Uporaba programskega okolja LabVIEWpri fizikalnih merjenjih

Anja Vinikar

V seminarju je predstavljen primer uporabe programa LabVIEW za analizo izmerjenih podatkov pri meritvah frekvence s fotodiodo.

Mentor: asist. mag. Andrej Doboviek Maribor, 2012

Kazalo
1 Uvod............................................................................................................................ 3 2 Kaj je fotodioda in kako deluje? ................................................................................. 4 3 Merjenje frekvence ..................................................................................................... 8 4 Zakljuek................................................................................................................... 10

1 Uvod
Pri tudiju sem se v okviru projekta pri predmetoma Didaktika raunalnitva II in Didaktika fizike II sreala s programskim okoljem LabVIEW. Okolje se mi je takoj prikupilo, saj se za razliko od obiajnih programskih jezikov programira grafino - z urejanjem in povezovanjem grafinih elementov na blok shemi (slika 1a). Interakcija z uporabnikom poteka preko elne ploe (slika 1b), na kateri se nahajajo kontrole in prikazovalniki, ki so povezani s posameznimi elementi na blok shemi. Ustvarjanje grafinih vmesnikov je zelo preprosto, saj so vsi elementi e oblikovani in pripravljeni, potrebno jih je samo pravilno umestiti v program.

a)

b)

Slika 1: Programsko okolje LabVIEW. a) Blok shema in b) elna ploa. Pri projektu sem izdelala programe za predstavitev uporabe tranzistorjev v raunalniku ter program za prikazovanje in primerjavo razlinih tipov usmernikov [1]. Pomo pri izdelavi programov sem poiskala pri J. Zadravcu, ki se je leto poprej e ukvarjal z LabVIEW v okviru diplomskega seminarja [2], kjer je prikazal uporabo programskega okolja LabVIEW na primeru spirometrije. Za bolj podrobno pomo sem se obrnila na doc. dr. B. Gergia iz FERI, ki vodi laboratorij za meritve. Pomagal mi je pri iskanju gradiv in spoznavanjem bolj zapletenih elementov, pokazal pa mi je tudi vaje v LabVIEW, ki jih tudenti na FERI izvajajo v okviru tudija. Predlagal je, da se za FNM organizira LabVIEW teaj prve stopnje (CLAD). Na teaj se je prijavilo kar nekaj tudentov in lanov oddelka za Fiziko, po teaju pa smo imeli monost opravljanja izpita za pridobitev licence prve stopnje. Izpit sem opravila julija 2011. LabVIEW se uporablja v industriji, intitutih ter olstvu, zato menim, da je pomembno, da ga tudenti zgodaj spoznajo in ugotovijo, kaj lahko z njim doseejo. Ko sem se odloila, da bo tema seminarja povezana s predstavitvijo LabVIEW okolja, sem stopila v stik z asist. mag. A. Dobovikom, ki na oddelku za Fiziko vodi praktikum za predmet Osnovna merjenja. Ta predmet je na predmetniku v prvem letniku in tudenti se med tem spoznajo z merilnimi tehnikami in merilniki, ki jih bodo uporabljali pri fizikalnih eksperimentih tekom tudija [3]. Odloila sva se za implementacijo LabVIEW programa pri vaji Merjenje frekvence. Pri vaji se uporablja fotodioda, tako da bom v seminarju najprej razloila delovanje fotodiode (2. pogl.), nato pa bom v 3. pogl. predstavila izdelavo preprostega merilnika frekvence ter analizo meritev izvedenih s tem merilnikom v LabVIEWu. 3

2 Kaj je fotodioda in kako deluje?

Da bi lahko razumeli, kako deluje fotodioda, moramo najprej pogledati, kako je sestavljena. Atomi elementov, ki jo sestavljajo, so urejeni v kristale, zato opazimo posebne lastnosti pri razporeditvi energijskih nivojev. e opazujemo energijske nivoje izoliranih atomov, vidimo da je spekter energijskih nivojev diskreten. e se dva atoma veeta v molekulo, se energijski nivoji atomov razcepijo in dobimo veje tevilo novih energijskih nivojev [4]. Energijska razlika med novo nastalimi energijskimi stanji je odvisna od razdalje med atomoma (slika 2a). Atomi v molekulah nihajo okoli ravnovesnih leg na medsebojni oddaljenosti R0, zato nas obiajno zanimajo le energijska stanja pri tej razdalji R=R0. Tako dobimo pas diskretnih energijskih nivojev v molekuli (slika 2b). E n=2

n=1 R0 a) R R = R0 b)

Slika 2: a) Razcepitev atomskih energijskih stanj n=1 in n=2 v odvisnosti od razdalje (R) med dvema atomoma. b) Energijska stanja pri ravnovesni razdalji R0. Ker je v kristalu ogromno tevilo atomov (recimo 1023) postane razlika med posameznimi energijskimi nivoji zelo majhna. Tako namesto diskretnega spektra energijskih nivojev dobimo praktino zvezen spekter energijskih pasov (slika 3).

a)

b)

Slika 3: a) Razcepitev atomskih energijskih stanj n=1 in n=2 v odvisnosti od razdalje med atomi v kristalu. b) Energijski pasovi v kristalu pri razdalji R0. Ne glede na medsebojni vpliv atomov v kristalu pa doloena energijska stanja ne morejo biti zasedena z elektroni [5]. Ta energijska stanja tvorijo prepovedane energijske pasove. V prepovedanem energijskem pasu se torej ne nahaja noben 4

elektron. Najviji energijski pas, v katerem so zasedeni vsi nivoji, se imenuje valenni pas, energijski pas, v katerem so nezasedeni nivoji pa se imenuje prevodni pas (slika 4). E

Slika 4: Zasedeni energijski pasovi (sivo), prepovedani energijski pasovi (belo), valenni energijski pas (modro) in prevodni energijski pas (rumeno). Glede na razporeditev energijskih pasov lahko elemente razdelimo v tri kategorije: izolatorje, polprevodnike in prevodnike (slika 5). Pri izolatorjih je irina prepovedanega pasu med valennim ter prevodnim pasom reda 10 eV, pri polprevodnikih okrog 1 eV, pri prevodnikih pa se valenni ter prevodni pas prekrivata [6].

a)

b)

c)

Slika 5: Energijski pasovi v a) izolatorju, b) polprevodniku in c) prevodniku. Barvne oznake so razloene pri sliki 4. Ker je fotodioda sestavljena iz polprevodnikov, bom podrobneje predstavila njihove lastnosti. Polprevodniki elementi so nekateri elementi iz 3., 4. in 5. skupine periodnega sistema elementov. Najbolj znailna predstavnika sta silicij in germanij iz 4. skupine periodnega sistema. Ti atomi imajo na zunanjih energijskih nivojih 4 valenne elektrone. Za polprevodniko snov je znailno, da se pri nizki temperaturi obnaa kot izolator, pri viji pa kot prevodnik [6]. S segrevanjem snovi namre vzbudimo valenne elektrone, da iz valennega pasu preskoijo preko prepovedanega v prevodni pas. To je mono, ker je prepovedan pas dovolj ozek. Pri tem v valennem pasu ostane prosto elektronsko stanje ali vrzel (slika 6), elektroni v prevodnem pasu pa postanejo prosto gibljivi. Tako se elektrina upornost polprevodnika s segrevanjem zmanja. Prehode elektronov iz valennega v prevodni pas lahko vzbudimo tudi z svetlobo. Veja kot je osvetljenost polprevodnika manja je njegova elektrina upornost. 5

Slika 6: Shematini prikaz prehoda elektrona v prevodni energijski pas in nastanek vrzeli v valennem energijskem pasu. Barvne oznake so razloene pri sliki 4. Elektrine lastnosti polprevodnika lahko izboljamo z dopiranjem. To pomeni, da polprevodniku iz 4. skupine dodamo primesi elementov iz 3. ali 5. skupine periodnega sistema. Kadar polprevodnik dopiramo z elementom iz 5. skupine periodnega sistema, 5-valentni atom primesi tvori po 4 valenne vezi s sosednjimi atomi polprevodnika, pri tem pa ostane en elektron, ki vezi s sosednjim atomom ne tvori. Ta odveni elektron je pri nizki temperaturi ibko vezan na atom, pri sobni temperaturi pa se obnaa kot prost elektron. Atom primesi torej odda (donira) en elektron. V prepovedanem pasu se tik pod prevodnim pasom pojavijo donorska elektronska stanja, ki jih zasedejo odveni elektroni atomov primesi. e pri sobni temperaturi imajo ti elektroni dovolj energije, da preskoijo v prevodni pas [2] postanejo prosti elektroni, ki prispevajo k prevajanju elektrinega toka po polprevodniku (slika 7a). V tem primeru govorimo o polprevodniku tipa n. Denimo, da siliciju dodamo primes aluminija iz tretje skupine periodnega sistema.V tem primeru se bo atom aluminija z valennimi vezmi povezal s tremi sosednjimi atomi silicija. Za tvorbo etrte valenne vezi, s etrtim silicijevim atomom, mu manjka en elektron. Nastane torej vrzel, ki pa jo lahko zasede elektron iz okolice (valenni elektron sosednjega silicijevega atoma). Ta za seboj zopet zapusti prosto vrzel. Vidimo, da pri dopiranju polprevodnikov s primesmi iz 3. skupine periodnega sistema, zaradi primanjkljaja elektronov za tvorbo valennih vezi, nastanejo gibljive vrzeli. Atom trivalentnega elementa prejme (akceptira) elektron od sosednjega atoma tirivalentnega elementa, pri katerem nastane vrzel. V prepovedanem pasu, malo nad robom valennega pasu se pojavijo nova energijska stanja, ki jih imenujemo akceptorska stanja (slika 7b). Pri poviani temperaturi ta stanja zapolnijo valenni elektroni, za seboj pa zapustijo pozitivne vrzeli, ki so v tem primeru veinski nosilci elektrinega naboja. V tem primeru govorimo o polprevodniku tipa p.

a)

b)

Slika 7: Energijski pasovi polprevodnikov s primesmi. a) Polprevodnik tipa n z oznaenim donorskim energijskim nivojem (rtkana rta) in b) polprevodnik tipa p z oznaenim akceptorskim energijskim nivojem (rtkana rta). 6

V zadnjem koraku si najprej poglejmo delovanje obiajne diode, nato pa bomo na podlagi tega opisali bistveno razliko med obiajno diodo in fotodiodo. Obiajno diodo dobimo tako, da staknemo plast polprevodnika tipa p in plast polprevodnika tipa n. V p plasti je primankljaj elektronov oz. viek vrzeli, v n-plasti pa viek elektronov. Ko ju zdruimo, dobimo t.i. p-n spoj. Zaradi difuzije se bodo vrzeli premikale iz plasti p proti plasti n, elektroni pa iz plasti n proti plasti p [3]. Na ozkem obmoju v okolici p-n spoja se vrzeli zapolnijo z elektroni, kar imenujemo rekombinacija (slika 8). Na tem obmoju zaradi rekombinacije ni prostih nosilcev naboja - vrzeli ali elektronov. Elektroni, ki so se v p-n stiku rekombinirali z vrzelmi, so v kristalni mrei plasti n za seboj pustili nepremine pozitivne ione, vrzeli iz plasti p pa negativne ione. Preko obmoja p-n spoja se tako vzpostavi elektrino polje, ki je usmerjeno iz plasti n proti plasti p. To elektrino polje zavira difuzijo vrzeli in elektronov preko p-n spoja in s tem tudi elektrini tok skozi spoj obeh polprevodnikov. Elektrina sila na elektrone je namre usmerjena proti plasti n, elektrina sila na vrzeli pa proti plasti p. Pravimo, da na stiku polprevodnika tipa p in n nastane zaporna plast.

Slika 8: Skica p-n spoja v ravnovesnem stanju e elimo, da se bodo vrzeli in elektroni pomikali skozi zaporno plast, s imer bi skozi diodo tekel elektrini tok, jim moramo dovesti energijo, npr. na diodo prikljuimo zunanjo napetost. e na plast p veemo pozitivni prikljuek vira napetosti na plast n pa negativni prikljuek, bo na spoju zaradi zunanje napetosti nastalo elektrino polje, ki bo obratno usmerjeno, kot elektrino polje na zaporni plasti. e je jakost tega elektrinega polja dovolj velika, stee skozi zaporno plast elektrini tok (slika 9a). Na tak nain smo diodo vezali v prevodni smeri. e prikljuka veemo ravno obratno, bo elektrino polje zaradi zunanje napetosti usmerjeno v enaki smeri kot elektrino polje v zaporni plasti in dioda ne bo prevajala elektrinega toka (slika 9b). To pomeni, da smo diodo prikljuili v zaporni smeri.

a)

b)

Slika 9: Vezave diode v prevodni smeri a) in v zaporni smeri b). oznauje elektrino polje zaradi zunanje napetosti, elektrino polje zaradi zaporne plasti diode, pa setevek polj in . 7

Drug moen nain dovajanja energije je, da zaporno plast diode, ki je npr. v zaporni smeri prikljuena na nizko napetost, osvetlimo. Fotoni vpadle svetlobe izbijejo elektrone iz zaporne plasti in na tem mestu nastane vrzel. e je ob tem dioda prikljuena e na nizko napetost v zaporni smeri, bodo elektroni in vrzeli potrebovali dovolj energije, da bodo lahko prekali zaporno plast. V tem primeru napetost zaporne plasti deluje kot gonilna napetost in skozi diodo stee tok v nasprotni smeri (v primerjavi s tem, v kateri smeri tee tok, ko je dioda prikljuena v prevodni smeri). Z meritvijo lahko pokaemo, da je pri konstantni zunanji napetosti elektrini tok skozi diodo odvisen od osvetljenosti diode. V tem primeru, govorimo o fotodiodi (slika 10).

Slika 10: Gibanje elektrona in vrzeli v osvetljeni fotodiodi, ko je le-ta prikljuena v zaporni smeri.

3 Merjenje frekvence
Fotodioda se na spremembe osvetljenosti z vidno svetlobo odzove v asu nekaj nanosekund [7]. Zaradi tega je primerna kot osnovni gradnik merilnika frekvence. Na sliki 11a je shema elektrinega vezja s fotodiodo, ki opravlja funkcijo merilnika frekvence. Vezje je sestavljeno iz baterije, navadnega ohmskega upornika, fotodiode in osciloskopa. Vezje postavimo v bliino vrtee se rne ploe, ki je pritrjena na os elektromotorja, na ploo pa je nalepljen tudi ozek bel trak. Z laserjem posvetimo na vrteo se ploo in laserska svetloba se iz ploe ali traku deloma odbije na fotodiodo. V naem primeru smo za zajem podatkov namesto osciloskopa uporabili raunalnik. Raunalnik preko vmesnika LabVIEW prikljuimo v vezje, vmesnik pa prikljuimo na raunalnik z USB prikljukom. Postavitev poskusa je prikazana na sliki 11b. Z raunalnikom merimo asovni potek napetosti na ohmskem uporniku. Kadar se svetloba odbija od rne povrine ploe je osvetljenost fotodiode nija in elektrina napetost poene skozi vezje le majhen tok. Zaradi tega je tudi padec napetosti na ohmskem uporu majhen. V kratkem asovnem intervalu, ko se mimo fotodiode pomika bel trak prilepljen na ploo, se od traku na fotodiodo odbije ve vpadle svetlobe. Fotodioda je v asu, ko se svetloba odbija od belega traku bolj osvetljena. V tem asu se upornost fotodiode zmanja in skozi upornik in fotodiodo tee veji elektrini tok. Z raunalnikom takrat izmerimo veji padec napetosti na ohmskem uporniku. Opisano dogajanje se ponovi vselej, kadar se mimo fotodiode pomika bel trak, t.j. v asovnih intervalih, ki so enaki obhodnem asu vrtenja belega traku na ploi (t0). 8

R V a) b)

Slika 11: a) Shema merilnika frekvence in b) postavitev poskusa. Z raunalnikom zajamemo oscilirajo signal, iz katerega je mono doloiti frekvenco vrtenja ploe (glej sliko 12). S klikom na gumb ZAJEMI (slika 12) se izvede enosekundni zajem podatkov, med katerim LabVIEW zajema podatke s frekvenco z=104 Hz. Po opravljeni meritvi, se na elni ploi izrie graf napetosti v odvisnosti od asa, v poljih pod gumbom zajemi pa se izpie podatek za frekvenco in napako frekvence.

Slika 12: elna ploa LabVIEW programa za merjenje frekvence. Na elni ploi je mogoe spreminjati meje asovnega intervala za bolj natanen pregled grafa pri vijih frekvencah. Mono je tudi ponovno zajemanje podatkov s klikom na gumb ZAJEMI, pri emer se prejnja meritev zavre. Iz grafa lahko nato izraunamo frekvenco vrtenja ploe. V naem primeru je to avtomatino naredil ustrezen program, ki sem napisala sama v okolju LabVIEW. Fizikalno bistvo programa bom opisala v nadaljevanju. as med dvema vrhoma na grafu ustreza obhodnemu asu ploe. Zato lahko povpreni obhodni as ( ) izraunamo kot: (1)

pri emer je t asovna razlika med prvim ter zadnjim vrhom na grafu, N pa tevilo vrhov, ki se na grafu pojavijo. Napaka pri merjenju asa je doloena s hitrostjo zajemanja podatkov ( ), kar pomeni, da raunalnik zajema podatke na s natanno. Ker do napake lahko pride pri merjenju asa prvega in zadnjega vrha na grafu, je potrebno upotevati dvojno vrednost napake. Najprej izraunamo povpreno frekvenco vrtenja ploe ( ) po enabi: , nato pa po enabi: (3) e absolutno napako za frekvenco. Iz enabe (3) vidimo, da je absolutna napaka meritve, pri dani hitrosti zajemanja podatkov, odvisna od obhodnega asa t0. Za meritev znotraj frekvennega obmoja, ki smo ga uporabljali pri vaji (1 Hz - 60 Hz) dobimo absolutne napake kot so prikazane v tabeli 1. Tabela 1: Absolutna napaka frekvence na razlinih merilnih obmojih, ki smo jih uporabljali pri izvedbi eksperimenta. Frekvenca [Hz] 1 5 10 60 Absolutna napaka [Hz] 0,0002 0,005 0,02 0,7 (2)

4 Zakljuek
V seminarju sem predstavila programsko okolje LabVIEW in opisala delo, ki je bilo v preteklih letih opravljeno na oddelku za Fiziko na Fakulteti za naravoslovje in matematiko. Z LabVIEW programom sem dopolnila vajo Merjenje frekvence pri predmetu Osnovna merjenja. Sedaj lahko tudenti svoje ugotovitve preverijo z raunalnikim programom ter podatke podrobneje analizirajo s pregledom grafa. Program ima nastavljivo asovno skalo, tako, da posnema delovanje osciloskopa in omogoa bolj podroben pregled grafa. Pri izdelavi programa sem imela teave z obliko grafa, e curek laserske svetlobe ni natanno usmerjen v diodo, saj program potrebne podatke razbere iz grafa. V takem primeru lahko dobimo napano meritev. Teavo bi se dalo verjetno odpraviti s tanjim belim trakom, vendar se tega nisem lotila. Med razvojem programa sem si morala razloiti kar nekaj pojavov, o katerih prvotno sploh nisem razmiljala, tako da je bil poleg programerskega izziva to hkrati test mojega splonega fizikalnega znanja. Bilo mi je zanimivo, ker na oddelku nisem imela mentorja na podroju programiranja v LabVIEW in sem morala sama poiskati pomo drugje. S kontakti mi je na pomo priskoil prof. I. Gerli, ki me je usmeril na FERI, kjer so me prijazno sprejeli in si vzeli as za moja vpraanja. Izkunja je bila prijetna, hkrati pa sem se nauila, kako 10

poiskati pomo pri projektih. Upam, da se bo v prihodnosti organiziral e kaken teaj, da se na Oddelku za fiziko zane LabVIEW uporabljati v raziskovalne namene.

Literatura in viri
[1] A. Vinikar, Eksperimenti, krmiljenje z LabView. Pridobljeno 7.2.2012, iz http://student.fnm.uni-mb.si/~avisnikar/labview/index.php. [2] J. Zadravec, Prikaz uporabe programskega okolja LabVIEW na primeru spirometrije. Pridobljeno 7.2.2012, iz http://fizika.fnm.unimb.si/files/seminarji/10/Jozef_Zadravec-spirometrija_LAbVIEW.pdf. [3] A. Doboviek, N. Vaupoti, Osnovna merjenja (Fakulteta za naravoslovje in matematiko, Maribor, 2008). [4] J. Strnad, Fizika, 4. del, Molekule. Kristali. Jedra. Delci (DZS, Ljubljana, 1982). [5] B. Zajc, Polprevodniki elementi (Fakulteta za elektrotehniko v Ljubljani, Ljubljana, 1986). [6] J. Furlan, Osnove polprevodnikih elementov (Tehnika zaloba Slovenije, Ljubljana, 2002). [7] University of San Diego, A Primer on Photodiode Technology. Pridobljeno 9.1.2012, iz http://home.sandiego.edu/~ekim/photodiode/pdtech.html#resp

11