tem sinais opostos, a corrente de cada uma est na mesma direo da outra. Assim, a condutividade eltrica pode ser expressa por: = (n n n + n p p ).e (2)

Para um semicondutor intrnseco, nn = np = ni, onde ni a concentrao de portadores intrnsecos. No germnio temperatura ambiente existe cerca de um par eltron/lacuna para cada 2.109 tomos de Ge. Com o aumento da temperatura, a densidade de pares eltron/lacuna aumenta segundo a equao: n i2 = A 0 e E G / kT T 3 Materiais semicondutores (3)

na qual, A0 uma constante de proporcionalidade. As constantes EG, ni, n, p e outras importantes na caracterizao do germnio e silcio, esto mostradas na Tabela 2. A condutividade do silcio aumenta aproximadamente 8% a cada grau de aumento na temperatura. Devido esta grande variao da condutividade com a temperatura, impe-se um limite no uso de semicondutores em alguns circuitos sujeitos a altas temperaturas. Por outro lado, para algumas aplicaes esta propriedade utilizada para medio de temperatura. Um dispositivo semicondutor utilizado desta maneira denominado termistor. O germnio e o silcio no so utilizados como termistores por causa da sensibilidade de suas propriedades com as impurezas. Os termistores comerciais utilizam misturas sinterizadas de xidos de metais de transio, tais como, NiO, Mn2O3 e Co2O3. TABELA 2 Propriedades do germnio e silcio. Propriedade Ge 32 Nmero atmico Z 72,6 Peso atmico 5,32 Massa especfica (g/cm3) 16 Constante dieltrica relativa, r 4,4.1022 tomos/cm3 0,785 EG0 a 0 K (eV) 0,72 EG a 300 K (eV) -3 2,5.1013 Concentrao de portadores intrnsecos, ni (cm ) 45 Resistividade intrnseca a 300 K (ohm.cm) 2 3.800 Mobilidade eltrons, n (cm /V-s) 1.800 Mobilidade lacunas, p (cm2/V-s) 2 99 Difusividade eltrons, Dn = nVT (cm /s) 2 47 Difusividade lacunas, Dp = pVT (cm /s)

Si 14 28,1 2,33 12 5,0.1022 1,21 1,1 1,5.1010 2,3.105 1.300 500 34 13

Semicondutor tipo N
Um outro processo pelo qual pode-se promover a criao de portadores de carga em semicondutores atravs da dopagem. Na Tabela 3 vemos que os elementos do grupo 15 apresentam cinco eltrons na camada de valncia. A Fig. 5 apresenta a estrutura eletrnica do elemento arsnio. Se um elemento deste grupo, como o arsnio, for introduzido em diminuta quantidade num cristal de Si (Fig. 6), o quinto eltron de As no estar na camada de valncia por esta j estar completamente preenchida. Sendo assim, esse eltron estar livre para se mover sob a ao de um campo eltrico aplicado. O Si dopado com As ter comportamento semicondutor mesmo sob baixas temperaturas. Como o eltron possui carga negativa, esse semicondutor dopado ser um semicondutor do tipo N. TABELA 3 Configurao eletrnica de elementos do grupo 15 (VA). Elemento Tipo Nmero atmico Configurao N no-metal 7 1s22s22p3 1s22s22p63s23p3 P no-metal 15 As semimetal 33 1s22s22p63s23p64s24p3 1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p3 Sb semimetal 51

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(a)
+ NN N N N + N N + + N N

K L

(b)
As

Camadas eletrnicas

Fig. 5 Estrutura eletrnica (a) de todas as camadas e (b) da ltima camada do tomo de arsnio.
Eltron extra

Si

Si

Si

Si

As

Si

Si

Si

Si

Fig. 6 Dopagem do silcio com arsnio, criando um semicondutor tipo N.

Semicondutor tipo P
Se a dopagem do silcio for feita com um elemento do grupo 13 (Tabela 3), veremos que pela Fig. 7 se tratam de elementos com trs eltrons na camada de valncia. Sendo assim, a presena de um elemento desses (por exemplo, boro) num cristal de Si criar um buraco na camada de valncia do material. Como o buraco tem carga positiva, o material resultante ser um semicondutor tipo P. TABELA 4 Configurao eletrnica de elementos do grupo 13 (IIIA). Elemento Tipo Nmero atmico Configurao 2 2 1 B semimetal 5 1s 2s 2p Al metal 13 1s22s22p63s23p1 Ga metal 31 1s22s22p63s23p64s24p1 In metal 49 1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p1

Materiais semicondutores

+ NN N N N + N N + + N N

K L

(a)

Camadas eletrnicas

(b)

Fig. 7 Estrutura eletrnica (a) de todas as camadas e (b) da ltima camada do tomo de boro.

Eltron ausente (lacuna)

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Fig. 8 Dopagem do silcio com boro, criando um semicondutor tipo P.

Efeito Hall
O efeito Hall consiste na influncia que exerce um campo magntico aplicado perpendicularmente ao fluxo de carga num dispositivo semicondutor. Ele utilizado para determinar se um semicondutor do tipo N ou P e, tambm, para encontrar a concentrao de portadores. A Fig. 9 apresenta o esquema de medio do efeito Hall em uma amostra semicondutora.

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B i

Desvio das lacunas Desvio dos eltrons livres

L i V
H

z y x

Fig. 9 Efeito Hall em um espcime semicondutor (Baranauskas, 1989). Injetando-se uma corrente i, as lacunas e os eltrons livres estaro sujeitos a uma r r r fora de Lorentz, FL = qv B , perpendicular ao plano da velocidade e da induo magntica B. O acmulo de carga nas arestas do espcime induz um campo eltrico EY transversal direo do fluxo de cargas. O coeficiente Hall RH definido como o parmetro que relaciona o campo eltrico, a corrente e a induo magntica: RH = EYA iB

(4)

na qual A = L a rea de seo transversal do espcime semicondutor. A tenso gerada entre arestas pelo campo eltrico EY pode ser expresso por: VH = E Y .L = R H iB

(5)

no qual L o comprimento do espcime e a sua espessura. O sinal de VH indica o tipo de condutividade predominante no material semicondutor. De acordo com a conveno da Fig. 9, VH positiva para semicondutor tipo P e negativo para material tipo N. O coeficiente Hall proporcional soma algbrica das impurezas doadoras e aceitadoras e, portanto, pode ser correlacionado com a resistividade, para determinao de ND e NA. A razo entre o coeficiente Hall e a resistividade definida como mobilidade Hall H: H = RH (6)

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A mobilidade Hall no pode ser confundida com a mobilidade de deriva dos portadores. Entretanto, para os casos em que a resistividade causada por espalhamento de fnons no semicondutor, as seguintes relaes podem ser aplicadas: 8 (a) Para um semicondutor tipo N: N = H 3 8 H (b) Para um semicondutor tipo P: P = 3 Normalmente, na medio de VH podem ocorrer desvios devido no-homogeneidade do campo magntico, distribuio irregular da corrente, desalinhamento da amostra e dos terminais,etc. Para minimizar estes desvios, alm do problema da tenso de contato eltrico entre o terminal de tenso e a amostra semicondutora, utiliza-se todas as permutaes possveis do sentido da induo magntica e da corrente, fazendo: (a) B na direo +z e corrente na direo +x: VH (medido ) V1 (b) B na direo -z e corrente na direo +x: VH (medido ) V2 (c) B na direo +z e corrente na direo -x: VH (medido ) V3 (d) B na direo -z e corrente na direo -x: VH (medido ) V4 A tenso Hall calculada tomando-se a mdia aritmtica com os sinais corrigidos de V1, V2, V3 e V4: VH = (V1 V2 ) (V3 V4 ) 4

(7)

Alm da caracterizao de materiais semicondutores, a principal aplicao do efeito Hall na medio de campo magntico.

Referncias bibliogrficas
BARANAUSKAS, V. Tcnicas instrumentais de caracterizao de semicondutores. Campinas: Editora da UNICAMP, 1989. HALLIDAY, D., RESNICK, R., WALKER, J. Fundamentals of physics Extended with modern physics. New York: John Wiley, 1993. MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student edition). Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967. POPOVIC, R.S. Hall effect devices. Bristol, UK: Adam Hilger, 1991. REZENDE, S.M. A fsica de materiais e dispositivos eletrnicos. Recife, PE: Editora Universitria da UFPE, 1996. SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill, 1985.

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