P. 1
Circuitos Chaveamento Com Transistor

Circuitos Chaveamento Com Transistor

|Views: 736|Likes:
Publicado porabreu518

More info:

Published by: abreu518 on Apr 02, 2012
Direitos Autorais:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

10/03/2013

pdf

text

original

Polarizacao DC - TE] Substituindo: R2 :s lo(80)(O,2 k!

1)

125

= 1,6 kG
V
B,

= 2 7 V = --'----'------'R, + 1,6 kil

(1,6 k!1)(20 V)

2,7R1 e

+ 4,32

= 32 kfl 2,7R1 = 27,68 kfl R, = 10,25 kG
kil

(use 10 kil)

4.9

CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO COM TRANSISTOR

A aplicacao do transistor nao esta limitada somente a amplifica~ao de sinais. Atraves de urn projeto apropriado, 0 transistor pode

ser utilizado como chave em computadores e aplicacoes de controle. 0 circuito da Fig. 4.52a pode ser empregado como urn inversor em circuito de logica computacional. Observe que a tensao de safda Ve e oposta aquela aplicada na base ou terminal de entrada. Alem disso, note que nao ha uma fonte de conectada ao circuito de entrada. A iinica fonte de e conectada ao coletor, ou circuito de saida, para aplicacoes em computadores, e tipicamente igual a amplitude da porcao "alta" do sinal aplicado - neste caso 5 V. Urn projeto apropriado para que 0 transistor atue como urn inversor exige que 0 ponto de operacao chaveie do corte para saturacao, ao longo da reta de carga mostrada na Fig. 4.52b. Para o nosso caso, assumiremos que Ie = IeEo = rnA, quando IE = /LA (uma excelente aproximacao, se considerarmos que tecnicas cada vez melhores de fabricacao de transistores estao sendo utilizadas), como mostrado na Fig. 4.52b. Alem disso, assurniremos que VCE = VCEsa, = V, ao inves do valor normalmente adotado de 0,1 V a 0,3 V. Quando Vi = 5 V, 0 transistor estara "ligado", e 0 projeto deve assegurar que 0 transistor esta saturado para urn valor de IE maior do que 0 associado a curva de 18 situada proxima ao nivel de

°

°

°

Vee =5 V

Vi

Ve 5V 5V

OV

OV

(a) Ie (mA) 60 J.LA

50 j.lA

4OJ.LA 30 J.LA 20 J.LA

1OJ.LA

2 VeEs.ts OV lCEOsOmA

3 Vee =5V

VeE

(b) Fig. 4.52 Transistor invasor.

54 Condicoes de corte e resistencia resultante entre os terminais. 4. resulta 18 = 63 r: IIA >~ Ie f3dc = 6. e definido por (4.15 V n • lie c E lOY lOY OY Fig.24. como mostrado na Fig. 4.1 rnA ..15 V. 4. as condicoes de corte resultarao em urn valor de resistencia ca1culado abaixo: Rcor•e = -- Vee lceo = --- 5V 0 mA = 00 0 valor resul- que perrnite considerar 0 transistor como um circuito-aberto equivalente. 4. Fig. a corrente Ic e muito alta e a tensao VeE muito baixa. Para Vi = 0 V. utilizando as mesmas extremidades da reta de carga. 4. C". na regiao ativa.8 /LA . 4.. resulta = 250 R---'"' sat I VeE C$~t . qualquer valor de IB maior do que 60 /LA interceptara a reta de carga em urn ponto Q bern proximo ao eixo vertical. 4. para o circuito da Fig. e ja que estamos assumindo que Ic = I CEO = 0 rrtA.53 Condicoes de saturacao c rcsistcncia rcsultantc entre os terminals. 0 transistor inversor da Fig. ' EXEMPLO 4.52b.1 rnA =246u' - 0. urn pouco antes da saturacao.46) Para 0 circuito da Fig. Para Vi = 0 V.45) de IB. e ~ 00 quando colocado em serie com resistores na faixa de kiloohm.0. tante de IB e 0 seguinte: 5 V . I Csut hFF e mostrado na Fig. quando Vi = 5 V. a queda de ten sao atraves de Rc e determinada por VRC = leRe = 0 V. e urn baixo valor. Vee Re 5V ---~61mA 0. f3dc Para 0 nivel de saturacao. em muitas situacoes. Utilizando urn valor medio tfpico de VCEsat' como por exemplo 0.52a. resultando em Vc = +5V para a resposta indicada na Fig.24 Determine R8 e Rc para = 10 rnA. Certamente. 0 nfvel de saturacao para a corrente de coletor. pode ser aproximado pela seguinte equacao: I Bmax ICEO + Vee ~ L ~ R=oon r Fig. 125 = 48 . 4. ..55 Inversor para 0 Exemplo 4. 0 valor da resistencia equivalente no corte e Rcor•e 6 = -- Vee 311A r: lceo 5 = --- V 10 /LA = 500 kO .126 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos saturacao. portanto.55. a Fig. isto significa que IB deve ser maior do que 50 /LA. IB = 0 /LA.53. se lesat que e satisfeita.52a.82 kO que certamente. relativamente. Para urn valor tfpico de ICEO = 10 /LA. (4.7 V -----= 68 kO e I =0 que. o valor = - Ie.52b. Verificando a Eq. 0 resultado e urn valor de resistencia entre os dois terrninais determinado por R sat VI lOY 1_Q_Y OY lIec= 10 Y = VeE. Na saturacao..54.6. 4. o transistor tambem pode ser empregado como uma chave em urn circuito digital. devemos assegurar que a seguinte condicao e satisfeita: (4. 4. se comporta como um circuito aberto.46).

use RB = :> Ie. td. Para um transistor ligado.7 = __:_---- V RB obtemos RB = Vi .47) e portanto. os perfodos de tempo definidos como t.0. Na Fig. como 0 V. em Z. + tf= 120 ns + 12 ns = 132 ns 150 kn e Rc 1 kn.57. =-- tor chaveie do estado "desligado" para signado como ton e definido por Vee Re 10 0 estado "ligado" e de(4.56 Definindo os intervalos de tempo de urn pulso.. achamos ts td = =_ Ie". o tempo total exigido para que urn transistor chaveie do estado "ligado" para 0 estado "desligado" e mencionado como Toff. Obviamente. As conexoes apropriadas para a medicao de VBE aparecem na Fig. e usando IB Vi . mas as leituras serao negativas.. de forma que todas as alternativas e tecnicas existentes nao podem ser abordadas completamente nas poucas secoes de urn 1ivro. 0 tempo total para que 0 transisTransistor ligado Transistor desligado Fig. 0 nivel de mais importante a ser medido e a tensao base-emissor. = 13 ns tf = 12 ns ton = t. Entretanto.48) onde t. que e urn valor-padrao. e tf sao apresentados versus a corrente de coletor. 0 tecnico deve conhecer alguns "macetes" e medidas basicas que consigam iso1ar a area do problema. A comparacao dos valores acima com os parametres do transistor de chaveamento BSV52L mostrados abaixo revela uma das razoes para a escolha deste tipo de transistor. __ 10 rnA ---= 250 e: 40 JLA 60 JLA para garantir a saturacao. Para urn transistor pnp. e a ponta de teste preta (negativa) no terminal de emissor. ton= 12 ns e toff= 18 ns Ha transistores mencionados como transistores de chaveamento.0.23c.7 V = 155 kfl IB = 120 ns 60 JLA Escolhendo RB IB 150 kfl.56. Para 0 transistor sem aplicacao especifica da Eq. Devemos suspeitar de qualquer leitura tota1mente divers a do esperado..23c. e 0 intervalo no qual a resposta se situa entre 10% e 90% do seu valor final.Polarizacao DC . e definido por (4.10 TECNICAS DE SOLuc:Ao DE PROBLEMAS EM CIRCUITOS 100% 90% A arte de contornar problemas e urn t6pico bern abrangente. e ter alguma ideia dos niveis de tensao e corrente existentes. ou ate mesmo valor negativo. 4. e 0 tempo de armazenamento e t( 0 tempo de queda de 90% para 10% do valor inicial. t.. Para 0 transistor na regiao ativa. Seus efeitos na velocidade de resposta do sinal de safda no coletor sao definidos na Fig. 3. temos Vi . 0 primeiro passo para a identificacao do problema e entender bern 0 comportamento do circuito. e possibilitar a identificacao de uma solucao. + td = 13 ns + 25 ns = 38 ns toff = t. Na saturacao: 18 Fazendo IB = 10 rnA Re V Re = 10 V = 1 kfl 10 rnA com 0 retardo de tempo td sendo 0 intervalo entre 0 in stante da mudanca de estado e 0 inicio da resposta na saida. devendo-se verificar as conexoes do dispositivo ou circuito. f3dc = = 40 JLA e = 25 ns t. a tensiio VBE deve ser aproximadamente 0. 4.7 V. podem ser utilizadas as mesmas conexoes. 4 V.TBJ 127 Solucao Na saturacao: I e. -I 1 I I --+1 I I I 1 -I Is I""_ I I ~ I 'r t off I 1 I I 1.. devido a velocidade com que conseguem chavear de urn nfvel para outro. 0 elemento de tempo t. 4.7 V 150 kfl 6 2JLA e tal que e Portanto. 3.7 V = 10 V . ou 12 V.0.0... = 10 rnA. Observe que a ponta de teste vermelha (positiva) do medidor esta conectada no terminal de base para urn transistor npn.0.7 V = ----IB = RB 62 JLA -----= 10 V . 4.-1 I - .

. Para Vee = 20 V e uma configuracao com polarizacao fixa.59 Efeito de uma conexao imperfeita ou dispositivo defeituoso. Na Fig.0. Todos os valores das resistencias foram conferidos. as conexoes estao solidas. consegue-se obter niveis de tensoes e corrente na pratica proximos aos valores teoricos. 4. Urn dos erros mais comuns de ocorrerem em praticas de laboratories e 0 uso de val ores errados de resistencia para urn determinado projeto. Para isso.7 V Si == 0/3 V Ge de Reo resulta em uma leitura de 20 V.60 Verificando os niveis de tensao em relacao ao terra. os valores reais dos resistores sao diferentes dos valores nominais indicados pelo codigo de cores (lembre dos nfveis de tolerancia para os elementos resistivos). a menos que tenha sido projetado para estes niveis. 4. Poderia ser uma solda imperfeita entre a placa de circuito impresso e 0 dispositivo? 0 quanto realmente prejudica 0 funcionamento de urn circuito. Vee =20V -. Se 0 medidor e conectado ao terminal de coletor do TBJ. Ja que. Com isto. Fig. NaFig. e tudo the pareceu correto.ou 0 dispositivo (TBJ) esta danificado e comporta-se com urn circuito-aberto entre os terminais de coletor e emissor. recomenda-se medir o resistor antes de inseri-lo no circuito.60. privando 0 circuito de urn nfvel de corrente adequado. a corrente de base resultante seria Fig. maior a faixa de possibilidades. 4. a menos que 0 transistor esteja sendo utilizado no modo de chaveamento.3 V oV = Saturacao = Estado de curto-circuito ou falha de conexao Norrnalrnente alguns volts ou um poueo mais Fig. ao inves do valor de projeto de 680 kn.uma diferenca significativa! Uma corrente de base de 28. 4..4 rnA Urn nfvel de tensao de igual importancia e a tensao coletoremissor. e alguma garantia de que 0 valor de resistencia correto esta sendo empregado. uma leitura de 1 a 2 V ou 18 a 20 V para VCEo como medido na Fig. duas possibilidades . como mostra a Fig. na regiao de saturacao. e a ponta vermelha ao terminal inferior do resistor. Lembre das caracterfsticas gerais de urn TBJ. Imagine 0 efeito da utilizacao de urn resistor de 680 n para RE.59.uulo o nivel de V. Voce verificou 0 dispositivo em urn tracador de curvas ou em outro medidor para transistor. urn dos metodos mais eficientes de verificacao da operacao do circuito e checar os varies niveis de tensao relative ao terra./ \ Fig. a leitura sera 0 V.4 /LA.3 V sugerem urn dispositivo saturado .5S Vcrific. Vee '0' -. ha. e a queda resultante atraves 0. 4. coloca-se a ponta preta (negativa) do voltfrnetro no terra e "troca-se" a ponta vermelha (positiva) no terminal considerado. Ha vezes em que nos frustramos.57 Yerificando 0 nfvel de IB VB£' = 20 V . '--1' / .condicao que nao deveria existir.58.59. Se VCE = 20 V (com Vee = 20 V).0 que mais? Agora 0 tecnico que busca uma solucao deve esforcar-se para atingir urn nfvel mais elevado de sofisticacao. ou uma conexao na malha coletor-emissor ou base-ernissor esta aberta.ja que 0 circuito tern urn terra comum a fonte e aos dispositivos empregados no circuito. ao inves do valor desejado de 28. \ \ \ \ \ \ \ \ . ja que Vee nao esta em contato com 0 dispositivo devido ao circuito-aberto. se a ponta vermelha for conectada diretamente a Veo deve-se obter a leitura de Vee volts. Em todo caso..7 V 680 n = 28. = OmAe VRe = OV. A ausencia de uma corrente de coletor. e certamente urn resultado estranho. a ponta de teste preta do voltfrnetro e conectada ao terra comum da fonte. e talvez danificasse 0 dispositivo. quanta mais sofisticado 0 sistema.. 4. Obviamente. no mmimo.4 rnA certamente situaria 0 projeto . e a tensao de fonte apropriada foi aplicada . e. Entretanto: Para 0 transistor tipico na regiiio ativa. que valores de Vel: em tome de 0./. estabelecendo Z. 4.128 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuit os == 0. . 4. VCE Ii normalmente 25% a 75% de VeePara Vee = 20 V. mas 0 botao de ajuste do nivel de corrente foi deixado na posicao zero. uma conexao malfeita entre a placa e 0 dispositivo? Talvez a fonte tenha sido ligada com urn valor de tensao apropriado. 0 projeto e operacao devem ser investigados. em geral.

61 Circuito do EXC111pio -us.26.26 Baseado nas leituras fornecidas na Fig. 4. em geral sao fornecidos niveis de ten sao especfficos. devido a urn circuito aberto ou nao-operacao do transistor.pode haver uma conexao imperfeita entre Re e o terminal de coletor do transistor. 0 transistor deve ser testado atraves de urn dos metodos descritos no Cap. determinados pelos potenciais apJicados e operacao do circuito. e). para "ligar" 0 transistor e fornecer alguma tensao para VE• Na verdade.TBJ 129 Em Vo a leitura deve fomecer urn valor menor. deve-se apenas conhecer os niveis tfpicos dentro do sistema. EXEMPLO 4.LA ' que esta de acordo com resultado obtido de 19.62 Circuito do Exemplo 4. Fig. definido por VCE = Ve ~ VE (a diferenca entre os dois niveis medidos acima). pode representar conexao falha ou dispositivo defeituoso. 20V + 19. e se estiver certa. 20V EXEMPLO 4.aobase-coletor aberta. 0 processo de correcao de defeitos revela-se urn teste verdadeiro sobre os seus conhecimentos acerca do comportamento correto de urn circuito. se assumirmos uma condicao de curto-circuito da base para 0 emissor.Polarizacao DC . Para esquemas de circuitos extensos. se VCH registra urn valor de mais ou menos 0. Naturalmente.85V 250 kn Fig. verifique a continuidade entre 0 coletor e 0 resistor. mas. e tambem mostra sua habilidade de isolar regioes problematicas com 0 auxflio de poucas medidas e medidores apropriados.85 V revelaque 0 transistor esta desligado.3 V 452 kil = 42. portanto. em certas ocasioes. resultando em urn curto-circuito entre os terminais de coletor e emissor. aponte a causa. nao necessitando da insercao no circuito de urn multfrnetro com a funcao de miliamperimetro. ja que uma tensao de 20 V aparece no coletor do dispositivo. De qualquer mane ira.62. Solucao Baseado nos valores de R) e R2 e no valor de Veo a tensao VB = 4 V parece ser apropriada (e. 4. 0 circuito pode estar saturado com urn dispositivo que pode ser ou nao defeituoso. Como observado anteriormente. base seria I~ B~ RB Vee ~ VBE + (f3 + 1)RE 20 V ~ 0. 0 valor de VR• = 19. 3. Existem duas possibilidades . Solucao Os 20 V no coletorrevelamimediatamente que Ic = o rnA. uma vez que a diferenca Vec ~ VR" = 0. mas VeE for de 0 V.61. Concluindo. obtemos a seguinte corrente atraves de RH• IR8 = Vee RB 0 + RE = 20 V 252 kil = 79 4 f. e nao podemos afirmar que a conexao da fonte ao circuito seja falha. os nfveis de corrente sao calculados a partir de nfveis de tensao. e provavel que 0 TBJ esteja com defeito. os 20 V no coletor revelam que Ie = 0 rnA. Via de regra.3 V.85 V 250 kil = 79. determine se 0 circuito esta operando adequadamente.4 f. se nao estiver. para os circuitos abordados neste capitulo. e. 4. na verdade. Entretanto.7 V 250 kil + (01)(2 kil) 19.7 /LA o resultado. ja que ha uma queda de tensao atraves de Rc e VE deve ser menor do que Ve devido a tensao coletor-emissor VeE' Algum valor nao esperado para urn destes pontos pode ser aceitavel. e um transistor defeituoso com urn curtocircuito entre a base e 0 emissor.15 V e menor do que a exigida . 4.7 V atraves da juncao baseemissor do transistor. Os 3. Se VRe e VRE apresentarem valores aceitaveis. determine se 0 transistor esta "ligado" e se 0 circuito esta operando corretamente. utilizando urn ohmfrnetro. deve ficar claro da discus sao acima que o MMD ou MOV funcionando como voltfmetro e muito importante no processo de verificacao de problemas.25 Baseado nas leituras fornecidas na Fig. ou 0 transistor tern umajun<. sugerindo urn transistor "ligado". facilitando a identificacao e verificacao de possiveis pontos problematicos.3 V no emissor indicam que ha uma queda de 0. lnicialmente.LA a corrente de Se 0 circuito estivesse operando apropriadamente.

You're Reading a Free Preview

Descarregar
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->